JP2005290444A - 金電解剥離液及びそれを用いた電解剥離方法 - Google Patents
金電解剥離液及びそれを用いた電解剥離方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005290444A JP2005290444A JP2004105206A JP2004105206A JP2005290444A JP 2005290444 A JP2005290444 A JP 2005290444A JP 2004105206 A JP2004105206 A JP 2004105206A JP 2004105206 A JP2004105206 A JP 2004105206A JP 2005290444 A JP2005290444 A JP 2005290444A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gold
- electrolytic
- peeling
- salt
- bump
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 15
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 84
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 84
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 83
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 7
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 14
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 claims description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims description 5
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 claims description 3
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 claims description 3
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 54
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 4
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 4
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- -1 thio compound Chemical class 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005185 salting out Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004065 wastewater treatment Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020220 Pb—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 150000002496 iodine Chemical class 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- SDKPSXWGRWWLKR-UHFFFAOYSA-M sodium;9,10-dioxoanthracene-1-sulfonate Chemical compound [Na+].O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2S(=O)(=O)[O-] SDKPSXWGRWWLKR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZWZLRIBPAZENFK-UHFFFAOYSA-J sodium;gold(3+);disulfite Chemical compound [Na+].[Au+3].[O-]S([O-])=O.[O-]S([O-])=O ZWZLRIBPAZENFK-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
Abstract
【課題】 半導体デバイス製造等における微細なバンプ電極形成に好適な金電解剥離液及びその液を用いた金電解剥離方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の金電解剥離液は、チオ尿素を1〜100g/Lと、電導塩を1〜200g/Lと、界面活性剤を0.1〜5.0g/Lとを含有するものであり、それを用いた金電解剥離方法は、剥離時の電解電流密度を0.05〜10A/dm2、液温20〜70℃で金を剥離するものである。
【選択図】 なし
Description
2 電極部
3 パッシベーション層
4 密着層
5 バンプ形成用下地層
(4+5) UMB
6 フォトレジスト
7 レジストマスク
8 バンプ電極
10 電解剥離装置
11 メッキ槽
12 ピン電極
13 基板
14 液供給部
15 対向電極
Claims (7)
- チオ尿素を1〜100g/Lと、電導塩を1〜200g/Lと、界面活性剤を0.1〜5.0g/Lとを含有することを特徴とする金電解剥離液。
- 電導塩は、有機カルボン酸とその塩および/または無機酸とその塩である請求項1に記載の金電解剥離液。
- 有機カルボン酸は、クエン酸、リンゴ酸、こはく酸から選ばれるものであり、その塩はナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩から選ばれるものである請求項2に記載の金電解剥離液。
- 無機酸は、硫酸、リン酸から選ばれるものであり、その塩はナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩から選ばれるものである請求項2又は請求項3に記載の金電解剥離液。
- 界面活性剤は、ポリオキシアルキレンエーテルである請求項1から請求項4いずれかに記載の金電解剥離液。
- 請求項1から請求項5のいずれかに記載の金電解剥離液を用いて金を剥離する方法であって、
剥離時の電解電流密度を0.05〜10A/dm2、液温20〜70℃で金を剥離することを特徴とする金電解剥離方法。 - めっき槽の開口部に形成した配置受け部に、金剥離対象物の処理部を下方にした状態で載置して、めっき槽内へ金電解剥離液を供給することで該処理部と金電解剥離液とを接触させ、金剥離対象物の処理部へ電解剥離電流を供給することで、処理面から金を剥離するものである請求項7に記載の金電解剥離方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004105206A JP2005290444A (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 金電解剥離液及びそれを用いた電解剥離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004105206A JP2005290444A (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 金電解剥離液及びそれを用いた電解剥離方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005290444A true JP2005290444A (ja) | 2005-10-20 |
Family
ID=35323712
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004105206A Pending JP2005290444A (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 金電解剥離液及びそれを用いた電解剥離方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005290444A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI661095B (zh) * | 2018-05-29 | 2019-06-01 | 力橋國際有限公司 | 無氰、無硫脲的電解剝金劑及電解剝金的方法 |
CN110310939A (zh) * | 2018-03-27 | 2019-10-08 | 矽品精密工业股份有限公司 | 基板结构及其制法及导电凸块 |
CN112813488A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-18 | 杭州电子科技大学 | 一种双阴极间断式抛光铜的方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5477239A (en) * | 1977-12-01 | 1979-06-20 | Kouei Kasei Kk | Electropolishing solution for gold* silver or alloys thereof |
JPS6077999A (ja) * | 1983-10-04 | 1985-05-02 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 装飾品の製造方法 |
JPS62247100A (ja) * | 1986-04-19 | 1987-10-28 | Ijima Keijirou | 電解研磨液 |
-
2004
- 2004-03-31 JP JP2004105206A patent/JP2005290444A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5477239A (en) * | 1977-12-01 | 1979-06-20 | Kouei Kasei Kk | Electropolishing solution for gold* silver or alloys thereof |
JPS6077999A (ja) * | 1983-10-04 | 1985-05-02 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 装飾品の製造方法 |
JPS62247100A (ja) * | 1986-04-19 | 1987-10-28 | Ijima Keijirou | 電解研磨液 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110310939A (zh) * | 2018-03-27 | 2019-10-08 | 矽品精密工业股份有限公司 | 基板结构及其制法及导电凸块 |
CN110310939B (zh) * | 2018-03-27 | 2021-04-30 | 矽品精密工业股份有限公司 | 基板结构及其制法及导电凸块 |
TWI661095B (zh) * | 2018-05-29 | 2019-06-01 | 力橋國際有限公司 | 無氰、無硫脲的電解剝金劑及電解剝金的方法 |
CN112813488A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-18 | 杭州电子科技大学 | 一种双阴极间断式抛光铜的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100329454B1 (ko) | 기판상에재료층을증착하는공정및도금시스템 | |
JP5808402B2 (ja) | はんだ合金堆積物を基板上に形成する方法 | |
EP1267398A2 (en) | Barrier cap for under bump metal | |
WO2004059042A1 (ja) | 鉛フリーバンプおよびその形成方法 | |
US20060207888A1 (en) | Electrochemical etching of circuitry for high density interconnect electronic modules | |
JPH11204531A (ja) | 集積回路の配線方法 | |
KR20130113370A (ko) | 역전류 디플레이팅을 이용한 전기도금 기판 홀더의 클리닝 | |
JP4695675B2 (ja) | プリント配線基板の製造方法 | |
JP4551229B2 (ja) | 半導体装置の製造方法およびエッチング液 | |
JP2010040691A (ja) | 鉛フリーバンプ形成方法 | |
US20060194407A1 (en) | Application of impressed-current cathodic protection to prevent metal corrosion and oxidation | |
TWI380750B (en) | Method for producing substrate with copper wiring or bump | |
JP2005290444A (ja) | 金電解剥離液及びそれを用いた電解剥離方法 | |
JP2001118872A (ja) | バンプの形成方法 | |
US7077974B2 (en) | Fine-dimension masks and related processes | |
JP4797368B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2006344848A (ja) | レジスト剥離方法およびその装置 | |
JP2009272571A (ja) | プリント配線基板及びその製造方法 | |
JP2009295957A (ja) | プリント配線基板の製造方法 | |
US20080314742A1 (en) | Electrolytic ni plating apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
JP2007321186A (ja) | エッチング方法 | |
JP4045007B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2006249530A (ja) | 金属膜パターンの形成方法 | |
JP2009026786A (ja) | 金電極または金配線を有する半導体装置の洗浄液及び洗浄方法 | |
US20070080066A1 (en) | Plating apparatus and manufacturing process for semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20070329 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070329 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20100115 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100121 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100518 |