JP2009016738A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体素子を樹脂封止して半導体装置を構成するにあたって、金属ワイヤの樹脂流によるワイヤ流れを抑制する。
【解決手段】半導体装置1は複数の接続パッド5を有する配線基板2上に搭載された半導体素子6を具備する。半導体素子6は少なくとも外形の一辺に沿って配置された複数の電極パッド7を有する。複数の接続パッド5と複数の電極パッド7とはそれぞれ金属ワイヤ8で電気的に接続されており、これら金属ワイヤ8は半導体素子6の外形辺に沿って配列されて金属ワイヤ群9を構成している。金属ワイヤ群9の配列方向の少なくとも一方の端部に位置する金属ワイヤ8の外側には絶縁性遮蔽物11が配置されている。
【選択図】図2
【解決手段】半導体装置1は複数の接続パッド5を有する配線基板2上に搭載された半導体素子6を具備する。半導体素子6は少なくとも外形の一辺に沿って配置された複数の電極パッド7を有する。複数の接続パッド5と複数の電極パッド7とはそれぞれ金属ワイヤ8で電気的に接続されており、これら金属ワイヤ8は半導体素子6の外形辺に沿って配列されて金属ワイヤ群9を構成している。金属ワイヤ群9の配列方向の少なくとも一方の端部に位置する金属ワイヤ8の外側には絶縁性遮蔽物11が配置されている。
【選択図】図2
Description
本発明は半導体装置に関する。
半導体装置の小型化や高密度実装化等を実現するために、1つのパッケージ内に複数の半導体素子を積層して封止した積層型半導体装置が実用化されている。積層型半導体装置において、複数の半導体素子は配線基板上に順に積層される。各半導体素子の電極パッドは、配線基板の接続パッドとボンディングワイヤ(金属ワイヤ等)を介して電気的に接続される。このような積層体を絶縁樹脂で封止することによって、スタック型マルチチップパッケージ等の半導体装置が構成される。
半導体メモリ装置は1個もしくは複数個のメモリ素子とコントローラ素子とから構成される。半導体メモリ装置に積層構造を適用する場合、1個もしくは多段に積層されたメモリ素子上に、それより小型のコントローラ素子が積層される。このため、大型のメモリ素子上に積層された小型のコントローラ素子に対するボンディング長さは必然的に長くなり、ボンディングワイヤが長ループ化する。さらに、ボンディングワイヤは半導体素子のパッド面積の微小化等に伴って細線化する傾向にある。
このような半導体装置を作製するにあたって、樹脂封止時にボンディングワイヤが偏移(ワイヤ流れ)を起こし、ワイヤ間の接触によるショートやワイヤ切れ等が発生しやすいという問題がある。すなわち、半導体素子の樹脂封止にモールド成形を適用した場合、樹脂流動方向と直交するように張られたボンディングワイヤは樹脂流の上流側から下流側に向けて抗力を受ける。長ループのワイヤは樹脂流でワイヤ流れを起こしやすく、さらに狭ピッチで接続されているために僅かなワイヤ流れで隣接するワイヤと接触しやすい。さらに、細線化されたワイヤではワイヤ切れが生じるおそれがある。ワイヤ間の接触によるショートやワイヤ切れは半導体装置の製品歩留りや信頼性を低下させる要因となる。
特許文献1にはリードフレームを用いた半導体装置において、半導体素子とリードフレームとの間に絶縁性材料を配置し、絶縁性材料に設けられた溝内にボンディングワイヤをはめ込むことによって、ワイヤ流れによるショートの発生を抑制することが記載されている。しかしながら、複数のワイヤを個々に収容するような溝は、狭ピッチ化されたボンディングワイヤに適用することはできない。特許文献2には半導体素子を収容する容器内のリード支承部に、先端に溝が設けられた突起部を形成することが記載されている。この場合も同様であり、狭ピッチ化されたボンディングワイヤには適用することができない。
特開平2−250338号公報
特開平2−237043号公報
本発明の目的は、半導体素子を樹脂封止するにあたって、ボンディングワイヤ(金属ワイヤ)の樹脂流によるワイヤ流れを抑制することによって、製造歩留りや信頼性等を向上させた半導体装置を提供することにある。
本発明の一態様に係る半導体装置は、素子搭載部と複数の接続パッドとを有する配線基板と、前記配線基板の素子搭載部に搭載され、少なくとも外形の一辺に沿って配置された複数の電極パッドを有する半導体素子と、前記配線基板の接続パッドと前記半導体素子の電極パッドとを電気的に接続するように配列された複数の金属ワイヤを有する金属ワイヤ群と、前記金属ワイヤの側面の少なくとも一部を遮蔽するように、前記金属ワイヤ群の配列方向の少なくとも一方の端部に位置する金属ワイヤの外側に配置された絶縁性遮蔽物と、前記半導体素子を前記金属ワイヤ群と共に封止する樹脂封止部とを具備することを特徴としている。
本発明の他の態様に係る半導体装置は、素子搭載部と複数の接続パッドとを有する配線基板と、前記配線基板の素子搭載部に搭載され、少なくとも外形の一辺に沿って配置された複数の電極パッドを有する第1の半導体素子と、前記第1の半導体素子上に積層され、少なくとも外形の一辺に沿って配置された複数の電極パッドを有する第2の半導体素子と、前記配線基板の接続パッドと前記第1の半導体素子の電極パッドとを電気的に接続するように配列された複数の金属ワイヤを有する第1の金属ワイヤ群と、前記配線基板の接続パッドと前記第2の半導体素子の電極パッドとを電気的に接続するように配列された複数の金属ワイヤを有する第2の金属ワイヤ群と、前記第2の金属ワイヤ群を構成する金属ワイヤの側面の少なくとも一部を遮蔽するように、前記第2の金属ワイヤ群の配列方向の少なくとも一方の端部に位置する金属ワイヤの外側に配置された絶縁性遮蔽物と、前記第1および第2の半導体素子を前記第1および第2の金属ワイヤ群と共に封止する樹脂封止部とを具備することをとしている。
本発明の態様に係る半導体装置によれば、樹脂封止時の樹脂流による金属ワイヤのワイヤ流れを絶縁性遮蔽物で抑制することができる。従って、ワイヤ間の接触によるショートやワイヤ切れの発生が抑制されるため、製造歩留りや信頼性に優れる半導体装置を提供することが可能となる。
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して説明する。図1は本発明の第1の実施形態による半導体装置の構成を示す平面図、図2はその断面図である。これらの図に示す半導体装置1は、素子搭載基板として機能する配線基板2を具備している。配線基板2は素子搭載部と配線網とを有するものであればよく、樹脂基板、セラミックス基板、ガラス基板等の絶縁基板の表面や内部に配線網を形成したものが用いられる。配線基板2の具体例としては、ガラス−エポキシ樹脂やBT樹脂(ビスマレイミド・トリアジン樹脂)等を使用したプリント配線基板が挙げられる。
配線基板2の下面側には、半田バンプ等の外部接続端子3が設けられている。配線基板2の上面側には素子搭載部4が設けられており、その周囲には外部接続端子3と配線網(図示せず)を介して電気的に接続された複数の接続パッド5、5…が設けられている。接続パッド5はワイヤボンディング時に接続部として機能するものであり、搭載される半導体素子の電極パッド数に応じて設けられている。配線基板2の素子搭載部4には、半導体素子6が図示を省略した接着層を介して接着されている。
半導体素子6はトランジスタを含む回路等が形成された素子表面(上面)に配置された複数の電極パッド7、7…を有している。複数の電極パッド7、7…は半導体素子6の外形を構成する辺に沿って配置されている。この実施形態において、複数の電極パッド7、7…は半導体素子6の外形辺のうち対向する二辺(パッド配置辺)に沿ってそれぞれ列状に配置されている。なお、電極パッド7は半導体素子6の外形辺のうちの少なくとも一辺に沿って配置されていればよく、長辺もしくは短辺片側パッド構造であってもよい。
配線基板2の上面に設けられた複数の接続パッド5は、半導体素子6の対向する二辺に沿って配置された電極パッド7のそれぞれに対応するように配置されている。このような配線基板2の接続パッド5は半導体素子6の電極パッド7とAuワイヤ等の金属ワイヤ8を介して電気的に接続されている。すなわち、複数の電極パッド7、7…と複数の接続パッド5、5…との間はそれぞれ金属ワイヤ8、8…で電気的に接続されており、これら複数の金属ワイヤ8、8…は金属ワイヤ群9を構成している。
金属ワイヤ群9を構成する金属ワイヤ8は電極パッド7から接続パッド5に向けて、もしくは接続パッド5から電極パッド7に向けてワイヤリングされており、金属ワイヤ8の各端部は接続パッド5と電極パッド7に接続されている。このように、複数の金属ワイヤ8、8…は複数の電極パッド7、7…と複数の接続パッド5、5…との間を電気的に接続するように、半導体素子6の外形辺(パッド配置辺)に沿って配列されている。
そして、配線基板2上に搭載された半導体素子6を金属ワイヤ群9と共に、エポキシ樹脂のような封止樹脂で封止して樹脂封止部10を形成することによって、半導体パッケージとして機能する半導体装置1が構成されている。図1は樹脂封止部10の図示を省略している。なお、図1および図2では配線基板2上に1個の半導体素子6を搭載した構造を示したが、半導体素子の搭載数はこれに限られるものではない。後述するように、半導体素子の搭載数は2個もしくはそれ以上であってもよい。
ここで、樹脂封止部10の形成にモールド成形を適用する場合、例えば図3に示すように、複数の装置形成領域を有する基板フレーム21を用意し、基板フレーム21の各装置形成領域に半導体素子6をそれぞれ搭載する。複数の装置形成領域はそれぞれ配線基板2に対応している。次いで、半導体素子6にワイヤボンディングを施した後、基板フレーム21を例えばトランスファー成形用の金型22のキャビティ23内に配置する。金型22の注入口24から樹脂材料をキャビティ23内に充填することによって、複数の装置形成領域に搭載された半導体素子6を一括して封止する。
樹脂封止部10をモールド成形するにあたって、キャビティ23内に配置された基板フレーム21上を、流動状態とされた樹脂を流すことによって、キャビティ23内に樹脂を充填させて半導体素子6を封止する。この際、金属ワイヤ8は樹脂の流動方向(図中、矢印X方向)と直交するように張られているため、従来の装置構造では樹脂流Xの上流側から下流側に向けて抗力を受けることで、図4に示すようにワイヤ流れが生じる。ワイヤ流れは隣接するワイヤ間の接触によるショートやワイヤ切れの発生原因となる。なお、図3および図4は従来の半導体装置の樹脂封止工程を示している。
ところで、複数の金属ワイヤ8を狭ピッチ(例えば100μm以下)で配列した金属ワイヤ群9の近傍における樹脂流Xは、図5に示すように、金属ワイヤ8を避けるようにして流れる。このため、実際にワイヤ流れが大きい場所は、樹脂流Xに対して金属ワイヤ群9の最上流に位置する場所と最下流に位置する場所となる。すなわち、図4に示すように、金属ワイヤ群9を構成する金属ワイヤ8のうち、樹脂流Xに対して最上流に位置する金属ワイヤ8aと最下流に位置する金属ワイヤ8zのワイヤ流れが大きくなる。これら金属ワイヤ8a、8zのワイヤ流れがワイヤピッチを超えるとショートが起こり、またワイヤ強度や接続強度を超えるとワイヤ切れが生じることになる。
そこで、第1の実施形態では図1、図2および図6に示すように、金属ワイヤ群9の配列方向の各端部に位置する金属ワイヤ8の外側にそれぞれ絶縁性遮蔽物11を配置している。すなわち、半導体素子6のパッド配置辺に沿って配列された複数の金属ワイヤ8のうち、樹脂流Xに対して最上流に位置する金属ワイヤ8aの外側に絶縁性遮蔽物11Aを配置し、最下流に位置する金属ワイヤ8zの外側に絶縁性遮蔽物11Bを配置している。さらに、この実施形態では金属ワイヤ8の配列が中央付近で途切れているため、この金属ワイヤ8の配列が途切れた部分にも絶縁性遮蔽物11Cを配置している。
絶縁性遮蔽物11の具体的な構成としては、例えば絶縁樹脂からなるダム部が挙げられる。図1および図2では絶縁性遮蔽物11として絶縁樹脂ダムを適用している。ダム部を構成する樹脂としては、例えばエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいは紫外線硬化型のような光硬化性樹脂等が用いられる。熱硬化性や光硬化性等を有する樹脂組成物(液状樹脂)を配線基板2上に塗布し、この液状樹脂の塗布層を硬化させてダム部を形成する。ダム部の形成工程は、樹脂封止前であればどの段階(例えば基板作製工程、素子搭載工程後、ワイヤボンディング工程後等)で実施してもよい。
絶縁樹脂ダム等からなる絶縁性遮蔽物11は金属ワイヤ8、特に100μm以下というように狭ピッチで配列された金属ワイヤ群9の最上流側ワイヤ8aと最下流側ワイヤ8zに対して直接作用する樹脂流Xの流れを遮るものである。さらに、ワイヤピッチが一定以上(例えば0.5mm以上)の広ピッチ部の金属ワイヤ8に作用する樹脂流Xも、絶縁性遮蔽物11で緩和される。従って、絶縁性遮蔽物11は金属ワイヤ8の側面の少なくとも一部を遮蔽するように設けられる。図2は金属ワイヤ8の配線基板2からの立ち上り部と平坦部の一部とを遮蔽するように絶縁性遮蔽物11を配置している。絶縁性遮蔽物11は図7に示すように、金属ワイヤ8の立ち上り部の一部を遮蔽するように配置してもよい。
一般的な樹脂封止時におけるワイヤ流れは、金属ワイヤ8の水平面に対して平行に張られた平坦部の偏移よりも、配線基板2からの立ち上り部と平坦部との屈曲点が倒れる現象が問題となる。このため、ダム状の絶縁性遮蔽物11は金属ワイヤ8の立ち上り部の少なくとも一部、さらには立ち上り部と平坦部との屈曲点を遮蔽するように設けることが好ましい。例えば、半導体素子6の高さが0.6mm、金属ワイヤ8の長さが3mm、金属ワイヤ8のループ高さが0.7mmである場合、高さがワイヤ高さの半分以上、さらにはワイヤ高さ以上で、金属ワイヤ8の少なくとも一部を覆うような長さ(例えば1.5mm以上、さらには3mm以上)を有するダム状絶縁性遮蔽物11を配置する。
このようなダム状絶縁性遮蔽物11A、11Bを金属ワイヤ群9の外側に配置することによって、特に樹脂流Xに対して最上流側に位置する金属ワイヤ8aと最下流側に位置する金属ワイヤ8zを偏移させる樹脂流Xの流動力が弱められる。絶縁性遮蔽物11Aは最上流側ワイヤ8aに直接作用する樹脂流Xを弱め、また絶縁性遮蔽物11Bは最下流側ワイヤ8zを巻き込むように作用する樹脂流Xを弱める。さらに、広ピッチ部の金属ワイヤ8に作用する樹脂流Xも絶縁性遮蔽物11Cで弱められる。これらによって、図6に示すように金属ワイヤ8のワイヤ流れを抑制することが可能となる。
上述したように、狭ピッチで配列された金属ワイヤ群9の外側や広ピッチ部に絶縁性遮蔽物11を配置することによって、樹脂封止部10のモールド成形時の樹脂流Xによるワイヤ流れを防止することができる。これによって、ワイヤ間の接触によるショートやワイヤ切れ等の発生が抑制されるため、半導体装置1の製造歩留りや信頼性を高めることが可能となる。さらに、封止樹脂を選定する際にワイヤ流れの防止を考慮する必要がなくなるため、他の不具合(例えば充填性や反り)に特化した樹脂を選定することで、半導体装置1の製造歩留りをさらに高めることが可能となる。
金属ワイヤ群9の外側に配置する絶縁性遮蔽物11A、11Bは状況に応じて選択することができ、金属ワイヤ群9の配列方向の少なくとも一方の端部に位置する金属ワイヤ8の外側に配置されていればよい。そのうちでも、樹脂流Xに対して最上流側に位置する金属ワイヤ8aのワイヤ流れがショート等の問題を引き起こしやすいことから、少なくとも最上流側ワイヤ8aの外側(樹脂流Xの上流側)に絶縁性遮蔽物11Aを配置することが好ましい。絶縁性遮蔽物11Cは金属ワイヤ8のピッチに応じて適宜に配置されるものであり、ワイヤピッチやそれによるワイヤ流れによっては省略することができる。
絶縁性遮蔽物には絶縁樹脂ダムに代えて絶縁被覆ワイヤを適用してもよい。図8は絶縁性遮蔽物として絶縁被覆ワイヤ12を適用した半導体装置1を示しており、絶縁樹脂ダムに代えて絶縁被覆ワイヤ12を適用する以外は図1や図2に示した半導体装置1と同様な構成を有している。絶縁被覆ワイヤ12は金属ワイヤ(ボンディングワイヤ)の表面を絶縁樹脂で被覆したものであり、通常の金属ワイヤと同様にワイヤボンディングすることが可能なものである。絶縁被覆ワイヤ12は樹脂流Xに対して最上流側に位置する金属ワイヤ8aの外側と最下流側に位置する金属ワイヤ8zの外側に張られている。
このように、絶縁被覆ワイヤ12を金属ワイヤ群9の外側に張ることによって、ワイヤ流れによるショートやワイヤ切れの発生を抑制することが可能となる。樹脂流Xに対して上流側に張られた絶縁被覆ワイヤ12は、それ自体がワイヤ流れを起こすおそれがあるものの、絶縁被覆ワイヤ12がワイヤ流れを起こして隣接する金属ワイヤ8aと接触しても、表面が絶縁被覆されているためにショートを起こすことがない。また、樹脂流Xに対して下流側に張られた絶縁被覆ワイヤ12は、隣接する金属ワイヤ8zのワイヤ流れを抑制するものである。なお、絶縁被覆ワイヤ12に代えて隣接する金属ワイヤ8と同電位のダミーワイヤを適用することも可能である。
次に、本発明の第2の実施形態による半導体装置について、図9ないし図12を参照して説明する。図9は第2の実施形態による半導体装置の構成を示す平面図、図10はその断面図である。なお、前述した第1の実施形態と同一部分には同一符号を付して、その説明を一部省略する。図9および図10に示す半導体装置31は、素子搭載基板として機能する配線基板2を具備している。配線基板2の構成は第1の実施形態と同様である。
配線基板2の下面側には、半田バンプ等の外部接続端子3が設けられている。配線基板2の上面側には素子搭載部4が設けられており、その周囲には外部接続端子3と配線網(図示せず)を介して電気的に接続された複数の接続パッド5、5…が設けられている。接続パッド5はワイヤボンディング時に接続部として機能するものであり、搭載される半導体素子の電極パッド数に応じて設けられている。配線基板2の素子搭載部4には、第1の半導体素子32が図示を省略した接着層を介して接着されている。第1の半導体素子32上には図示を省略した接着層を介して第2の半導体素子33が積層されている。
第1の半導体素子32はトランジスタを含む回路等が形成された素子表面(上面)に配置された複数の電極パッド34、34…を有している。複数の電極パッド34、34…は第1の半導体素子32の外形を構成する辺に沿って配置されている。同様に、第2の半導体素子33は複数の電極パッド35、35…を有しており、これら電極パッド35、35…は第2の半導体素子33の外形を構成する辺に沿って配置されている。第1の半導体素子32と第2の半導体素子33はパッド配置辺が平行となるように積層されている。
第2の実施形態の半導体装置31において、各電極パッド34、35はそれぞれ半導体素子32、33の外形辺のうち対向する二辺に沿ってそれぞれ列状に配置されており、これらパッド配置辺の向きと位置を揃えて第1および第2の半導体素子32、33が積層されている。電極パッド34、35は半導体素子32、33の外形辺の少なくとも一辺に沿って配置されていればよく、長辺もしくは短辺片側パッド構造であってもよい。また、半導体素子32、33はL型パッド構造等を有していてもよい。
複数の接続パッド5は第1および第2の半導体素子32、33の対向する二辺に沿って配置された電極パッド34、35のそれぞれに対応するように配置されている。配線基板2の接続パッド5と第1の半導体素子32の電極パッド34とはそれぞれ第1の金属ワイヤ36を介して電気的に接続されており、これら第1の金属ワイヤ36は第1の金属ワイヤ群37を構成している。第1の金属ワイヤ36は電極パッド34から接続パッド5に向けて、もしくは接続パッド5から電極パッド34に向けてワイヤリングされており、第1の金属ワイヤ36の各端部は接続パッド5と電極パッド34に接続されている。
同様に、第2の半導体素子33の電極パッド35は第2の金属ワイヤ38を介して接続パッド5と電気的に接続されており、これら第2の金属ワイヤ38は第2の金属ワイヤ群39を構成している。第2の金属ワイヤ38は第1の金属ワイヤ36と同方向にワイヤリングされており、その各端部は接続パッド5と電極パッド35に接続されている。そして、配線基板2上に積層されて搭載された第1および第2の半導体素子32、33を、第1および第2の金属ワイヤ群37、39と共に樹脂封止部10で封止することによって、半導体パッケージとして機能する半導体装置31が構成されている。
第1の半導体素子32の具体例としては、NAND型フラッシュメモリのような半導体メモリ素子が挙げられる。第2の半導体素子33の具体例としては、半導体メモリ素子のコントローラ素子が挙げられる。ここでは2個の半導体素子32、33を積層した構造を示したが、半導体素子の積層数は3個もしくはそれ以上であってもよい。例えば、同形状の半導体メモリ素子(第1の半導体素子32に相当)を複数積層し、その上に小形のコントローラ素子(第2の半導体素子33に相当)を積層した構造、あるいは1個の半導体メモリ素子(第1の半導体素子32に相当)上に複数のコントローラ素子(第2の半導体素子33に相当)を順に積層した構造等、種々の積層構造を適用することができる。
第1および第2の金属ワイヤ群37、39は、前述した第1の実施形態で説明したように、樹脂封止部10をモールド成形する際の樹脂流Xに対して直交するように張られているため、樹脂流Xでワイヤ流れが生じるおそれがある。特に、第1の半導体素子32上に積層された第2の半導体素子33に対するボンディング長さは必然的に長くなり、第2の金属ワイヤ36は長ループ化する。このため、第2の金属ワイヤ36は樹脂流Xでワイヤ流れが生じやすい。さらに、狭ピッチ(例えば100μm以下)で接続された第2の金属ワイヤ36は、僅かなワイヤ流れで隣接するワイヤと接触しやすい。
そこで、第2の実施形態では図9および図10に示すように、複数の第2の金属ワイヤ38で構成された第2の金属ワイヤ群39のうち、その配列方向の各端部に位置する第2の金属ワイヤ38の外側にそれぞれ絶縁性遮蔽物11を配置している。すなわち、第2の半導体素子33のパッド配置辺に沿って配列された複数の第2の金属ワイヤ38のうち、樹脂流Xに対して最上流と最下流に位置する金属ワイヤ38のそれぞれの外側に絶縁性遮蔽物11を配置している。絶縁性遮蔽物11としては前述した第1の実施形態と同様に、絶縁樹脂からなるダム部や絶縁被覆ワイヤが適用される。
絶縁樹脂ダム部や絶縁被覆ワイヤからなる絶縁性遮蔽物11は、前述した第1の実施形態と同様に、第2の金属ワイヤ38の側面の少なくとも一部を遮蔽するように設けられる。図9および図10は第2の金属ワイヤ38の平坦部の一部を遮蔽するように、絶縁性遮蔽物11を第1の半導体素子32の上面に配置した構造を示している。絶縁性遮蔽物11は図11に示すように、第2の金属ワイヤ38の立ち上り部を遮蔽するように、配線基板2上に配置してもよい。この場合、第1の金属ワイヤ36の立ち上り部も絶縁性遮蔽物11で遮蔽することができる。絶縁性遮蔽物11は図12に示すように、配線基板2上と第1の半導体素子32上の両方に配置してもよい。
このように、絶縁性遮蔽物11を第2の金属ワイヤ群39の外側に配置することによって、特に樹脂流Xに対して最上流側と最下流側に位置する第2の金属ワイヤ38を偏移させる樹脂流Xの流動力が弱められる。従って、狭ピッチで配列された長ループの第2の金属ワイヤ38のワイヤ流れ、ひいてはワイヤ流れによるショートやワイヤ切れ等の発生を抑制することができる。さらに、第1の金属ワイヤ36も遮蔽するように絶縁性遮蔽物11を配置することによって、第1の金属ワイヤ36のワイヤ流れも抑制することができる。これらによって、半導体装置31の製造歩留りや信頼性を高めることが可能となる。
絶縁性遮蔽物11の具体的な構成や形状は第1の実施形態と同様とする。また、絶縁性遮蔽物11は第2の金属ワイヤ群39の配列方向の少なくとも一方の端部に位置する金属ワイヤ38の外側に配置されていればよい。そのうちでも、樹脂流Xに対して最上流側に位置する第2の金属ワイヤ38のワイヤ流れがショート等の問題を引き起こしやすいことから、少なくとも最上流側ワイヤ38の外側に絶縁性遮蔽物11を配置することが好ましい。第2の金属ワイヤ群39が広ピッチ部を有する場合には、その部分にも絶縁性遮蔽物11を配置することが有効である。この点は第1の実施形態と同様である。
なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、複数の半導体素子を積層して回路基材上に搭載すると共に、各半導体素子の接続にワイヤボンディングを適用した各種の積層型半導体装置に適用することができる。例えば、半導体素子は電極パッドを一辺のみに沿って配列した片側パッド構造を有していてもよい。このような場合にも樹脂固定部は有効であり、そのような積層型半導体装置も本発明に含まれるものである。また、本発明の実施形態は本発明の技術的思想の範囲内で拡張もしくは変更することができ、この拡張、変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれるものである。
1,21…半導体装置、2…回路基板、5…接続パッド、6…半導体素子、7,24,25…電極パッド、8…金属ワイヤ、9…金属ワイヤ群、10…樹脂封止部、11…絶縁性遮蔽物(絶縁樹脂ダム)、12…絶縁被覆ワイヤ、22…第1の半導体素子、23…第2の半導体素子、26…第1の金属ワイヤ、27…第1の金属ワイヤ群、28…第2の金属ワイヤ、29…第2の金属ワイヤ群。
Claims (5)
- 素子搭載部と複数の接続パッドとを有する配線基板と、
前記配線基板の素子搭載部に搭載され、少なくとも外形の一辺に沿って配置された複数の電極パッドを有する半導体素子と、
前記配線基板の接続パッドと前記半導体素子の電極パッドとを電気的に接続するように配列された複数の金属ワイヤを有する金属ワイヤ群と、
前記金属ワイヤの側面の少なくとも一部を遮蔽するように、前記金属ワイヤ群の配列方向の少なくとも一方の端部に位置する金属ワイヤの外側に配置された絶縁性遮蔽物と、
前記半導体素子を前記金属ワイヤ群と共に封止する樹脂封止部と
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 素子搭載部と複数の接続パッドとを有する配線基板と、
前記配線基板の素子搭載部に搭載され、少なくとも外形の一辺に沿って配置された複数の電極パッドを有する第1の半導体素子と、
前記第1の半導体素子上に積層され、少なくとも外形の一辺に沿って配置された複数の電極パッドを有する第2の半導体素子と、
前記配線基板の接続パッドと前記第1の半導体素子の電極パッドとを電気的に接続するように配列された複数の金属ワイヤを有する第1の金属ワイヤ群と、
前記配線基板の接続パッドと前記第2の半導体素子の電極パッドとを電気的に接続するように配列された複数の金属ワイヤを有する第2の金属ワイヤ群と、
前記第2の金属ワイヤ群を構成する金属ワイヤの側面の少なくとも一部を遮蔽するように、前記第2の金属ワイヤ群の配列方向の少なくとも一方の端部に位置する金属ワイヤの外側に配置された絶縁性遮蔽物と、
前記第1および第2の半導体素子を前記第1および第2の金属ワイヤ群と共に封止する樹脂封止部と
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または請求項2記載の半導体装置において、
前記絶縁性遮蔽物は前記樹脂封止部をモールド成形する際の樹脂流に対して上流側に位置する前記金属ワイヤの外側に配置されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載の半導体装置において、
前記絶縁性遮蔽物は絶縁樹脂からなるダム部を備えることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載の半導体装置において、
前記絶縁性遮蔽物は絶縁被覆ワイヤを備えることを特徴とする半導体装置。
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