JP2005277097A - 樹脂封止型半導体装置及び樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Abstract
【解決手段】 半導体ペレット30及びチップ部品40は絶縁基材20上に設けられ、トランスファーモールド法により成型されたモールド樹脂により封止される。チップ部品40は、半導体ペレット30の四辺を取り囲むように配設される。半導体ペレット30を取り囲むチップ部品40の長手方向は一定の方向を向いている。樹脂注入時には、注入樹脂の流れの方向に対して、チップ部品40の長手方向が実質的に垂直となるように絶縁基材20が金型成型器にセットされる。
【選択図】図1
Description
図1は、実施例1に係る半導体装置10の平面図であり、図2は図1のA−A線での断面図である。半導体装置10は、絶縁基材20、半導体ペレット30、複数のチップ部品40、モールド樹脂50を含む。半導体ペレット30及び複数のチップ部品40は絶縁基材20上に設けられ、トランスファーモールド法により成型されたモールド樹脂50により封止されている。なお、図1の平面図ではモールド樹脂50は省略されている。
図3は、実施例2に係る半導体装置10の平面図である。図3においても、モールド樹脂50は省略されている。実施例2の半導体装置10では、各半導体ペレット30の各辺に対応して設けられた複数のチップ部品40の長手方向は、半導体ペレット30の各辺に沿った方向を向いている。このため、トランスファーモールド法によってモールド樹脂50を注入する際に、モールド樹脂50の流れに対して、モールド前の半導体装置10のいずれの辺を向けて配置しても、半導体ペレット30に流れ込むモールド樹脂50の流れがチップ部品40により効果的に遮られるので、半導体装置10の金線ボンディング34のワイヤ流れを抑制し、金線ボンディング34の接続不良を低減することができる。
図4は、実施例3に係る半導体装置10の平面図である。図4においても、モールド樹脂50は省略されている。実施例3の半導体装置10では、複数のチップ部品40は、絶縁基材20の周縁部に沿って配設されている。各チップ部品40の長手方向は一定の方向を向いている。このような構成によっても、トランスファーモールド法によってモールド樹脂50を注入する際に、モールド樹脂50の流れに対して、一定方向に揃えられたチップ部品40の長手方向が垂直になるようにモールド前の半導体装置10を配置することにより、半導体ペレット30に向かうモールド樹脂50の流れをチップ部品40によって効果的に遮るので、半導体装置10の金線ボンディング34のワイヤ流れを抑制し、金線ボンディング34の接続不良を低減することができる。
図5は、実施例4に係る半導体装置10の平面図である。図5においても、モールド樹脂50は省略されている。実施例4の半導体装置10では、複数のチップ部品40は、実施例3と同様に、絶縁基材20の周縁部に沿って配設されているが、各チップ部品40の長手方向は、半導体ペレット30の各辺に沿った方向を向いている。このため、トランスファーモールド法によってモールド樹脂50を注入する際に、モールド樹脂50の流れに対して、モールド前の半導体装置10のいずれ辺を向けて配置しても、半導体ペレット30に流れ込むモールド樹脂50の流れがチップ部品40により遮られ、ワイヤ流れが抑制される。
図6は、実施例5に係る半導体装置10の平面図である。図6においても、モールド樹脂50は省略されている。実施例5の半導体装置10では、複数のチップ部品40は、半導体ペレット30の一方の辺の近傍に、当該辺と並行するチップ部品列42及びチップ部品列44をなして配置されている。チップ部品列42及びチップ部品列44に配設されたチップ部品40は、長手方向が各列方向と同じ方向に向いている。さらに、チップ部品列42のチップ部品40は、チップ部品列44のチップ部品40に対して、列方向と垂直な方向から見て、互い違いに配置されている。すなわち、チップ部品列42のチップ部品40間の隙間の位置は、チップ部品列44のチップ部品40間の隙間の位置に対して、列方向にチップ部品40の長手方向の長さの半分ずつずれている。このような構成にすることにより、トランスファーモールド法によってモールド樹脂50を注入する際に、モールド樹脂50の流れに対して、チップ部品列42及びチップ部品列44の列方向が垂直になるようにモールド前の半導体装置10を配置することにより、半導体ペレット30に向かうモールド樹脂50の流れをチップ部品40によってより効果的に遮ることができる。すなわち、図7に示すように、半導体ペレット30に向かうモールド樹脂50の流れは、まずチップ部品列42によって行く手を遮られ、圧力が減衰する。次に、モールド樹脂50の流れは、チップ部品列42のチップ部品40間の隙間を通り、チップ部品列44により再度行く手を遮られ、圧力が減衰する。
図8は、実施例6に係る半導体装置10の平面図である。図8においても、モールド樹脂50は省略されている。実施例6の半導体装置10では、半導体ペレット30の一方の辺の近傍に、複数のチップ部品40及び少なくとも1つのダミーチップ部品46が当該辺と並行して配置されている。ここで、ダミーチップ部品46とは、半導体装置10の動作には不要な部品である。ダミーチップ部品46として、絶縁基材20上の配線と接続しないチップ部品40や、チップ部品40と同型のモックなどを用いることができる。チップ部品40及びダミーチップ部品46の長手方向は、列方向と同じ方向を向いている。この構成によれば、半導体装置10の回路構成上、または半導体装置10の動作上、チップ部品40を所望の位置に配設できない場合やチップ部品40を所望の位置に配設する必要のない場合であっても、所望の位置にダミーチップ部品46を用いることにより、半導体ペレット30に向かうモールド樹脂50の流れの行く手を確実に遮ることができる。
絶縁基材を用意し、絶縁基材に導体回路を設ける。ウエハ上から半導体ペレットを切り出し、切り出された半導体ペレットを絶縁基材にマウントして、半導体ペレットの電極パッドと導体回路に設けられたリード電極とをワイヤボンディングにより接続する。絶縁基材にマウントされた半導体ペレットの周辺に、上記実施例1乃至6に示したいずれかの配置の複数のチップ部品又はダミーチップ部品を設ける。
Claims (8)
- 導体回路が設けられた絶縁基材と、
前記絶縁基材上に設けられ、前記導体回路とワイヤボンディングされた半導体ペレットと、
前記絶縁基材上に実装された複数のチップ部品と、
前記半導体ペレットと前記複数のチップ部品とを封止する封止樹脂と、
を備え、
前記封止樹脂が注入される際に、少なくとも1方向において、前記半導体ペレットに対する前記封止樹脂の流れを遮蔽する位置に前記複数のチップ部品が配置されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 導体回路が設けられた絶縁基材と、
前記絶縁基材上に設けられ、前記導体回路とワイヤボンディングされた半導体ペレットと、
前記絶縁基材上に実装された複数のチップ部品と、
前記半導体ペレットと前記複数のチップ部品とを封止する封止樹脂と、
を備え、
前記複数のチップ部品が前記半導体ペレットの四辺を取り囲み、前記複数のチップ部品の長手方向が、一定の方向に向いていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 導体回路が設けられた絶縁基材と、
前記絶縁基材上に設けられ、前記導体回路とワイヤボンディングされた半導体ペレットと、
前記絶縁基材上に実装された複数のチップ部品と、
前記半導体ペレットと前記複数のチップ部品とを封止する封止樹脂と、
を備え、
前記複数のチップ部品が前記半導体ペレットの四辺を取り囲み、前記各半導体ペレットの各辺に対応して設けられたチップ部品列に含まれるチップ部品の長手方向が、前記半導体ペレットの各辺に沿った方向を向いていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 導体回路が設けられた絶縁基材と、
前記絶縁基材上に設けられ、前記導体回路とワイヤボンディングされた半導体ペレットと、
前記絶縁基材上に実装された複数のチップ部品と、
前記半導体ペレットと前記複数のチップ部品とを封止する封止樹脂と、
を備え、
前記複数のチップ部品が前記絶縁基材の周縁部に沿って配設され、前記複数のチップ部品の長手方向が、一定の方向に向いていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 導体回路が設けられた絶縁基材と、
前記絶縁基材上に設けられ、前記導体回路とワイヤボンディングされた半導体ペレットと、
前記絶縁基材上に実装された複数のチップ部品と、
前記半導体ペレットと前記複数のチップ部品とを封止する封止樹脂と、
を備え、
前記複数のチップ部品が前記絶縁基材の周縁部に沿って配設され、前記絶縁基材の各辺に対応して設けられたチップ部品列に含まれるチップ部品の長手方向が、前記絶縁基材の各辺に沿った方向を向いていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 導体回路が設けられた絶縁基材と、
前記絶縁基材上に設けられ、前記導体回路とワイヤボンディングされた半導体ペレットと、
前記絶縁基材上に実装された複数のチップ部品と、
前記半導体ペレットと前記複数のチップ部品とを封止する封止樹脂と、
を備え、
前記複数のチップ部品からなる2列以上のチップ部品列が前記半導体ペレットのある辺の近傍に配置され、前記複数のチップ部品の長手方向が前記半導体ペレットのある辺の方向を向き、各チップ部品列に含まれる各チップ部品のチップ部品列方向の位置が隣接するチップ部品列に含まれる各チップ部品と互い違いにずれていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 導体回路が設けられた絶縁基材と、
前記絶縁基材上に設けられ、前記導体回路とワイヤボンディングされた半導体ペレットと、
前記絶縁基材上に実装された複数のチップ部品と、
前記半導体ペレットと前記複数のチップ部品とを封止する封止樹脂と、
を備え、
前記複数のチップ部品からなるチップ部品列が前記半導体ペレットのある辺の近傍に配置され、前記複数のチップ部品の長手方向が前記半導体ペレットのある辺の方向を向き、前記チップ部品列上に、ダミーチップ部品が設けられること特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 導体回路が設けられた絶縁基材上に設けられ、前記導体回路とワイヤボンディングされた半導体ペレットと表面実装型の複数のチップ部品とを樹脂で封止する樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、
前記半導体ペレットの少なくとも一辺に沿って、チップ部品の長手方向が前記一辺の方向を向くように前記複数のチップ部品を配置する工程と、
前記複数のチップ部品の長手方向が前記樹脂の注入方向と実質的に垂直となるように、前記絶縁基材を金型成型器のキャビティに載置する工程と、
前記半導体ペレットと前記複数のチップ部品に対して前記樹脂を注入する工程と、
を備えることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
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