JP2005338823A - 電子放出素子及びこれを利用した電子放出表示装置並びに電子放出素子の駆動方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 アノード電極の電界を遮蔽してダイオード発光を除去し，電子放出部から放出された電子ビームを集束させて映像の歪曲の少ない電子放出素子及びこれを利用した電子表出表示装置並びに電子放出素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】 本発明は電子放出素子及びこれを利用した電子表出表示装置並びに電子放出素子５０の駆動方法に関する。電子放出素子５０は，データ信号が印加される第１電極３０と，走査信号が印加される第２電極６０と，データ信号の電圧と走査信号の電圧との電圧差に応じて電子の放出制御を行う電子放出部５０とを備えている。走査信号のオフ電圧は，データ信号のオン電圧より低いレベルをとなるように設定されている。
【選択図】 図４

Description

本発明は，画質が改善された電子放出素子及びこれを利用した電子表出表示装置並びに電子放出素子の駆動方法に関する。

電子放出素子には，電子源として熱陰極を利用する方式と冷陰極を利用する方式とが存在する。冷陰極を利用する方式の電子放出素子としては，ＦＥＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｔｔｅｒ Ａｒｒａｙ）型，ＳＣＥ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｍｉｔｔｅｒ）型，ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）型，ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型，及びＢＥＳ（Ｂａｌｌｉｓｔｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ）型などが知られている。

ＦＥＡ型電子放出素子は，低仕事関数または高ベータ関数の物質を電子放出源として使用する素子であって，このような物質が真空中に置かれた場合に電界差によって電子が容易に放出される原理を利用したものである。モリブデン（Ｍｏ），シリコン（Ｓｉ）などを主材質とし，先端の尖っているチップ構造物や黒鉛（グラファイト），ＤＬＣ（ダイヤモンド状炭素）などの炭素系物質が電子放出源として使用されている。また最近では，ナノチューブやナノワイヤーなどのナノ級微小物質で製作された電子放出源を用いた素子が開発されている。

ＳＣＥ型電子放出素子は，第１基板上に互いに対向して配置された第１電極と第２電極との間に導電薄膜を形成し，この導電薄膜に微細亀裂（ギャップ）を形成することによって形成されている。ＳＣＥ型電子放出素子は，電極に電圧を印加することによって導電薄膜表面に電流を流して，微細亀裂（ギャップ）である電子放出部から電子が放出される原理を利用したものである。

そしてＭＩＭ型電子放出素子とＭＩＳ型電子放出素子は，各々金属-誘電層-金属（ＭＩＭ）または金属-誘電層-半導体（ＭＩＳ）の積層構造によって形成されている。ＭＩＭ型電子放出素子とＭＩＳ型電子放出素子は，誘電層を間に置いて対向する二つの金属の間または金属と半導体との間に電圧を印加する場合に，電子電位の高い金属または半導体から電子電位の低い金属に向かって，電子が移動し加速されながら放出される原理を利用したものである。

ＢＳＥ型電子放出素子は，半導体のサイズを半導体中の電子の平均自由行程より小さい寸法の領域まで縮少すれば電子が散乱せずに走行する原理を利用したものである。ＢＳＥ型電子放出素子は，オーミック電極上に金属または半導体からなる電子供給層を形成し，電子供給層上に絶縁層と金属薄膜を形成してオミック電極と金属薄膜の間に電圧を印加することによって電子を放出する。

以上のような電子放出素子は，電子放出部から放出された電子を，第２基板上に形成された蛍光体に衝突させるために，第２基板上に正の高電圧が印加されるアノード電極が形成されている。

しかしながら，従来の電子放出素子では，アノード電極に印加される正の高電圧によって非選択画素領域（蛍光体を衝突させることを望まない画素領域）でも電子が吸引されて蛍光体に衝突して発光してしまうという問題があった。この現象は，アノード電極に印加される正の高電圧によって，電子放出部周囲に電界（以下，‘アノード電界’と言う）が形成されると，電子放出部が電子を放出して第２基板上で発光が行われことに起因するものである。このような，アノード電極による発光をダイオード発光という。

また，電子放出部から放出された電子の集束が不十分であるために，望まない領域の蛍光体に電子が衝突した場合には，映像に歪曲（雑音光や歪）を生じてしまい，画質が低下するという問題があった。

本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり，アノード電極の電界を遮蔽してダイオード発光を除去し，電子放出部から放出された電子ビームを集束させて映像の歪曲の少ない電子放出素子及びこれを利用した電子表出表示装置並びに電子放出素子の駆動方法を提供することを課題とする。

上記課題を解決するために，本発明に係る電子放出素子は，データ信号が印加される第１電極と;走査信号が印加される第２電極と;上記データ信号の電圧と上記走査信号の電圧との電圧差に応じて電子の放出制御を行う電子放出部と；を含み，上記走査信号のオフ電圧は，上記データ信号のオン電圧より低いレベルをとなるように設定されることを特徴とする。

また，上記電子放出部は，上記第１電極に上記データ信号のオン電圧が印加され，且つ，上記第２電極に上記走査信号のオン電圧が印加された場合に，上記電子を放出することとしてもよい。

さらに，上記走査信号のオン電圧が正の電圧であり，上記走査信号のオフ電圧が負の電圧であってもよい。

また，上記データ信号のオン電圧が，グラウンド電圧と実質的に同一であり，上記データ信号のオフ電圧は正の電圧であってもよい。

さらに，本発明に係る電子放出素子が，第３の電極をさらに含み；該第３の電極には，上記電子放出部から放出される上記電子を集束させるためのフォーカシング信号が印加されていてもよい。

また，上記フォーカシング信号は，一定の負の電圧となるよう設定されていてもよい。

さらに上記第１電極がカソード電極であり；上記第２電極が第１絶縁層を間に置いて上記第１電極上に形成される第１ゲート電極であり；上記第３電極が第２絶縁層を間に置いて上記第２電極上に形成される第２ゲート電極であるものであってもよい。

また，上記電子放出部から放出される電子を引き付けるための第４電極と；上記電子が衝突する場合に画像を表示するように蛍光体が形成される第２基板と；をさらに含んでいてもよい。

本発明に係る電子放出表示装置は，複数の走査電極及びデータ電極が交差して配列されて電子放出部が形成される第１基板と，少なくとも一つの正電極が形成される第２基板とを含むパネルと;上記データ電極に第１電圧と第２電圧を有するデータ信号を印加するデータ駆動部と;上記複数の走査電極のうち選択された走査電極には第３電圧を印加し，選択されなかった走査電極には第４電圧を印加する走査駆動部と；を含み，上記電子放出部は上記データ電極に印加される上記第１電圧と上記選択された走査電極に印加される上記第３電圧との電圧差に応じて電子を放出し；上記第４電圧は上記第１電圧より低いレベルとなるように設定されることを特徴とする。

また，上記第１基板に，上記電子放出部から放出された電子を集束させて上記第４電極からの電界を遮蔽するための第５電極がさらに形成されていてもよい。

さらに，上記第２基板に，上記電子が衝突する場合に画像が表示されるように蛍光体がさらに形成されていてもよい。

また，上記第４電圧が負のレベルとなるように設定されていてもよい。

本発明に係る電子放出素子の駆動方法は，少なくとも一つの正電極が形成される第１基板と；複数の第１電極及び電子放出部が形成された複数の第２電極と上記第１電極上に形成される第３電極とを含む第２基板と；を含む電子放出素子の駆動方法において：上記複数の第１電極を順次に選択して第１電圧を第１期間の間に印加し，第２期間の間に第２電圧を印加する第１段階と;上記第２電極にデータ電圧を印加する第２段階と;上記第１段階及び上記第２段階の間に上記第３電極に第３電圧を印加する第３段階と；を含み，上記第２電圧は，上記第１電極が上記第２期間の間に上記正電極からの電界を遮蔽できる電圧レベルに設定されることを特徴とする。

また，上記第２電圧が，上記データ電圧より低いレベルに設定されていてもよい。

さらに，上記第２電圧が負の電圧であってもよい。

また，上記第３電圧が負の電圧であってもよい。

本発明によれば，アノード電極の電界を遮蔽してダイオード発光を抑制することができる電子放出素子及びその駆動方法を提供することができる。

また，電子放出部から放出された電子ビームを集束させて映像の歪曲が少ない電子放出素子及びその駆動方法を提供することができる。

さらに，アノード電極に印加される電圧を高めることによって輝度が改善された電子放出表示装置を提供することができる。

以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

図１は，本発明の実施形態に係る電子放出素子を利用した電子放出表示装置の論理構造を概略的に示す図面である。なお，図１は論理構造を示した図であるため，機械的構造と一義的に対応するものではない。

図１に示すように，本発明の実施形態における電子放出表示装置は，映像を表示する表示パネル１００と，データ電極Ｄ_１−Ｄ_ｍを駆動するためのデータ電極駆動部２００と，走査電極Ｓ１−Ｓｎを駆動するための走査電極駆動部３００と，フォーカシング電極Ｆ１−Ｆｎを駆動するためのフォーカシング電極駆動部４００とを含んでいる。

表示パネル１００は，複数のデータ電極Ｄ１−Ｄｍと，データ電極Ｄ１−Ｄｍと交差するように形成された複数の走査電極Ｓ１−Ｓｎ及び複数のフォーカシング電極Ｆ１−Ｆｎと，データ電極と走査電極の交差領域に各々形成される複数の画素とを含んでいる。

データ電極駆動部２００は，データ電極Ｄ１−Ｄｍにデータ信号を供給する。また，走査電極駆動部３００は，選択された走査電極Ｓ１−Ｓｎに走査信号（走査パルス）を供給する。

本発明の実施形態では，走査電極駆動部３００は，走査電極Ｓ１−Ｓｎを順次に選択して走査パルスを印加し，データ駆動部２００は，走査パルスが印加されている間にデータ電極にデータ電圧を印加する。

フォーカシング電極駆動部４００は，フォーカシング電極Ｆ１−Ｆｎに負の電圧を印加して電子放出部（図示せず）から放出される電子ビームを集束させ，アノード電界を遮蔽して，非選択領域におけるダイオード発光を抑制する。

図２は，本発明の実施例１による電子放出素子の機械的構造を示す断面図である。

図２に示すように，電子放出素子は，後面基板１０及び前面基板２０を含んでいる。後面基板１０上にはカソード電極３０と第１ゲート電極６０とが絶縁層を間に置いて形成され，その上には，第２ゲート電極７０が第１ゲート電極６０との間に絶縁層を置いて形成されている。そして，電子放出部５０が，カソード電極３０上に形成されている。

前面基板２０は，後面基板１０に対向するように形成され，前面基板２０上には電子が衝突して画像が表示される蛍光体４０と，電子放出部５０から放出された電子を引き付けるためのアノード電極８０とが形成されている。

このように形成された電子放出素子を動作させる場合には，カソード電極３０と第１ゲート電極６０の間に印加された電圧を用いて電子放出部５０に高電界を集中させ，量子力学的なトンネル効果によって電子放出部５０から電子を放出させる。電子放出部５０から放出された電子は，アノード電極８０に印加される電圧によって加速され，蛍光体４０に衝突して蛍光体４０を発光させる。

図２では，カソード電極３０上に第１ゲート電極６０が絶縁層を間に置いて形成される例を示したが，実施状況に応じて第１ゲート電極６０をカソード電極３０下に形成してもよい。この場合には，電子放出部５０が第１ゲート電極６０上に形成される。

また，前面基板２０上に蛍光体４０が形成され，蛍光体４０上にアノード電極８０が形成された例を示したが，実施状況に応じて，前面基板２０上に透明なアノード電極を形成し，その上に蛍光体を塗布する構成としてもよい。そして，蛍光体上に金属薄膜をさらに形成してもよい。

以下，本発明の実施例１による電子放出素子を利用した電子放出表示装置の駆動方法について詳細に説明する。

以下，図２のカソード電極３０がデータ電極Ｄｍとして使用され，第１ゲート電極６０が走査電極Ｓｎとして使用される使用状況を中心に説明する。

なお，電子放出素子の電極構成によっては，カソード電極３０を走査電極Ｓｎとして使用し，第１ゲート電極６０をデータ電極Ｄｍとして使用することも可能である。このような駆動方法の変更は，後述する実施例を参考にして当業者が容易に実現できる自明な事項であるため，この駆動方法についての詳細な説明は省略する。

また，選択された走査電極に印加される走査電圧，つまり走査パルスを“走査信号のオン電圧”とし，選択されなかった走査電極（非選択走査電極）に印加される走査電圧を“走査信号のオフ電圧”とする。また，画素を発光させるためにデータ電極に印加される電圧を“データ信号のオン電圧”とし，画素を発光させないためにデータ電極に印加される電圧を“データ信号のオフ電圧”とする。

図３は，本発明の実施例１における表示装置の駆動波形を示した図面である。

期間Ｔ１で，走査電極Ｓｎに走査信号のオン電圧ＶＳが印加され，データ電極Ｄｍにはデータ信号のオン電圧Ｖ１が印加される。その結果，走査電極Ｓｎとデータ電極Ｄｍに印加される電圧差ＶＳ−Ｖ１が十分に大きくなって，電子放出部５０から電子が放出され，放出された電子が蛍光体４０に衝突する。この衝突により，画素が発光する。

この後，期間Ｔ２で走査電極Ｓｎに印加されていた走査信号のオン電圧ＶＳが維持され，データ電極Ｄｍの印加電圧がデータ信号のオフ電圧ＶＤに変化する。この結果，走査電極Ｓｎとデータ電極Ｄｍに印加される電圧差がＶＳ−ＶＤに減少し，電子放出部５０から電子が放出されないようになって画素が発光しなくなる。

そして，期間Ｔ３で走査電極Ｓｎには走査信号のオフ電圧Ｖ１が印加され，データ電極Ｄｍにはデータ信号のオフ電圧Ｖ１が印加されるが，走査電極Ｓｎとデータ電極Ｄｍに印加される電圧差が零ボルトに減少して電子放出の停止状態が継続するので，画素が発光しなくなる。この場合，走査信号のオフ電圧Ｖ１は，データ信号のオン電圧Ｖ１と同一の電圧値に設定される。通常，設定される同一の電圧値は，零ボルトである。

一方，フォーカシング電極Ｆｎには，負の電圧Ｖ２が持続的に印加されるが，期間Ｔ１では，電子放出部５０から放出された電子ビームを集束させて電子ビームが望む位置の蛍光体に衝突するようにし，期間Ｔ２，Ｔ３では，アノード電極８０からの正の高電界を遮断して，望ましくないダイオード発光の発生を抑制する。

この場合，フォーカシング電極Ｆｎに印加される負の電圧の大きさを増加させるほどフォーカシング機能と電界遮蔽機能が増加するが，アノード電極８０へ行く電子の数が減少するため表示パネル１００の輝度が減少してしまうという短所が存在する。

したがって，フォーカシング電極Ｆｎには適正な負の電圧が印加されなければならず，アノード電極８０からの電界を遮蔽させるためにはフォーカシング電極Ｆ１−Ｆｎとして使用される第２ゲート電極７０の膜の厚さを増加させたり電子放出部５０が形成されるホールの深さ/幅の比を大きくしなければならない。しかし，このような方法を使用するための加工過程が非常に複雑であるために生産性及び収率面で多くの問題が発生する。

したがって，本発明の実施例２に示す電子放出素子では，走査信号のオフ電圧をデータ信号のオン電圧より低く設定することによって，選択されなかった画素でダイオード発光が発生することを抑制する。

図４は，本発明の実施例２に係る電子放出素子を用いた電子放出表示装置の駆動波形を示した図面である。

本発明の実施例２に示す電子放出素子は，走査信号のオフ電圧が実施例１の場合に比べて低下して電圧Ｖ３になった点で実施例１と異なっている。

このように，走査信号のオフ電圧Ｖ３をデータ信号のオン電圧Ｖ１より低く設定することによって，非選択走査電極の電子放出部から電子が放出されることを抑制するだけでなく，アノード電極８０の電界を遮蔽するフォーカシング電極の機能まで実現することができる。

具体的には，期間Ｔ１で走査電極Ｓｎに走査信号のオン電圧ＶＳが印加され，データ電極Ｄｍにはデータ信号のオン電圧Ｖ１が印加される。この時，走査電極Ｓｎとデータ電極Ｄｍに印加される電圧差ＶＳ−Ｖ１によって電子放出部５０から電子が放出され，放出された電子が蛍光体４０に衝突することによって画像が表示される。

この後，期間Ｔ２でも走査電極Ｓｎに走査信号のオン電圧ＶＳが維持され，データ電極Ｄｍにデータ信号のオフ電圧ＶＤが印加される。したがって，走査電極Ｓｎとデータ電極Ｄｍに印加される電圧差がＶＳ−ＶＤに減少し，電子放出部５０から電子が放出されない。

期間Ｔ３では，走査電極Ｓｎに走査信号のオフ電圧Ｖ３が印加され，データ電極Ｄｍにデータ信号のオフ電圧Ｖ１が印加される。この場合には，データ電極Ｄｍに印加される電圧より走査電極Ｓｎに印加される電圧の方がさらに低くなって，走査電極Ｓｎがアノード電極の電界を遮蔽する機能を行う。つまり，第１ゲート電極が走査電極Ｓｎとして使用され，カソード電極がデータ電極Ｄｍとして使用される場合，走査信号のオフ電圧が印加される非選択画素の第１ゲート電極にカソード電極に印加される電圧より低い電圧を印加することによって，アノード電極に印加される正の高電圧を第１ゲート電極が遮断する役割を果たす。

したがって，非選択画素でフォーカシング電極Ｆ１−Ｆｎによってアノード電界が１次的に遮蔽され，走査電極Ｓ１−Ｓｎによってアノード電界が２次的に遮蔽されることによって，アノード電界によるダイオード発光を確実に抑制することができる。

また，実施例１よりアノード電極にさらに高い正の高電圧を印加してもダイオード発光は発生せず，結局アノード電極に印加される電圧を高めて画像の輝度を高めることができる。また，ダイオード発光による映像の歪曲が減って表示装置の画質が改善される。

図５は，本発明の実施例２に示す表示装置の全体的な駆動波形を示した図面である。

図５に示すように，複数の走査電極Ｓ１−Ｓｎに走査信号のオン電圧ＶＳが順次に印加される。このオン電圧ＶＳは，画素の選択されている間は継続して維持され，選択が終了すると走査信号のオフ電圧Ｖ３が印加される。

この時，走査信号のオフ電圧Ｖ３はデータ信号のオン電圧Ｖ１より低いレベルの電圧に設定されるので，前述のように非選択画素でダイオード発光が発生することを抑制することができる。

以下，図６及び図７を参照して，本発明の実施例１及び実施例２に示した駆動方法におけるアノード電界の遮蔽効果を説明する。図６及び図７に示すグラフは，フォーカシング電極Ｆ１−Ｆｎの水平幅を１１０μmに設定し，アノード電極の電圧によって発生する電流が５０μAである場合の実験結果を示したものである。

図６は，本発明の実施例１に示した駆動方法を用いて，フォーカシング電極に印加される電圧に対応してダイオード発光が発生するアノード電極の電圧を示したグラフである。図６において，走査信号のオフ電圧は０Ｖに設定している。

図６に示すように，フォーカシング電極Ｆｎに印加される電圧が負の方向に増加するほどダイオード発光を起こすアノード電極の電圧が高くなる。例えば，フォーカシング電極Ｆｎに印加される電圧が−２０Ｖである場合には，アノード電極に２．１ｋｖ内の電圧を印加することができ，フォーカシング電極Ｆｎに印加される電圧が−３０Ｖである場合にはアノード電極に２．３ｋｖ内の電圧を印加することができる。

図７は，本発明の実施例２に示した駆動方法を用いて，フォーカシング電極に印加される電圧と，走査電極に印加されるオフ電圧に対応してダイオード発光が発生するアノード電極の電圧とを示したグラフである。

図７に示すように，フォーカシング電極Ｆｎに印加される電圧が負の方向に増加するほどダイオード発光を起こすアノード電極の電圧が高くなる。また，走査信号のオフ電圧が負の方向に増加するほどダイオード発光を起こすアノード電極の電圧はさらに高くなる。

例えば，フォーカシング電極Ｆｎに印加される電圧が−２０Ｖで，走査信号のオフ電圧が−４０Ｖである場合，アノード電極に２．７ｋｖ内の電圧を印加することができる。また，フォーカシング電極Ｆｎに印加される電圧が−３０Ｖで，走査信号のオフ電圧が−４０Ｖである場合，アノード電極にほぼ２．９ｋｖ内の電圧を印加することができる。

したがって，本発明の実施例２では，フォーカシング電極を利用して発光画素の電子ビームを集束させ，画素のアノード電界を１次的に遮蔽させることができる。また，選択画素の走査電極に印加される電圧をデータ電極に印加される電圧より低く設定することによって，アノード電界を２次的に遮蔽させることができる。

以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことはいうまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

本発明は，画質が改善された電子放出素子及びこれを利用した電子表出表示装置並びに電子放出素子の駆動方法に適用可能である。

本発明の実施形態に係る電子放出素子を利用した表示装置の論理構造を概略的に示した図面である。 本発明の実施例１における電子放出素子の機械的構造を示した断面図である。 本発明の実施例１における表示装置の駆動波形を示した図面である。 本発明の実施例２における表示装置の駆動波形を示した図面である。 本発明の実施例２における表示装置の全体的な駆動波形を示した図面である。 本発明の実施例１による駆動方法におけるフォーカシング電極に印加される電圧に対応してダイオード発光が発生するアノード電極の電圧を示したグラフである。 本発明の実施例２による駆動方法におけるフォーカシング電極に印加される電圧と走査信号のオフ電圧に対応してダイオード発光が発生するアノード電極の電圧を示したグラフである。

符号の説明

１０ 後面基板
２０ 前面基板
３０ カソード電極
４０ 蛍光体
５０ 電子放出部
６０ 第１ゲート電極
７０ 第２ゲート電極
８０ アノード電極
１００ 表示パネル
２００ データ電極駆動部
３００ 走査電極駆動部
４００ フォーカシング電極駆動部
Ｄ１−Ｄｍ データ電極
Ｆ１−Ｆｎ フォーカシング電極
Ｓ１−Ｓｎ 走査電極

Claims (16)

1. データ信号が印加される第１電極と;
   走査信号が印加される第２電極と;
   前記データ信号の電圧と前記走査信号の電圧との電圧差に応じて電子の放出制御を行う電子放出部と；
   を含み，
   前記走査信号のオフ電圧は，前記データ信号のオン電圧より低いレベルをとなるように設定されることを特徴とする電子放出素子。
2. 前記電子放出部は，前記第１電極に前記データ信号のオン電圧が印加され，且つ，前記第２電極に前記走査信号のオン電圧が印加された場合に，前記電子を放出することを特徴とする請求項１に記載の電子放出素子。
3. 前記走査信号のオン電圧は正の電圧であり，前記走査信号のオフ電圧は負の電圧であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子放出素子。
4. 前記データ信号のオン電圧は，グラウンド電圧と実質的に同一であり，前記データ信号のオフ電圧は正の電圧であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電子放出素子。
5. 第３の電極をさらに含み；
   該第３の電極には，前記電子放出部から放出される前記電子を集束させるためのフォーカシング信号が印加されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電子放出素子。
6. 前記フォーカシング信号は，一定の負の電圧となるよう設定されることを特徴とする請求項５に記載の電子放出素子。
7. 前記第１電極はカソード電極であり；
   前記第２電極は第１絶縁層を間に置いて前記第１電極上に形成される第１ゲート電極であり；
   前記第３電極は第２絶縁層を間に置いて前記第２電極上に形成される第２ゲート電極であること；
   を特徴とする請求項５または請求項６に記載の電子放出素子。
8. 前記電子放出部から放出される電子を引き付けるための第４電極と；
   前記電子が衝突する場合に画像を表示するように蛍光体が形成される第２基板と；
   をさらに含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の電子放出素子。
9. 複数の走査電極及びデータ電極が交差して配列されて電子放出部が形成される第１基板と，少なくとも一つの正電極が形成される第２基板とを含むパネルと;
   前記データ電極に第１電圧と第２電圧を有するデータ信号を印加するデータ駆動部と;
   前記複数の走査電極のうち選択された走査電極には第３電圧を印加し，選択されなかった走査電極には第４電圧を印加する走査駆動部と；
   を含み，
   前記電子放出部は前記データ電極に印加される前記第１電圧と前記選択された走査電極に印加される前記第３電圧との電圧差に応じて電子を放出し；
   前記第４電圧は前記第１電圧より低いレベルとなるように設定される
   ことを特徴とする電子放出表示装置。
10. 前記第１基板には，前記電子放出部から放出された電子を集束させて前記第４電極からの電界を遮蔽するための第５電極がさらに形成されることを特徴とする請求項９に記載の電子放出表示装置。
11. 前記第２基板には，前記電子が衝突する場合に画像が表示されるように蛍光体がさらに形成されることを特徴とする請求項９〜１０のいずれかに記載の電子放出表示装置。
12. 前記第４電圧は負のレベルとなるように設定されることを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の電子放出表示装置。
13. 少なくとも一つの正電極が形成される第１基板と；
    複数の第１電極及び電子放出部が形成された複数の第２電極と前記第１電極上に形成される第３電極とを含む第２基板と；
    を含む電子放出素子の駆動方法において：
    前記複数の第１電極を順次に選択して第１電圧を第１期間の間に印加し，第２期間の間に第２電圧を印加する第１段階と;
    前記第２電極にデータ電圧を印加する第２段階と;
    前記第１段階及び前記第２段階の間に前記第３電極に第３電圧を印加する第３段階と；
    を含み，
    前記第２電圧は，前記第１電極が前記第２期間の間に前記正電極からの電界を遮蔽できる電圧レベルに設定されることを特徴とする電子放出素子の駆動方法。
14. 前記第２電圧は前記データ電圧より低いレベルに設定されることを特徴とする請求項１３に記載の電子放出素子の駆動方法。
15. 前記第２電圧は負の電圧であることを特徴とする請求項１３または１４に記載の電子放出素子の駆動方法。
16. 前記第３電圧は負の電圧であることを特徴とする請求項１３〜１５のいずれかに記載の電子放出素子の駆動方法。

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