JP2005302922A - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 コアレス多層基板120にスティフナー130を接着し、コアレス多層基板120の裏面には、コンデンサを内部に形成したセラミック基板150を取り付ける。スティフナー130とセラミック基板150の熱膨張係数は、比較的近い値であり、かつコアレス多層基板120の熱膨張係数より低い。製造工程などで熱負荷が加わっても、コアレス多層基板120は、セラミック基板150およびスティフナー130により、挟持・固定されており、反りなどの発生を抑制することができる。
【選択図】 図2
Description
コア層を有しない多層基板を備えた配線基板であって、
前記多層基板の一方の面に、該多層基板と平面形状の略等しい補強基板を補強用に取り付けたことを要旨としている。
コア層を有しない多層基板を用いた配線基板の製造方法であって、
片面に半導体チップ取り付け用のランドを用意した多層基板と、該多層基板と平面形状の略等しい補強基板とを用意する工程と、
前記多層基板の前記半導体チップ取付用のランドが用意された側とは反対の面に、前記補強基板を取り付ける工程と
を備えたことを要旨としている。
A.第1実施例の配線基板110の構成:
B.コアレス多層基板の製造方法:
C.配線基板の製造方法:
D.第2実施例の配線基板310の構造:
図1は、第1実施例の配線基板110の平面図、図2は、その縦断面構造を示す構成図である。両図に示すように、この配線基板110は、コア層を有しない多層基板(以下、コアレス多層基板という)120の第一主表面MP1に、補強板としての42アロイ製のスティフナー130が熱硬化樹脂により接着されている。スティフナー130は、その中心に開口部132が設けられており、この開口部132に半導体チップ140が、最終的に搭載される。コアレス多層基板120の第二主表面MP2側、即ち半導体チップ140の取り付けられた側とは反対の側(裏面)には、補強基板のとして本実施例で採用したセラミック基板150が取り付けられている。
コアレス多層基板120の製造方法は種々提案されているが、ここでは、金属箔を用いた製造方法について、図3ないし図6を用いて説明する。図3ないし図6は、製造工程を表す説明図である。工程S1〜S5は、最終的には金属箔密着体5を利用して取り除かれる支持基板20上に、積層シート体10を形成していく工程を示している。これらの工程S1〜S5は、周知のビルドアップ法等により行なうことができる。
次に、配線基板110全体の製造方法について簡略に説明する。図8は、配線基板110の製造方法を示す工程図である。図示するように、先ずコアレス多層基板120を製造する(工程S200)。この製造方法は、既に詳しく説明した。
(1)コアレス多層基板120の第二種表面MP2にセラミック基板150をハンダ付けした後の冷却時、
(2)熱硬化樹脂により接着したスティフナー130の温度が低下するとき
などに発生する。
上記の実施例では、コアレス多層基板120は、セラミック基板150とスティフナー130によりいわば挟持する構造としたが、スティフナー130を用いず、セラミック基板150のみを用いて、配線基板を310を形成することも可能である。この場合、図8に示した製造工程で、スティフナーの貼付・固定の工程(ステップS250)を行なう必要はない。他の工程は基本的に同じである。
5a…下側金属箔
5b…上側金属箔
8…金属端子
10…積層シート体
11〜14…誘電体シート
11x〜14x…誘電体層
11a…ビア孔
11a…開口
14a…開口
20…支持基板
21…下地誘電体シート
31〜33…導体層
41〜43…ビア導体
100…配線積層部
103…端面
110…配線基板
120…コアレス多層基板
130…スティフナー
132…開口部
140…半導体チップ
150…セラミック基板
152…ハンダバンプ
160…LGAパッド
Claims (12)
- コア層を有しない多層基板を備えた配線基板であって、
前記多層基板の一方の面に、該多層基板と平面形状の略等しい補強基板を補強用に取り付けた配線基板。 - 前記補強基板は、少なくとも前記多層基板より剛性が高い請求項1記載の配線基板。
- 請求項1記載の配線基板であって、
前記多層基板の前記補強基板の取り付け側とは反対側に、半導体チップ取り付け用の開口部を備えた補強板を取り付けた
配線基板。 - 請求項3記載の配線基板であって、
前記補強板は、前記多層基板より前記補強基板の熱膨張係数に近似の材料からなる
配線基板。 - 前記補強板は、42アロイまたは36アロイである請求項4記載の配線基板。
- 前記補強基板は、他の部材を搭載するためにマザーボードとの間に介装されるインターポーザである請求項1ないし請求項5のいずれか記載の配線基板。
- 前記補強基板は、セラミック基板である請求項1ないし請求項6のいずれか記載の配線基板。
- 前記補強基板は、コンデンサを内蔵した請求項1ないし請求項7のいずれか記載の配線基板。
- コア層を有しない多層基板を用いた配線基板の製造方法であって、
片面に半導体チップ取り付け用のランドを用意した多層基板と、該多層基板と平面形状の略等しい補強基板とを用意する工程と、
前記多層基板の前記半導体チップ取付用のランドが用意された側とは反対の面に、前記補強基板を補強用に取り付ける工程と
を備えた配線基板の製造方法。 - 請求項9記載の配線基板の製造方法であって、更に、
前記多層基板の前記半導体チップを取り付ける側に、該半導体チップ取付用の開口部を備えた補強板を取り付ける工程を備える配線基板の製造方法。 - 請求項9記載の配線基板の製造方法であって、
前記多層基板に前記補強基板を取り付ける工程は、該多層基板に前記半導体チップを取り付けるためのハンダより高融点のハンダを用いたハンダ付けにより行なわれる
配線基板の製造方法。 - 請求項9記載の配線基板の製造方法であって、
前記多層基板に前記補強基板を取り付ける工程は、該多層基板と該補強基板との間に導電性ペーストを配置し、該多層基板と該補強基板とを圧着することにより行なわれる
配線基板の製造方法。
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