JP2005272258A - 周期表第13族金属窒化物結晶の製造方法およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法。 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板と該基板と隣接する化合物との界面に形成される液層に、第13族金属を含有するイオン源と窒素を含有するイオン源とを連続的に供給し、前記液層内でイオン源を反応させる。
【選択図】 なし
Description
J. Appl. Phys. 37 (1998) 309頁 J. Crystal Growth 178 (1977) 174頁 J. Crystal Growth 218 (2000) 712頁 応用物理 第71巻 第5 号(2002)548頁 Acta Physica Polonica A Vol.88 (1995) 137頁
(1) 基板と該基板と隣接する化合物からなる相との界面に形成される液層に、第13族金属を含有するイオン源と窒素を含有するイオン源とを連続的に供給し、前記液層内で前記イオン源を反応させることを特徴とする第13族金属窒化物結晶の製造方法。
(2) 前記液層が溶融塩からなる層であることを特徴とする(1)に記載の製造方法。
(3) 前記基板と隣接する化合物からなる相が第13族金属または前記イオン源を供給する化合物からなることを特徴とする(1)または(2)に記載の製造方法。
(4) 前記イオン源を第13族金属または前記イオン源を供給する化合物を通過させて前記液層に供給することを特徴とする(3)に記載の製造方法。
(5) 前記窒素を含有するイオン源を第13族金属を通過させて前記液層に供給し、かつ前記第13族金属を含有するイオン源を電気化学的なアノード溶解により前記液層に供給することを特徴とする(3)または(4)のいずれかに記載の製造方法。
(6) 前記液層が前記イオン源の一方を含有し、該液層に前記イオン源の他方を気相から供給して、前記液層で溶解反応を行うことを特徴とする(1)〜(5)のいずれかに記載の製造方法。
(7) 前記イオン源を溶解した液体を基板表面に供給することにより膜状の液層を形成し、該膜状の液層中で前記イオン源を反応させることを特徴とする(1)〜(6)のいずれかに記載の製造方法。
(8) 前記イオン源を生成するために、電気化学反応を少なくとも一部の反応として用いることを特徴とする(1)〜(7)のいずれかに記載の製造方法。
(9) 前記イオン源を生成するために、溶融塩中に窒素ガスとアルカリ金属または窒素化合物を導入して行うことを特徴とする(2)〜(8)のいずれかに記載の製造方法。
(10) 前記第13族金属を含有するイオン源として、第13族金属とハロゲンガスとを前記溶融塩中で反応させたもの、または第13族金属のハロゲン化物を前記溶融塩中に溶解させたものを用いることを特徴とする(2)〜(8)のいずれかに記載の製造方法。
(11) 前記溶融塩として、第13族金属よりイオン化傾向が高い金属塩を用いることを特徴とする(2)〜(10)のいずれかに記載の製造方法。
(12) 前記溶融塩として、アルカリ金属塩を用いることを特徴とする(2)〜(11)のいずれかに記載の製造方法。
(13) 前記溶融塩として、金属ハロゲン化物を用いることを特徴とする(2)〜(12)のいずれかに記載の製造方法。
(14) アノード室とカソード室内で前記両イオン源を別々に生成することを特徴とする(2)〜(13)のいずれかに記載の製造方法。
なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。また、本明細書において「基板表面」とは、基板表面のほか、形成された第13族金属化合物結晶表面も含まれる。
本発明の製造方法は、第13族金属を含有するイオン源(以下「第13族金属イオン源」という)と、窒素を含有するイオン源(以下「窒素イオン源」という)とを基板と該基板と隣接する化合物からなる相との界面の間に形成される液層に供給し、両イオン源を前記液層内で反応させることにより、厚膜状またはバルク状の第13族金属窒化物の結晶を成長させることができる。
図1(a)および(b)は、本発明で用いられる第13族金属窒化物結晶成長のための製造装置の構成例を示す図である。図2は、溶融塩の精製装置の概略説明図であり、結晶成長に用いられる溶融塩は、あらかじめこの装置により精製(主として脱水)される。図3(a)〜(c)および図4は、本発明で用いられる図1とは別の態様の第13族金属窒化物結晶成長のための製造装置の構成例を示す図である。さらに、これらの装置を組み合わせたいくつかの装置も本発明の範囲内である。
そこで、図2に示すような試料密封型の前処理装置(溶融塩、熱技術の基礎、(株)アグネ技術センター発行p266参照)を用いて、予め水、 その他の不純物を取り除いておくことが好ましい。
本発明の製造方法は、半導体デバイスの製造方法における第13族金属窒化物結晶を製造する工程に用いることができる。その他の工程における原料、製造条件および装置は一般的な半導体デバイスの製造方法で用いられる原料、条件および装置をそのまま適用できる。
図1に示す装置で、基板4にサファイアを用いてGaNの薄膜を成長させた。溶融塩としては、図2に示される装置を用いて精製した融点約265℃のLiCl−KCl−CsCl3元共晶塩(51/20/29モル%)約60gを用いた。LiCl−KCl−CsCl3元系の各塩は、それぞれ単独で図2で示される装置を用いて塩を精製した後、サンプルを秤量して混合塩とした。
なお、気相成長で作製した高い結晶性を有する緻密なGaN薄膜に対するEDXの分析結果を図7に示したが、実施例1では窒素の検出感度が低かったため、窒素を示すピーク値は図7の場合と比較して低く、チャート上では記載されていないが、バックグラウンドよりは高い数値が得られている。
以上のことから、本実施例ではサファイア基板上に不完全な密度の低いGaNの薄膜が形成されたものと考えられる。
電解セルの構造及び装置は実施例1と同一とした。電解条件は、定電流法で行い、電流100mAとしたが、本実施例では、最初にアノード室15側の浴中にあるカーボン電極棒2に電流を流して塩素を発生させ、塩素を系外に排出した。このようにして、200クーロンになるまでLi3Nをカソード室16に蓄積した。この状態で電圧は約4Vまで上昇した。カソード室16のLi3Nの濃度は、計算上は約0.03%であるが、このLi3N濃度は、塩での飽和溶解度約0.6%の約1/20の濃度である。次いで、この状態のまま電流を20mAまで下げて、アノード室15側の電極をGaメタルに通電するようにした。同時に、カソード室16側の浴を手動式のピストン14により溶融Ga金属6の中に押し込むようにした。このようにして、約1時間電解を続けた。サファイア基板4上では、実施例1と同様に、表面張力で曲面となっているGaメタルとの接触部の外側付近に同心円状に付着物があることが観察された。
2 カーボン電極棒
3 基板支持棒
4 基板
5 溶融塩薄膜
6 Ga金属
7 窒素イオン源を含む溶融塩
8 絶縁体
9 連絡管
10 ガス導入管
11 窒素ガス
12 網状タングステン電極
13 採取口
14 ピストン
15 アノード室(電解浴)
16 カソード室(電解浴)
17 多孔質隔膜
18 電解セル用電気炉
19 基板回転機構
20 塩精製用反応ガス
21 ガス排出口
22 ガス導入管
23 多孔質フィルター
24 試料溜め
25 塩精製装置用電気炉
26 基板
27 溶融塩薄膜
28 供給管
29 Gaイオン源を供給する化合物の供給管
30 Gaイオン源を供給する化合物
31 基板支持台
32 溶融塩容器
33 排気口
34 反応器
35 電気炉
36 溶融塩に溶けたGa金属源の供給管
37 溶融塩に溶けた窒素イオン源の供給
38 溶融塩薄膜
39 基板支持台
40 ガス導入管
41 ガス排気口
42 溶融塩容器
43 容器
44 溶融塩
45 窒素イオン源を供給する化合物
46 窒素イオン源を供給する化合物容器
47 窒素イオン源を供給する化合物固定治具
48 Gaイオン源を供給する化合物
49 Gaイオン源を供給する化合物の供給管
Claims (15)
- 基板と該基板と隣接する化合物からなる相との界面に形成される液層に、周期表第13族金属(以下「第13族金属」という)を含有するイオン源と窒素を含有するイオン源とを連続的に供給し、前記液層内でイオン源を反応させることを特徴とする第13族金属窒化物結晶の製造方法。
- 前記液層が溶融塩からなる層であることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記基板と隣接する化合物からなる相が、第13族金属または前記イオン源を供給する化合物からなることを特徴とする請求項1または2に記載の製造方法。
- 前記イオン源を第13族金属または前記イオン源を供給する化合物を通過させて前記液層に供給することを特徴とする請求項3に記載の製造方法。
- 前記窒素を含有するイオン源を第13族金属を通過させて前記液層に供給し、かつ前記第13族金属を含有するイオン源を電気化学的なアノード溶解により前記液層に供給することを特徴とする請求項3または4のいずれかに記載の製造方法。
- 前記液層が前記イオン源の一方を含有し、該液層に前記イオン源の他方を気相から供給して、前記液層に溶解させて反応を行うことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記イオン源を溶解した液体を基板表面に供給することにより膜状の液層を形成し、該膜状の液層中で前記イオン源を反応させることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記イオン源を生成するために、電気化学反応を少なくとも一部の反応として用いることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記イオン源を生成するために、溶融塩中に窒素ガスとアルカリ金属または窒素化合物を導入して行うことを特徴とする請求項2〜8のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記第13族金属を含有するイオン源として、第13族金属とハロゲンガスとを溶融塩中で反応させたもの、または第13族金属のハロゲン化物を溶融塩中に溶解させたものを用いることを特徴とする請求項2〜8のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記溶融塩として、第13族金属よりイオン化傾向が高い金属塩を用いることを特徴とする請求項2〜10のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記溶融塩として、アルカリ金属塩を用いることを特徴とする請求項2〜11のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記溶融塩として、金属ハロゲン化物を用いることを特徴とする請求項2〜12のいずれか一項に記載の製造方法。
- アノード室とカソード室内で前記両イオン源を別々に生成することを特徴とする請求項2〜13のいずれか一項に記載の製造方法。
- 請求項1〜14のいずれか一項の製造方法により第13金属窒化物結晶を製造する工程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
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