JP2005333118A5

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Publication number: JP2005333118A5
Application number: JP2005114330A
Authority: JP
Filing date: 2005-04-12
Publication date: 2008-04-17
Anticipated expiration: 2025-04-12

Claims

半導体層を形成し、
前記半導体層上に液滴吐出法にて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて、前記半導体層をエッチングして島状の半導体層にし、
前記第１のレジストマスクを除去し、
前記島状の半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に液滴吐出法にて第１のゲート電極層を形成し、
前記第１のゲート電極層上に接して、液滴吐出法にて、前記第１のゲート電極層よりも幅の狭い第２のゲート電極層を形成し、
前記島状の半導体層中に不純物をドーピングして、前記島状の半導体層中にソース領域、２つのＬＤＤ領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を形成し、
前記第１のゲート電極層、前記第２のゲート電極層及び前記ゲート絶縁膜を覆って窒化珪素膜又は酸化珪素膜を形成し、
前記窒化珪素膜又は前記酸化珪素膜上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて、前記層間絶縁膜をエッチングして、前記ソース領域及び前記ドレイン領域とのコンタクトホールを形成し、
前記第２のレジストマスクを除去し、
前記コンタクトホールに液滴吐出法にてソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記２つのＬＤＤ領域のうち、一方は前記チャネル形成領域と前記ソース領域との間に接して形成され、他方は前記チャネル形成領域と前記ドレイン領域との間に接して形成され、
前記２つのＬＤＤ領域は、前記第２のゲート電極と重なっておらず、前記第１のゲート電極層と重なっていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
半導体層を形成し、
前記半導体層上に液滴吐出法にて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて、前記半導体層をエッチングして島状の半導体層にし、
前記第１のレジストマスクを除去し、
前記島状の半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に液滴吐出法にてゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上の中央部に、液滴吐出法にて第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて、前記ゲート電極の側部をエッチングして、テーパー状の側面を有するゲート電極層を形成し、
前記島状の半導体層に不純物を導入することにより、前記島状の半導体層中にソース領域、２つのＬＤＤ領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を形成し、
前記第２のレジストマスクを除去し、
前記ゲート電極層及び前記ゲート絶縁膜を覆って窒化珪素膜又は酸化珪素膜を形成し、
前記窒化珪素膜又は前記酸化珪素膜上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に第３のレジストマスクを形成し、
前記第３のレジストマスクを用いて、前記層間絶縁膜をエッチングして、前記ソース領域及び前記ドレイン領域とのコンタクトホールを形成し、
前記第３のレジストマスクを除去し、
前記コンタクトホールに液滴吐出法にてソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記２つのＬＤＤ領域のうち、一方は前記チャネル形成領域と前記ソース領域との間に接して形成され、他方は前記チャネル形成領域と前記ドレイン領域との間に接して形成され、
前記２つのＬＤＤ領域は、前記ゲート電極と、前記テーパー状の領域のみにおいて重なっていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
半導体層を形成し、
前記半導体層上に液滴吐出法にて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて、前記半導体層をエッチングして島状の半導体層にし、
前記第１のレジストマスクを除去し、
前記島状の半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に液滴吐出法にてゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上の中央部に液滴吐出法にて耐熱性を有する絶縁物を形成し、
前記ゲート電極層を酸素及び窒素を含む雰囲気中で加熱することにより、前記絶縁物が形成されていない部分のゲート電極層の膜厚を薄くし、異なる膜厚を有するゲート電極層とし、
前記島状の半導体層中に不純物をドーピングして、前記島状の半導体層中にソース領域、２つのＬＤＤ領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を形成し、
前記絶縁物を除去し、
前記ゲート電極層及び前記ゲート絶縁膜を覆って窒化珪素膜又は酸化珪素膜を形成し、
前記窒化珪素膜又は前記酸化珪素膜上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて、前記層間絶縁膜をエッチングして、前記ソース領域及び前記ドレイン領域とのコンタクトホールを形成し、
前記第２のレジストマスクを除去し、
前記コンタクトホールに液滴吐出法にてソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記２つのＬＤＤ領域のうち、一方は前記チャネル形成領域と前記ソース領域との間に接して形成され、他方は前記チャネル形成領域と前記ドレイン領域との間に接して形成され、
前記２つのＬＤＤ領域は、前記ゲート電極層と、前記膜厚の薄い部分のみにおいて重なっていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
半導体層を形成し、
前記半導体層上に液滴吐出法にて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて、前記半導体層をエッチングして島状の半導体層にし、
前記第１のレジストマスクを除去し、
前記島状の半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に液滴吐出法にてゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層をマスクとして、前記島状の半導体層に不純物を導入することにより、一対の不純物領域を形成し、
前記ゲート電極層を酸素及び窒素を含む雰囲気中で加熱することにより、前記ゲート電極層の膜厚及び幅を減少させ、
前記膜厚及び幅が減少したゲート電極層をマスクとして、前記島状の半導体層に低濃度の不純物を導入することにより、前記島状の半導体層中にソース領域、２つのＬＤＤ領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を形成し、
前記ゲート電極層及び前記ゲート絶縁膜を覆って窒化珪素膜又は酸化珪素膜を形成し、
前記窒化珪素膜又は前記酸化珪素膜上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて、前記層間絶縁膜をエッチングして、前記ソース領域及び前記ドレイン領域とのコンタクトホールを形成し、
前記第２のレジストマスクを除去し、
前記コンタクトホールに液滴吐出法にてソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記２つのＬＤＤ領域のうち、一方は前記チャネル形成領域と前記ソース領域との間に接して形成され、他方は前記チャネル形成領域と前記ドレイン領域との間に接して形成され、
前記２つのＬＤＤ領域は、前記ゲート電極層と重なっていないことを特徴とする半導体装置の作製方法。