JP2005311342A5 - - Google Patents
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Claims (7)
- 第1の基板上に、前記第1の基板に接するようにバッファ膜を形成し、
前記バッファ膜上に、前記バッファ膜に接するように剥離層を形成し、
前記剥離層上に、前記剥離層に接するように下地膜を形成し、
前記下地膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を、連続発振のレーザまたは発振周波数が10MHz以上のパルス発振のレーザを用いて結晶化し、
前記結晶化した半導体膜を用いて半導体素子を形成し、
前記剥離層をエッチングにより除去することで、前記下地膜及び前記半導体素子を、前記第1の基板及び前記バッファ膜から剥離し、
前記剥離された前記下地膜及び前記半導体素子を第2の基板に貼り合わせ、
前記半導体膜を結晶化するときに、前記剥離層も共に結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第1の基板上に、前記第1の基板に接するようにバッファ膜を形成し、
前記バッファ膜上に、前記バッファ膜に接するように剥離層を形成し、
前記剥離層上に、前記剥離層に接するように下地膜を形成し、
前記下地膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を、連続発振のレーザまたは発振周波数が10MHz以上のパルス発振のレーザを用いて結晶化し、
前記結晶化した半導体膜を用いて複数の半導体素子を形成し、
前記複数の半導体素子の間に、前記剥離層が露出するような溝を形成し、
前記溝からエッチング剤を導入して前記剥離層をエッチングにより除去することで、前記下地膜及び前記複数の半導体素子を、前記第1の基板及び前記バッファ膜から剥離し、
前記剥離された前記下地膜及び前記複数の半導体素子を第2の基板に貼り合わせ、
前記半導体膜を結晶化するときに、前記剥離層も共に結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1または請求項2において、前記第2の基板は可撓性を有していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか1項において、前記剥離層は、珪素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか1項において、前記エッチング剤は、ハロゲン化物を含む気体又は液体を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか1項において、前記バッファ膜は、酸化珪素または酸化窒化珪素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至請求項6のいずれか1項において、前記下地膜は、酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化珪素または窒化酸化珪素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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