JP2005277708A - 非可逆回路素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】 組立性が良く、安価で、且つ薄型の非可逆回路素子を提供する。
【解決手段】 本発明の非可逆回路素子は、第1のヨーク1と、上板1aの下面に配設された磁石3と、第1のヨーク1とで磁気閉回路を構成する第2のヨーク4と、底板4aと磁石3との間に配設された平板状のフェライト部材8と、フェライト部材8上に形成され、誘電体9を介して上下方向に一部が交叉するように配設された第1,第2,第3の中心導体10,11,12と、この中心導体10,11,12に接続され、フェライト部材8上に形成されたコンデンサC1,C2、C3とを備え、そして、フェライト部材8の上面には、コンデンサC1,C2,C3が薄膜、或いは厚膜によって形成されたため、従来のようなチップ型のコンデンサが不要となって、組み込み工数が少なく、組立性が良好となって、安価なものが得られる。
【選択図】 図3
【解決手段】 本発明の非可逆回路素子は、第1のヨーク1と、上板1aの下面に配設された磁石3と、第1のヨーク1とで磁気閉回路を構成する第2のヨーク4と、底板4aと磁石3との間に配設された平板状のフェライト部材8と、フェライト部材8上に形成され、誘電体9を介して上下方向に一部が交叉するように配設された第1,第2,第3の中心導体10,11,12と、この中心導体10,11,12に接続され、フェライト部材8上に形成されたコンデンサC1,C2、C3とを備え、そして、フェライト部材8の上面には、コンデンサC1,C2,C3が薄膜、或いは厚膜によって形成されたため、従来のようなチップ型のコンデンサが不要となって、組み込み工数が少なく、組立性が良好となって、安価なものが得られる。
【選択図】 図3
Description
本発明は携帯電話機等の移動体通信機の送信部等に適用されるアイソレータやサーキュレータからなる非可逆回路素子に関する。
図10は従来の非可逆回路素子に係る分解斜視図、図11は従来の非可逆回路素子に係り、樹脂ケースにフェライト部材を組み込んだ状態を示す斜視図で、次に、従来の非可逆回路素子の構成を図10、図11に基づいて説明すると、U字状の磁性板(鉄板等)からなる第1のヨーク51は、上板51aと側板51bを有し、この第1のヨーク51内は、円形状の上部磁石52がその磁力によって第1のヨーク51に取り付けられている。
磁性板(鉄板等)からなる第2のヨーク53は、底板53aと、この底板53aの対向する2辺から上方に折り曲げられた2つの片部53bを有し、この第2のヨーク53は、第1のヨーク51と結合されて、磁気閉回路が形成される。
箱形の樹脂ケース54は、中央部に設けられた有底の円形状の収納部54aと、側壁54bの上面に設けられた複数の凹部54cを有し、この樹脂ケース54の凹部54cには、内部電極55が設けられると共に、側壁54bの下部には、内部電極55に接続された外部電極56が設けられている。
平板状の円形のフェライト部材57の上面には、第1,第2,第3の中心導体58,59,60が誘電体(図示せず)を介して、薄膜技術によって形成され、このフェライト部材57は、樹脂ケース54の収納部54a内に収納される。
チップ型の複数のコンデンサCは、樹脂ケース54の凹部54c内に収納されて、下部電極(図示せず)が内部電極55に接続されると共に、チップ型の1個の抵抗器Rが凹部54c内に収納され、第1,第2,第3の中心導体58,59,60の一端側とコンデンサCの上部電極(図示せず)、及び抵抗器Rがワイヤ61によって接続される。
また、第1,第2,第3の中心導体58,59,60の他端側と内部電極55がワイヤ61によって接続される。
また、第1,第2,第3の中心導体58,59,60の他端側と内部電極55がワイヤ61によって接続される。
そして、第2のヨーク53上に位置された下部磁石62と上部磁石52との間に、フェライト部材57を配置した状態で、第1,第2のヨーク1,3が結合されて、従来の非可逆回路素子が形成されている。(例えば、特許文献1参照)
しかし、従来の非可逆回路素子は、チップ型のコンデンサCと抵抗器Rが使用されるため、チップ型のコンデンサCと抵抗器Rは、樹脂ケース54に組み込む作業が必要で、組立工数が多くなって、作業性が悪く、コスト高になる。
また、第1,第2,第3の中心導体58,59,60とコンデンサC、及び抵抗器R間の接続、更に、第1,第2,第3の中心導体58,59,60と内部電極55間の接続がワイヤ61によって行われるため、ワイヤ61の接続工程が面倒で、生産性が悪く、コスト高になるばかりか、ワイヤ61の存在によって高さ方向に厚くなって、薄型化が図れない。
また、第1,第2,第3の中心導体58,59,60とコンデンサC、及び抵抗器R間の接続、更に、第1,第2,第3の中心導体58,59,60と内部電極55間の接続がワイヤ61によって行われるため、ワイヤ61の接続工程が面倒で、生産性が悪く、コスト高になるばかりか、ワイヤ61の存在によって高さ方向に厚くなって、薄型化が図れない。
従来の非可逆回路素子は、チップ型のコンデンサCと抵抗器Rが使用されるため、チップ型のコンデンサCと抵抗器Rは、樹脂ケース54に組み込む作業が必要で、組立工数が多くなって、作業性が悪く、コスト高になるという問題がある。
また、第1,第2,第3の中心導体58,59,60とコンデンサC、及び抵抗器R間の接続、更に、第1,第2,第3の中心導体58,59,60と内部電極55間の接続がワイヤ61によって行われるため、ワイヤ61の接続工程が面倒で、生産性が悪く、コスト高になるばかりか、ワイヤ61の存在によって高さ方向に厚くなって、薄型化が図れないという問題がある。
また、第1,第2,第3の中心導体58,59,60とコンデンサC、及び抵抗器R間の接続、更に、第1,第2,第3の中心導体58,59,60と内部電極55間の接続がワイヤ61によって行われるため、ワイヤ61の接続工程が面倒で、生産性が悪く、コスト高になるばかりか、ワイヤ61の存在によって高さ方向に厚くなって、薄型化が図れないという問題がある。
そこで、本発明は組立性が良く、安価で、且つ薄型の非可逆回路素子を提供することを目的とする。
上記課題を解決するための第1の解決手段として、上板を有する第1のヨークと、前記上板の下面に配設された磁石と、平板状の底板を有し、前記第1のヨークとで磁気閉回路を構成する第2のヨークと、前記底板と前記磁石との間に配設された平板状のフェライト部材と、前記フェライト部材上に形成され、誘電体を介して上下方向に一部が交叉するように配設された第1,第2,第3の中心導体と、この中心導体に接続され、前記フェライト部材上に形成されたコンデンサとを備え、前記中心導体と前記誘電体は、前記フェライト部材の上面に、薄膜、或いは厚膜によって形成されると共に、前記コンデンサは、誘電体と、この誘電体を挟んで互いに対向する第1,第2の電極を有し、前記コンデンサの前記誘電体と前記第1,第2の電極は、前記フェライト部材の上面に、薄膜、或いは厚膜によって形成された構成とした。
また、第2の解決手段として、前記中心導体の一端側のポート部には、上部電極である前記第1の電極が接続されると共に、下部電極である前記第2の電極が接地されるようにした構成とした。
また、第3の解決手段として、前記フェライト部材の下面には接地導体を有し、この接地導体は、前記フェライト部材の下面に、薄膜、或いは厚膜によって形成されると共に、前記中心導体の他端側のアース部、及び前記第2の電極は、接続導体によって前記接地導体に接続された構成とした。
また、第3の解決手段として、前記フェライト部材の下面には接地導体を有し、この接地導体は、前記フェライト部材の下面に、薄膜、或いは厚膜によって形成されると共に、前記中心導体の他端側のアース部、及び前記第2の電極は、接続導体によって前記接地導体に接続された構成とした。
また、第4の解決手段として、前記第1の電極は、前記第2の電極の端部からはみ出した容量調整用の延出部が設けられ、前記延出部は、前記フェライト部材を介して前記接地導体と対向した状態となって、前記延出部と前記接地導体との間でコンデンサが形成され、前記延出部は、容量の調整のために削り可能とした構成とした。
また、第5の解決手段として、前記第2のヨークに結合された樹脂ケースを有し、前記樹脂ケースには、端子が埋設されて取り付けられ、前記ポート部、又は/及び前記接地導体が前記端子に接続された構成とした。
また、第5の解決手段として、前記第2のヨークに結合された樹脂ケースを有し、前記樹脂ケースには、端子が埋設されて取り付けられ、前記ポート部、又は/及び前記接地導体が前記端子に接続された構成とした。
また、第6の解決手段として、前記フェライト部材の下面には、前記ポート部から接続導体によって接続され、薄膜、或いは厚膜によって形成された導体部を有し、前記樹脂ケースの底壁の内面には、前記端子の露出部が設けられ、前記導体部、又は/及び前記接地導体が前記露出部上に載置されるようにした構成とした。
また、第7の解決手段として、前記中心導体に接続される抵抗体を有し、この抵抗体は、前記フェライト部材の上面に、薄膜、或いは厚膜によって形成された構成とした。
また、第7の解決手段として、前記中心導体に接続される抵抗体を有し、この抵抗体は、前記フェライト部材の上面に、薄膜、或いは厚膜によって形成された構成とした。
本発明の非可逆回路素子は、上板を有する第1のヨークと、上板の下面に配設された磁石と、平板状の底板を有し、第1のヨークとで磁気閉回路を構成する第2のヨークと、底板と磁石との間に配設された平板状のフェライト部材と、フェライト部材上に形成され、誘電体を介して上下方向に一部が交叉するように配設された第1,第2,第3の中心導体と、この中心導体に接続され、フェライト部材上に形成されたコンデンサとを備え、中心導体と誘電体は、フェライト部材の上面に、薄膜、或いは厚膜によって形成されると共に、コンデンサは、誘電体と、この誘電体を挟んで互いに対向する第1,第2の電極を有し、コンデンサの誘電体と第1,第2の電極は、フェライト部材の上面に、薄膜、或いは厚膜によって形成された構成とした。
即ち、フェライト部材の上面には、コンデンサが薄膜、或いは厚膜によって形成されたため、従来のようなチップ型のコンデンサが不要となって、組み込み工数が少なく、組立性が良好となって、安価なものが得られる。
即ち、フェライト部材の上面には、コンデンサが薄膜、或いは厚膜によって形成されたため、従来のようなチップ型のコンデンサが不要となって、組み込み工数が少なく、組立性が良好となって、安価なものが得られる。
また、中心導体の一端側のポート部には、上部電極である第1の電極が接続されると共に、下部電極である第2の電極が接地されるようにしたため、従来のワイヤが不要となって、生産性の良好なものが得られる。
また、フェライト部材の下面には接地導体を有し、この接地導体は、フェライト部材の下面に、薄膜、或いは厚膜によって形成されると共に、中心導体の他端側のアース部、及び第2の電極は、接続導体によって接地導体に接続されたため、中心導体と第2の電極の接地が容易であると共に、従来のワイヤが不要となって、生産性が良く、薄型のものが得られる。
また、第1の電極は、第2の電極の端部からはみ出した容量調整用の延出部が設けられ、延出部は、フェライト部材を介して接地導体と対向した状態となって、延出部と接地導体との間でコンデンサが形成され、延出部は、容量の調整のために削り可能としたため、容量値の調整の容易なものが得られる。
また、第2のヨークに結合された樹脂ケースを有し、樹脂ケースには、端子が埋設されて取り付けられ、ポート部、又は/及び接地導体が端子に接続されたため、外部機器への接続の容易なものが得られる。
また、フェライト部材の下面には、ポート部から接続導体によって接続され、薄膜、或いは厚膜によって形成された導体部を有し、樹脂ケースの底壁の内面には、端子の露出部が設けられ、導体部、又は/及び接地導体が露出部上に載置されるようにしたため、ポート部と接地導体の端子への接続が容易となって、組立性の良好なものが得られる。
また、中心導体に接続される抵抗体を有し、この抵抗体は、フェライト部材の上面に、薄膜、或いは厚膜によって形成されたため、従来のようなチップ型の抵抗器が不要となって、組み込み工数が少なく、組立性が良好となって、安価なものが得られる。
本発明の非可逆回路素子の図面を説明すると、図1は本発明の非可逆回路素子に係る要部拡大断面図、図2は本発明の非可逆回路素子に係る第2のヨークの拡大斜視図、図3は本発明の非可逆回路素子に係るフェライト部材の拡大上面図、図4は本発明の非可逆回路素子に係るフェライト部材の拡大下面図である。
また、図5は本発明の非可逆回路素子に係り、中心導体やコンデンサ等の製造方法を示す第1の説明図、図6は本発明の非可逆回路素子に係り、中心導体やコンデンサ等の製造方法を示す第2の説明図、図7は本発明の非可逆回路素子に係り、中心導体やコンデンサ等の製造方法を示す第3の説明図、図8は本発明の非可逆回路素子に係り、中心導体やコンデンサ等の製造方法を示す第4の説明図、図9は本発明の非可逆回路素子に係り、中心導体やコンデンサ等の製造方法を示す第5の説明図である。
次に、本発明の非可逆回路素子をアイソレータに適用した場合の構成を図1〜図9に基づいて説明すると、磁性板(鉄板等)からなる第1のヨーク1は、四角形状の上板1aと、この上板1aの辺から下方に折り曲げられた側板1bとを有する。
合成樹脂の成型品からなる保持部材2は、中央部に凹部2aを有し、この保持部材2は、第1のヨーク1の内面に適宜手段によって取り付けられると共に、凹部2内には、四角形状の磁石3が収納されて、取り付けられている。
箱形の磁性板(鉄板等)からなる第2のヨーク4は、四角形状の底板4aと、この底板4aの外周辺から上方に折り曲げられた4つの側板4bと、底壁4aと側壁4bの角部に設けられた複数の孔4cを有し、この第2のヨーク4は、第1のヨーク1が結合されて、第1,第2のヨーク1,4とで磁気閉回路が形成されている。
合成樹脂の成型品からなる樹脂ケース5は、成形加工によって第2のヨーク4に一体的に形成され、第2のヨーク4の底板4a上に位置する底壁5aと、側板4bの内面に沿って位置する側壁5bと、孔4c内に位置する露出部5cと、中央部に設けられた凹部からなる収納部5dを有する。
この樹脂ケース5には、金属板からなる複数の端子6、7が埋設されて取り付けられ、この端子6,7は、露出部5cから外方に突出する突出部6a、7aと、底壁5aの内表面から露出する露出部6a、7bを有し、後述するように、端子6は入出力用の端子として使用されると共に、端子7は、接地用の端子として使用される。
YIG(Yttrium iron garnet)等からなる多角形状(四角形状)等の平板状のフェライト部材8は、上下に貫通するように側辺に設けられた複数個の凹部8aを有し、このフェライト部材8の上面には、誘電体9を介して、上下方向に一部が交叉した状態で第1,第2,第3の中心導体10,11、12が形成されている。
この誘電体9と第1,第2,第3の中心導体10,11,12は、フェライト部材8の上面に直接、蒸着法やスパッタ等の薄膜技術、或いは印刷や塗布等の厚膜技術によって形成されている。
そして、誘電体9は、薄膜、及び厚膜の場合、窒化シリコン、チタン酸バリウム系、チタン酸鉛系等が使用され、また、第1,第2,第3の中心導体10,11,12は、薄膜の場合、銀やアルミ等が使用され、更に、厚膜の場合、銀ペーストや銀ーパラジュウムペースト等が使用される。
そして、誘電体9は、薄膜、及び厚膜の場合、窒化シリコン、チタン酸バリウム系、チタン酸鉛系等が使用され、また、第1,第2,第3の中心導体10,11,12は、薄膜の場合、銀やアルミ等が使用され、更に、厚膜の場合、銀ペーストや銀ーパラジュウムペースト等が使用される。
また、第1,第2,第3の中心導体10,11,12のそれぞれは、一端側にポート部10a、11a、12aを有すると共に、他端側にアース部10b、11b、12bを有している。
更に、フェライト部材8の下面には、第1,第2の導体部13a、13bと、接地導体14が設けられ、この第1,第2の導体部13a、13bと、接地導体14は、中心導体と同様に、フェライト部材8の下面に直接、蒸着法やスパッタ等の薄膜技術、或いは印刷や塗布等の厚膜技術によって形成されている。
そして、第1の中心導体10のポート部10aは、凹部8aの表面に設けられた接続導体15によって第1の導体部13aに接続され、また、第2の中心導体11のポート部11aは、凹部8aの表面に設けられた接続導体15によって第2の導体部13bに接続されると共に、第1,第2,第3の中心導体10,11,12のそれぞれのアース部10b、11b、12bは、凹部8aの表面に設けられた接続導体15によって接地導体14に接続されている。
なお、上記実施例の接続導体15は、凹部8aの表面に設けたサイド電極に相当するもので説明したが、凹部である貫通孔内に設けたスルーホール(接続導体)でも良いこと勿論である。
第1,第2,第3のコンデンサC1,C2,C3は、誘電体16と、この誘電体16を挟んで対向して設けられた第1,第2の電極17a、17bを有し、この第1,第2,第3のコンデンサC1,C2,C3は、フェライト部材8の上面に形成されている。
この誘電体16と第1,第2の電極17a、17bは、フェライト部材8の上面に直接、蒸着法やスパッタ等の薄膜技術、或いは印刷や塗布等の厚膜技術によって形成されている。
そして、第1,第2の電極17a、17bは、薄膜の場合、金や銅等が使用され、また、厚膜の場合、銅ペーストが使用され、更に、誘電体16は薄膜、及び厚膜の場合、酸化シリコン等が使用される。
そして、第1,第2の電極17a、17bは、薄膜の場合、金や銅等が使用され、また、厚膜の場合、銅ペーストが使用され、更に、誘電体16は薄膜、及び厚膜の場合、酸化シリコン等が使用される。
また、第1のコンデンサC1の上部電極である第1の電極17aは、第1の中心導体10のポート部10a側に接続された状態で、誘電体16上に形成されると共に、下部電極である第2の電極17bは、誘電体16を介して第1の電極17aと対向した状態で、フェライト部材8の上面に直接、形成され、また、この第2の電極17bは、第3の中心導体12のアース部12bに接続されて、アース部12bと共に接続導体15を介して接地導体14に接続されている。
また、第2のコンデンサC2の上部電極である第1の電極17aは、第2の中心導体11のポート部11a側に接続された状態で、誘電体16上に形成されると共に、下部電極である第2の電極17bは、誘電体16を介して第1の電極17aと対向した状態で、フェライト部材8の上面に直接、形成され、また、この第2の電極17bは、第3の中心導体12のアース部12bに接続されて、アース部12bと共に接続導体15を介して接地導体14に接続されている。
更に、第3のコンデンサC3の上部電極である第1の電極17aは、第3の中心導体12のポート部12aが兼用された状態で、誘電体16上に形成されると共に、下部電極である第2の電極17bは、誘電体16を介して第1の電極17aと対向した状態で、フェライト部材8の上面に直接、形成され、また、この第2の電極17bは、接続導体15を介して接地導体14に接続されている。
そして、第1,第2,第3のコンデンサC1,C2,C3の上部電極である第1の電極17aは、第2の電極17bの端部からはみ出した容量調整用の延出部が設けられ、この延出部は、容量の調整のために削り可能となっている。
即ち、第2の電極17bからはみ出した第1の電極17aの延出部は、フェライト部材8を介して接地導体14と対向した状態となって、延出部と接地導体14との間にコンデンサが形成された状態となり、従って、延出部が削られると、接地導体14との間の対向面積が変化して、容量調整が行われるものである。
即ち、第2の電極17bからはみ出した第1の電極17aの延出部は、フェライト部材8を介して接地導体14と対向した状態となって、延出部と接地導体14との間にコンデンサが形成された状態となり、従って、延出部が削られると、接地導体14との間の対向面積が変化して、容量調整が行われるものである。
抵抗体Rは、第3のコンデンサC3の第1の電極17aと第2の電極17bとの間で、フェライト部材8の上面に直接、蒸着法やスパッタ等の薄膜技術、或いは印刷や塗布等の厚膜技術によって形成されている。
この抵抗体Rは、タンタルと酸化シリコンの混合物等が使用され、また、薄膜の場合、酸化ルテニウム等が使用される。
この抵抗体Rは、タンタルと酸化シリコンの混合物等が使用され、また、薄膜の場合、酸化ルテニウム等が使用される。
次に、第1,第2,第3の中心導体10,11,12や第1,第2,第3のコンデンサC1,C2,C3等の製造方法を図4〜図9に基づいて説明すると、先ず、図5に示すように、フェライト部材8の上面には、第1の中心導体10の全部と、第2の中心導体11の一部である第1,第2の電極部11c、11dと、第3の中心導体12の一部である第1,第2の電極部12c、12dと、第1の電極部12cに繋がった第1,第2のコンデンサC1,C2用の2つの第2の電極17b、及び、第3のコンデンサC3用の第2の電極17bを形成する。
次に、図4に示すように、フェライト部材8の下面には、第1,第2の導体部13a、13bと接地導体14を形成した後、凹部8aに接続導体15を形成して、フェライト部材8の上下面に形成された導体間を接続する。
次に、図6に示すように、フェライト部材8の上面には、第1の中心導体10の中央部を被覆するように一層目の誘電体9と、第1,第2,第3のコンデンサC1,C2,C3用の3つの誘電体16を形成すると共に、抵抗体Rを形成する。
この実施例では、誘電体9と誘電体16が同一材料で形成されているが、両者は異なる材料で形成しても良い。
この実施例では、誘電体9と誘電体16が同一材料で形成されているが、両者は異なる材料で形成しても良い。
次に、図7に示すように、誘電体9上には第2の中心導体11が形成されて、両端部がフェライト部材8上の第1,第2の電極部11c、11dに接続されると共に、3つの誘電体16上には、第1の電極17aが形成されて、第1,第2のコンデンサC1,C2の第1の電極17aは、それぞれ第1,第2の中心導体10,11のポート部10a、11aに接続され、また、第3のコンデンサC3の第1の電極17aは、第2の電極部12dに接続されると共に、抵抗体Rの一端に接続される。
次に、図8に示すように、先ず、二層目の誘電体9が一層目の誘電体9上に形成された後、図9に示すように、第3の中心導体12が二層目の誘電体9上に形成される。
すると、第3の中心導体12の一端が第1の電極部12cに接続されると共に、第3の中心導体12の他端が第2の電極部12dに接続されるようになって、その製造が完了する。
すると、第3の中心導体12の一端が第1の電極部12cに接続されると共に、第3の中心導体12の他端が第2の電極部12dに接続されるようになって、その製造が完了する。
なお、中心導体、コンデンサ、及び抵抗体等の構成、及び製造方法は、上記に記載した以外に種々の構成、及び製造方法が適用できること勿論である。
このような構成を有するフェライト部材8は、樹脂ケース5の収納部5dに挿入されると、下面に設けられた第1,第2の導体部13a、13bは、端子6の露出部6b上に位置して、両者が半田付等によって接続されると共に、下面に設けられた接地導体14は、端子7の露出部7b上に位置して、両者が半田付等によって接続されて、外部機器への接続が可能となっている。
そして、フェライト部材8の上部には、磁石4を配置し、第1,第2のヨーク1,4によって、磁石3,及びフェライト部材15を挟持した状態で、第1,第2のヨーク1,4を結合して、第1,第2のヨーク1,4とで磁気閉回路が形成され、本発明の非可逆回路素子が構成されている
なお、上記実施例は、アイソレータに適用されたもので説明したが、抵抗器Rを無くしたサーキュレータに適用しても良い。
1:第1のヨーク
1a:上板
1b:側板
2:保持部材
2a:凹部
3:磁石
4:第2のヨーク
4a:底板
4b:側板
4c:孔
5:樹脂ケース
5a:底壁
5b:側壁
5c:露出部
5d:収納部
6:端子
6a:突出部
6b:露出部
7:端子
7a:突出部
7b:露出部
8:フェライト部材
8a:凹部
9:誘電体
10:第1の中心導体
10a:ポート部
10a:アース部
11:第2の中心導体
11a:ポート部
11b:アース部
11c:第1の電極部
11d:第2の電極部
12:第3の中心導体
12a:ポート部
12b:アース部
12c:第1の電極部
12d:第2の電極部
13a:第1の導体部
13b:第2の導体部
14:接地導体
15:接続導体
C1:第1のコンデンサ
C2:第2のコンデンサ
C3:第3のコンデンサ
16:誘電体
17a:第1の電極
17b:第2の電極
R:抵抗体
1a:上板
1b:側板
2:保持部材
2a:凹部
3:磁石
4:第2のヨーク
4a:底板
4b:側板
4c:孔
5:樹脂ケース
5a:底壁
5b:側壁
5c:露出部
5d:収納部
6:端子
6a:突出部
6b:露出部
7:端子
7a:突出部
7b:露出部
8:フェライト部材
8a:凹部
9:誘電体
10:第1の中心導体
10a:ポート部
10a:アース部
11:第2の中心導体
11a:ポート部
11b:アース部
11c:第1の電極部
11d:第2の電極部
12:第3の中心導体
12a:ポート部
12b:アース部
12c:第1の電極部
12d:第2の電極部
13a:第1の導体部
13b:第2の導体部
14:接地導体
15:接続導体
C1:第1のコンデンサ
C2:第2のコンデンサ
C3:第3のコンデンサ
16:誘電体
17a:第1の電極
17b:第2の電極
R:抵抗体
Claims (7)
- 上板を有する第1のヨークと、前記上板の下面に配設された磁石と、平板状の底板を有し、前記第1のヨークとで磁気閉回路を構成する第2のヨークと、前記底板と前記磁石との間に配設された平板状のフェライト部材と、前記フェライト部材上に形成され、誘電体を介して上下方向に一部が交叉するように配設された第1,第2,第3の中心導体と、この中心導体に接続され、前記フェライト部材上に形成されたコンデンサとを備え、前記中心導体と前記誘電体は、前記フェライト部材の上面に、薄膜、或いは厚膜によって形成されると共に、前記コンデンサは、誘電体と、この誘電体を挟んで互いに対向する第1,第2の電極を有し、前記コンデンサの前記誘電体と前記第1,第2の電極は、前記フェライト部材の上面に、薄膜、或いは厚膜によって形成されたことを特徴とする非可逆回路素子。
- 前記中心導体の一端側のポート部には、上部電極である前記第1の電極が接続されると共に、下部電極である前記第2の電極が接地されるようにしたことを特徴とする請求項1記載の非可逆回路素子。
- 前記フェライト部材の下面には接地導体を有し、この接地導体は、前記フェライト部材の下面に、薄膜、或いは厚膜によって形成されると共に、前記中心導体の他端側のアース部、及び前記第2の電極は、接続導体によって前記接地導体に接続されたことを特徴とする請求項2記載の非可逆回路素子。
- 前記第1の電極は、前記第2の電極の端部からはみ出した容量調整用の延出部が設けられ、前記延出部は、前記フェライト部材を介して前記接地導体と対向した状態となって、前記延出部と前記接地導体との間でコンデンサが形成され、前記延出部は、容量の調整のために削り可能としたことを特徴とする請求項3記載の非可逆回路素子。
- 前記第2のヨークに結合された樹脂ケースを有し、前記樹脂ケースには、端子が埋設されて取り付けられ、前記ポート部、又は/及び前記接地導体が前記端子に接続されたことを特徴とする請求項3,又は4記載の非可逆回路素子。
- 前記フェライト部材の下面には、前記ポート部から接続導体によって接続され、薄膜、或いは厚膜によって形成された導体部を有し、前記樹脂ケースの底壁の内面には、前記端子の露出部が設けられ、前記導体部、又は/及び前記接地導体が前記露出部上に載置されるようにしたことを特徴とする請求項5記載の非可逆回路素子。
- 前記中心導体に接続される抵抗体を有し、この抵抗体は、前記フェライト部材の上面に、薄膜、或いは厚膜によって形成されたことを特徴とする請求項1から6の何れかに記載の非可逆回路素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004087147A JP2005277708A (ja) | 2004-03-24 | 2004-03-24 | 非可逆回路素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004087147A JP2005277708A (ja) | 2004-03-24 | 2004-03-24 | 非可逆回路素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005277708A true JP2005277708A (ja) | 2005-10-06 |
Family
ID=35176913
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004087147A Withdrawn JP2005277708A (ja) | 2004-03-24 | 2004-03-24 | 非可逆回路素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005277708A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113922029A (zh) * | 2021-10-09 | 2022-01-11 | 苏州市新诚氏通讯电子股份有限公司 | 一种基于铁氧体的薄膜微波衰减片 |
-
2004
- 2004-03-24 JP JP2004087147A patent/JP2005277708A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN113922029A (zh) * | 2021-10-09 | 2022-01-11 | 苏州市新诚氏通讯电子股份有限公司 | 一种基于铁氧体的薄膜微波衰减片 |
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