JP2005311342A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005311342A5 JP2005311342A5 JP2005085530A JP2005085530A JP2005311342A5 JP 2005311342 A5 JP2005311342 A5 JP 2005311342A5 JP 2005085530 A JP2005085530 A JP 2005085530A JP 2005085530 A JP2005085530 A JP 2005085530A JP 2005311342 A5 JP2005311342 A5 JP 2005311342A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- semiconductor
- substrate
- release layer
- crystallized
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 3
- XCCANNJCMHMXBZ-UHFFFAOYSA-N hydroxyiminosilicon Chemical compound ON=[Si] XCCANNJCMHMXBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- WKODDKLNZNVCSL-UHFFFAOYSA-N 1,3,2$l^{2},4$l^{2}-oxazadisiletidine Chemical compound N1[Si]O[Si]1 WKODDKLNZNVCSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N Silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
Claims (7)
- 第１の基板上に、前記第１の基板に接するようにバッファ膜を形成し、
前記バッファ膜上に、前記バッファ膜に接するように剥離層を形成し、
前記剥離層上に、前記剥離層に接するように下地膜を形成し、
前記下地膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を、連続発振のレーザまたは発振周波数が１０ＭＨｚ以上のパルス発振のレーザを用いて結晶化し、
前記結晶化した半導体膜を用いて半導体素子を形成し、
前記剥離層をエッチングにより除去することで、前記下地膜及び前記半導体素子を、前記第１の基板及び前記バッファ膜から剥離し、
前記剥離された前記下地膜及び前記半導体素子を第２の基板に貼り合わせ、
前記半導体膜を結晶化するときに、前記剥離層も共に結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第１の基板上に、前記第１の基板に接するようにバッファ膜を形成し、
前記バッファ膜上に、前記バッファ膜に接するように剥離層を形成し、
前記剥離層上に、前記剥離層に接するように下地膜を形成し、
前記下地膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を、連続発振のレーザまたは発振周波数が１０ＭＨｚ以上のパルス発振のレーザを用いて結晶化し、
前記結晶化した半導体膜を用いて複数の半導体素子を形成し、
前記複数の半導体素子の間に、前記剥離層が露出するような溝を形成し、
前記溝からエッチング剤を導入して前記剥離層をエッチングにより除去することで、前記下地膜及び前記複数の半導体素子を、前記第１の基板及び前記バッファ膜から剥離し、
前記剥離された前記下地膜及び前記複数の半導体素子を第２の基板に貼り合わせ、
前記半導体膜を結晶化するときに、前記剥離層も共に結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１または請求項２において、前記第２の基板は可撓性を有していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、前記剥離層は、珪素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、前記エッチング剤は、ハロゲン化物を含む気体又は液体を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、前記バッファ膜は、酸化珪素または酸化窒化珪素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、前記下地膜は、酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化珪素または窒化酸化珪素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005085530A JP5008266B2 (ja) | 2004-03-25 | 2005-03-24 | 半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004088613 | 2004-03-25 | ||
| JP2004088613 | 2004-03-25 | ||
| JP2005085530A JP5008266B2 (ja) | 2004-03-25 | 2005-03-24 | 半導体装置の作製方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005311342A JP2005311342A (ja) | 2005-11-04 |
| JP2005311342A5 true JP2005311342A5 (ja) | 2008-04-10 |
| JP5008266B2 JP5008266B2 (ja) | 2012-08-22 |
Family
ID=35439690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005085530A Expired - Fee Related JP5008266B2 (ja) | 2004-03-25 | 2005-03-24 | 半導体装置の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5008266B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4451488B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2010-04-14 | シャープ株式会社 | 半導体素子の転写方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP5460108B2 (ja) | 2008-04-18 | 2014-04-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4748859B2 (ja) * | 2000-01-17 | 2011-08-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
| JP2003229548A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-08-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 乗物、表示装置、および半導体装置の作製方法 |
-
2005
- 2005-03-24 JP JP2005085530A patent/JP5008266B2/ja not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW559876B (en) | Method and apparatus for dicing a semiconductor wafer | |
| TW200623400A (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| EP1681713A4 (en) | SURFACE PROTECTION FILM AND SEMICONDUCTOR WAFER LAPPING METHOD | |
| JP2006013484A5 (ja) | ||
| JP2004297084A5 (ja) | ||
| WO2006025967A3 (en) | Semiconductor processing using energized hydrogen gas and in combination with wet cleaning | |
| JP2006093209A5 (ja) | ||
| JP2006316078A5 (ja) | ||
| JP2010141287A (ja) | 薄膜素子の製造方法 | |
| JP2005252242A5 (ja) | ||
| US7902001B2 (en) | Method of fabricating thin film device | |
| TWI228268B (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| US6974721B2 (en) | Method for manufacturing thin semiconductor chip | |
| JP2005311333A5 (ja) | ||
| JP2007157806A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US8450185B2 (en) | Semiconductor structures having directly bonded diamond heat sinks and methods for making such structures | |
| JP5228381B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2005311342A5 (ja) | ||
| JP2007180273A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4657882B2 (ja) | 表示デバイスの素子構造 | |
| TW200741820A (en) | Method for manufacturing a semiconductor substrate and method for manufacturing a semiconductor device | |
| JP2006012914A (ja) | 集積回路チップの製造方法及び半導体装置 | |
| JP2009095962A (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
| JP2007214255A (ja) | 貼り合わせｓｏｉウェーハの製造方法 | |
| JP2006041502A5 (ja) |