JP2005340802A5 - - Google Patents
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Claims (6)
- 半導体層を形成し、
前記半導体層上に、シロキサンポリマーを含み、粘度１０ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下である組成物をスピン塗布し、加熱することによって絶縁層を形成し、
前記絶縁層に開口部を形成し、
前記開口部に、前記半導体層と接続する配線層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 半導体層を形成し、
前記半導体層上に、シロキサンポリマーを含み、粘度２０ｍＰａ・ｓ以上３５ｍＰａ・ｓ以下である組成物をスピン塗布し、加熱することによって絶縁層を形成し、
前記絶縁層に開口部を形成し、
前記開口部に、前記半導体層と接続する配線層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記絶縁層の膜厚を０．１μｍ以上１０μｍ以下にすることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記組成物は、前記シロキサンポリマーの溶媒として、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−メトシキ−３メチル−１−ブタノールを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記半導体層は絶縁表面を有する基板上に形成され、前記半導体層はソース領域及びドレイン領域を有し、前記配線層は、前記ソース領域又は前記ドレイン領域と接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項５において、
前記絶縁表面を有する基板として、可撓性基板を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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