JP2005332164A - バイアス回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】 定電流源を起動後は起動電流を流さないようにするバイアス回路の提供。
【解決手段】 電源3とアースの間にトランジスタ10、11を縦列接続し、トランジスタ10のゲートを定電流源4のトランジスタ13,14,15、16のゲートに接続する。トランジスタ11のゲートに起動信号を供給する。トランジスタ10、11の接続点を起動電流生成用トランジスタ12のゲートに接続し、トランジスタ12のソースを電源3に接続する。トランジスタ12のドレインをトランジスタ17に接続する。トランジスタ11のゲートに起動信号が入力されたとき、トランジスタ12のゲート電圧をアースレベルに下げ、起動電流を供給し定電流源4を起動する。トランジスタ17が定電流を生成すると共に、トランジスタ13,14,15、16のゲート電圧が下降し、トランジスタ10、11の接続点電圧が所定の電圧まで上がり、ランジスタ12をオフする。定電流源4の起動後、この起動電流は供給しない。
【選択図】 図1
【解決手段】 電源3とアースの間にトランジスタ10、11を縦列接続し、トランジスタ10のゲートを定電流源4のトランジスタ13,14,15、16のゲートに接続する。トランジスタ11のゲートに起動信号を供給する。トランジスタ10、11の接続点を起動電流生成用トランジスタ12のゲートに接続し、トランジスタ12のソースを電源3に接続する。トランジスタ12のドレインをトランジスタ17に接続する。トランジスタ11のゲートに起動信号が入力されたとき、トランジスタ12のゲート電圧をアースレベルに下げ、起動電流を供給し定電流源4を起動する。トランジスタ17が定電流を生成すると共に、トランジスタ13,14,15、16のゲート電圧が下降し、トランジスタ10、11の接続点電圧が所定の電圧まで上がり、ランジスタ12をオフする。定電流源4の起動後、この起動電流は供給しない。
【選択図】 図1
Description
本発明は、演算増幅器等のアナログ回路に使用して好適な定電流源を用いてなるバイアス回路に関する。
一般に演算増幅回路等のアナログ回路においては、その動作点を決定するために定電流源を用いてなるバイアス回路が使用されている。
このアナログ回路の用途によっては、電源電圧を供給した状態で動作を一時的に停止させて動作待機状態にし、このアナログ回路の再起動時には急速な立ち上げが必要な場合がある。
このアナログ回路の用途によっては、電源電圧を供給した状態で動作を一時的に停止させて動作待機状態にし、このアナログ回路の再起動時には急速な立ち上げが必要な場合がある。
従来、この種の定電流源を用い起動回路によって起動する図3に示す如き、バイアス回路がある(特許文献1参照)。図3において、1aは起動回路1を構成するPチャンネルのMOS電界効果トランジスタ(以下MOSFETと称す。)を示し、また、2は起動信号が供給される起動信号入力端子を示す。この起動信号入力端子2に供給される起動信号をこの起動回路1を構成するMOSFET1aのゲートに供給する。
このMOSFET1aのソースを直流電源VDDが供給される電源端子3に接続する。5は定電流源4を構成するPチャンネルのMOSFETを示し、このMOSFET5のソースを電源端子3に接続し、このMOSFET5のドレインをNチャンネルのMOSFET6のドレインに接続し、このMOSFET6のソースを接地する。
また、起動回路を構成するMOSFET1aのドレインをMOSFET5及び6の夫々のドレインの接続点に接続する。またMOSFET5のゲートをダイオード構成のPチャンネルのMOSFET7のゲートに接続し、このMOSFET7のソースを電源端子3に接続すると共に、このMOSFET7のドレインをNチャンネルのMOSFET8のドレインに接続する。この場合、MOSFET5とMOSFET7とでカレントミラー回路を構成する。
またMOSFET8のゲートをMOSFET5及び6の夫々のドレインの接続点に接続し、このMOSFET8のソースを電流調整用の抵抗器9を介して接地(アース)し、このMOSFET8のソース及び抵抗器9の接続点をMOSFET6のゲートに接続する。この図3においては、MOSFET5、6、7、8及び抵抗器9で定電流源を構成する。
斯る、図3に示す如き従来のバイアス回路において、起動信号入力端子2に定電流源4の起動信号が入力されたときは、起動回路1を構成するMOSFET1aを介してMOSFET6に起動電流が流れ、MOSFET6のドレイン−ソース間電流が飽和領域に達したところで、MOSFET6及び8と抵抗器9により定電流が形成される。
特開2001−326535号公報
然しながら、図3に示す如き、従来のバイアス回路においては、起動回路1のMOSFET1aからの起動電流は定電流が形成された後もMOSFET6に流れ続け、このバイアス回路の無効電流となる不都合がある。
またこの無効電流を小さくするには、MOSFET1aのゲート長を長くする必要があり、このMOSFET1aのトランジスタサイズを大きくする必要があると共に、この起動電流を小さくしたときには起動時間が長くなってしまう不都合がある。
本発明は、斯る点に鑑み定電流源を起動した後は起動電流を流さないようにすることを目的とする。
本発明バイアス回路は、電源とアースとの間にPチャンネルの第1のトランジスタ及びNチャンネルの第2のトランジスタを縦列接続すると共にこの第1のトランジスタのゲートを定電流源を構成するPチャンネルの第6、第7、第8及び第10のトランジスタのゲートに接続し、この第2のトランジスタのゲートに起動信号を供給するようにし、この第1及び第2のトランジスタの夫々のドレインの接続点を起動電流生成用のPチャンネルの第3のトランジスタのゲートに接続し、この第3のトランジスタのソースを電源に接続し、この第3のトランジスタのドレインを起動させたいNチャンネルの第11のトランジスタに接続し、この第2のトランジスタのゲートに起動信号が入力されたとき、この第3のトランジスタのゲート電圧をアースレベルまで下げ、この電源よりこの第3のトランジスタを介してこの第11のトランジスタに起動電流を供給して定電流源を起動し、この第11のトランジスタが飽和領域に達し、定電流を生成すると共に、このときこの第6、第7、第8及び第10のトランジスタのゲート電圧が電源電圧であったのから下降し、この第1及び第2のトランジスタの夫々のドレインの接続点の電圧がこのアースレベルより所定の電圧まで上がり、この第3のトランジスタをオフし、その後第11のトランジスタに起動電流の供給を止め、この定電流源の起動後はこの起動電流を供給しないようにしたものである。
本発明によれば、定電流源の起動後は起動電流を供給しないようにしたので、無効電流をなくすことができる。
以下、図1及び図2を参照して本発明バイアス回路を実施するための最良の形態の例につき説明する。図1において図3に対応する部分には同一符号を付して示す。
図1例においては、電源とアースとの間にPチャンネルのMOSFET10及びNチャンネルのMOSFET11を縦列接続する。即ち、MOSFET10のソースを直流電圧VDDが供給される電源端子3に接続し、このMOSFET10のドレインをMOSFET11のドレイン接続し、このMOSFET11のソースを接地(アース)する。
このMOSFET10及び11の夫々のドレインの接続点を起動電流生成用のPチャンネルのMOSFET12のゲートに接続し、このMOSFET12のソースを電源端子3に接続し、またMOSFET11のゲートに後述する定電流源4を起動する起動信号を入力する起動信号入力端子2を接続する。本例においては、このMOSFET10,11及び12で起動回路1を構成する。
本例においては、MOSFET10のゲートを定電流源4を構成するPチャンネルのMOSFET13,14,15及び16の夫々のゲートに接続する。この場合定電流源4の定電流が起動したときに、MOSFET13,14,15及び16のゲート電圧をこのMOSFET10のゲートにフィードバックする経路を構成する。また、MOSFET15はゲートとドレインとが接続されたダイオード構成とし、MOSFET15とMOSFET13,14及び16と夫々カレントミラー回路を構成する。
また、起動回路1を構成するMOSFET12のドレインを定電流源4を構成するNチャンネルのMOSFET17のドレインに接続する。
またMOSFET13のソースをPチャンネルのMOSFET18のドレインに接続し、このMOSFET18のソースを電源端子3に接続し、またMOSFET14のソースをPチャンネルのMOSFET19のドレインに接続し、このMOSFET19のソースを電源端子3に接続し、またMOSFET16のソースをPチャンネルのMOSFET20のドレインに接続し、このMOSFET20のソースを電源端子3に接続する。
このMOSFET18,19及び20の夫々のゲートを互に接続し、このMOSFET18及び19の夫々のゲートの接続点をMOSFET14のドレインに接続し、このMOSFET19はMOSFET18及び20と夫々カレントミラー回路を構成する。
またMOSFET13,14,15及び16の夫々のドレインをNチャンネルのMOSFET17,21,22及び23の夫々のドレインに接続し、MOSFET23のソースを接地する。このMOSFET17,21,22及び23の夫々のゲートを互に接続すると共にMOSFET23のドレインとゲートとを接続してダイオード構成とし、このMOSFET23とMOSFET17,21及び22とを夫々カレントミラー回路構成とする。
このMOSFET17,21及び22の夫々のソースをNチャンネルのMOSFET24,25及び26の夫々のドレインに接続し、MOSFET24及び26の夫々のソースを接地し、MOSFET25のソースを電流調整用の抵抗器27を介して接地する。
このMOSFET24,25及び26の夫々のゲートを互いに接続すると共にMOSFET24のゲートをMOSFET13及び17の夫々のドレインの接続点に接続し、MOSFET24とMOSFET25及び26と夫々カレントミラー回路を構成する。
また、本例においては、MOSFET15はMOSFET13,14及び16のソースドレイン間電圧を最小電位にするためのバイアス供給用のMOSFETで、このMOSFET13,14,15及び16のゲートの電位はMOSFET18,19,20のゲートの電位より低めに設定する。
また、同様にMOSFET23はMOSFET17,21及び22のソース−ドレイン間電圧を最小電位にするためのバイアス供給用のMOSFETで、このMOSFET17,21,22及び23のゲートの電位はMOSFET24,25,26のゲートの電位より高めに設定する。
一般的にMOSFETのゲートの電位VGSは次式で設定され、本例においては夫々のMOSFETを次式に従って形成する。
本例においてはMOSFET13,14‥‥26及び抵抗器27により定電流源4を構成する。
本例は上述の如く構成されているので、バイアス回路を構成する定電流源4を起動する図2Aに示す如き起動信号が起動信号入力端子2に時点t1で入力されたときは、MOSFET11が導通し、MOSFET12のゲートの電圧が図2Cに示す如く時点t2でアースレベルまで下がり、このMOSFET12がオン状態となり、電源端子3より、このMOSFET12を通じて定電流源4を構成するMOSFET17のドレイン及びMOSFET24のゲートに図2Dに示す如き起動電流が流れ込む。
この場合、MOSFET12は時点t2において完全にオン状態であるので、このMOSFET12の電流能力分の電流をMOSFET17のドレイン及びMOSFET24のゲートに流し込むことができる。
このMOSFET24が飽和領域に達し、MOSFET24,25及び抵抗器27で定電流を生成したところで定電流源4は完全に起動し、そのときMOSFET18,19,13,14,15及び16はこのMOSFET24,25で生成された定電流が流れ、MOSFET13,14,15及び16のゲート電圧は電流値、MOSFET13,14,15,16のサイズ及びプロセス乗数により所定の電圧に落ち着く。
このMOSFET13,14,15及び16のゲートの電圧がMOSFET10のゲートにフィードバックされ、このMOSFET10のゲートの電圧が図2Bに示す如く電源端子3の電圧VDDであったのから下降し、このMOSFET10をより導通して、このMOSFET10を流れる電流を増大し、MOSFET11の導通抵抗により、MOSFET10及び11の夫々のドレインの接続点の電圧即ちMOSFET12のゲートの電圧を図2Cに示す如く時点t2のアースレベルより引き上げ、これにより時点t3でMOSFET12をオフ状態とし、このMOSFET12よりの起動電流の注入を止める。
この場合、上述例ではMOSFET18,19,20のゲートの電位を低めに設定してあるので、MOSFET18,19,20のゲートの電位でMOSFET10のゲートにフィードバックをかけるよりも、このMOSFET13,14,15,16のゲートの電位をMOSFET10のゲートにフィードバックをかける方が、このときMOSFET12を確実にオフ状態とすることができる。
本例によれば、起動信号入力端子2に起動信号を入力した直後には、MOSFET12が定電流源4を構成するMOSFET17及び24を急速に立ち上げて、定電流源4を起動するのでこのバイアス回路の起動時間を大幅に短縮することができ、また起動時に必要な起動電流をこのバイアス回路を構成する定電流源4の起動後は完全に止めることができるので、無効電流を生ぜずかつ定電流源4を動作させ続けることができる。
本例によれば、無効電流を生じないので、起動電流を小さくするために起動回路1のMOSFETのゲート長Lを大きくする必要がなく、また、起動回路1に抵抗等を使用せずMOSFETのみで構成できるので、この起動回路1のレイアウト面積を小さくすることができる。
尚、本発明は上述例に限ることなく、本発明の要旨を逸脱することなく、その他種々の構成が採り得ることは勿論である。
1‥‥起動回路、2‥‥起動信号入力端子、3‥‥電源端子、4‥‥定電流源、10,12,13,14,15,16,18,19,20‥‥PチャンネルのMOSFET、11,17,21,22,23,25,26‥‥NチャンネルのMOSFET、27‥‥抵抗器
Claims (1)
- 電源とアースとの間にPチャンネルの第1のトランジスタ及びNチャンネルの第2のトランジスタを縦列接続すると共に前記第1のトランジスタのゲートを定電流源を構成するPチャンネルの第6、第7、第8及び第10のトランジスタのゲートに接続し、前記第2のトランジスタのゲートに起動信号を供給するようにし、前記第1及び第2のトランジスタの夫々のドレインの接続点を起動電流生成用のPチャンネルの第3のトランジスタのゲートに接続し、前記第3のトランジスタのソースを電源に接続し、前記第3のトランジスタのドレインを起動させたいNチャンネルの第11のトランジスタに接続し、前記第2のトランジスタのゲートに起動信号が入力されたとき、前記第3のトランジスタのゲート電圧をアースレベルまで下げ、前記電源より前記第3のトランジスタを介して前記第11のトランジスタに起動電流を供給して定電流源を起動し、前記第11のトランジスタが飽和領域に達し、定電流を生成すると共にこのとき前記第6、第7、第8及び第10のトランジスタのゲート電圧が電源電圧であったのから下降し、前記第1及び第2のトランジスタの夫々のドレインの接続点の電圧が前記アースレベルより所定の電圧まで上がり前記第3のトランジスタをオフし、その後第11のトランジスタに前記起動電流の供給を止め、前記定電流源の起動後は前記起動電流を供給しないようにしたことを特徴とするバイアス回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004149346A JP2005332164A (ja) | 2004-05-19 | 2004-05-19 | バイアス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2005332164A true JP2005332164A (ja) | 2005-12-02 |
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Family Applications (1)
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JP2004149346A Pending JP2005332164A (ja) | 2004-05-19 | 2004-05-19 | バイアス回路 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2005332164A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2008197994A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 起動回路 |
CN103677044A (zh) * | 2012-09-14 | 2014-03-26 | Nxp股份有限公司 | 低功率快速稳定电压基准电路 |
CN108445960A (zh) * | 2018-06-27 | 2018-08-24 | 重庆湃芯入微科技有限公司 | 一种高电源电压波动范围的带隙基准电压源 |
-
2004
- 2004-05-19 JP JP2004149346A patent/JP2005332164A/ja active Pending
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US9235229B2 (en) | 2012-09-14 | 2016-01-12 | Nxp B.V. | Low power fast settling voltage reference circuit |
CN108445960A (zh) * | 2018-06-27 | 2018-08-24 | 重庆湃芯入微科技有限公司 | 一种高电源电压波动范围的带隙基准电压源 |
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