JP2005311342A5 - - Google Patents
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- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims 1
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- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
Claims (7)
- 第１の基板上に、前記第１の基板に接するようにバッファ膜を形成し、
前記バッファ膜上に、前記バッファ膜に接するように剥離層を形成し、
前記剥離層上に、前記剥離層に接するように下地膜を形成し、
前記下地膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を、連続発振のレーザまたは発振周波数が１０ＭＨｚ以上のパルス発振のレーザを用いて結晶化し、
前記結晶化した半導体膜を用いて半導体素子を形成し、
前記剥離層をエッチングにより除去することで、前記下地膜及び前記半導体素子を、前記第１の基板及び前記バッファ膜から剥離し、
前記剥離された前記下地膜及び前記半導体素子を第２の基板に貼り合わせ、
前記半導体膜を結晶化するときに、前記剥離層も共に結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第１の基板上に、前記第１の基板に接するようにバッファ膜を形成し、
前記バッファ膜上に、前記バッファ膜に接するように剥離層を形成し、
前記剥離層上に、前記剥離層に接するように下地膜を形成し、
前記下地膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を、連続発振のレーザまたは発振周波数が１０ＭＨｚ以上のパルス発振のレーザを用いて結晶化し、
前記結晶化した半導体膜を用いて複数の半導体素子を形成し、
前記複数の半導体素子の間に、前記剥離層が露出するような溝を形成し、
前記溝からエッチング剤を導入して前記剥離層をエッチングにより除去することで、前記下地膜及び前記複数の半導体素子を、前記第１の基板及び前記バッファ膜から剥離し、
前記剥離された前記下地膜及び前記複数の半導体素子を第２の基板に貼り合わせ、
前記半導体膜を結晶化するときに、前記剥離層も共に結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１または請求項２において、前記第２の基板は可撓性を有していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、前記剥離層は、珪素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、前記エッチング剤は、ハロゲン化物を含む気体又は液体を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、前記バッファ膜は、酸化珪素または酸化窒化珪素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、前記下地膜は、酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化珪素または窒化酸化珪素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005085530A JP5008266B2 (ja) | 2004-03-25 | 2005-03-24 | 半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004088613 | 2004-03-25 | ||
| JP2004088613 | 2004-03-25 | ||
| JP2005085530A JP5008266B2 (ja) | 2004-03-25 | 2005-03-24 | 半導体装置の作製方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005311342A JP2005311342A (ja) | 2005-11-04 |
| JP2005311342A5 true JP2005311342A5 (ja) | 2008-04-10 |
| JP5008266B2 JP5008266B2 (ja) | 2012-08-22 |
Family
ID=35439690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005085530A Expired - Fee Related JP5008266B2 (ja) | 2004-03-25 | 2005-03-24 | 半導体装置の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5008266B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101401195B (zh) * | 2006-03-28 | 2010-11-03 | 夏普株式会社 | 半导体元件的转印方法和半导体装置的制造方法以及半导体装置 |
| JP5460108B2 (ja) | 2008-04-18 | 2014-04-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4748859B2 (ja) * | 2000-01-17 | 2011-08-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
| JP2003229548A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-08-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 乗物、表示装置、および半導体装置の作製方法 |
-
2005
- 2005-03-24 JP JP2005085530A patent/JP5008266B2/ja not_active Expired - Fee Related
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