JP2005275144A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シールを介して構成される第一基板及び第二基板間に液晶層が形成されてなる液晶表示装置であって、該液晶表示装置は、基板の非表示領域の液晶層側に電極を有し、該電極の電位が略同一となるものであることを特徴とする液晶表示装置である。
【選択図】 図1
Description
アクティブマトリックス方式液晶表示装置においては、電圧保持による表示の影響を大きく受けることになり、例えば、パネル内の不純物イオンによる電圧保持の低下による部分的な表示ムラ(輝度ムラ)、シミ等を充分に解消することが検討されている。
不純物イオンによる表示ムラ、シミの発生の機構と従来の液晶表示装置について説明する。図7(a)は、従来の液晶表示装置のパネル平面図を表す。また、図7(b)は、図7(a)の切断面線F−F’から見たパネルの表示領域21の一部及び非表示領域22の断面図を表す。図7(a)に示されるように従来技術では、表示領域21とシール23との間の非表示領域22に、ダミー電極又は画素と同じように駆動するダミー画素24を配置している。
また、(III)からは、シール硬化時の未反応不純物イオン等が染み出てくる。
これらの不純物イオンは、表示領域に入ると、電圧保持率の低下を引き起こし、輝度ムラ、シミが現れることになる。
しかしながら、このような技術では下記の二点について工夫の余地がある。
(1)非表示領域内の不純物イオンの染み出しを加速させている。
(2)ダミー電極又はダミー画素に留めていた不純物イオンが電源OFF時に表示領域に入り、輝度ムラ、シミの原因になっている。
これらの点から長時間使用し、またON、OFFの回数も多いTV等に液晶表示装置を使用する場合、従来の液晶表示装置のような不純物イオンをダミー電極又はダミー画素にトラップする方法では、充分な信頼性を得られないことから、不純物イオンによる電圧保持の低下により生じる表示ムラ、シミ等を充分に解消し、アクティブマトリックス方式等の液晶表示装置における長時間・長期使用の信頼性を更に向上させることが求められている。
以下に本発明を詳述する。
また、IPSモードでは、第一基板の非表示領域の液晶層側に信号電極と共通電極とを設け、これらの信号電極と共通電極の電位が略同一となる。
本発明においては、これらの形態において基板の非表示領域の液晶層側にある電極の電位が略同一、すなわち電極の電位が実質的に同一となればよく、非表示領域にあるBM材やシール等から不純物イオンが染み出ることを抑制して、本発明の作用効果が発揮されることになればよい。また本発明においては、パネル駆動時に、基板の非表示領域の液晶層側にある電極の電位が略同一であり、また、パネル駆動時以外であっても電位が存在する場合には、電極の電位が略同一であるものであるが、特にパネル駆動時に電極の電位が略同一であることにより、本発明の効果が充分に発揮されることとなる。
本発明においては、図1(a)及び(b)に示すように、第一基板及び第二基板の非表示領域2に額縁電極4(ダミー電極、非表示領域電極)を配置し、それら第一基板の額縁電極と第二基板の額縁電極とを同電位になるようにする。この場合、非表示領域2にある額縁電極4をシール領域3まで伸ばすことで液晶層への不純物イオンの染み出しをより充分に防ぐことができる。
本発明の液晶表示装置において、上記第一基板及び第二基板の少なくとも1つは、メタル配線を有し、上記非表示領域電極は、メタル配線と重なる領域以外に設けられてなることが好ましい。また、上記第一基板及び第二基板の少なくとも1つは、メタル配線及び層間絶縁膜を液晶層側に向かってこの順に有すること、すなわちメタル配線部上に層間絶縁膜を有することが好ましい。
非表示領域からの不純物イオンの染み出しを防止する点からは、非表示領域電極が非表示領域全体にあることが好ましいが、例えば、非表示領域電極が層間絶縁膜を介してメタル配線と重なる領域に設けられる場合、絶縁体を介した容量によりソースやゲートの信号遅延が起こるおそれがある。この場合、メタル配線上の非表示領域を除いた形状で、すなわち、メタル配線と重なることになる非表示領域の一部を除いた形状で、非表示領域電極を形成すればよい。メタル配線としては、信号線(メタル信号配線、ソースライン)、走査線(ゲートライン)等が挙げられるが、信号線と重なることになる非表示領域の一部を除いた形状で非表示領域電極を形成することが好ましい。
これらの場合、例えば、導電性物質(導電性材料)を介して、第一基板の非表示領域電極と第二基板の非表示領域電極とを接続することにより導通し、該電極の電位を略同一とすることになり、上述したように、シール材料からの不純物の染み出しをより充分に防止することが可能となる。
上記(2)の形態では、例えば、第二基板の非表示領域電極がシール外側でコモン転移にて第一基板の非表示領域電極と導通されることで同電位になる。この場合、例えば、図3に示すように、非表示領域電極の一部又は全部をシール3の外側まで伸ばして形成することにより額縁電極4とし、導電性ペースト12等の導電性物質を塗布することにより、シール3を挟んで液晶層と対する側で両基板の額縁電極4を接続して同電位とする。
上記(3)の形態では、例えば、第二基板の非表示領域電極がシール内導電性材料で第一基板の非表示領域電極と導通されることで同電位になる。この場合、例えば、図4に示すように、表示領域電極の一部又は全部をシール3の内部まで伸ばして形成することにより額縁電極4とし、シール3内部において、導電性ビーズ13等の導電性物質を両基板の額縁電極4と接するように配置して同電位とする。このような導電性ビーズ13は、例えば、シール3を形成することになる樹脂に混合することにより、シール3内部に配置されることになる。
発明の実施形態1を説明する。図5(a)は、本発明の実施形態1におけるパネルの第一基板の表示領域1及び非表示領域2の一部を概念的に示す平面図である。図5(b)は、図5(a)の切断面線B−B’から見た断面図であり、図5(c)は、図5(a)の切断面線C−C’から見た断面図である。
まず、第一基板としては、ガラス基板5上に、Al膜をスパッタリング装置にて成膜し、フォトリソ工程及びドライエッチング等のエッチング工程により、ゲートライン15(ゲート線、走査線)と、ゲート電極と、補助容量ラインとを同時に形成する。本実施の形態においては、透明絶縁性基板にガラスを用いているが、透明絶縁性を満たすものであればよく、例えばプラスチック基板等でも構わない。
次に、それらの上に、窒化シリコン(SiNx)等からなるゲート絶縁膜(層間絶縁膜)をプラズマCVD(プラズマ・ケミカル・ベイパー・デポジション)により成膜する。その後、薄膜トランジスタ(TFT)等のアクティブ素子14を形成するが、まず、活性半導体層をプラズマCVDにより成膜する。次に、アモルファスシリコン(例えばn型アモルファスシリコン)層をプラズマCVDにより成膜する。
更に、Al膜をスパッタリング装置にて成膜し、フォトリソ工程及びドライエッチング等のエッチング工程により、ソースライン16(信号線)と、ソース電極と、ドレイン電極を形成する。
なお、ゲートライン、ゲート電極、補助容量ライン、ソースライン、ソース電極、ドレイン電極にはAlを用いたが、所望のバスライン抵抗が得られるものであればよく、例えばTi、Cr等の金属やこれらの合金等を使用することも可能である。また、TiN/Al/Ti、Mo/Al/Mo等の積層膜でも構わない。
その後、第一基板及び第二基板ともに液晶分子が配向するようにポリイミドからなる配向膜を印刷又は塗布し、場合によってはラビング等の配向処理をした後、パネルのセル厚を保つことができるように、プラスチックビーズ等のスペーサーを散布するか、事前に柱スペーサーを第一基板又は第二基板に形成する。
この技術はTNモードだけでなく、VAモードでも使用でき、また、IPSモードではアレイ基板対向基板に電極がないため、非表示領域の信号電極と共通電極を同電位にし、グランドに落とすことで同等の効果を得られる。
発明の実施形態2を説明する。図6(a)は、本発明の実施形態2におけるパネルの第一基板の表示領域1及び非表示領域2の一部を概念的に示す平面図である。図6(b)は、図6(a)の切断面線D−D’から見た断面図であり、図6(c)は、図6(a)の切断面線E−E’から見た断面図である。
まず、第一基板としては、ガラス基板5上に、Al膜をスパッタリング装置にて成膜し、フォトリソ工程及びドライエッチング等のエッチング工程により、ゲートライン15(ゲート線、走査線)と、ゲート電極と、補助容量ラインとを同時に形成する。本実施の形態においては、透明絶縁性基板にガラスを用いているが、透明絶縁性を満たすものであればよく、例えばプラスチック基板等でも構わない。
次に、それらの上に、窒化シリコン(SiNx)等からなるゲート絶縁膜(層間絶縁膜)をプラズマCVDにより成膜する。その後、薄膜トランジスタ(TFT)等のアクティブ素子14を形成するが、まず、活性半導体層をプラズマCVDにより成膜する。次に、アモルファスシリコン(例えばn型アモルファスシリコン)層をプラズマCVDにより成膜する。
更に、ITO等の透明電極、Mo膜をスパッタリング装置にて成膜し、フォトリソ工程及びドライエッチング等のエッチング工程により、ソースライン16(信号線)と、ソース電極と、ドレイン電極を形成し、更にフォトリソ工程及びウエットエッチング等のエッチング工程で画素電極9を形成する。
なお、ゲートライン、ゲート電極、補助容量ラインにはAlを用い、ソースライン、ソース電極、ドレイン引き出し電極にはMoを用いたが、所望のバスライン抵抗が得られるものであればよく、例えばAl、Ti、Cr等の金属やこれらの合金等を使用することも可能である。また、TiN/Al/Ti、Mo/Al/Mo等の積層膜でも構わない。
次に、非表示領域2にTi膜をスパッタリングで成膜し、フォトリソ工程及びドライエッチング工程により非表示領域2のみに額縁電極4を形成する。この場合、シール領域3まで額縁電極4を形成することが好ましい。この額縁電極4(非表示領域電極、ダミー電極)にはTiを用いたが、例えばAl、Cr等の金属やこれらの合金、TiN/Al/Ti、Mo/Al/Mo等の積層膜やITO、IZO(インジウムジンクオキサイド)を使用することも可能である。非表示領域電極とメタル配線との絶縁体を介した容量により、ソースやゲートの信号遅延が起こる場合、図6(c)に示すように、メタル配線(ソースライン16)上の一部を除いた形状で非表示領域電極を形成すればよい。
その後、第一基板及び第二基板ともに液晶分子が配向するようにポリイミドからなる配向膜を印刷又は塗布し、場合によってはラビング等の配向処理をした後、パネルのセル厚を保つことができるように、プラスチックビーズ等のスペーサーを散布するか、事前に柱スペーサーを第一基板又は第二基板に形成する。
この技術はTNモードだけでなく、VAモードでも使用でき、また、IPSモードではアレイ基板対向基板に電極がないため、非表示領域の信号電極と共通電極を同電位にし、グランドに落とすことで同等の効果を得られる。
額縁電極4を一部シール3の外側まで伸ばして第一基板及び第二基板を作製する以外は、上記実施形態1又は実施形態2で述べた方法でパネルを作製する。この場合、図3に示すように、シール3の外側に出ている電極に、銀ペーストやカーボン抵抗体ペースト等の導電性ペースト12を塗布し、第一基板と第二基板の額縁電極4を導通して同電位にする。このようにパネルを作製すると、実施形態1や実施形態2と同様の効果を得られる。
額縁電極4を一部シール3の内部まで伸ばして第一基板及び第二基板を作製する以外は、上記実施形態1又は実施形態2で述べた方法でパネルを作製する。この場合、図4に示すように、シール3内で、例えば金メッキされたプラスチックビーズ等の導電性ビーズ13にて、第一基板と第二基板の額縁電極4を導通して同電位にする。このようにパネルを作製すると、実施形態1や実施形態2と同様の効果を得られる。
2、22 非表示領域
3、23 シール(部、領域)
4 額縁電極
5、25 第一基板ガラス
6、26 第二基板ガラス
7、27 絶縁膜層
8、28 共通電極
9、29 画素電極
10、30 メタル配線(信号線)
11、31 BM(ブラックマスク)
12 導電性ペースト
13 導電性ビーズ
14 アクティブ素子
15 ゲートライン(メタル配線)
16 ソースライン(メタル配線)
24 ダミー画素又はダミー電極
Claims (7)
- シールを介して構成される第一基板及び第二基板間に液晶層が形成されてなる液晶表示装置であって、
該液晶表示装置は、基板の非表示領域の液晶層側に電極を有し、該電極の電位が略同一となるものである
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記第一基板及び第二基板の少なくとも1つは、メタル配線を有し、前記非表示領域電極は、メタル配線と重なる領域以外に設けられてなることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
- 前記第一基板及び第二基板の少なくとも1つは、メタル配線及び層間絶縁膜を液晶層側に向かってこの順に有することを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
- 前記非表示領域電極は、シール領域まで配置されてなることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
- 前記非表示領域電極は、シール内側でコモン転移により導通されてなることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
- 前記非表示領域電極は、シール外側でコモン転移により導通されてなることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
- 前記非表示領域電極は、シール内導電性材料により導通されてなることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
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