JP2005300472A - 積層型ガスセンサ素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】反りや割れを抑制すると共に充分なセンサ出力を確保する積層型ガスセンサ素子を提供すること。
【解決手段】絶縁性セラミックを主成分とするヒータ基板21を有するセラミックヒータ2と、第1固体電解質体31を有する第1セル3と、第2固体電解質体41を有する第2セル4とを一体的に積層してなる積層型ガスセンサ素子1。第1固体電解質体31及び第2固体電解質体41は、絶縁性セラミックとの熱膨張率の差が2.0×10-6℃-1以下である第2成分を含有する。第1固体電解質体31における第2成分の含有率とヒータ基板21における絶縁性セラミックの含有率との差が90重量%以下である。第2固体電解質体41における第2成分の含有率と第1固体電解質体31における第2成分の含有率との差が10重量%以上である。第1固体電解質体31及び第2固体電解質体41の少なくとも一方は、第2成分の含有率が80重量%以下である。
【選択図】図1
【解決手段】絶縁性セラミックを主成分とするヒータ基板21を有するセラミックヒータ2と、第1固体電解質体31を有する第1セル3と、第2固体電解質体41を有する第2セル4とを一体的に積層してなる積層型ガスセンサ素子1。第1固体電解質体31及び第2固体電解質体41は、絶縁性セラミックとの熱膨張率の差が2.0×10-6℃-1以下である第2成分を含有する。第1固体電解質体31における第2成分の含有率とヒータ基板21における絶縁性セラミックの含有率との差が90重量%以下である。第2固体電解質体41における第2成分の含有率と第1固体電解質体31における第2成分の含有率との差が10重量%以上である。第1固体電解質体31及び第2固体電解質体41の少なくとも一方は、第2成分の含有率が80重量%以下である。
【選択図】図1
Description
本発明は、排ガス中の特定ガス濃度等を検出するセンサセルと、センサセルに供給される特定ガス濃度を制御するポンプセルと、セラミックヒータとを一体的に積層してなる積層型ガスセンサ素子に関する。
従来より、排ガス中の特定ガス濃度等を検出するセンサセルと、センサセルに供給される特定ガス濃度を制御するポンプセルと、上記センサセル及びポンプセルを加熱するためのセラミックヒータとを一体的に積層してなる積層型ガスセンサ素子がある。
上記センサセル及びポンプセルは、ジルコニア等を主成分とする固体電解質体の両面に、それぞれ一対の電極を設けてなる。一方、上記セラミックヒータは、アルミナ等の絶縁性セラミックを主成分とするヒータ基板にヒータパターンを形成してなる。
上記センサセル及びポンプセルは、ジルコニア等を主成分とする固体電解質体の両面に、それぞれ一対の電極を設けてなる。一方、上記セラミックヒータは、アルミナ等の絶縁性セラミックを主成分とするヒータ基板にヒータパターンを形成してなる。
このように、上記積層型ガスセンサ素子は、互いに異なる材料からなる上記固体電解質体と上記ヒータ基板とを積層してなるため、焼成時における収縮率の差から、反りや割れが生じるおそれがある。
かかる不具合を解消すべく、上記固体電解質体に、上記ヒータ基板の主成分であるアルミナ等の絶縁性セラミックを混合して、熱収縮率の差を小さくすることが提案されている(特許文献1参照)。
かかる不具合を解消すべく、上記固体電解質体に、上記ヒータ基板の主成分であるアルミナ等の絶縁性セラミックを混合して、熱収縮率の差を小さくすることが提案されている(特許文献1参照)。
しかしながら、固体電解質体に、上記絶縁性セラミックを多量に混合すると、固体電解質体のイオン伝導率が低下して、センサセルの出力電流が小さくなるおそれがある。
一方、固体電解質体への絶縁性セラミックの含有率を低くすると、積層型ガスセンサ素子の反りや割れを充分に抑制することが困難となるおそれがある。
一方、固体電解質体への絶縁性セラミックの含有率を低くすると、積層型ガスセンサ素子の反りや割れを充分に抑制することが困難となるおそれがある。
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので、反りや割れを抑制すると共に充分なセンサ出力を確保する積層型ガスセンサ素子を提供しようとするものである。
本発明は、絶縁性セラミックを主成分とするヒータ基板を有するセラミックヒータと、イオン伝導性固体電解質の主成分である第1成分を含む第1固体電解質体を有する第1セルと、上記第1成分を含む第2固体電解質体を有する第2セルとを、この順に一体的に積層してなる積層型ガスセンサ素子であって、
上記第1固体電解質体及び上記第2固体電解質体は、上記絶縁性セラミックとの熱膨張率の差が2.0×10-6℃-1以下である第2成分を含有し、
上記第1固体電解質体における上記第2成分の含有率と、上記ヒータ基板における上記絶縁性セラミックの含有率との差が、90重量%以下であり、
上記第2固体電解質体における上記第2成分の含有率と、上記第1固体電解質体における上記第2成分の含有率との差が、10重量%以上であり、
かつ、上記第1固体電解質体及び上記第2固体電解質体の少なくとも一方は、上記第2成分の含有率が80重量%以下であることを特徴とする積層型ガスセンサ素子にある(請求項1)。
上記第1固体電解質体及び上記第2固体電解質体は、上記絶縁性セラミックとの熱膨張率の差が2.0×10-6℃-1以下である第2成分を含有し、
上記第1固体電解質体における上記第2成分の含有率と、上記ヒータ基板における上記絶縁性セラミックの含有率との差が、90重量%以下であり、
上記第2固体電解質体における上記第2成分の含有率と、上記第1固体電解質体における上記第2成分の含有率との差が、10重量%以上であり、
かつ、上記第1固体電解質体及び上記第2固体電解質体の少なくとも一方は、上記第2成分の含有率が80重量%以下であることを特徴とする積層型ガスセンサ素子にある(請求項1)。
次に、本発明の作用効果につき説明する。
上記第1固体電解質体には、上記ヒータ基板における上記絶縁性セラミックの含有率との差が90重量%以下となるような含有率で、第2成分が含有されている。そのため、上記第1固体電解質体の強度を高めると共に、第1固体電解質体とヒータ基板との間に生ずる応力を小さくすることができる。これにより、積層型ガスセンサ素子の反りや割れを抑制することができる。
上記第1固体電解質体には、上記ヒータ基板における上記絶縁性セラミックの含有率との差が90重量%以下となるような含有率で、第2成分が含有されている。そのため、上記第1固体電解質体の強度を高めると共に、第1固体電解質体とヒータ基板との間に生ずる応力を小さくすることができる。これにより、積層型ガスセンサ素子の反りや割れを抑制することができる。
また、上記第2固体電解質体における上記第2成分の含有率と、上記第1固体電解質体における上記第2成分の含有率との差が、10重量%以上である。そのため、上記第1固体電解質体と上記第2固体電解質体との間に応力を生じさせることにより、積層型ガスセンサ素子における発生応力を分散させることができる。
即ち、上記第2固体電解質体における第2成分の含有率を、上記第1固体電解質体における第2成分の含有率と同等とすると、上記ヒータ基板と第1固体電解質体との間に応力が集中するおそれがある。
そこで、上記のごとく、第2固体電解質体における第2成分の含有率と、第1固体電解質体における第2成分の含有率とを異ならせることにより、応力集中を緩和させ、反りや割れの発生を抑制することができる。
そこで、上記のごとく、第2固体電解質体における第2成分の含有率と、第1固体電解質体における第2成分の含有率とを異ならせることにより、応力集中を緩和させ、反りや割れの発生を抑制することができる。
また、上記第1固体電解質体及び上記第2固体電解質体の少なくとも一方は、上記第2成分の含有率が80重量%以下である。そのため、上記第1固体電解質体及び第2固体電解質体の少なくとも一方のイオン伝導率を充分に維持して、積層型ガスセンサ素子のセンサ出力を充分に確保することができる。
以上のごとく、本発明によれば、反りや割れを抑制すると共に充分なセンサ出力を確保する積層型ガスセンサ素子を提供することができる。
なお、作用効果の詳細については、実施例において説明する。
以上のごとく、本発明によれば、反りや割れを抑制すると共に充分なセンサ出力を確保する積層型ガスセンサ素子を提供することができる。
なお、作用効果の詳細については、実施例において説明する。
第2の発明は、絶縁性セラミックを主成分とするヒータ基板を有するセラミックヒータと、イオン伝導性固体電解質の主成分である第1成分を含む第1固体電解質体を有する第1セルと、第1成分を含む第2固体電解質体を有する第2セルとを、この順に一体的に積層してなる積層型ガスセンサ素子であって、、上記ヒータ基板は、上記第1固体電解質体に最も近い位置に、上記第1成分を含有する第1成分含有層を有することを特徴とする積層型ガスセンサ素子にある(請求項7)。
本発明によれば、第1固体電解質体とヒータ基板との熱収縮率の差を小さくして、積層型ガスセンサ素子の反りや割れを抑制することができる。
本発明によれば、第1固体電解質体とヒータ基板との熱収縮率の差を小さくして、積層型ガスセンサ素子の反りや割れを抑制することができる。
本発明(請求項1)において、上記第1成分は、イオン伝導性固体電解質の主成分であり、例えば、ジルコニア、酸化バリウム、酸化ランタン等である。
また、上記絶縁性セラミックとしては、例えば、常温(25℃)における電気伝導率が10-18Ω-1cm-1以下のセラミックであり、アルミナ、ムライト、スピネル、ステアタイト等がある。
また、上記絶縁性セラミックとしては、例えば、常温(25℃)における電気伝導率が10-18Ω-1cm-1以下のセラミックであり、アルミナ、ムライト、スピネル、ステアタイト等がある。
また、上記絶縁性セラミック(例えばアルミナの場合、熱膨張率は8.0×10-6℃-1)との熱膨張率の差が2.0×10-6℃-1以下である上記第2成分は、上記絶縁性セラミックと同成分であってもよく、例えば、アルミナ、ムライト、スピネル、ステアタイト等がある。
なお、上記絶縁性セラミックとの熱膨張率の差が2.0×10-6℃-1を超える成分を用いても、本発明の効果を得ることが困難となるおそれがある。
なお、上記絶縁性セラミックとの熱膨張率の差が2.0×10-6℃-1を超える成分を用いても、本発明の効果を得ることが困難となるおそれがある。
また、上記第1セル又は第2セルは、固体電解質体における一方の面に被測定ガスに曝される被測定ガス側電極を設け、他方の面に基準ガスに曝される基準ガス側電極を設けてなるセンサセル、或いは、固体電解質体の両面に一対のポンプ電極を設けて特定ガスを移動させるポンプセルとすることができる。
また、上記第2セルにおけるセラミックヒータ側と反対側の面に、ガス透過性の拡散層を積層配置してもよい。
また、上記第2セルにおけるセラミックヒータ側と反対側の面に、ガス透過性の拡散層を積層配置してもよい。
また、第1固体電解質体における第2成分の含有率と、ヒータ基板における絶縁性セラミックの含有率との差が、90重量%を超える場合には、積層型ガスセンサ素子の反りや割れを防止することが困難となるおそれがある。
第2固体電解質体における第2成分の含有率と、第1固体電解質体における第2成分の含有率との差が、10重量%未満の場合には、ヒータ基板と第1固体電解質体との間の応力集中を防ぐことが困難となり、積層型ガスセンサ素子の反りや割れを防止することが困難となるおそれがある。
また、第1固体電解質体及び第2固体電解質体の双方において、第2成分の含有率が80重量%を超える場合には、積層型ガスセンサ素子のセンサ出力を充分に得ることが困難となるおそれがある。
第2固体電解質体における第2成分の含有率と、第1固体電解質体における第2成分の含有率との差が、10重量%未満の場合には、ヒータ基板と第1固体電解質体との間の応力集中を防ぐことが困難となり、積層型ガスセンサ素子の反りや割れを防止することが困難となるおそれがある。
また、第1固体電解質体及び第2固体電解質体の双方において、第2成分の含有率が80重量%を超える場合には、積層型ガスセンサ素子のセンサ出力を充分に得ることが困難となるおそれがある。
また、上記第1固体電解質体における上記第2成分の含有率と、上記ヒータ基板における上記絶縁性セラミックの含有率との差は、70重量%以下であることが好ましい(請求項2)。
この場合には、積層型ガスセンサ素子の反りや割れを、より抑制することができる。
この場合には、積層型ガスセンサ素子の反りや割れを、より抑制することができる。
また、上記第1固体電解質体における上記第2成分の含有率と、上記ヒータ基板における上記絶縁性セラミックの含有率との差は、50重量%以下であることが更に好ましい(請求項3)。
この場合には、積層型ガスセンサ素子の反りや割れを、更に一層抑制することができる。
この場合には、積層型ガスセンサ素子の反りや割れを、更に一層抑制することができる。
また、上記第2固体電解質体における上記第2成分の含有率と、上記第1固体電解質体における上記第2成分の含有率との差は、20重量%以上であることが好ましい(請求項4)。
ヒータ基板と第1固体電解質体との間の応力集中を、より緩和させ、反りや割れの発生を一層抑制することができる。
ヒータ基板と第1固体電解質体との間の応力集中を、より緩和させ、反りや割れの発生を一層抑制することができる。
また、上記ヒータ基板は、上記絶縁性セラミックを50重量%以上含有することが好ましい(請求項5)。
この場合には、上記ヒータ基板の絶縁機能を充分に確保することができる。
上記絶縁性セラミックの含有率が50重量%未満の場合には、ヒータ基板の絶縁機能を充分に確保することが困難となり、セラミックヒータに流れる電流の影響により、正確なセンサ出力を得ることが困難となるおそれがある。
この場合には、上記ヒータ基板の絶縁機能を充分に確保することができる。
上記絶縁性セラミックの含有率が50重量%未満の場合には、ヒータ基板の絶縁機能を充分に確保することが困難となり、セラミックヒータに流れる電流の影響により、正確なセンサ出力を得ることが困難となるおそれがある。
また、上記第1セルは、上記第1固体電解質体の両面に一対のポンプ電極を設け、該ポンプ電極間において特定ガスを移動させるポンプセルであって、上記ヒータ基板には、上記ポンプ電極と上記積層型ガスセンサ素子の外部とを連通する通気孔が形成されていてもよい(請求項6)。
この場合にも、反りや割れを抑制すると共に充分なセンサ出力を確保する積層型ガスセンサ素子を提供することができる。
この場合にも、反りや割れを抑制すると共に充分なセンサ出力を確保する積層型ガスセンサ素子を提供することができる。
上記第2の発明(請求項7)において、上記第1成分含有層は、例えば3〜600μmとすることができる。
また、上記第1成分含有層は、上記第1成分の含有率が2〜40重量%であることが好ましい(請求項8)。
この場合には、ヒータ基板の絶縁機能を充分に確保しつつ、積層型ガスセンサ素子の反りや剥離を抑制することができる。
上記含有率が2重量%未満の場合には、積層型ガスセンサ素子の反りや剥離を充分に抑制することが困難となるおそれがある。一方、上記含有量が40重量%を超える場合には、ヒータ基板の絶縁機能を充分に確保することが困難となり、セラミックヒータに流れる電流の影響により、正確なセンサ出力を得ることが困難となるおそれがある。
また、上記第1成分含有層は、上記第1成分の含有率が2〜40重量%であることが好ましい(請求項8)。
この場合には、ヒータ基板の絶縁機能を充分に確保しつつ、積層型ガスセンサ素子の反りや剥離を抑制することができる。
上記含有率が2重量%未満の場合には、積層型ガスセンサ素子の反りや剥離を充分に抑制することが困難となるおそれがある。一方、上記含有量が40重量%を超える場合には、ヒータ基板の絶縁機能を充分に確保することが困難となり、セラミックヒータに流れる電流の影響により、正確なセンサ出力を得ることが困難となるおそれがある。
また、上記第1固体電解質体は、10〜500μmの厚みを有することが好ましい(請求項9)。
この場合には、積層型ガスセンサ素子の早期活性を図ることができる。
上記第1固体電解質体の厚みが10μm未満の場合には、該第1固体電解質体を形成することが困難となる。一方、上記厚みが500μmを超える場合には、積層型ガスセンサ素子の早期活性が困難となる。
この場合には、積層型ガスセンサ素子の早期活性を図ることができる。
上記第1固体電解質体の厚みが10μm未満の場合には、該第1固体電解質体を形成することが困難となる。一方、上記厚みが500μmを超える場合には、積層型ガスセンサ素子の早期活性が困難となる。
また、上記第2固体電解質体は、10〜500μmの厚みを有することが好ましい(請求項10)。
この場合にも、積層型ガスセンサ素子の早期活性を図ることができる。数値限定の臨界意義は、上記請求項9と同様である。
この場合にも、積層型ガスセンサ素子の早期活性を図ることができる。数値限定の臨界意義は、上記請求項9と同様である。
(実施例1)
本発明の実施例にかかる積層型ガスセンサ素子につき、図1〜図7を用いて説明する。
本例の積層型ガスセンサ素子1は、図1に示すごとく、ヒータ基板21を有するセラミックヒータ2と、第1固体電解質体31を有する第1セル3と、被測定ガス室111を形成するためのチャンバ層11と、第2固体電解質体41を有する第2セル4とを、この順に一体的に積層してなる。
本発明の実施例にかかる積層型ガスセンサ素子につき、図1〜図7を用いて説明する。
本例の積層型ガスセンサ素子1は、図1に示すごとく、ヒータ基板21を有するセラミックヒータ2と、第1固体電解質体31を有する第1セル3と、被測定ガス室111を形成するためのチャンバ層11と、第2固体電解質体41を有する第2セル4とを、この順に一体的に積層してなる。
上記ヒータ基板21は、絶縁性セラミックとしてのアルミナを主成分とする。また、上記第1固体電解質体31及び第2固体電解質体41は、イオン伝導性固体電解質の主成分(第1成分)としてジルコニアを含む。
なお、上記第1成分としては、酸化バリウム、酸化ランタン等を用いることもでき、上記絶縁性セラミックとしては、ムライト、スピネル、ステアタイト等を用いることもできる。
なお、上記第1成分としては、酸化バリウム、酸化ランタン等を用いることもでき、上記絶縁性セラミックとしては、ムライト、スピネル、ステアタイト等を用いることもできる。
上記第1固体電解質体31及び上記第2固体電解質体41は、上記絶縁性セラミック(アルミナ)との熱膨張率の差が2.0×10-6℃-1以下である第2成分を含有する。該第2成分は、上記絶縁性セラミックと同成分であってもよく、例えば、アルミナ、ムライト、スピネル、ステアタイト等があるが、本例においては、アルミナを用いる。
そして、第1固体電解質体31における上記第2成分(アルミナ)の含有率と、ヒータ基板21における上記絶縁性セラミック(アルミナ)の含有率との差が、90重量%以下、好ましくは70重量%以下、更に好ましくは50重量%以下である。
また、第2固体電解質体41における上記第2成分(アルミナ)の含有率と、第1固体電解質体31における上記第2成分(アルミナ)の含有率との差が、10重量%以上、好ましくは20重量%以上である。
また、第2固体電解質体41における上記第2成分(アルミナ)の含有率と、第1固体電解質体31における上記第2成分(アルミナ)の含有率との差が、10重量%以上、好ましくは20重量%以上である。
更に、上記第1固体電解質体31及び上記第2固体電解質体41の少なくとも一方は、上記第2成分(アルミナ)の含有率が80重量%以下、好ましくは50重量%以下である。
また、上記ヒータ基板21は、アルミナを50重量%以上含有する。
また、上記第1固体電解質体31及び第2固体電解質体41は、それぞれ10〜500μmの厚みを有する。
また、上記ヒータ基板21は、アルミナを50重量%以上含有する。
また、上記第1固体電解質体31及び第2固体電解質体41は、それぞれ10〜500μmの厚みを有する。
ここで、上記第1固体電解質体31及び第2固体電解質体41におけるアルミナ含有率は、例えば以下のごとく測定することができる。
即ち、まず、第1固体電解質体31又は第2固体電解質体41を厚さ方向に3等分する。この3等分したものからそれぞれサンプル採取し、そのアルミナ含有率は、EPMA分析装置を用い測定する。
即ち、まず、第1固体電解質体31又は第2固体電解質体41を厚さ方向に3等分する。この3等分したものからそれぞれサンプル採取し、そのアルミナ含有率は、EPMA分析装置を用い測定する。
測定手順は、まず、含有成分量が既知の標準サンプル(例えば、アルミナ、ジルコニアの含有率を変化させたサンプル)の特性X線強度を測定する。
次に、測定対象のサンプル(積層型ガスセンサ素子1)の測定を行う。即ち、図1のような断面がでるように積層型ガスセンサ素子1を切断し、測定する部分の任意の点において電子線を照射し、試料と電子線との相互作用により発生する特性X線強度を検出する。この特性X線強度を、あらかじめ測定した標準サンプルの特性X線強度とを比較、補正することにより、アルミナ含有率を決定する。
そして、その3等分したものそれぞれの測定値の平均を、各固体電解質体のアルミナ含有率とする。
次に、測定対象のサンプル(積層型ガスセンサ素子1)の測定を行う。即ち、図1のような断面がでるように積層型ガスセンサ素子1を切断し、測定する部分の任意の点において電子線を照射し、試料と電子線との相互作用により発生する特性X線強度を検出する。この特性X線強度を、あらかじめ測定した標準サンプルの特性X線強度とを比較、補正することにより、アルミナ含有率を決定する。
そして、その3等分したものそれぞれの測定値の平均を、各固体電解質体のアルミナ含有率とする。
次に、本例の積層型ガスセンサ素子1の構成につき説明する。
図1に示すごとく、上記ヒータ基板21には、発熱部を有するヒータパターン22が内部に形成されている。これにより、セラミックヒータ2が構成されている。
本例の積層型ガスセンサ素子1における第1セル3はセンサセルであり、図1に示すごとく、第1固体電解質体31の一方の面には、被測定ガスに曝される被測定ガス側電極33が設けてあり、他方の面には基準ガスに曝される基準ガス側電極34が設けてある。
図1に示すごとく、上記ヒータ基板21には、発熱部を有するヒータパターン22が内部に形成されている。これにより、セラミックヒータ2が構成されている。
本例の積層型ガスセンサ素子1における第1セル3はセンサセルであり、図1に示すごとく、第1固体電解質体31の一方の面には、被測定ガスに曝される被測定ガス側電極33が設けてあり、他方の面には基準ガスに曝される基準ガス側電極34が設けてある。
また、上記第2セル4は、表裏間で酸素を移動させることができるポンプセルであり、第2固体電解質体41の両面に一対のポンプ電極421、422を設けてある。
また、上記第1セル3と第2セル4との間には、被測定ガス室111を形成するためのチャンバ層11が介在しており、該チャンバ層11はジルコニアを含有し、第2成分については、第1固体電解質体31と第2固体電解質体41の中間の含有率を含有する。
また、上記第1セル3と第2セル4との間には、被測定ガス室111を形成するためのチャンバ層11が介在しており、該チャンバ層11はジルコニアを含有し、第2成分については、第1固体電解質体31と第2固体電解質体41の中間の含有率を含有する。
また、上記第2固体電解質体41における、セラミックヒータ2とは反対側の面には、ポンプ電極422を覆うように、ガス透過性の多孔質拡散層12が形成されている。該多孔質拡散層12は、ジルコニアを主成分とする多孔質体からなる。
上記積層型ガスセンサ素子1は、ヒータパターン22が形成されたヒータ基板21のグリーンシートと、被測定ガス側電極33及び基準ガス側電極34を設けた第1固体電解質体31のグリーンシートと、開口部を有するチャンバ層11のグリーンシートと、一対のポンプ電極421、422を設けた第2固体電解質体41のグリーンシートと、多孔質拡散層12のグリーンシートとを積層し、圧着した状態で焼成することにより作製する。
本例の条件を満たす具体例として、アルミナ含有量を、ヒータ基板21は95重量%、第1固体電解質体31は50重量%、第2固体電解質体41は2重量%とした積層型ガスセンサ素子1が挙げられる。
その他、本発明に該当しうる例としては、表1に示すような態様が考えられる。
その他、本発明に該当しうる例としては、表1に示すような態様が考えられる。
表1において、「大」は絶縁性セラミックの含有率が80重量%以上、「中」は絶縁性セラミックの含有率が10〜80重量%、「小」は絶縁性セラミックの含有率が10重量%未満を表す。
表1に示すごとく、第1固体電解質体31よりも第2固体電解質体41の方が絶縁性セラミック含有量が小さいものも、大きいものも、本発明に該当しうる。
表1に示すごとく、第1固体電解質体31よりも第2固体電解質体41の方が絶縁性セラミック含有量が小さいものも、大きいものも、本発明に該当しうる。
次に、本例の作用効果につき説明する。
上記第1固体電解質体31には、上記ヒータ基板21とのアルミナ含有率の差が90重量%以下となるような含有率で、アルミナが含有されている。そのため、上記第1固体電解質体31の強度を高めると共に、第1固体電解質体31とヒータ基板21との間に生ずる応力を小さくすることができる。これにより、積層型ガスセンサ素子1の反りや割れを抑制することができる。
上記第1固体電解質体31には、上記ヒータ基板21とのアルミナ含有率の差が90重量%以下となるような含有率で、アルミナが含有されている。そのため、上記第1固体電解質体31の強度を高めると共に、第1固体電解質体31とヒータ基板21との間に生ずる応力を小さくすることができる。これにより、積層型ガスセンサ素子1の反りや割れを抑制することができる。
即ち、図2に示すごとく、第1固体電解質体31は、絶縁性セラミック(アルミナ)含有率が20〜40重量%程度のとき、最も強度が高くなる。また、図3に示すごとく、第1固体電解質体31とヒータ基板21との絶縁性セラミック(アルミナ)含有率の差が、大きくなるほど、発生応力は略線形的に大きくなる。
この二つの関係から、図4に示す、第1固体電解質体31とヒータ基板21との絶縁性セラミック(アルミナ)含有率の差と、積層型ガスセンサ素子1の割れ発生確率との関係が導かれる。
この二つの関係から、図4に示す、第1固体電解質体31とヒータ基板21との絶縁性セラミック(アルミナ)含有率の差と、積層型ガスセンサ素子1の割れ発生確率との関係が導かれる。
図4から、第1固体電解質体31とヒータ基板21との絶縁性セラミック(アルミナ)含有率の差が小さいほど割れ発生確率が抑制され、逆に含有率差が90重量%を超えて大きくなると、割れ発生確率が急激に高くなることが分かる。
それ故、第1固体電解質体31とヒータ基板21との絶縁性セラミック(アルミナ)含有率の差を、90重量%以下とすることにより、積層型ガスセンサ素子1の割れを抑制することができる。
それ故、第1固体電解質体31とヒータ基板21との絶縁性セラミック(アルミナ)含有率の差を、90重量%以下とすることにより、積層型ガスセンサ素子1の割れを抑制することができる。
また、上記第2固体電解質体41におけるアルミナ含有率と、上記第1固体電解質体31におけるアルミナ含有率との差が、10重量%以上である。そのため、第1固体電解質体31と第2固体電解質体41との間に応力を生じさせることにより、積層型ガスセンサ素子における発生応力を分散させることができる。
即ち、第2固体電解質体41におけるアルミナ含有率を、第1固体電解質体31におけるアルミナ含有率と同等とすると、ヒータ基板21と第1固体電解質体31との間に応力が集中するおそれがある。
そこで、上記のごとく、第2固体電解質体41におけるアルミナ含有率と、第1固体電解質体31におけるアルミナ含有率とを異ならせることにより、応力集中を緩和させ、反りや割れの発生を抑制することができる。
そこで、上記のごとく、第2固体電解質体41におけるアルミナ含有率と、第1固体電解質体31におけるアルミナ含有率とを異ならせることにより、応力集中を緩和させ、反りや割れの発生を抑制することができる。
図5に示すごとく、第2固体電解質体41におけるアルミナ含有率と、第1固体電解質体31におけるアルミナ含有率との差が、10重量%未満の場合には、積層型ガスセンサ素子1に発生する応力が大きいが、上記アルミナ含有率の差が10重量%以上とすることにより、発生応力を小さく抑えることができる。
なお、図2〜図5に示した関係は、ヒータ基板21における絶縁性セラミック(アルミナ)含有率を50重量%以上としたときのデータである。
なお、図2〜図5に示した関係は、ヒータ基板21における絶縁性セラミック(アルミナ)含有率を50重量%以上としたときのデータである。
また、上記第1固体電解質体31及び上記第2固体電解質体41の少なくとも一方は、アルミナ含有率が80重量%以下である。そのため、図6に示すごとく、上記第1固体電解質体31及び第2固体電解質体41の少なくとも一方の酸素イオン伝導率を充分に維持し(例えば0.005Ω-1cm-1以上)、センサ抵抗を充分小さくして(例えば200Ω以下)、積層型ガスセンサ素子1のセンサ出力を充分に確保することができる。
即ち、図6に示すごとく、固体電解質体における酸素イオン伝導率は、アルミナ含有率が10重量%を超えると低くなるが、80重量%以下であれば或程度の酸素イオン伝導率を保つことができる。それ故、第1固体電解質体31及び第2固体電解質体41の少なくとも一方のアルミナ含有率を80重量%以下にすることにより、いずれかの酸素イオン伝導率を確保することができる。
その結果、積層型ガスセンサ素子1のセンサ出力を充分に確保することができる。
その結果、積層型ガスセンサ素子1のセンサ出力を充分に確保することができる。
例えば、センサ出力にはポンプセル出力を用いるため、センサセルにおける固体電解質体の酸素イオン伝導率が多少低くても、ポンプセルにおける固体電解質体の酸素イオン伝導率を高く維持することにより、センサ出力を確保することができる。
また、上記ヒータ基板21は、アルミナを50重量%以上含有するため、ヒータ基板21の絶縁機能を充分に確保することができる。
また、上記第1固体電解質体31及び第2固体電解質体41は、それぞれ10〜500μmの厚みを有するため、第1セル3及び第2セル4の早期活性を図ることができる。
また、上記第1固体電解質体31及び第2固体電解質体41は、それぞれ10〜500μmの厚みを有するため、第1セル3及び第2セル4の早期活性を図ることができる。
即ち、例えば、図7に示すごとく、第1固体電解質体31或いは第2固体電解質体41の厚みを小さくするほど、第1セル3或いは第2セル4の活性時間を短くすることができ、500μm以下にすることにより活性時間を10秒以下にすることができる。この活性時間は、セラミックヒータ2に通電してから、第1セル3または第2セル4の安定出力の95%の出力が得られるまでの時間として測定される。測定条件は、被測定ガスの空燃比(A/F)が約18、温度が室温(約20℃)である。
以上のごとく、本例によれば、反りや割れを抑制すると共に充分なセンサ出力を確保する積層型ガスセンサ素子を提供することができる。
(実施例2)
本例は、図8に示すごとく、ヒータ基板21が、第1固体電解質体31に最も近い位置に、第1成分であるジルコニアを含有する第1成分含有層211を有する積層型ガスセンサ素子1の例である。
また、上記第1成分含有層211は、3〜600μmの厚みを有する。
その他は、実施例1と同様である。
本例は、図8に示すごとく、ヒータ基板21が、第1固体電解質体31に最も近い位置に、第1成分であるジルコニアを含有する第1成分含有層211を有する積層型ガスセンサ素子1の例である。
また、上記第1成分含有層211は、3〜600μmの厚みを有する。
その他は、実施例1と同様である。
この場合には、第1固体電解質体31とヒータ基板21との熱収縮率の差を小さくして、積層型ガスセンサ素子1の反りや割れを抑制することができる。そして、第1成分含有層311におけるジルコニアの含有率を2〜40重量%とすることにより、ヒータ基板31の絶縁機能を充分に確保しつつ、積層型ガスセンサ素子1の反りや割れを抑制することができる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
(実施例3)
本例は、第1セル3を、第1固体電解質体31の両面に一対のポンプ電極321、322を設け、該ポンプ電極321、322間において酸素を移動させるポンプセルとした例である。
このポンプセル(第1セル3)に隣接するヒータ基板21には、ポンプ電極322と積層型ガスセンサ素子1の外部とを連通する通気孔23が形成されている。
これにより、被測定ガス室111内の被測定ガスと、大気との間で、酸素の移動を行い、被測定ガス室111における酸素濃度を制御することができる。
本例は、第1セル3を、第1固体電解質体31の両面に一対のポンプ電極321、322を設け、該ポンプ電極321、322間において酸素を移動させるポンプセルとした例である。
このポンプセル(第1セル3)に隣接するヒータ基板21には、ポンプ電極322と積層型ガスセンサ素子1の外部とを連通する通気孔23が形成されている。
これにより、被測定ガス室111内の被測定ガスと、大気との間で、酸素の移動を行い、被測定ガス室111における酸素濃度を制御することができる。
また、第2セル4として、第2固体電解質体41に被測定ガス側電極43と基準ガス側電極44とを設けたセンサセルが配置される。
従って、本例の積層型ガスセンサ素子1は、図9に示すごとく、セラミックヒータ2、ポンプセル(第1セル3)、チャンバ層11、センサセル(第2セル4)、多孔質拡散層12の順に積層してなる。
その他は、実施例1と同様である。
本例の場合にも、反りや割れを抑制すると共に充分なセンサ出力を確保する積層型ガスセンサ素子を提供することができる。その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
従って、本例の積層型ガスセンサ素子1は、図9に示すごとく、セラミックヒータ2、ポンプセル(第1セル3)、チャンバ層11、センサセル(第2セル4)、多孔質拡散層12の順に積層してなる。
その他は、実施例1と同様である。
本例の場合にも、反りや割れを抑制すると共に充分なセンサ出力を確保する積層型ガスセンサ素子を提供することができる。その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
(実施例4)
本例は、図10に示すごとく、第1固体電解質体31及び第2固体電解質体41の厚みを小さくした積層型ガスセンサ素子1の例である。上記固体電解質体21の厚みを、例えば50μmとする。
その他は、実施例1と同様である。
本例は、図10に示すごとく、第1固体電解質体31及び第2固体電解質体41の厚みを小さくした積層型ガスセンサ素子1の例である。上記固体電解質体21の厚みを、例えば50μmとする。
その他は、実施例1と同様である。
これにより、第1セル3及び第2セル4の早期活性を図ることができる。
上述した図7に示すごとく、第1固体電解質体31或いは第2固体電解質体41の厚みを小さくすることにより、第1セル3或いは第2セル4の活性時間を短くすることができ、上記のごとく50μmとしたとき、活性時間は約4秒とすることができる。
また、第1固体電解質体31或いは第2固体電解質体41の厚みを小さくすることにより、固体電解質体31、41におけるアルミナ含有率を多くしても、センサ出力の低下を防ぐことができる。
なお、図11は、同等のセンサ出力を得るための、固体電解質体におけるアルミナ含有率と、固体電解質体の厚みとの関係を示したグラフである。即ち、図11の曲線A上の条件を満たせば、固体電解質体のアルミナ含有率を2重量%、厚みを400μmとした場合と同等のセンサ出力を得ることができる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
上述した図7に示すごとく、第1固体電解質体31或いは第2固体電解質体41の厚みを小さくすることにより、第1セル3或いは第2セル4の活性時間を短くすることができ、上記のごとく50μmとしたとき、活性時間は約4秒とすることができる。
また、第1固体電解質体31或いは第2固体電解質体41の厚みを小さくすることにより、固体電解質体31、41におけるアルミナ含有率を多くしても、センサ出力の低下を防ぐことができる。
なお、図11は、同等のセンサ出力を得るための、固体電解質体におけるアルミナ含有率と、固体電解質体の厚みとの関係を示したグラフである。即ち、図11の曲線A上の条件を満たせば、固体電解質体のアルミナ含有率を2重量%、厚みを400μmとした場合と同等のセンサ出力を得ることができる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
(実験例1)
本例は、図12に示すごとく、本発明品と従来品の積層型ガスセンサ素子の強度を比較した例である。
本発明品としては、実施例1において示した積層型ガスセンサ素子1であって、第1固体電解質体31と第2固体電解質体41とのアルミナ含有率を異ならせた2種類の試料(試料1、試料2)を用意した。
本例は、図12に示すごとく、本発明品と従来品の積層型ガスセンサ素子の強度を比較した例である。
本発明品としては、実施例1において示した積層型ガスセンサ素子1であって、第1固体電解質体31と第2固体電解質体41とのアルミナ含有率を異ならせた2種類の試料(試料1、試料2)を用意した。
試料1は、第1固体電解質体31のアルミナ含有率を10重量%とし、試料2は、第1固体電解質体31のアルミナ含有率を30重量%とし、試料3は、第1固体電解質体31のアルミナ含有率を50重量%とした。試料1、2、3共に、第1固体電解質体31と第2固体電解質体41のアルミナ含有率差は10重量%とした。また、試料1、2、3共に、ヒータ基板21のアルミナ含有率は100重量%とした。
一方、従来品である比較試料としては、実施例1に示した積層型ガスセンサ素子と同様の構成を有し、第1固体電解質体31、第2固体電解質体41のアルミナ含有率を共に0重量%としたものを用いた。
評価方法としては、それぞれ100個ずつ作製した試料1、2、3、及び比較試料を、1500℃で焼結させ、その後室温まで徐々に温度を下げる。徐々に温度を下げる際に、どの程度の応力が発生した時点で、どの程度の頻度で割れが生ずるかにより評価する。
割れの発生については、積層型ガスセンサ素子の第1固体電解質体31における被測定ガス側電極33と基準ガス側電極34との間の絶縁抵抗が500MΩ以下となったときと、積層型ガスセンサ素子の第2固体電解質体41におけるポンプ電極421と422との間の絶縁抵抗が500MΩ以下となったときに割れが発生したと判断する。
割れの発生については、積層型ガスセンサ素子の第1固体電解質体31における被測定ガス側電極33と基準ガス側電極34との間の絶縁抵抗が500MΩ以下となったときと、積層型ガスセンサ素子の第2固体電解質体41におけるポンプ電極421と422との間の絶縁抵抗が500MΩ以下となったときに割れが発生したと判断する。
試験結果を、図12に示す。同図において、曲線S1が試料1、S2が試料2、S3が試料3、S4が従来品を、それぞれ示す。また、直線Lは、積層型ガスセンサ素子の製造工程においてかかるストレス(約225MPa)を示す。
上記の結果から、本発明品(試料1、2、3)は、従来品(比較試料)に比べて強度が高く、製造工程におけるストレス(直線L)に充分耐えることができることが分かる。一方、従来品(比較試料)は、図12の斜線領域Pにある素子の強度が不充分であり、製造工程において割れが発生するおそれがある。
上記の結果から、本発明品(試料1、2、3)は、従来品(比較試料)に比べて強度が高く、製造工程におけるストレス(直線L)に充分耐えることができることが分かる。一方、従来品(比較試料)は、図12の斜線領域Pにある素子の強度が不充分であり、製造工程において割れが発生するおそれがある。
また、試料1より試料2の方が強度が高くなっており、試料2より試料3の方が強度が高い。このことから、第1固体電解質体31及び第2固体電解質体41へのアルミナ含有率を高くして、ヒータ基板21のアルミナ含有率に近づけることにより、積層型ガスセンサ素子の強度を高くすることができることが分かる。
以上のごとく、本発明によれば、強度に優れた積層型ガスセンサ素子を得ることができることが分かる。
以上のごとく、本発明によれば、強度に優れた積層型ガスセンサ素子を得ることができることが分かる。
(実験例2)
本例は、本発明の積層型ガスセンサ素子におけるセンサ抵抗を測定した例である。
測定対象としては、第1固体電解質体31のアルミナ含有率を80重量%とした試料を用いた。
測定方法としては、大気中で800℃の温度下で、図1に示す積層型ガスセンサ素子1の被測定ガス側電極23と基準ガス側電極24との間に一定電圧(0.5V)をかけた。そして、この電極間に流れる電流値を測定した。これにより、限界電流に達するまでの電圧と電流値との関係から抵抗値を求めた。
本例は、本発明の積層型ガスセンサ素子におけるセンサ抵抗を測定した例である。
測定対象としては、第1固体電解質体31のアルミナ含有率を80重量%とした試料を用いた。
測定方法としては、大気中で800℃の温度下で、図1に示す積層型ガスセンサ素子1の被測定ガス側電極23と基準ガス側電極24との間に一定電圧(0.5V)をかけた。そして、この電極間に流れる電流値を測定した。これにより、限界電流に達するまでの電圧と電流値との関係から抵抗値を求めた。
その結果、上記積層型ガスセンサ素子1のセンサ抵抗は、200Ω以下であった。また、この結果から、固体電解質体31の酸素イオン伝導率0.005Ω-1cm-1以上が算出される。
以上のごとく、本発明の積層型ガスセンサ素子1は、充分な酸素イオン伝導率を有することから、充分なセンサ出力を得ることができる。
以上のごとく、本発明の積層型ガスセンサ素子1は、充分な酸素イオン伝導率を有することから、充分なセンサ出力を得ることができる。
1 積層型ガスセンサ素子
11 チャンバ層
111 被測定ガス室
12 多孔質拡散層
2 セラミックヒータ
21 ヒータ基板
3 第1セル
31 第1固体電解質体
4 第2セル
41 第2固体電解質体
11 チャンバ層
111 被測定ガス室
12 多孔質拡散層
2 セラミックヒータ
21 ヒータ基板
3 第1セル
31 第1固体電解質体
4 第2セル
41 第2固体電解質体
Claims (10)
- 絶縁性セラミックを主成分とするヒータ基板を有するセラミックヒータと、イオン伝導性固体電解質の主成分である第1成分を含む第1固体電解質体を有する第1セルと、上記第1成分を含む第2固体電解質体を有する第2セルとを、この順に一体的に積層してなる積層型ガスセンサ素子であって、
上記第1固体電解質体及び上記第2固体電解質体は、上記絶縁性セラミックとの熱膨張率の差が2.0×10-6℃-1以下である第2成分を含有し、
上記第1固体電解質体における上記第2成分の含有率と、上記ヒータ基板における上記絶縁性セラミックの含有率との差が、90重量%以下であり、
上記第2固体電解質体における上記第2成分の含有率と、上記第1固体電解質体における上記第2成分の含有率との差が、10重量%以上であり、
かつ、上記第1固体電解質体及び上記第2固体電解質体の少なくとも一方は、上記第2成分の含有率が80重量%以下であることを特徴とする積層型ガスセンサ素子。 - 請求項1において、上記第1固体電解質体における上記第2成分の含有率と、上記ヒータ基板における上記絶縁性セラミックの含有率との差は、70重量%以下であることを特徴とする積層型ガスセンサ素子。
- 請求項1又は2において、上記第1固体電解質体における上記第2成分の含有率と、上記ヒータ基板における上記絶縁性セラミックの含有率との差は、50重量%以下であることを特徴とする積層型ガスセンサ素子。
- 請求項1〜3のいずれか一項において、上記第2固体電解質体における上記第2成分の含有率と、上記第1固体電解質体における上記第2成分の含有率との差は、20重量%以上であることを特徴とする積層型ガスセンサ素子。
- 請求項4において、上記ヒータ基板は、上記絶縁性セラミックを50重量%以上含有することを特徴とする積層型ガスセンサ素子。
- 請求項1〜5のいずれか一項において、上記第1セルは、上記第1固体電解質体の両面に一対のポンプ電極を設け、該ポンプ電極間において特定ガスを移動させるポンプセルであって、上記ヒータ基板には、上記ポンプ電極と上記積層型ガスセンサ素子の外部とを連通する通気孔が形成されていることを特徴とする積層型ガスセンサ素子。
- 絶縁性セラミックを主成分とするヒータ基板を有するセラミックヒータと、イオン伝導性固体電解質の主成分である第1成分を含む第1固体電解質体を有する第1セルと、第1成分を含む第2固体電解質体を有する第2セルとを、この順に一体的に積層してなる積層型ガスセンサ素子であって、、上記ヒータ基板は、上記第1固体電解質体に最も近い位置に、上記第1成分を含有する第1成分含有層を有することを特徴とする積層型ガスセンサ素子。
- 請求項7において、上記第1成分含有層は、上記第1成分の含有率が2〜40重量%であることを特徴とする積層型ガスセンサ素子。
- 請求項1〜8のいずれか一項において、上記第1固体電解質体は、10〜500μmの厚みを有することを特徴とする積層型ガスセンサ素子。
- 請求項1〜9のいずれか一項において、上記第2固体電解質体は、10〜500μmの厚みを有することを特徴とする積層型ガスセンサ素子。
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