JP2005266091A - 電気光学装置用パネル及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 - Google Patents

電気光学装置用パネル及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 Download PDF

Info

Publication number
JP2005266091A
JP2005266091A JP2004076323A JP2004076323A JP2005266091A JP 2005266091 A JP2005266091 A JP 2005266091A JP 2004076323 A JP2004076323 A JP 2004076323A JP 2004076323 A JP2004076323 A JP 2004076323A JP 2005266091 A JP2005266091 A JP 2005266091A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
convex portion
electro
external connection
optical device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004076323A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3841087B2 (ja
Inventor
Haruki Ito
春樹 伊東
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2004076323A priority Critical patent/JP3841087B2/ja
Priority to US11/073,481 priority patent/US7482541B2/en
Priority to TW094106829A priority patent/TWI256128B/zh
Priority to EP05005366A priority patent/EP1577699A3/en
Priority to KR1020050020894A priority patent/KR100699641B1/ko
Priority to CNB2005100550445A priority patent/CN100520539C/zh
Publication of JP2005266091A publication Critical patent/JP2005266091A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3841087B2 publication Critical patent/JP3841087B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13452Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13458Terminal pads
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4007Surface contacts, e.g. bumps
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136277Active matrix addressed cells formed on a semiconductor substrate, e.g. of silicon
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03Conductive materials
    • H05K2201/0332Structure of the conductor
    • H05K2201/0364Conductor shape
    • H05K2201/0367Metallic bump or raised conductor not used as solder bump
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09818Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09909Special local insulating pattern, e.g. as dam around component
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/01Tools for processing; Objects used during processing
    • H05K2203/0104Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
    • H05K2203/013Inkjet printing, e.g. for printing insulating material or resist
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H05K3/0023Etching of the substrate by chemical or physical means by exposure and development of a photosensitive insulating layer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49126Assembling bases
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155Manufacturing circuit on or in base

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract


【課題】 電極の狭ピッチ化を可能にし、さらに、接続信頼性の高い電極の製造を行えるようにした電気光学パネル及びその製造方法、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器を提供することにある。
【解決手段】 電子部品を電気的に接続するための複数の外部接続端子が備えられた電気光学装置用パネルであって、基板と、前記基板上に設けられた複数の配線と、前記複数の配線上又は前記基板上に設けられた樹脂からなる凸部と、前記凸部の表面の少なくとも一部を覆うように設けられ、前記各配線と電気的に接続された導電層とが備えられ、前記外部接続端子が前記凸部と前記導電層とから構成されたことを特徴とする。

【選択図】 図1

Description

本発明は、電気光学装置用パネル及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器に関する。
従来から、液晶パネル等に駆動用IC等の半導体装置を実装する場合には、いわゆるAuバンプを駆動用ICに形成し、接着剤を介して液晶パネル等に実装する方法が広く利用されている。このAuバンプは、駆動用IC上にTiW/Au等のシード層をスパッタし、レジストをパターニングした後に、高さ20μm程度の電解Auメッキを施すことにより形成される。また、駆動用ICと液晶表示パネルとを接合する接着剤には、ACF(Anisotropic conductive film)等が広く利用されている。このACF等の接着剤により、駆動用ICに形成されたAuバンプと液晶表示パネルの電極とが電気的に接続される(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、駆動用ICに形成するAuバンプはAu(金)を使用するため高価である。また、駆動用ICの電極が狭ピッチ化するのに伴い、高アスペクトのレジスト形成、あるいはシード層のエッチング等、安定したバンプ形成が困難になることが予測される。さらに、駆動用ICと液晶表示パネルとを接合する際にはACF等を用いるため、バンプ間でショートしてしまい、液晶表示パネルとして正常に機能しないおそれがある。
また、近年では、液晶表示装置などの表示装置の高精細化が求められるなか、そこに搭
載される駆動用ICについては高密度実装が求められている。高密度実装を可能にする技術の一つとして、近年では、ウエハレベルで製造する、いわゆるウエハレベルCSPが注目されている。このウエハレベルCSPでは、樹脂層を有する配線が施された複数の半導体素子をウエハ単位で形成し、その後、各半導体素子毎に切断することで、半導体装置を形成している。
しかしながら、このようなウエハレベルCSPの技術も含め、高密度実装を実現するた
めには、前述したような電極の狭ピッチ化が強く求められている。
そこで、狭ピッチ化の要求に対応するための技術として、例えば安価な無電解Niバンプの開発が進められている。
また、狭ピッチ化に伴うバンプ間のショートを回避する方法として、液晶パネルに実装される駆動用ICの電極パッドに対向する液晶パネルの電極端子部の少なくとも外周のガラス基板をハーフエッチングし、液晶パネル側に突起電極を形成する方法が提案されている。この方法によれば、ACF等の接着剤により、液晶表示パネルの電極の配線パターンがショートすることを回避することが可能となる(例えば、特許文献2参照)。
特開昭64−77025号公報 特開平1−281433号公報
しかしながら、上述したバンプに無電解Niを用いる方法では、無電解NiのバンプはAuバンプに比べて硬いため、特に表示体パネル上に直接駆動用ICをCOG(Chip On Glass)実装するには、接続信頼性の観点から実装が困難な場合がある。
また、液晶パネル側の基板をハーフエッチングする方法では、液晶パネル側に設けられる突起電極はガラスにより形成される。そのため、上記ガラスからなる突起電極では、液晶パネル上に駆動用ICを実装させる際に、液晶パネル又は駆動用ICに反り(ストレス)等の熱変形がある場合、その変形を吸収することが困難である。その結果、電子部品の実装不良が生じる場合がある。
本願発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、電極の狭ピッチ化を可能にし、さらに、接続信頼性の高い電極の製造を行えるようにした電気光学パネル及びその製造方法、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器を提供することにある。
本発明は、上記課題を解決するために、電子部品を電気的に接続するための複数の外部接続端子が備えられた電気光学装置用パネルであって、基板と、前記基板上に設けられた複数の配線と、前記複数の配線上又は前記基板上に設けられた樹脂からなる凸部と、前記凸部の表面の少なくとも一部を覆うように設けられ、前記各配線と電気的に接続された導電層とが備えられ、前記外部接続端子が前記凸部と前記導電層とから構成されたことを特徴とする。
このような構成によれば、基板上に樹脂からなる凸部を設けるため、基板上に実装される電子部品の接続端子に高価な導電性突起部である電解Auバンプを形成する必要がなくなる。また、基板上に電子部品を実装させる際に、加熱、加圧により基板又は電子部品等に反り等の熱変形を生じさせる場合がある。しかし、このような構成によれば、上記基板上には樹脂からなる凸部が設けられているため、電子部品を基板上に実装する際に、電子部品又はパネルの反り(ストレス)を吸収することが可能となる。その結果、電子部品の実装不良を回避することが可能となる。
また、本発明は、電子部品を電気的に接続するための複数の外部接続端子が備えられ
た電気光学装置用パネルであって、基板と、前記基板上に設けられた樹脂からなる凸部と、前記凸部の表面に少なくとも一部を覆うように前記基板上に設けられた複数の配線とが備えられ、前記外部接続端子が前記凸部と前記配線とから構成されたことを特徴とする。
このような構成によれば、上述した発明と同様に、高価な電解Auバンプを形成する必要がなくなるとともに、電子部品を基板上に実装する際に、電子部品又はパネルの反り(ストレス)を吸収することが可能となる。また、これによれば、凸部の表面を覆うように導電層を設け、この導電層を各配線に電気的に接続する必要がなくなる。すなわち、導電層が配線に一体化され、配線が導電層の機能を兼ね備えることになる。そのため、導電層を配線に接続するように形成する必要がなくなり、断線等の問題を回避することが可能となる。
前記凸部は、個々の外部接続端子毎に離間して形成してもよい。
基板上に電子部品を実装させる際に、加熱、加圧により基板又は電子部品等に反り等の熱変形を生じさせる場合がある。しかし、このような構成によれば、個々の外部接続端子毎に独立して凸部を設けるため、連続して形成する場合と比較して凸部の自由度が高くなり、凸部の各々が電子部品又はパネルの反り(ストレス)を吸収することが可能となる。その結果、電子部品の実装不良を回避することができ、接続信頼性を向上させることが可能となる。
あるいは、前記凸部は、互いに隣接する複数の外部接続端子にわたって連続して形成してもよい。
このような構成によれば、個々の外部接続端子毎に離間して凸部を形成する必要がなく、連続して凸部を形成すればよいので、狭ピッチ化を意識することなく凸部を形成することが可能となる。
あるいは、前記凸部のうち、隣接する外部接続端子間の凸部の高さが外部接続端子の部分の凸部の高さより部分的に低くくしてもよい。
このような構成によれば、上述した狭ピッチ化に対応することが可能となるだけでなく、電子部品を基板上に実装する際の電子部品又はパネルの反り(ストレス)を吸収することが可能となる。また、導電性微粒子等を含有する接着剤を用いて電子部品を基板上に実装する際に、外部接続端子間が外部接続端子よりも低く形成されているため、外部接続端子間のショートを防止することができる。これらの結果、電子部品を基板上に実装する際の接続信頼性の向上を図ることができる。
本発明は、電子部品を電気的に接続するための複数の外部接続端子が備えられた電気光学装置用パネルの製造方法であって、基板上に複数の配線を形成する工程と、前記複数の配線上又は前記基板上に樹脂からなる凸部を形成する工程と、前記各配線と電気的に接続された導電層を前記凸部の表面の少なくとも一部を覆うように形成する工程とを備え、前記凸部と前記導電層とから前記外部接続端子を形成することを特徴とする。
このような構成によれば、基板上に樹脂からなる凸部を形成する工程を備えるため、基板上に実装される電子部品の接続端子に高価な導電性突起部である電解Auバンプを形成する工程を有する必要がなくなる。また、基板上に電子部品を実装させる際に、加熱、加圧により基板又は電子部品等に反り等の熱変形を生じさせる場合がある。しかし、このような構成によれば、上記基板上には樹脂からなる凸部を形成する工程を備えるため、電子部品を基板上に実装する際に、電子部品又はパネルの反り(ストレス)を吸収することが可能となる。その結果、電子部品の実装不良を回避することが可能となる。
本発明は、電子部品を電気的に接続するための複数の外部接続端子が備えられた電気
光学装置用パネルの製造方法であって、基板上に樹脂からなる凸部を形成する工程と、前記基板上に、前記凸部の表面の少なくとも一部を覆うように複数の配線を形成する工程とを備え、前記凸部と前記配線とから前記外部接続端子を形成することを特徴とする。
このような構成によれば、配線が導電層の機能を兼ね備えるため、配線と導電層とを一工程により形成することが可能となる。その結果、製造工程の短縮化を図ることが可能となる。
前記樹脂として感光性樹脂を用い、フォトリソグラフィー法により前記凸部を形成してもよい。
このような構成によれば、基板の所定の位置に正確、かつ高精度に凸部を形成することが可能となる。また、露光、現像、又は硬化条件を制御することにより、円滑な半球状の凸部を形成することが可能となる。
あるいは、液滴吐出法により前記凸部を形成してもよい。
このような構成によれば、所定の位置に正確に液状材料の液滴を吐出することができ、かつ、必要最低限の液状材料の液滴によって、凸部を形成することが可能となる。
あるいは、液滴吐出法により前記導電層又は前記配線を形成してもよい。
このような構成によれば、所定の位置に正確に液状材料の液滴を吐出することができ、かつ、必要最低限の液状材料の液滴によって、導電層又は配線を形成することが可能となる。
本発明の電気光学装置は、前記電気光学装置用パネルの前記外部接続端子上に接着剤を介して電子部品が実装されたことを特徴とする。
このような構成によれば、基板上には樹脂からなる凸部が設けられているため、電子部品を基板上に実装する際に、電子部品又はパネルの反り(ストレス)を吸収することが可能となる。その結果、電子部品の実装不良を回避することができ、接続信頼性を向上させることが可能となる。また、表示品質に優れた電気光学装置を提供することができる。電気光学装置としては、例えば、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等を挙げることができる。
前記電子部品の電極表面には無電解Niバンプを形成してもよい。
このような構成によれば、電子部品に設けられる電極よりも突出して形成されるため、この電子部品を基板上に実装する際の外部接続端子との接続信頼性を向上させることが可能となる。また、Al電極の上部に覆うように形成されるため、電極の腐食を防止することが可能となる。
あるいは、前記接着剤が、導電粒子を含まなくてもよい。
このような構成によれば、接着剤は導電粒子を含有しないため、導電粒子を含有する接着剤と比較して低コスト化を図ることが可能となるとともに、外部接続端子間の短絡不良を防止することが可能となる。
本発明の電子機器は、前記電気光学装置を備えたことを特徴とする。
このような構成によれば、表示品質に優れた電子機器を提供することができる。
以下、本実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、本実施の形態においては、まず、半導体チップとしての後述する液晶駆動用IC等を液晶パネル上にCOG(Chip On Glass)実装する前の状態の液晶パネル構造及び製造方法について説明する。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
[第1の実施の形態]
(液晶パネルの構造)
図1は、本実施の形態における液晶パネル25(電気光学装置用パネル)の概略構成を示す斜視図である。液晶パネル25は、第1基板10(基板)と第2基板13とが紫外線硬化性のシール材23によって貼り合わされ、このシール材23によって区画された領域内に液晶が封入、保持されている。また、液晶パネル25は、第1基板10上に所定パターンにより形成される複数の配線15と、この配線15上に形成される凸部19と、凸部19上に形成される導電層21とを備える。さらに、液晶パネル25は、バックライト等の照明装置、その他の付帯機器が付設される。
第1基板10はソーダガラスからなり、この基板上には透明電極層が形成されている。第1基板の厚さとしては例えば、0.7mmである。同様にして、第2基板13もソーダガラスからなり、この基板上には透明電極層が形成されている。第1基板の厚さとしては例えば、0.7mmである。
また、第1基板10と第2基板13とでは、第1基板10のほうが第2基板13よりも外形寸法が大きい基板を使用している。よって、この一対の基板を貼り合わせると、両基板の3辺(図1における上辺、右辺、左辺)は、ほぼ縁(基板の端面)が揃うが、第2基板13の残りの1辺(図1における下辺)からは第1基板10の周縁部が張り出す。本実施の形態においては、このように第1基板10の張り出した周縁部を張出領域17と呼ぶ。
また、第1基板10(張出領域17を除く)の接合面側には、複数の画素電極が形成される。一方、第2基板13の接合面側には、短冊状のストライプ電極が形成される。そして、第1基板10及び第2基板13に形成される各々の電極の内面側にはさらに配向膜が形成される。なお、第1基板10の画素電極の各々には、スイッチング素子としてTFT(薄膜トランジスタ)等が形成される。
図2(a)は、本実施の形態における第1基板10の張出領域17のA−A線に沿う断面図である。また、図2(b)は、第1基板10の張出領域17のB−B線に沿う断面図である。この張出領域17には、上述したように所定のパターンからなる複数の配線15が形成されている。そして、この各配線15上の一端上には凸部19が形成され、さらに、この凸部19上には導電層21が形成されている。
配線15は、第1基板10上に所定のパターンにより複数形成されている。この所定パターンからなる複数の配線15の各々の一端は、第1基板10上に実装される液晶駆動用IC30(電子部品)の電極の実装位置に対応して形成される。具体的には、矩形形状からなる液晶駆動用IC30の電極は、矩形形状の長辺方向に相平行する二辺の各々に沿って一定間隔をあけて複数形成される。さらに、上記電極は、矩形形状の短辺方向に相平行する二辺の各々に沿って一定間隔をあけて複数形成される。従って、図1に示すように、複数の配線15の各々の一端は、液晶駆動用IC30の電極が実装される位置又はその近傍に引き廻され形成される。
上記所定のパターンからなる複数の配線15には、ITO(Indium Tin Oxide)、あるいは、Ti、Cr、W、Ta、Mo及びPbの金属、又はこれらのうちの少なくとも一つを含む合金等を用いることができる。
凸部19は、図2(b)に示すように、上述した複数の所定パターンからなる配線15の一端上の各々に形成される。すなわち、凸部19は、各配線15上に独立して形成される。この凸部19の形状は、半球状に形成され、この半球状の直径は配線15の線幅よりも大きく形成される。なお、凸部19は、上記所定のパターンからなる複数の配線15の一端上の各々に形成したが、配線15の一端の近傍に凸部19を形成することも好ましい。
また、この凸部19は樹脂からなり、具体的には、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン(BCB;BenzoCycloButene)、ポリベンゾオキサゾール(PBO;PolyBenzOxazole)、フェノール系樹脂、アクリル系樹脂等の樹脂により形成することができる。また、凸部19は、実装される液晶駆動用IC30との接続信頼性を高めるために、配線15よりも突出した高さであることが好ましい。
導電層21は、上記複数の配線15の各々の一端上に形成された半球状からなる凸部19の表面の一部を覆うようにして形成される。さらに、導電層21は、凸部19の表面から配線15上に延在して形成され、凸部19を介して配線15に電気的に接続される。
導電層21としては、Au、TiW、Cu、Cr、Ni、Ti、W、NiV、Al等の金属を使用することができる。また、導電層21は、これらの金属を積層して形成することも可能である。なお、導電層21(積層構造の場合、少なくとも1層)は、電極よりも耐腐食性の高い材料、例えばAu、TiW、Crを用いて形成することが好ましい。これにより、電極の腐食を阻止して、電気的不良の発生を防止することが可能になるからである。
本実施の形態においては、凸部19と、この凸部19の表面の一部を覆うように形成され、凸部19の下部に形成される配線15と電気的に接続された導電層21とは、外部接続端子27を構成する。このようにして形成された外部接続端子27が、張出領域17における液晶駆動用IC30に形成される電極の実装位置に対応して複数形成されている。そして、この外部接続端子27上に液晶駆動用IC30が実装され、外部接続端子27と液晶駆動用IC30に形成される電極とが電気的に接続される。
このような構成によれば、上記第1基板10上には樹脂からなる凸部19が設けられているため、液晶駆動用IC30を第1基板10上に実装する際に、液晶駆動用IC30又は液晶パネル25の反り(ストレス)を吸収することが可能となる。その結果、液晶駆動用IC30の実装不良を回避することができ、接続信頼性の向上を図ることが可能となる。
なお、上記実施の形態では、凸部19を個々の外部接続端子27毎に離間して形成したが、凸部19を互いに隣接する複数の外部接続端子27にわたって連続して形成することも好ましい。図3(a)は、凸部19を互いに隣接する複数の外部接続端子27にわたって連続して形成した場合の図1のA−A線に沿った断面図である。
また、互いに隣接する複数の外部接続端子27にわたって連続して形成した凸部19のうち、隣接する外部接続端子19の間の領域の高さが外部接続端子27の高さより部分的に低くすることも好ましい。図3(b)は、互いに隣接する複数の外部接続端子27にわたって連続して形成した凸部19のうち、隣接する外部接続端子27の間の領域の高さが外部接続端子27の高さより部分的に低くした場合の図1のA−A線に沿った断面図である。
(液晶パネルの製造方法)
続いて、上述した液晶パネル25の形成方法について図4〜図8を参照して説明する。図4〜図8の(b)は、図4〜図8の(a)におけるにA−A線に沿った断面図である。また、図4〜図8の(c)は、図4〜図8の(a)におけるB−B線に沿った断面図である。
本実施の形態においては、まず、配線15の形成工程、凸部19の形成工程、及び導電層21の形成工程について説明する。次に、第1基板10上にシール材23を描画する描画工程、描画したシール材23の予備硬化工程、基板上のシール材23で囲まれた領域に液晶25を配する液晶配置工程、各基板同士をシール材23を介して貼り合わせる工程、及びシール材23を紫外線照射で硬化させるシール材硬化工程について説明する。なお、配線形成工程以前にTFTの形成工程が設けられるが、TFT等の形成工程については公知の形成工程が利用されるため本実施の形態においての説明を省略する。また、シール材23の描画工程以前に、シール材23や液晶25を所定の位置に描画・塗布することができるようにアライメントマークを形成し、このアライメントマークに基づいて基板の位置決めを行うアライメント工程を設けるが、ここではアライメント工程についての説明を省略する。
まず、第1基板10の表面に酸化シリコン膜(SiO2)をCVD(化学的気相成長)法を用いて形成する。この酸化シリコン膜の膜厚は、例えば200nm程度である。
次に、第1基板10に所定パターンからなる複数の配線15をフォトリソグラフィー法により形成する。具体的には、ITO、あるいは、Ti、Cr、W、Ta、Mo及びPbのうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド等を、スパッタリング法、CVD法、電子ビーム加熱蒸着法などにより張出領域17を含む第1基板10の全面に堆積する。次に、この金属膜上にスピンコート法、ディッピング法、スプレーコート法等の方法によりレジストを塗布し、レーザ光等を用いて所定のパターンからなるマスクをレジスト上に転写する。張出領域17に形成される配線15は、実装される液晶駆動用IC30の電極の配置に対応するように、所定のパターンに形成する。次に、露光処理及び現像処理を行い、レジストを所定の形状にパターニングする。
次に、上述した露光処理及び現像処理によりレジストが除去された所定のパターンからなる領域に配置されている金属等をエッチングする。すなわち、所定のパターンからなるレジストをマスクにして、金属等が露出する部分を除去する。次に、金属等上に残留するレジストを剥離する。なお、エッチングは、ドライエッチング、ウエットエッチング又はプラズマエッチング等の各種方法により行うことができる。
このようにして、エッチング処理を行うことにより、所定のパターンからなる配線15を形成することが可能となる。
次に、上述した方法により形成された所定パターンからなる複数の配線15上の各々に凸部19を形成する。なお、以下に示す図4〜図8は、凸部19及び導電層21の形成工程の理解を容易とするため、張出領域17の一部を拡大した部分拡大図である。
まず、図4(a)〜(c)に示すように、張出領域17に形成される少なくとも複数の配線15の一端を含む領域に樹脂をコーティングする。次に、図5(a)〜(c)に示すように、露光処理、現像処理、及び硬化処理を行い、所定のパターンからなる配線15の各々に一端上に半球状からなる凸部19を形成する。露光、現像、又は硬化条件を制御することにより、円滑な半球状の凸部19を形成することが可能となる。
次に、図6(a)〜(c)に示すように、上述した方法により形成された配線15及び配線15上に形成された凸部19を含む領域に導電層21を形成する。スパッタリング法やメッキ処理法により、配線15及び配線15上に形成される凸部19を含む表面全体に導電層21を形成する。なお、メッキ処理を施すときは、この工程で形成される層はシード層となる。
次に、図7(a)〜(c)に示すように、スピンコート法、ディッピング法、スプレーコート法等の方法により上述した導電層21の全面にレジスト7を塗布した後に、露光処理及び現像処理を行い、導電層21の平面形状(平面パターン)に対応する開口が形成されたマスクパターンを導電層21上に転写し、レジスト7を所定形状にパターニングする。なお、導電層21の形成にメッキ法を用いる場合には、レジスト7をパターニングしたシード層に対してメッキ処理を施す。
次に、図8(a)〜(c)に示すように、上述した露光処理及び現像処理によりレジスト7が除去された所定のパターンからなる領域に配置されている導電層21をエッチングする。すなわち、所定のパターンからなるレジスト7をマスクにして、導電層21が露出する部分を除去する。次に、導電層21上に残留するレジスト7を剥離する。なお、エッチングは、ドライエッチング、ウエットエッチング又はプラズマエッチング等の各種方法により行うことができる。
このようにして、エッチング処理を行うことにより、所定のパターンからなる導電層21を凸部19の表面の一部を覆うようにして形成することが可能となる。このときに、凸部19表面に形成される導電層21と配線15とは電気的に接続されている。
次に、第1基板10上にシール材23を描画する。シール材23は、ディスペンス法、印刷法、インクジェット法等により、液晶注入口を含まない閉ざされた環状形態にて描画する。シール材23の材料としては、粘性を有するエポキシ系やアクリル系の樹脂であって、紫外線硬化性及び/又は熱硬化性の樹脂を用いている。
シール材23を描画後、約10秒〜120秒経過した後、シール材23の予備硬化工程を行う。予備硬化工程においては、ホットプレートなど種々の加熱手段を用い、例えば、80℃〜120℃の温度で15秒〜60秒間シール材23を加熱する。紫外線照射によってもシール材23を硬化させることができるが、予備硬化工程においては、シール材23を弾力性や接着性を維持しつつ適度に硬化させる必要があり、加熱によりシール材を硬化させるほうがよりシール材23の硬化具合に対する微調整が利くため、予備硬化工程において加熱を行うことが好ましい。
次に、第1基板10上にシール材23で囲まれた領域内に液晶25を塗布する。この液晶25の塗布方法としては、インクジェット法など公知の技術を用いることができる。また、液晶材料としては、TNタイプやSTNタイプを用いることができる。
液晶配置工程の後、形成したシール材23を介して第1基板10と第2基板13とを貼り合わせる。貼り合わせ時に付与する圧力は、例えば10Pa程度としている。
次に、基板を貼り合わせた後、シール材23硬化工程を行う。このシール材23硬化工程においては、UVランプや、加熱装置、可視光照射装置など、種々の装置を用いた方法が使用できるが、本実施形態においてはUVランプを用いた紫外線照射によってシール材23を硬化させる。紫外線照射は、例えば2000mJ/cm〜10000mJ/cm程度の照射条件で行う。
以上のような工程を経て、上述した液晶パネル25を製造することができる。
このような構成によれば、第1基板10上には樹脂からなる凸部19を形成する工程を備えるため、液晶駆動用IC30を第1基板10上に実装する際に、液晶駆動用IC30又は液晶パネル25の反り(ストレス)を吸収することが可能となる。その結果、液晶駆動用IC30の実装不良を回避することができ、接続信頼性の向上を図ることが可能となる。
また、本実施の形態においては、フォトリソグラフィー法により凸部19を形成するため、第1基板10の所定の位置に正確、かつ高精度に凸部19を形成することが可能となる。また、露光、現像、又は硬化条件を制御することにより、円滑な半球状の凸部19を形成することが可能となる。
[第2の実施の形態]
上述した第1実施の形態では、スパッタリング法により薄膜を製膜し、この製膜した薄膜をフォトリソグラフィー法により所定パターンの配線15、凸部19及び導電層21に形成した。これに対して、本実施の形態では、上述したフォトリソグラフィー法による形成方法に代えて、インクジェット法によって配線15、凸部19及び導電層21を形成する。以下、インクジェット装置の構成及び配線15、凸部19、導電層21の形成方法について詳細に説明する。なお、第1基板10上にシール材23描画する描画工程、描画したシール材23の予備硬化工程、基板上のシール材23で囲まれた領域に液晶25を配する液晶配置工程と、各基板同士をシール材23を介して貼り合わせる工程、及びシール材23を紫外線照射で硬化させるシール材硬化工程については、上述した実施の形態1と同様の方法により行われるので省略する。
(インクジェット装置の構成)
まず、配線15、凸部19及び導電層21の形成方法を実施するためのインクジェット装置60について説明する。
図9は、本実施形態に係るインクジェット装置60の概略斜視図である。図9に示すように、インクジェット装置60は、インクジェットヘッド群41と、インクジェットヘッド群41をX方向に駆動するためのX方向ガイド軸42と、X方向ガイド軸42を回転させるX方向駆動モータ43とを備えている。また、基板51を載置するための載置台44と、載置台44をY方向に駆動するためのY方向ガイド軸45と、Y方向ガイド軸45を回転させるY方向駆動モータ46とを備えている。また、X方向ガイド軸42とY方向ガイド軸45とが、各々所定の位置に固定される基台47を備え、その基台47の下部には、制御装置48を備えている。さらに、クリーニング機構部54及びヒータ55とを備えている。
インクジェットヘッド群41は、導電性微粒子を含有する分散液をノズル(吐出口)から吐出して所定間隔で基板に付与する複数のインクジェットヘッドを備えている。そして、これら複数のインクジェットヘッド各々から、制御装置48から供給される吐出電圧に応じて個別に分散液を吐出できるようになっている。インクジェットヘッド群41はX方向ガイド軸42に固定され、X方向ガイド軸42には、X方向駆動モータ43が接続されている。X方向駆動モータ43は、ステッピングモータ等であり、制御装置48からX軸方向の駆動パルス信号が供給されると、X方向ガイド軸42を回転させるようになっている。そして、X方向ガイド軸42が回転させられると、インクジェットヘッド群41が基台47に対してX軸方向に移動するようになっている。
ここで、インクジェットヘッド群41を構成する複数のインクジェットヘッドの詳細について説明する。図10は、インクジェットヘッド70を示す図である。
インクジェットヘッド70は、図10(a)に示すように例えばステンレス製のノズルプレート72と振動板73とを備え、両者を仕切部材(リザーバプレート)74を介して接合したものである。ノズルプレート72と振動板73との間には、仕切部材74によって複数の空間75と液溜まり76とが形成されている。各空間75と液溜まり76の内部は液状体で満たされており、各空間75と液溜まり76とは供給口77を介して連通したものとなっている。また、ノズルプレート72には、空間75から液状体を噴射するためのノズル孔78が縦横に整列させられた状態で複数形成されている。一方、振動板73には、液溜まり76に液状体を供給するための孔79が形成されている。
また、振動板73の空間75に対向する面と反対側の面上には、図10(b)に示すように圧電素子(ピエゾ素子)80が接合されている。この圧電素子80は、一対の電極81の間に位置し、通電するとこれが外側に突出するようにして撓曲するよう構成されたものである。そして、このような構成のもとに圧電素子80が接合されている振動板73は、圧電素子80と一体になって同時に外側へ撓曲するようになっており、これによって空間75の容積が増大するようになっている。従って、空間75内に増大した容積分に相
当する液状体が、液溜まり76から供給口77を介して流入する。また、このような状態
から圧電素子80への通電を解除すると、圧電素子80と振動板73はともに元の形状に
戻る。従って、空間75も元の容積に戻ることから、空間75内部の液状体の圧力が上昇し、ノズル孔78から基板に向けて液状体の液滴82が吐出される。
なお、このような構成からなるインクジェットヘッド70は、その底面形状がほぼ矩形状のもので、図11に示すようにノズルN(ノズル孔78)が縦に等間隔で整列した状態で矩形状に配置されたものである。そして、本例では、その縦方向、すなわち長辺方向に配置されたノズルの列における、各ノズルのうちの1個置きに配置されたノズルを主ノズル(第1のノズル)Naとし、これら主ノズルNa間に配置されたノズルを副ノズル(第2のノズル)Nbとしている。
これら各ノズルN(ノズルNa、Nb)には、それぞれに独立して圧電素子70が設け
られていることにより、その吐出動作がそれぞれ独立してなされるようになっている。す
なわち、このような圧電素子70に送る電気信号としての吐出波形を制御することにより
、各ノズルNからの液滴の吐出量を調整し、変化させることができるようになっているの
である。ここで、このような吐出波形の制御は制御装置48によってなされるようになっており、このような構成のもとに、制御装置48は各ノズルNからの液滴吐出量を変化させる吐出量調整手段としても機能するようになっている。
なお、インクジェットヘッド70の方式としては、前記の圧電素子80を用いたピエゾ
ジェットタイプ以外に限定されることなく、例えばサーマル方式を採用することもでき、
その場合には印可時間を変化させることなどにより、液滴吐出量を変化させることができ
る。
図9に戻り、載置台44は、このインクジェット装置60によって分散液を付与される基板51を載置させるもので、この基板51を基準位置に固定する機構を備えている。載置台44はY方向ガイド軸45に固定され、Y方向ガイド軸45には、Y方向駆動モータ46、56が接続されている。Y方向駆動モータ46、56は、ステッピングモータ等であり、制御装置48からY軸方向の駆動パルス信号が供給されると、Y方向ガイド軸45を回転させるようになっている。そして、Y方向ガイド軸45が回転させられると、載置台44が基台47に対してY軸方向に移動するようになっている。
クリーニング機構部54は、インクジェットヘッド群41をクリーニングする機構を備えている。クリーニング機構部54は、Y方向の駆動モータ56によってY方向ガイド軸45に沿って移動するようになっている。クリーニング機構部54の移動も、制御装置48によって制御されている。
ヒータ55は、ここではランプアニールにより基板51を熱処理する手段であり、基板
上に吐出された液体の蒸発・乾燥を行うとともに導電膜に変換するための熱処理を行うよ
うになっている。このヒータ55の電源の投入及び遮断も制御装置48によって制御されるようになっている。
本実施形態のインクジェット装置60において、所定の配線形成領域に分散液を吐出するためには、制御装置48から所定の駆動パルス信号をX方向駆動モータ43及び/又はY方向駆動モータ46とに供給し、インクジェットヘッド群41及び/又は載置台44を移動させることにより、インクジェットヘッド群41と基板51(載置台44)とを相対移動させる。そして、この相対移動の間にインクジェットヘッド群41における所定のインクジェットヘッド70に制御装置48から吐出電圧を供給し、当該インクジェットヘッド70から分散液を吐出させる。
本実施形態のインクジェット装置60において、インクジェットヘッド群41の各インクジェットヘッド70からの液滴の吐出量は、制御装置48から供給される吐出電圧の大きさによって調整できる。また、基板51に吐出される液滴のピッチは、インクジェットヘッド群41と基板51(載置台44)との相対移動速度及びインクジェットヘッド群41からの吐出周波数(吐出電圧供給の周波数)によって決定される。
本実施形態のインクジェット装置60によれば、所定の位置に正確に液状材料の液滴82を吐出することができ、かつ、必要最低限の液状材料の液滴82によって、配線15、凸部19及び導電層21を形成することが可能となる。また、インクジェット装置60によれば、バルジを生じさせることなく細線化、厚膜化を達成するとともに、膜厚が均一化された配線15、凸部19及び導電層21を形成することが可能となる。
(配線の形成方法)
次に、図12(a)〜(c)を参照して、上述したインクジェット装置60を用いて配線15を形成する方法について説明する。まず、液状材料の液滴82の濡れ広がりを抑制するために、第1基板上に撥液処理、親液処理を施す。
次に、図12(a)に示すように、インクジェット装置60は、導電性微粒子を分散媒に溶解又は分散した液状材料の液滴L1をインクジェットヘッド70のノズル孔78から第1基板上に吐出する。具体的には、インクジェット装置60は、所定の複数の配線パターンに対応してインクジェットヘッド70を相対移動させて所定の位置に上記液状材料の液滴L1を順次吐出する。インクジェット装置60は、第1基板10上で液状材料の液滴L1が重ならないように所定間隔をあけて配置する。なお、液状材料の液滴L1の配置ピッチH1は、第1基板10上に配置した直後の液状材料の液滴L1の直径よりも大きくなるように設定する。これにより、第1基板10上に配置した直後の液状材料の液滴L1どうしは重ならずに(接触せずに)、液状材料の液滴L1どうしが合体して第1基板10上で濡れ広がることを防止することができる。
次に、インクジェット装置60に搭載されたヒータ55は、微粒子間の電位的接触をよくするために、上述した形成した所定のパターンからなる配線15を熱処理する。この結果、液状材料の液滴82に含有する分散媒を除去することが可能となる。熱処理は、上述したヒータ55の他にホットプレート、電気炉、熱風発生機等の各種装置を使用することが可能である。また、上記熱処理に代えて、ランプアニールを用いた光処理を施すことも好ましい。
次に、図12(b)に示すようにインクジェット装置60は、前回吐出した配置位置から1/2ピッチだけシフトし、第1基板10上に液状材料の液滴L2を吐出する。すなわち、前回吐出が行われた配置位置の中間位置に液状材料の液滴L2を順次吐出し、配置する。上述したように第1基板10上の液状材料の液滴L1の配置ピッチH1は、第1基板10上に配置した直後の液状材料の液滴L1の直径よりも大きくかつ、その直径の2倍以下である。そのため、液状材料の液滴L1の中間位置に液状材料の液滴L2が配置されることにより、液状材料の液滴L1に液状材料の液滴L2が一部重なり、液状材料の液滴L1どうしの間の隙間が埋まる。このとき、今回の液状材料の液滴L2と前回の液状材料の液滴L1とが接するが、前回の液状材料の液滴L1は既に分散媒が完全に又はある程度除去されているので、両者が合体して第1基板上で広がることは少ない。
次に、液状材料の液滴L2を第1基板10上に配置した後、分散媒の除去を行うために前回と同様に必要に応じて熱処理を施す。
このような一連の吐出動作を繰り返すことにより、図12(c)に示すように、第1基板10上に配置される液状材料の液滴82のどうしの隙間が埋まり、線状の連続したパターンからなる配線15が形成される。
(凸部の形成方法)
続いて、凸部19の形成方法について説明する。凸部19は、上述した配線の形成方法と同様の方法、すなわち、インクジェット装置60を用いて形成する。インクジェット装置60は、インクジェットヘッド70のノズル孔78から所定のパターンからなる複数の配線上の各々に樹脂を分散媒に溶解又は分散させた液状材料の液滴を吐出する。このときに、凸部19の直径が配線の線幅よりも大きくなるように、インクジェット装置60のヘッドのノズルから吐出する液状材料の液滴の吐出量を制御する。
次に、インクジェット装置60に搭載されたヒータ55は、微粒子間の電位的接触をよくするために、上述した形成した所定のパターンからなる凸部19を熱処理する。この結果、液状材料の液滴に含有する分散媒を除去することが可能となる。熱処理は、上述したヒータ55の他にホットプレート、電気炉、熱風発生機等の各種装置を使用することが可能である。また、上記熱処理に代えて、ランプアニールを用いた光処理を施すことも好ましい。
このようにして、所定のパターンからなる配線の一端上の各々に凸部19を形成することができる。この凸部19は、張出領域17における液晶駆動用IC30に形成される電極の実装位置に対応して複数形成されている。
(導電層の形成方法)
続いて、導電層21の形成方法について説明する。導電層21は、上述した配線の形成方法と同様の方法、すなわち、インクジェット装置60を用いて形成する。
まず、インクジェット装置60は、インクジェットヘッド41のノズル孔78から凸部19の表面及び配線上に至る領域に、導電性微粒子を分散媒に溶解又は分散した液状材料の液滴を吐出する。このように液状材料の液滴を吐出することにより、導電層21と配線15とを電気的に接続する。
次に、インクジェット装置60に搭載されたヒータ55は、微粒子間の電位的接触をよくするために、上述した形成した所定のパターンからなる導電層21を熱処理する。この結果、液状材料の液滴に含有する分散媒を除去することが可能となる。熱処理は、上述したヒータ55の他にホットプレート、電気炉、熱風発生機等の各種装置を使用することが可能である。また、上記熱処理に代えて、ランプアニールを用いた光処理を施すことも好ましい。
このようにインクジェット法によれば、バルジを生じさせることなく細線化、厚膜化を達成するとともに、膜厚が均一化された配線15、凸部19、及び導電層21を形成することが可能となる。また、インクジェット法によれば、所定の位置に正確に液状材料の液滴を吐出することができ、かつ、必要最低限の液状材料の液滴によって、配線15、凸部19、及び導電層21を形成することが可能となる。
[第3の実施の形態]
上述した実施の形態では、樹脂からなる凸部19の表面に導電層21を形成し、この導電層21を配線15に電気的に接続させていた。これに対して、本実施の形態においては、凸部19の表面に配線15を覆うように形成する。
図13(a)は、配線15が凸部19の表面の一部を覆うようにして形成された場合の図1のA−A線に沿った断面図であり、(b)は、図1のB−B線に沿った断面図である。第1基板10上に個々に形成された各凸部19には、第1基板10上に設けられた配線15が凸部19の表面を覆うように形成される。すなわち、本実施の形態においては、配線15が導電層21の機能を兼ね備える。この場合には、凸部19及び凸部19の表面を覆うように形成された配線15が外部接続端子27を構成する。
この外部接続端子27の形成方法としては、第1の実施の形態及び第2の実施の形態において説明したように、フォトリソグラフィー法又はインクジェット法等により形成することが可能である。以下、第1の実施の形態及び第2の実施の形態と異なる点についてのみ簡略化して説明し、同様の部分については説明を省略する。
フォトリソグラフィー法又はインクジェット法による形成方法においては、第1基板10上に所定のパターンからなる複数の配線15を形成する前に、まず、第1基板10の張出領域17に複数の凸部19を形成する。この凸部19は、液晶駆動用IC30に形成される電極が張出領域17上の実装される位置に対応して配置される。次に、この凸部19の表面を含む領域に所定のパターンからなる複数の配線15を形成する。
なお、凸部19を互いに隣接する複数の外部接続端子27にわたって連続して形成することも好ましい。図14(a)は、凸部19を互いに隣接する複数の外部接続端子27にわたって連続して形成した場合の図1のB−B線に沿った断面図である。
さらに、互いに隣接する複数の外部接続端子27にわたって連続して形成した凸部19のうち、隣接する外部接続端子27間の凸部19の高さが外部接続端子27の部分の凸部19の高さより部分的に低くくすることも好ましい。図14(b)は、隣接する外部接続端子27間の凸部19の高さを外部接続端子27の部分より低く形成した場合の図1の張出領域17をB−B線に沿った断面図である。
(液晶表示装置)
次に、電気光学装置の一例である上述した液晶パネル25を備えた液晶表示装置100について図15を参照して説明する。なお、液晶パネル25については、上述において詳細に説明しているため省略する。
液晶表示装置100には、上述した液晶パネル25の第1基板10上の張出領域17に画素電極等を駆動するための液晶駆動用IC30がCOG(Chip On Glass)実装される。これにより、液晶駆動用IC30の接続端子と第1基板10上の樹脂からなる凸部19の表面に形成された導電層21とが、NCF(Non Conductive Film、接着剤)等を介して電気的に接続される。
なお、液晶表示装置100に液晶駆動用IC30等を実装する方法としては、液晶パネル25に別の回路基板を接続し、この回路基板に液晶駆動用IC30をCOF(Chip On Film)実装する方法等の各種方法を用いることが可能である。また、液晶駆動用IC30には、当該液晶表示装置100とは異なる外部機器から表示制御信号等が受信可能な構成となっている。また、液晶駆動用IC30の電極の表面には無電解Niバンプを形成することも好ましい。
(電子機器)
次に、本発明の電気光学装置を電子機器に適用した例について説明する。
図16は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図16において、600は携帯電話本体を示し、601は上記実施形態の液晶表示装置100を備えた表示部を示している。
図16に示す電子機器は、上記実施形態の液晶表示装置100を備えたものであるので、液晶駆動用IC30の実装不良が少なく、高品質化が図られる。
なお、本実施形態の電子機器は液晶表示装置100を備えるものとしたが、有機EL装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されず、特許請求の範囲を逸脱しない範囲で種々の変更を行うことができる。
例えば、上記実施の形態では、接着剤に導電粒子を含有しない導電性ペースト等を介して第1基板10上に液晶駆動用IC30を実装させたが、導電粒子を含有する接着剤を用いることも好ましい。
液晶パネルの概略構成を示す斜視図である。 (a)は図1に示す張出領域のA−A´断面図、(b)は図1に示す張出領域のB−B´断面図である。 (a)及び(b)は図1に示す張出領域の一部のB−B´断面図である。 フォトリソグラフィー法による凸部の形成方法である。 フォトリソグラフィー法による凸部の形成方法である。 フォトリソグラフィー法による導電層の形成方法である。 フォトリソグラフィー法による導電層の形成方法である。 フォトリソグラフィー法による導電層の形成方法である。 インクジェット装置の概略構成図である。 (a)はインクジェットヘッドの概略構成図、(b)は(a)の断面図である。 インクジェットヘッドの底面図である。 インクジェット法による配線形成方法を示す図である。 (a)は図1に示す張出領域のA−A´断面図、(b)は図1に示す張出領域のB−B´断面図である。 (a)及び(b)は図1に示す張出領域の一部のB−B´断面図である。 液晶表示装置の概略構成図である。 本発明の電子機器を示す概略構成図である。
符号の説明
10…第1基板(基板)、 13…第2基板、 15…配線、 17…張出領域、 19…凸部、 21…導電層、 25…液晶パネル(電気光学装置用パネル)、
27…外部接続端子、 30…液晶駆動用IC(電子部品)

Claims (14)

  1. 電子部品を電気的に接続するための複数の外部接続端子が備えられた電気光学装置用パネルであって、
    基板と、前記基板上に設けられた複数の配線と、前記複数の配線上又は前記基板上に設けられた樹脂からなる凸部と、前記凸部の表面の少なくとも一部を覆うように設けられ、前記各配線と電気的に接続された導電層とが備えられ、
    前記外部接続端子が前記凸部と前記導電層とから構成されたことを特徴とする電気光学装置用パネル。
  2. 電子部品を電気的に接続するための複数の外部接続端子が備えられた電気光学装置用
    パネルであって、
    基板と、前記基板上に設けられた樹脂からなる凸部と、前記凸部の表面に少なくとも
    一部を覆うように前記基板上に設けられた複数の配線とが備えられ、
    前記外部接続端子が前記凸部と前記配線とから構成されたことを特徴とする電気光学
    装置用パネル。
  3. 前記凸部が、個々の外部接続端子毎に離間して形成されたことを特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置用パネル。
  4. 前記凸部が、互いに隣接する複数の外部接続端子にわたって連続して形成されたことを特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置用パネル。
  5. 前記凸部のうち、隣接する外部接続端子間の凸部の高さが外部接続端子の部分の凸部の高さより部分的に低くなっていることを特徴とする請求項4に記載の電気光学装置用パネル。
  6. 電子部品を電気的に接続するための複数の外部接続端子が備えられた電気光学装置用パネルの製造方法であって、
    基板上に複数の配線を形成する工程と、前記複数の配線上又は前記基板上に樹脂からなる凸部を形成する工程と、前記各配線と電気的に接続された導電層を前記凸部の表面の少なくとも一部を覆うように形成する工程とを備え、
    前記凸部と前記導電層とから前記外部接続端子を形成することを特徴とする電気光学装置用パネルの製造方法。
  7. 電子部品を電気的に接続するための複数の外部接続端子が備えられた電気光学装置用
    パネルの製造方法であって、
    基板上に樹脂からなる凸部を形成する工程と、前記基板上に、前記凸部の表面の少な
    くとも一部を覆うように複数の配線を形成する工程とを備え、
    前記凸部と前記配線とから前記外部接続端子を形成することを特徴とする電気光学装
    置用パネルの製造方法。
  8. 前記樹脂として感光性樹脂を用い、フォトリソグラフィー法により前記凸部を形成することを特徴とする請求項6又は7に記載の電気光学装置用パネルの製造方法。
  9. 液滴吐出法により前記凸部を形成することを特徴とする請求項6又は7に記載の電気光学装置用パネル。
  10. 液滴吐出法により前記導電層又は前記配線を形成することを特徴とする請求項6ないし9のいずれか一項に記載の電気光学装置用パネル。
  11. 請求項1ないし5のいずれか一項に記載の電気光学装置用パネルの前記外部接続端子上に接着剤を介して電子部品が実装されたことを特徴とする電気光学装置。
  12. 前記電子部品の電極表面には無電解Niバンプが形成されたことを特徴とする請求項11に記載の電気光学装置。
  13. 前記接着剤が、導電粒子を含まない接着剤からなることを特徴とする請求項11また
    は12に記載の電気光学装置。
  14. 請求項11ないし13のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。

JP2004076323A 2004-03-17 2004-03-17 電気光学装置用パネル及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 Expired - Fee Related JP3841087B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004076323A JP3841087B2 (ja) 2004-03-17 2004-03-17 電気光学装置用パネル及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器
US11/073,481 US7482541B2 (en) 2004-03-17 2005-03-04 Panel for electro-optical apparatus, method of manufacture thereof, electro-optical apparatus and electronic apparatus
TW094106829A TWI256128B (en) 2004-03-17 2005-03-07 Panel for electro-optical apparatus, method of manufacture thereof, electro-optical apparatus and electronic apparatus
EP05005366A EP1577699A3 (en) 2004-03-17 2005-03-11 Panel for electro-optical apparatus, method of manufacture thereof, electro-optical apparatus and electronic apparatus
KR1020050020894A KR100699641B1 (ko) 2004-03-17 2005-03-14 전기 광학 장치용 패널 및 그 제조 방법, 전기 광학 장치및 전자기기
CNB2005100550445A CN100520539C (zh) 2004-03-17 2005-03-15 电光学装置用面板及其制造方法、电光学装置及电子设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004076323A JP3841087B2 (ja) 2004-03-17 2004-03-17 電気光学装置用パネル及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005266091A true JP2005266091A (ja) 2005-09-29
JP3841087B2 JP3841087B2 (ja) 2006-11-01

Family

ID=34836544

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004076323A Expired - Fee Related JP3841087B2 (ja) 2004-03-17 2004-03-17 電気光学装置用パネル及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7482541B2 (ja)
EP (1) EP1577699A3 (ja)
JP (1) JP3841087B2 (ja)
KR (1) KR100699641B1 (ja)
CN (1) CN100520539C (ja)
TW (1) TWI256128B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9148957B2 (en) 2011-03-04 2015-09-29 Sharp Kabushiki Kaisha Electronic circuit substrate, display device, and wiring substrate

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4292424B2 (ja) * 2006-11-15 2009-07-08 セイコーエプソン株式会社 配線基板およびその製造方法、並びに電子機器
JP4548459B2 (ja) * 2007-08-21 2010-09-22 セイコーエプソン株式会社 電子部品の実装構造体
CN101515074B (zh) * 2008-02-21 2011-08-31 北京京东方光电科技有限公司 测试液晶面板光学特性的阵列基板电路及其实现方法
KR100953654B1 (ko) 2008-06-26 2010-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102058855B1 (ko) * 2013-12-31 2019-12-26 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN104035222A (zh) 2014-06-13 2014-09-10 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN104064539B (zh) 2014-06-13 2017-01-04 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及装置
CN104614911A (zh) * 2015-03-03 2015-05-13 京东方科技集团股份有限公司 一种基板及其制作方法、显示装置
CN106413270B (zh) * 2016-11-04 2019-04-05 大连大学 一种氮化铝陶瓷电路板及制备方法
CN109448554A (zh) * 2018-12-03 2019-03-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及其制作方法
WO2023288030A1 (en) * 2021-07-14 2023-01-19 The Trustees Of Dartmouth College Liquid metal printed 2d ultrahigh mobility conducting oxide transistors

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4813129A (en) * 1987-06-19 1989-03-21 Hewlett-Packard Company Interconnect structure for PC boards and integrated circuits
JPH0621257Y2 (ja) 1987-07-16 1994-06-01 三洋電機株式会社 固体撮像装置
JP2674033B2 (ja) 1987-09-18 1997-11-05 セイコーエプソン株式会社 液晶装置
JPH01281433A (ja) 1988-05-09 1989-11-13 Seiko Epson Corp 液晶パネル構造
JPH03231437A (ja) * 1990-02-06 1991-10-15 Ricoh Co Ltd 突起電極形成方法
JP2833326B2 (ja) 1992-03-03 1998-12-09 松下電器産業株式会社 電子部品実装接続体およびその製造方法
US5345365A (en) * 1992-05-05 1994-09-06 Massachusetts Institute Of Technology Interconnection system for high performance electronic hybrids
JPH0697608A (ja) 1992-09-14 1994-04-08 Nippon Mektron Ltd 可撓性回路基板の接続部構造及びその形成法
JPH06180460A (ja) 1992-12-15 1994-06-28 Seiko Epson Corp 半導体チップ接続用基板構造
US5393697A (en) * 1994-05-06 1995-02-28 Industrial Technology Research Institute Composite bump structure and methods of fabrication
JPH088001A (ja) 1994-06-17 1996-01-12 Yazaki Corp プリント配線板の回路接続方法
EP0827190A3 (en) 1994-06-24 1998-09-02 Industrial Technology Research Institute Bump structure and methods for forming this structure
US5657207A (en) * 1995-03-24 1997-08-12 Packard Hughes Interconnect Company Alignment means for integrated circuit chips
US6396145B1 (en) * 1998-06-12 2002-05-28 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same technical field
JP4035968B2 (ja) 2000-06-30 2008-01-23 セイコーエプソン株式会社 導電膜パターンの形成方法
JP2002164636A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Matsushita Electric Works Ltd 基板に対するスルーホール形成用基準孔の形成方法
JP4720069B2 (ja) * 2002-04-18 2011-07-13 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP2004077386A (ja) 2002-08-21 2004-03-11 Seiko Epson Corp 半導体実装構造の検査方法、半導体装置の実装構造、電気光学装置及び電子機器
KR20040050245A (ko) 2002-12-09 2004-06-16 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판, 이의 제조방법, 이를 갖는액정표시장치 및 이의 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9148957B2 (en) 2011-03-04 2015-09-29 Sharp Kabushiki Kaisha Electronic circuit substrate, display device, and wiring substrate

Also Published As

Publication number Publication date
CN100520539C (zh) 2009-07-29
US7482541B2 (en) 2009-01-27
KR100699641B1 (ko) 2007-03-23
JP3841087B2 (ja) 2006-11-01
KR20060044347A (ko) 2006-05-16
TWI256128B (en) 2006-06-01
EP1577699A2 (en) 2005-09-21
TW200541048A (en) 2005-12-16
EP1577699A3 (en) 2006-04-26
CN1670578A (zh) 2005-09-21
US20050205296A1 (en) 2005-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100699641B1 (ko) 전기 광학 장치용 패널 및 그 제조 방법, 전기 광학 장치및 전자기기
KR100747959B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법
KR100631358B1 (ko) 패턴과 그 형성 방법, 디바이스와 그 제조 방법, 전기광학 장치, 전자 기기 및 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법
US8497432B2 (en) Electronic component mounting structure
JP2006201538A (ja) マスク、マスクの製造方法、パターン形成方法、配線パターン形成方法
KR100910977B1 (ko) 패턴의 형성 방법, 및 액정 표시 장치의 제조 방법
US7482271B2 (en) Manufacturing method for electronic substrate, manufacturing method for electro-optical device, and manufacturing method for electronic device
US20060046359A1 (en) Method of manufacturing active matrix substrate, active matrix substrate, electro-optical device, and electronic apparatus
US7477336B2 (en) Active matrix substrate, method of manufacturing active matrix substrate, electro-optical device, and electronic apparatus
JP2007053333A (ja) 膜パターンの形成方法、デバイス、電気光学装置、電子機器、及びアクティブマトリクス基板の製造方法
KR20060045552A (ko) 전자 부품 실장체의 제조 방법, 전자 부품 실장체 및 전기광학 장치
US8143728B2 (en) Electronic board and manufacturing method thereof, electro-optical device, and electronic apparatus
JP2004344712A (ja) 液滴配置装置、電気光学パネル、電気光学装置、電子機器、液滴配置方法、電気光学パネルの製造方法、及び電子機器の製造方法
JP2010184196A (ja) 薄膜の形成方法、配向膜の形成方法
JP2006019630A (ja) 配線形成方法
JP2005101506A (ja) 電子部品実装体の製造方法、電気光学装置の製造方法、電子部品実装体、電気光学装置
US7645706B2 (en) Electronic substrate manufacturing method
JP2004347695A (ja) 液滴吐出装置、電気光学パネル、電気光学装置、電子機器、液滴吐出方法、電気光学パネルの製造方法及び電子機器の製造方法
JP2009117848A (ja) 電子基板及び電気光学装置並びに電子機器
JP2007149738A (ja) 電子基板の製造方法、電子基板および電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060209

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20060209

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20060210

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20060412

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060418

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060524

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20060525

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060718

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060731

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090818

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100818

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110818

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120818

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130818

Year of fee payment: 7

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees