JP2005294818A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 基板と、薄膜トランジスタを用いた集積回路と、アンテナとを有し、
   前記集積回路と前記アンテナとは、電気的に接続するように前記基板上に形成されており、
   前記アンテナを構成するコイル状の導線を覆う第１の絶縁膜を有し、
   前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を有し、
   前記第１の絶縁膜は前記導線の間隙を電気的に分離し、
   前記第２の絶縁膜には軟磁性材料を用いた微粒子が含まれていることを特徴とする半導体装置。
2. 基板と、薄膜トランジスタを用いた集積回路と、アンテナとを有し、
   前記集積回路と前記アンテナとは、電気的に接続するように前記基板上に形成されており、
   前記アンテナを構成するコイル状の導線を覆う絶縁膜を有し、
   前記絶縁膜上に樹脂膜を有し、
   前記絶縁膜は前記導線の間隙を電気的に分離し、
   前記樹脂膜には軟磁性材料を用いた微粒子が含まれていることを特徴とする半導体装置。
3. 基板と、薄膜トランジスタを用いた集積回路と、アンテナを有し、
   前記集積回路と前記アンテナは、電気的に接続するように前記基板上に形成されており、
   前記薄膜トランジスタを覆う第１の絶縁膜を有し、
   前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を有し、
   前記第２の絶縁膜上に前記アンテナを構成するコイル状の導線を有し、
   前記導線上に第３の絶縁膜を有し、
   前記第３の絶縁膜上に第４の絶縁膜を有し、
   前記第３の絶縁膜は前記導線の間隙を電気的に分離し、
   前記第２の絶縁膜及び前記第４の絶縁膜には、軟磁性材料を用いた微粒子が含まれていることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記基板は可撓性を有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記導線は、電気めっき法、無電解めっき法、印刷法または液滴吐出法を用いて形成されたものであることを特徴とする半導体装置。