JP2005333314A - スイッチング制御回路 - Google Patents
スイッチング制御回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005333314A JP2005333314A JP2004148780A JP2004148780A JP2005333314A JP 2005333314 A JP2005333314 A JP 2005333314A JP 2004148780 A JP2004148780 A JP 2004148780A JP 2004148780 A JP2004148780 A JP 2004148780A JP 2005333314 A JP2005333314 A JP 2005333314A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- potential
- circuit
- switching element
- turned
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0822—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
- H03K17/161—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
- H03K17/165—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches by feedback from the output circuit to the control circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
- H03K17/6872—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor using complementary field-effect transistors
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
【解決手段】出力電位がVDD−Vaよりも高くなったことをセンサ101が検出すると、センサ101から「H」の信号がNOR回路103の第1入力端子に入力され、NOR回路103から「L」の信号がNOR回路3の第2入力端子に入力され、NOR回路3から「H」の信号がゲート駆動回路107に入力される。これにより、PMOS1がオンされる。また、出力電位がGND+Vbよりも低くなったことをセンサ201が検出すると、センサ201から「L」の信号がNAND回路203の第1入力端子に入力され、NAND回路203から「H」の信号がNAND回路4の第2入力端子に入力され、NAND回路4から「L」の信号がゲート駆動回路207に入力される。これにより、NMOS2がオンされる。
【選択図】図1
Description
Claims (7)
- 電源電位に接続された第1のスイッチング素子と、
GND電位に接続された第2のスイッチング素子と、
前記第1のスイッチング素子と前記第2のスイッチング素子との接続点に接続された誘導性負荷と、
前記接続点の電位である出力電位を検出する検出回路と、
前記第2のスイッチング素子をオフさせた後に前記第1のスイッチング素子をオンさせる際に、前記電源電位より所定値だけ低い第1の電位よりも前記出力電位が高くなったことを示す第1の信号を前記検出回路から受けて、前記第1のスイッチング素子をオンさせる第1の駆動回路と
を備える、スイッチング制御回路。 - 前記第1の信号を前記検出回路から受けて、前記第1のスイッチング素子の駆動インピーダンスを、第1の値から、それよりも低い第2の値に切り替える、第1のインピーダンス切り替え回路をさらに備える、請求項1に記載のスイッチング制御回路。
- 前記第1のスイッチング素子をオフさせた後に前記第2のスイッチング素子をオンさせる際に、前記GND電位より所定値だけ高い第2の電位よりも前記出力電位が低くなったことを示す第2の信号を前記検出回路から受けて、前記第2のスイッチング素子をオンさせる第2の駆動回路をさらに備える、請求項1又は2に記載のスイッチング制御回路。
- 前記第2の信号を前記検出回路から受けて、前記第2のスイッチング素子の駆動インピーダンスを、第1の値から、それよりも低い第2の値に切り替える、第2のインピーダンス切り替え回路をさらに備える、請求項3に記載のスイッチング制御回路。
- 電源電位に接続された第1のスイッチング素子と、
GND電位に接続された第2のスイッチング素子と、
前記第1のスイッチング素子と前記第2のスイッチング素子との接続点に接続された誘導性負荷と、
前記接続点の電位である出力電位を検出する検出回路と、
前記第2のスイッチング素子をオフさせた後に前記第1のスイッチング素子をオンさせる際に、前記電源電位より所定値だけ低い電位よりも前記出力電位が高くなったことを示す信号を前記検出回路から受けて、前記第1のスイッチング素子の駆動インピーダンスを、第1の値から、それよりも低い第2の値に切り替える、インピーダンス切り替え回路と
を備える、スイッチング制御回路。 - 電源電位に接続された第1のスイッチング素子と、
GND電位に接続された第2のスイッチング素子と、
前記第1のスイッチング素子と前記第2のスイッチング素子との接続点に接続された誘導性負荷と、
前記接続点の電位である出力電位を検出する検出回路と、
前記第1のスイッチング素子をオフさせた後に前記第2のスイッチング素子をオンさせる際に、前記GND電位より所定値だけ高い電位よりも前記出力電位が低くなったことを示す信号を前記検出回路から受けて、前記第2のスイッチング素子をオンさせる駆動回路と
を備える、スイッチング制御回路。 - 電源電位に接続された第1のスイッチング素子と、
GND電位に接続された第2のスイッチング素子と、
前記第1のスイッチング素子と前記第2のスイッチング素子との接続点に接続された誘導性負荷と、
前記接続点の電位である出力電位を検出する検出回路と、
前記第1のスイッチング素子をオフさせた後に前記第2のスイッチング素子をオンさせる際に、前記GND電位より所定値だけ高い電位よりも前記出力電位が低くなったことを示す信号を前記検出回路から受けて、前記第2のスイッチング素子の駆動インピーダンスを、第1の値から、それよりも低い第2の値に切り替える、インピーダンス切り替え回路と
を備える、スイッチング制御回路。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004148780A JP4494083B2 (ja) | 2004-05-19 | 2004-05-19 | スイッチング制御回路 |
US11/130,259 US7705638B2 (en) | 2004-05-19 | 2005-05-17 | Switching control circuit with reduced dead time |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004148780A JP4494083B2 (ja) | 2004-05-19 | 2004-05-19 | スイッチング制御回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005333314A true JP2005333314A (ja) | 2005-12-02 |
JP4494083B2 JP4494083B2 (ja) | 2010-06-30 |
Family
ID=35374629
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004148780A Expired - Fee Related JP4494083B2 (ja) | 2004-05-19 | 2004-05-19 | スイッチング制御回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7705638B2 (ja) |
JP (1) | JP4494083B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008211703A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Hitachi Ltd | 半導体回路 |
WO2014024596A1 (ja) * | 2012-08-08 | 2014-02-13 | シャープ株式会社 | インバータ駆動回路 |
WO2014034063A1 (ja) * | 2012-08-30 | 2014-03-06 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP2014050179A (ja) * | 2012-08-30 | 2014-03-17 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2014107662A (ja) * | 2012-11-27 | 2014-06-09 | Denso Corp | 半導体装置 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2882869A1 (fr) * | 2005-03-04 | 2006-09-08 | St Microelectronics Sa | Source d'alimentation a decoupage |
TW200849785A (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-16 | Ind Tech Res Inst | DC-DC converter |
AT508193B1 (de) * | 2009-05-08 | 2015-05-15 | Fronius Int Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum schutz von transistoren |
KR101646964B1 (ko) * | 2009-10-14 | 2016-08-09 | 삼성전자주식회사 | 휴대용 단말기에서 이어폰 인식 회로 장치 |
JP2013062935A (ja) * | 2011-09-13 | 2013-04-04 | Toshiba Corp | 短絡保護回路およびdc−dcコンバータ |
CN108011509A (zh) * | 2018-01-15 | 2018-05-08 | 国网安徽省电力公司合肥供电公司 | 基于电感的死区生成电路 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004056982A (ja) * | 2002-07-24 | 2004-02-19 | Seiko Epson Corp | 電源回路 |
JP2004056983A (ja) * | 2002-07-24 | 2004-02-19 | Seiko Epson Corp | 電源回路 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5754065A (en) * | 1995-11-07 | 1998-05-19 | Philips Electronics North America Corporation | Driving scheme for a bridge transistor |
US6172550B1 (en) * | 1996-08-16 | 2001-01-09 | American Superconducting Corporation | Cryogenically-cooled switching circuit |
SG68690A1 (en) * | 1997-10-29 | 1999-11-16 | Hewlett Packard Co | Integrated circuit assembly having output pads with application specific characteristics and method of operation |
US6628093B2 (en) * | 2001-04-06 | 2003-09-30 | Carlile R. Stevens | Power inverter for driving alternating current loads |
KR100919717B1 (ko) * | 2002-08-19 | 2009-10-06 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 인버터 구동 장치 및 그 방법 |
US6940262B2 (en) * | 2002-12-31 | 2005-09-06 | Intersil Americas Inc. | PWM-based DC-DC converter with assured dead time control exhibiting no shoot-through current and independent of type of FET used |
TWI220329B (en) * | 2003-07-22 | 2004-08-11 | Richtek Technology Corp | Device and method to improve noise sensitivity of switching system |
-
2004
- 2004-05-19 JP JP2004148780A patent/JP4494083B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-05-17 US US11/130,259 patent/US7705638B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004056982A (ja) * | 2002-07-24 | 2004-02-19 | Seiko Epson Corp | 電源回路 |
JP2004056983A (ja) * | 2002-07-24 | 2004-02-19 | Seiko Epson Corp | 電源回路 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008211703A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Hitachi Ltd | 半導体回路 |
US7952339B2 (en) | 2007-02-28 | 2011-05-31 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor circuit |
WO2014024596A1 (ja) * | 2012-08-08 | 2014-02-13 | シャープ株式会社 | インバータ駆動回路 |
JPWO2014024596A1 (ja) * | 2012-08-08 | 2016-07-25 | シャープ株式会社 | インバータ駆動回路 |
WO2014034063A1 (ja) * | 2012-08-30 | 2014-03-06 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP2014050179A (ja) * | 2012-08-30 | 2014-03-17 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2014107662A (ja) * | 2012-11-27 | 2014-06-09 | Denso Corp | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050258890A1 (en) | 2005-11-24 |
JP4494083B2 (ja) | 2010-06-30 |
US7705638B2 (en) | 2010-04-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7705638B2 (en) | Switching control circuit with reduced dead time | |
US8466735B2 (en) | High temperature gate drivers for wide bandgap semiconductor power JFETs and integrated circuits including the same | |
US7746155B2 (en) | Circuit and method for transistor turn-off with strong pulldown | |
JP5341781B2 (ja) | 電力供給制御回路 | |
US7521965B2 (en) | 5 volt tolerant IO scheme using low-voltage devices | |
JP2011139403A (ja) | 電力供給制御回路 | |
US20180069537A1 (en) | Level shift circuit and semiconductor device | |
JPWO2017169057A1 (ja) | センサ装置 | |
JP2010028522A (ja) | 半導体装置 | |
US7075335B2 (en) | Level shifter | |
US6222387B1 (en) | Overvoltage tolerant integrated circuit input/output interface | |
US8941418B2 (en) | Driving circuits with power MOS breakdown protection and driving methods thereof | |
JP2008148378A (ja) | 半導体集積回路および電源装置 | |
WO2016003823A1 (en) | Glitch suppression in an amplifier | |
US7746146B2 (en) | Junction field effect transistor input buffer level shifting circuit | |
US20120299634A1 (en) | Semiconductor element driving circuit and semiconductor device | |
JP2009060226A (ja) | 半導体装置 | |
JP4473293B2 (ja) | 半導体装置の入出力回路 | |
JP2006025071A (ja) | 駆動回路 | |
JP2004072424A (ja) | Mosゲートトランジスタのゲート駆動回路 | |
JP2003273714A (ja) | 負荷駆動回路および負荷駆動回路を有する半導体装置 | |
JP4658360B2 (ja) | 出力バッファ | |
JP4012095B2 (ja) | 半導体装置の入出力回路 | |
KR100968442B1 (ko) | 저전력 동작모드용 기준전압 발생 장치 | |
JP2003318714A (ja) | ドライブ回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070413 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091001 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100107 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100107 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100406 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100407 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140416 Year of fee payment: 4 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |