JP2005101506A - 電子部品実装体の製造方法、電気光学装置の製造方法、電子部品実装体、電気光学装置 - Google Patents

電子部品実装体の製造方法、電気光学装置の製造方法、電子部品実装体、電気光学装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2005101506A
JP2005101506A JP2004069556A JP2004069556A JP2005101506A JP 2005101506 A JP2005101506 A JP 2005101506A JP 2004069556 A JP2004069556 A JP 2004069556A JP 2004069556 A JP2004069556 A JP 2004069556A JP 2005101506 A JP2005101506 A JP 2005101506A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thermoplastic resin
electronic component
resin layer
conductor
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2004069556A
Other languages
English (en)
Inventor
Atsushi Saito
淳 斎藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2004069556A priority Critical patent/JP2005101506A/ja
Priority to US10/916,609 priority patent/US20050067635A1/en
Priority to KR1020040065293A priority patent/KR100651002B1/ko
Priority to CNB2004100576741A priority patent/CN100346452C/zh
Publication of JP2005101506A publication Critical patent/JP2005101506A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3114—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the device being a chip scale package, e.g. CSP
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/03—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/03—Manufacturing methods
    • H01L2224/035—Manufacturing methods by chemical or physical modification of a pre-existing or pre-deposited material
    • H01L2224/03505—Sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0103—Zinc [Zn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor

Abstract

【課題】 電子部品を基板上に実装してなる電子部品実装体を容易かつ低コストで高い電気的信頼性を持って効率的に製造することのできる方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電子部品実装体の製造方法は、複数の電子構造領域１０Ａが表面１０Ｘに沿って配列され、電子構造領域が突出するバンプ電極１１，１２を具備する電子構造基板１０に対して、表面に熱可塑性樹脂層１３を積層し、熱可塑性樹脂層内にバンプ電極が埋設されるように構成する樹脂積層工程と、熱可塑性樹脂層の電子構造基板とは反対側の表面にバンプ電極に導電接続された導電体１５，１６を形成する導電体形成工程と、電子構造基板を電子構造領域毎に分割して、電子部品１０Ｂが導電体を有する熱可塑性樹脂分割層１３Ｂに実装された電子部品実装体１０ｐを形成する部品分割工程と、を有することを特徴とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は電子部品実装体の製造方法、電気光学装置の製造方法、電子部品実装体、電気光学装置に関する。
一般に、各種の電子機器においては、半導体ＩＣなどの電子部品が回路基板などに実装されて電子回路の一部を構成している。電子部品を回路基板などに実装する方法には様々なものがある。例えば、最も一般的なものとしては、電子部品のバンプ電極を回路基板上の導電パッドに接合した状態とし、この状態でアンダーフィル樹脂を電子部品と回路基板との間に充填して封止するといった実装方法が知られている。
また、液晶表示装置などにおいて多く用いられている実装方法として、電子部品を異方性導電膜（ＡＣＦ；Anisotropic Conductive Film）を介して実装する方法がある。この方法では、熱硬化性樹脂中に微細な導電性粒子を分散させてなるＡＣＦを介して、電子部品を加圧加熱ヘッドで加熱しながら回路基板や液晶パネルを構成するガラス基板上に押し付け加圧することによって、電子部品のバンプ電極と、基板上の端子とが導電性粒子を介して導電接続され、この状態で熱硬化性樹脂が硬化することによってその導電接続状態が保持される。
さらに、熱可塑性樹脂からなる基材の片面に導電パッドを形成してなる回路基板を用意し、この回路基板における導電パッドの形成面とは反対側の表面に、バンプ電極を備えたＩＣチップを加熱しながら押し付けることにより、バンプ電極が回路基板の熱可塑性樹脂内に挿入され、その先端が回路基板の内部から導電パッドに導電接続された状態で固定するといった、電子部品実装体を構成する方法が知られている（例えば、以下の特許文献１参照）。
特開２００３−１２４２５９号公報
たとえば、アンダーフィル樹脂を電子部品と回路基板との間に充填する方法では、アンダーフィル樹脂の注入に手間がかかる場合があった。
また、ＡＣＦを用いた実装方法では、端子間ピッチが小さくなると導電性粒子を小さくする必要があるのでＡＣＦが高価になることがあった。
さらに、特許文献１に記載された方法では、ＩＣチップのバンプ電極と回路基板の導電パッドとの位置合わせが難しくなる場合があった。
そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、電子部品を基板上に実装してなる電子部品実装体を容易かつ低コストで高い電気的信頼性を持って効率的に製造することのできる方法を提供することにある。
（１）本発明の電子部品実装体の製造方法は、複数の電子構造領域を有し、該電子構造領域毎にバンプ電極の表面に、前記バンプ電極が埋設されるように熱可塑性樹脂を形成する樹脂積層工程と、前記熱可塑性樹脂層の前記電子構造基板とは反対側の表面に、前記バンプ電極に導電接続された導電体を形成する導電体形成工程と、前記電子構造基板を前記電子構造領域毎に分割することにより、前記電子構造領域を含んで構成される電子部品が、前記バンプ電極に導電接続された前記導電体を有する前記熱可塑性樹脂層に実装されてなる電子部品実装体を形成する部品分割工程と、を有することを特徴とする。この発明では、電子構造基板の表面にバンプ電極を埋設するように熱可塑性樹脂層を積層し、熱可塑性樹脂の電子構造基板とは反対側の表面にバンプ導電体に導電接続された導電体を形成し、その後、電子構造基板を電子構造領域毎に分割するようにした。これによって、複数の電子構造領域が一体に構成されてなる電子構造基板に対して熱可塑性樹脂の積層及び導電体の形成を一括して行うことができるため、効率的に製造を行うことができ、製造コストを低減できる。また、温度変化による寸法変化が熱可塑性樹脂よりも小さい一体の電子構造基板を基準として導電体を形成することができるため、アライメントが容易になるとともに導電体の位置精度を高めることができることから、電気的信頼性を確保することができる。なお、本発明における電子構造基板としては、半導体ＩＣチップに分割する前の半導体ウエハ、積層セラミック電子部品（積層セラミックコンデンサなど）に分割する前のセラミック積層体などが挙げられる。また、本発明における上記熱可塑性樹脂層は、電子構造基板上に一体に積層されていてもよく、また、複数に分割された態様で積層されていてもよい。後者の場合には、例えば、電子構造領域毎に分割された態様で積層されていることが好ましい。
（２）本発明において、前記樹脂積層工程では、前記電子構造基板若しくは前記熱可塑性樹脂層を加熱しながら前記熱可塑性樹脂層を積層することが好ましい。電子構造基板若しくは熱可塑性樹脂層を加熱することによってバンプ電極に接した熱可塑性樹脂の少なくとも一部を軟化若しくは溶融させることができるため、バンプ電極を熱可塑性樹脂の内部に容易かつ確実に埋設することができる。
（３）本発明において、前記樹脂積層工程では、前記電子構造基板に対して前記熱可塑性樹脂層を型成形によって積層することが好ましい。型成形によって熱可塑性樹脂層を形成することにより、熱可塑性樹脂層の形状を高精度に規定することができる。例えば、バンプ電極が熱可塑性樹脂層の電子構造基板とは反対側の表面に確実に露出するように構成することができる。この場合、例えば、型の内部に電子構造基板を配置するインサート成形法によって容易に熱可塑性樹脂層を成形できる。型成形としては、射出成形法、ブロー成形法などを用いることができる。
（４）本発明において、前記樹脂積層工程では、前記バンプ電極が前記熱可塑性樹脂層を貫通し、前記熱可塑性樹脂層における前記電子構造基板とは反対側の表面に露出するように構成することが好ましい。これによれば、樹脂積層工程においてバンプ電極が熱可塑性樹脂の表面に露出しているため、導電体形成工程における導電体のアライメント作業が容易になるとともに、導電体を容易かつ確実にバンプ電極と導電接続させることができる。
（５）本発明において、前記樹脂積層工程では、前記電子構造基板に前記熱可塑性樹脂層を積層したときに、前記バンプ電極が前記熱可塑性樹脂層内から前記熱可塑性樹脂層の反対側に予め配置された導体層と導電接触するように構成し、前記導電体形成工程では、前記導体層をパターニングして前記導電体を形成することが好ましい。これによれば、樹脂積層工程においては熱可塑性樹脂層の表面上に全面的に、或いはバンプ電極よりもある程度大きな範囲に導体層を形成しておくことで、バンプ電極を導体層に確実に導電接触させることができるとともに、導体層形成工程では、導体層をパターニングして所望の形状或いはパターンで導電体を形成することができるため、熱可塑性樹脂層の表面に予めパターニング済みの導電体を形成しておく場合に較べると、樹脂積層工程におけるアライメントを不要にすることができる。
（６）本発明において、前記樹脂積層工程と前記導電体形成工程との間に、前記熱可塑性樹脂層における前記電子構造基板とは反対側の表面に前記バンプ電極を露出させる穴を形成する樹脂穿孔工程と、前記穴に導電材料を充填する導電材料充填工程とを有することが好ましい。これによれば、樹脂穿孔工程により穴を設けることによってバンプ電極を確実に露出させ、この穴に導電材料を充填することにより、穴に充填した導電材料を介してバンプ電極と導電体とをより確実に導電接続することができるため、電気的信頼性を高めることができる。
（７）本発明において、前記導電体形成工程では、前記熱可塑性樹脂層における前記電子構造基板とは反対側の表面上に流動性材料を選択的に塗布し、前記流動性材料を硬化させることによって前記導電体を形成することが好ましい。導電体形成工程は、熱可塑性樹脂層上に導体層を成膜し、この導体層をフォトリソグラフィ法などによってパターニングする方法で形成することもできる。しかし、この方法では、導体層が熱可塑性樹脂層の表面を覆ってしまうため、導電体のパターニング時のアライメントがやや困難になる。これに対して、熱可塑性樹脂層の表面上に流動性材料を選択的に塗布して硬化させることによって導体層を形成する方法では、熱可塑性樹脂層の表面が覆われないので、アライメントが容易になり、正確な位置に導電体を形成できる。ここで、流動性材料の硬化としては、流動性材料の特性に応じて、加熱、光照射、放置（静置）などによる乾燥、焼成、化学反応などによる硬化作用を用いることができる。
（８）この場合に、前記導電体形成工程では、液状の前記流動性材料を液滴として選択的に吐出することが望ましい。これによって、流動性材料の塗布位置及び塗布量の精度を高めることができる。液滴の吐出は、例えば、圧電体方式或いは熱気泡方式などのインクジェットヘッドを用いて行うことができる。
（９）また、前記導電体形成工程では、ペースト状の前記流動性材料を選択的に印刷することが望ましい。これによって、低コストで効率的に導電体を形成することができる。
（１０）本発明において、前記導体形成工程は、前記熱可塑性樹脂層の前記電子構造基板とは反対側の表面上にパターニングされた開口を有するレジスト層を形成する工程を含み、
前記導電体を、前記熱可塑性樹脂層における前記開口からの露出部に形成してもよい。これによれば、設計通りに導電体を形成することができる。
（１１）この場合に、前記導電体形成工程は、導電性微粒子を含有する溶剤を選択的に吐出する工程を含み、
前記レジスト層を、上端面が、前記熱可塑性樹脂層の前記電子構造基板とは反対側の表面よりも前記溶剤との親和性が悪くなるように形成してもよい。これによれば、効率よく導電体を形成することができる。
（１２）この場合に、前記導電体を形成した後に、前記レジスト層を除去する工程をさらに含んでいてもよい。これによれば、信頼性の高い電子部品実装体を製造することができる。
（１３）次に、本発明の電気光学装置の製造方法は、上記のいずれかに記載の製造方法により製造された電子部品実装体を熱圧着により回路基板上に実装する工程と、前記回路基板を電気光学パネルに実装する工程とを有することを特徴とする。本発明に係る電子部品実装体は、バンプ電極に導電接続された導電体が熱可塑性樹脂層の表面上に形成されているため、加熱することによって熱可塑性樹脂が軟化若しくは溶融することから、容易に回路基板上に実装することができる。特に、回路基板の表面に露出した樹脂基材が熱可塑性樹脂であれば、回路基板の樹脂基材と電子部品実装体の熱可塑性樹脂層とが容易に溶着することから、きわめて容易に実装することができる。ここで、電子部品としては、電気光学装置を駆動するための駆動信号を生成する回路を内包するものであることが望ましい。
（１４）また、本発明の別の電気光学装置の製造方法は、上記のいずれかに記載の製造方法により製造された電子部品実装体を電気光学パネルを構成する基板上に熱圧着により実装することを特徴とする。本発明に係る電子部品実装体は、バンプ電極に導電接続された導電体が熱可塑性樹脂層の表面上に形成されているため、加熱することによって熱可塑性樹脂が軟化若しくは溶融することから、容易に電気光学パネルの基板上に実装することができる。電気光学パネルを構成する基板の材料としては、ガラス、石英、プラスチック、セラミックなどが挙げられるが、いずれの材料であっても容易に実装することが可能である。ここで、電子部品としては、電気光学装置を駆動するための駆動信号を生成する回路を内包するものであることが望ましい。
（１５）次に、本発明の電子部品実装体は、バンプ電極を備えた電子部品と、該電子部品の前記バンプ電極の形成面上に積層された熱可塑性樹脂層と、該熱可塑性樹脂層上に形成され、前記バンプ電極に導電接続された導電体とを有し、前記熱可塑性樹脂層の外縁が前記電子部品の外縁上若しくはそれよりも内側に配置されていることを特徴とする。熱可塑性樹脂層の外縁が電子部品の外縁上に配置され、或いは、電子部品の外縁よりも内側に配置されていることにより、電子部品となるべき電子構造領域を複数備えた一体の電子構造基板上に熱可塑性樹脂層を積層し、この熱可塑性樹脂層の表面上に、電子構造領域毎に設けられたバンプ電極に導電接続された導電体を形成することが可能になる。したがって、熱可塑性樹脂層の積層や導電体の形成を電子構造基板毎に一括して行うことができるとともに、導電体を形成する際のバンプ電極に対する位置決めも寸法変化の少ない一体の電子構造基板を基準として行うことが可能になるので、電子部品実装体を効率的にかつ高精度に構成することが可能になる。
（１６）また、本発明の電気光学装置は、電気光学パネルと、該電気光学パネルに実装された回路基板とを有し、上記本発明に係る電子部品実装体が前記回路基板上に実装されていることを特徴とする。上記の電子部品実装体は回路基板上に容易かつ確実に実装することができるため、電気光学装置の製造コストの低減、製造効率の向上、電気的信頼性の向上などを図ることができる。ここで、電子部品としては、電気光学装置を駆動するための駆動信号を生成する回路を内包するものであることが望ましい。
（１７）さらに、本発明の別の電気光学装置は、電気光学パネルと、該電気光学パネルを構成する基板上に実装された上記本発明に係る電子部品実装体とを有することを特徴とする。上記の電子部品実装体は電気光学パネルを構成する基板上にも容易かつ確実に実装できるため、電気光学装置の製造コストの低減、製造効率の向上、電気的信頼性の向上などを図ることができる。ここで、電子部品としては、電気光学装置を駆動するための駆動信号を生成する回路を内包するものであることが望ましい。
（１８）次に、本発明の電気光学装置は、上記いずれかの電気光学装置と、該電気光学装置を制御する制御手段とを有することを特徴とする。
次に、添付図面を参照して本発明に係る実施形態について説明する。なお、以下の説明において参照する各図面は本発明の各実施形態の構造を模式的に示すものであり、その形状や寸法比は実際の形状や寸法比をそのまま表したものではない。
［第１実施形態］
最初に、図１を参照して、本発明に係る第１実施形態について説明する。この実施形態では、図１（ａ）に示すように、複数の電子構造領域１０Ａを一体に備えた電子構造基板１０が用意される。この電子構造基板１０は、シリコン単結晶や化合物半導体単結晶などで構成され、上記電子構造領域１０Ａとして所定の電子回路構造を有する半導体基板であってもよく、或いは、多数のセラミック層とその間に配置された導体層とを有し、上記電子構造領域１０Ａとして上記導体層を所定の導体パターンに構成してなるセラミック積層体（セラミック基板）であってもよい。電子構造基板１０は例えば半導体ウエハであれば１００〜８００μｍ程度の厚さ、セラミック積層体であれば１〜５ｍｍ程度の厚さに形成される。
いずれの電子構造基板１０においても、複数の電子構造領域１０Ａが一体に構成されている点で共通する。ここで、複数の電子構造領域１０Ａは、電子構造基板１０の一方の表面では実装面１０Ｘに沿って配列されている。この配列態様は、１次元的な配列態様（縦列）であっても、２次元的な（平面的な）配列態様であってもよい。
電子構造基板１０の実装面１０Ｘには、電子構造領域１０Ａ毎にバンプ電極（突起電極）１１，１２が突出形成されている。ここで、バンプ電極１１，１２の数は任意であり、１つでも、３以上でもよいが、図示例では電子構造領域１０Ａ毎に２つのバンプ電極が設けられている。バンプ電極１１，１２は導電体で構成されていればよいが、例えば、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ａｇ，Ａｌなどの金属で構成される。特に、バンプ電極の構造としては、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌなどの金属層の凸部の表面がＡｕ，Ａｇ，Ｓｎなどの薄膜で被覆されていることが好ましい。バンプ電極１１，１２の直径は例えば１０〜３０μｍ程度に構成され、形成ピッチは３０〜５０μｍ程度である。突出高さは１０〜５０μｍ程度であるが、後述する熱可塑性樹脂層の厚さとほぼ同じ高さに設定される。
上記のように構成された電子構造基板１０の実装面１０Ｘには熱可塑性樹脂層１３が積層される。この熱可塑性樹脂層１３としては、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、テトラフルオロエチレン、ポリイミド樹脂などの熱可塑性樹脂で構成されている。本実施形態の場合には、熱可塑性樹脂層１３の厚さは、２０〜５０μｍ、典型的には３０μｍ程度に形成されている。また、熱可塑性樹脂層１３は、上記バンプ電極１１，１２の突出高さと同じか、或いは、上記突出高さよりも１〜１０μｍ程度厚い厚さを有することが好ましい。この熱可塑性樹脂層１３の一方の表面上には、Ｃｕ，Ａｌ，Ａｕなどの金属その他の導電体で構成された導体層１４が形成されている。この導体層１４は熱可塑性樹脂層１３の表面上に載置されているだけでもよいが、熱可塑性樹脂層１３の表面上に固着（密着）されていることが好ましい。導体層１４は例えば１〜２０μｍ、典型的には１０μｍ程度の厚さに形成される。
熱可塑性樹脂層１３は、電子構造基板１０の実装面１０Ｘ上に機械的に積層される（樹脂積層工程）。例えば、熱可塑性樹脂層１３及び導体層１４を電子構造基板１０の実装面１０Ｘ上に押し付けながら積層していく。このとき、電子構造基板１０又は熱可塑性樹脂層１３を加熱しながら積層することが好ましい。例えば、電子構造基板１０の実装面１０Ｘの反対側の表面に加熱ヘッド又は加熱ステージを接触させて電子構造基板１０を加熱したり、導体層１４に加熱ヘッド又は加熱ステージを接触させて熱可塑性樹脂層１３を加熱したりする。また、熱可塑性樹脂層１３及び導体層１４をローラなどによって電子構造基板１０に押し付けてもよい。この場合には、ローラにより熱可塑性樹脂層１３を加熱してもよい。このときの加熱温度は、熱可塑性樹脂層１３の軟化温度以上で、バンプ電極１１，１２の溶融温度や電子構造基板１０の耐熱温度未満である。通常は、１２０℃〜３５０℃の範囲内であることが望ましい。
上記のようにして電子構造基板１０に熱可塑性樹脂層１３を積層させる際には、バンプ電極１１，１２は熱可塑性樹脂層１３の内部に挿入され、最終的に電子構造基板１０が熱可塑性樹脂層１３と密着したときに、バンプ電極１１，１２が熱可塑性樹脂層１３の内部に埋設された状態となる。そして、この樹脂積層工程が完了したときには、図１（ｂ）に示すように、バンプ電極１１，１２が導体層１４と導電接触した状態とされる。この導電接触状態は、加熱されて軟化若しくは溶融された熱可塑性樹脂層１３をバンプ電極１１，１２が押し分けるのに必要な応力以上の応力を電子構造基板１０と導体層１４との間に加えることによって実現される。なお、このときに、加熱によりバンプ電極１１，１２と導体層１４とを合金化してもよい。この場合の加熱温度は両者の材質にもよるが、２００〜４００℃程度とすることが好ましい。
次に、上記導体層１４に対してパターニング処理を施すことにより、図１（ｃ）に示すように、バンプ電極１１，１２に導電接続された導電体１５，１６を形成する（導電体形成工程）。このパターニング処理としては、通常のフォトリソグラフィ法などを用いてレジストなどでマスクを形成し、このマスクを用いて導体層１４にエッチングを施す方法が挙げられる。導電体１５，１６は、単なる導電パッドなどの端子であってもよく、また、所定のパターンに形成されてなる配線パターンであってもよい。
最後に、電子構造基板１０及び熱可塑性樹脂層１３を図１（ｃ）の一点鎖線で示すように電子構造領域１０Ａ毎に分割し、複数の電子部品実装体１０Ｐを形成する（部品分割工程）。この工程の分割法としては、ダイシング法やスクライブ・ブレイク法などを用いることができる。この電子部品実装体１０Ｐは、電子構造領域１０Ａを含む電子構造分割基板１０Ｂと、熱可塑性樹脂分割層１３Ｂと、バンプ電極１１，１２に導電接続された導電体１５，１６とを有する。電子部品実装体１０Ｐは、図示しない加圧加熱ヘッドを用いて電子構造分割基板１０Ｂを加熱しながら熱可塑性樹脂分割層１３Ｂ側を回路基板などの実装対象に押し付けることによって、熱可塑性樹脂分割層１３Ｂを軟化若しくは溶融させて上記実装対象に固着させる方法で、簡単に実装することができる。
本実施形態では、複数の電子構造領域１０Ａが一体に構成されてなる電子構造基板１０に対して熱可塑性樹脂層１３の積層及び導電体１５，１６の形成を一括して行うことができるため、効率的に製造を行うことができ、製造コストを低減できる。また、電子構造基板１０は、例えば、シリコン基板やセラミック積層体などにより構成されているため、温度変化による寸法変化が熱可塑性樹脂よりも大幅に小さい。このように寸法変化の小さい電子構造基板１０を基準として複数の電子部品実装体となるべき部分に対して一括して導電体１５，１６を形成することができるため、アライメントが容易になるとともに導電体１５，１６のバンプ電極１１，１２に対する位置精度を高めることができることから、十分な電気的信頼性を確保することができる。
また、本実施形態では、熱可塑性樹脂層１３の片面に導体層１４を予め形成しておき、電子構造基板１０に熱可塑性樹脂層１３を積層する際に、バンプ電極１１，１２が上記導体層１４に熱可塑性樹脂層１３の内部から導電接触するようにしていることにより、アライメントなどを施さなくてもバンプ電極１１，１２を確実に導体層１４に導電接触させることができる。この場合、導体層１４は熱可塑性樹脂層１３の片面に全面的に形成しておくことが好ましいが、必ずしも全面的に形成しておく必要はなく、例えば、バンプ電極１１，１２の形成領域の近傍にある程度の範囲に広がるように島状に構成したり、或いは、電子構造領域１０Ａに対応させて島状に形成したりしても構わない。いずれの場合でも、バンプ電極１１，１２と平面的に重なる領域を含み、当該領域の周囲の広い範囲をカバーするように導体層１４を形成しておくことによって、バンプ電極１１，１２と導体層１４との導電接触を確実に生じさせることができる。
［第２実施形態］
次に、図２を参照して本発明に係る第２実施形態について説明する。この実施形態において、第１実施形態と同じ構成要素については同一符号を付し、それらの説明は省略する。本実施形態では、図２（ａ）に示すように、電子構造基板１０に対して熱可塑性樹脂層１３を第１実施形態と同様の方法で積層する。ただし、本実施形態では、熱可塑性樹脂層１３の表面には導体層が形成されていない。この樹脂積層工程では、図２（ｂ）に示すように、バンプ電極１１，１２の先端が熱可塑性樹脂層１３の電子構造基板１０とは反対側の表面に露出するように構成される。
その後、図２（ｃ）に示すように、熱可塑性樹脂層１３の表面上に、露出したバンプ電極１１，１２に導電接続するように導電体２５，２６を形成する。この導電体２５，２６は、上記第１実施形態と同様の方法で形成されたものであってもよいが、本実施形態では、熱可塑性樹脂層１３の表面上に流動性材料を塗布して硬化させることにより導電体２５，２６を形成している。本実施形態の導電体形成工程において用いられる導電体２５，２６の形成方法は、図６に示す吐出ヘッド２０から液滴Ｓを吐出し、熱可塑性樹脂層１３の表面に着弾させることによって液状材料を塗布する。
吐出ヘッド２０は、インクジェットプリンタに用いるものと基本的に同様の構造を有するものである。より具体的には、吐出ヘッド２０の内部には、液状材料を収容する収容室２１と、この収容室２１に連通した吐出室２２とが設けられている。収容室２１には液状材料の供給ラインが接続される。吐出室２２には、動作可能に構成された圧電体で構成された圧電内壁部２２ｂが臨むように設けられ、また、外部に通ずる吐出口２２ａが形成されている。圧電内壁部２２ｂは駆動電圧に応じて変形するように構成され、圧電内壁部２２ｂが外側に撓んで吐出室２２の容積が増大すると、収容室２１から液状材料が吐出室２２内に流入し、圧電内壁部２２ｂが内側に撓んで吐出室２２の容積が減少すると、吐出口２２ａから液状材料の液滴Ｓが吐出されるように構成されている。
液状材料は、例えば、導電性粒子を溶媒中に分散させたものであり、液滴Ｓの吐出数によって塗布量を正確に設定することができる。また、熱可塑性樹脂層１３と吐出ヘッド２０とは相対的に移動可能に構成されており、これによって吐出ヘッド２０から吐出される液滴Ｓの着弾位置を制御することができるように構成されている。したがって、液滴Ｓの吐出数や着弾位置を調整することで、熱可塑性樹脂層１３の表面上の任意の位置に任意の形状で液状材料Ｍを塗布することができる。液状材料Ｍは、乾燥や焼成によって硬化し、図２（ｃ）に示す導電体２５，２６となる。
上記の導電体形成方法では、パターニング処理を行わずに導電体２５，２６を正確に形成することができる。また、この方法には、露出したバンプ電極１１，１２を目標にして導電体２５，２６を形成することができるためアライメント作業が容易になるという利点がある。
上記の導電体形成工程では、流動性材料として導電性ペーストを用い、この導電性ペーストを印刷法（例えば、スクリーン印刷法）によって熱可塑性樹脂層１３の表面上に印刷し、その後、加熱や静置などによって硬化させるようにしてもよい。この方法では、印刷法によって安価かつ効率的に導電体２５，２６を形成することができる。
本実施形態により形成される電子部品実装体１０Ｐ'は基本的に第１実施形態の電子部品実装体１０Ｐと同じ構造を有し、同様の効果を奏する。
なお、この導電体形成工程では、流動性材料を熱可塑性樹脂層１３の表面上に選択的に塗布するものであるが、流動性材料としては、上記の液体やペースト材だけでなく、粉体なども用いることができる。また、流動性材料の硬化方法としては、材料特性に応じて、溶媒を揮発させるなどの乾燥処理、加熱して溶着作用若しくは焼結作用を生じさせる焼成処理、化学反応による硬化を生じさせる処理などの種々の方法を適用できる。
（変形例）
以下、第２の実施形態の変形例について図面を参照して説明する。本変形例では、導電体２５，２６を形成する工程は、図３（ａ）に示すように、熱可塑性樹脂層１３の電子構造基板１０とは反対側の表面に、パターニングされた開口３０２を有するレジスト層３００を形成する工程を含む。レジスト層３００を形成する工程は特に限定されるものではなく、既に公知となっているいずれかの方法で形成してもよい。例えば、熱硬化性樹脂層１３の表面に全面にレジスト層を形成した後に、その一部を除去することによって開口３０２を有するレジスト層３００を形成してもよい。このとき、例えば露光工程及び現像工程によって、レジスト層の一部を除去してもよい。開口３０２は、溝状に形成してもよい。そして、本変形例では、導電体２５，２６を、熱硬化性樹脂層１３における開口３０２からの露出部３１３に形成する（図３（ｃ）参照）。言い換えると、導電体２５，２６を、開口３０２内に形成してもよい。これによると、導電体２５，２６を、開口３０２の幅と同じ幅になるように形成することができる。すなわち、開口３０２によって、導電体２５，２６の幅を制限することができる。そのため、導電体２５，２６を設計通りに形成することが可能となる。
本変形例では、図３（ｂ）に示すように、導電体２５，２６を、導電性微粒子を含有する溶剤３０５を利用して形成してもよい。詳しくは、導電性微粒子を含有する溶剤３０５を選択的に吐出して、導電体２５，２６を形成してもよい。これにより、効率よく導電体２５，２６を形成することができる。このとき、図３（ｂ）に示すように、溶剤３０５を、開口３０２上から吐出してもよい。言い換えると、溶剤３０５を、露出部３１３上に吐出してもよい。これにより、導電体２５，２６を、露出部３１３上に形成することができる。ここで、導電性微粒子は、金や銀等の酸化しにくく、電気抵抗の低い材料から形成されていてもよい。金の微粒子を含む溶剤として、真空冶金株式会社の「パーフェクトゴールド」、銀の微粒子を含む溶剤として、同社の「パーフェクトシルバー」を使用してもよい。なお、微粒子とは、特に大きさを限定したものではなく、分散媒とともに吐出できる粒子である。また、導電性微粒子は、反応を抑制するために、コート材によって被覆されていてもよい。溶剤３０５は、乾燥しにくく再溶解性のあるものであってもよい。導電性微粒子は、溶剤３０５中に均一に分散していてもよい。導電体２５，２６を形成する工程は、溶剤３０５を吐出することを含んでもよい。導電性微粒子を含有する溶剤３０５の吐出は、インクジェット法やバブルジェット（登録商標）法等によって行ってもよい。あるいは、マスク印刷やスクリーン印刷あるいはディスペンサによって、溶剤３０５を吐出してもよい。そして、分散媒を揮発させる工程や、導電性微粒子を保護しているコート材を分解する工程等を経て、導電部材を形成してもよい。そして、これらの工程によって、あるいはこれらの工程を繰り返すことによって、図３（ｃ）に示すように、導電体２５，２６を形成してもよい。
なお、本変形例では、レジスト層３００を、上端面３０４が、熱可塑性樹脂層１３の電子構造基板１０とは反対側の表面よりも、溶剤３０５との親和性が悪くなるように形成してもよい。言い換えると、レジスト層３００を、上端面３０４が、露出部３１３よりも、溶剤３０５との親和性が悪くなるように形成してもよい。これによれば、溶剤３０５がレジスト層３００の開口３０２内に入り込みやすくなるため、開口３０２の幅が溶剤３０５の液滴の直径よりも小さい場合でも、導電体２５，２６を効率よく製造することができる。すなわち、溶剤３０５の液滴の直径よりも幅の狭い導電体を、効率よく製造することができる。例えば、熱可塑性樹脂層１３を構成する樹脂よりも、溶剤３０５との親和性が悪い材料を利用してレジスト層３００を形成してもよい。
本変形例では、図３（ｄ）に示すように、導電体２５，２６を形成した後に、レジスト層３００を除去する工程を含んでいてもよい。レジスト層３００を除去することで、レジスト層３００上の導電性微粒子を除去することができるため、導電体２５，２６同士の電気的なショートが発生しにくい、信頼性の高い電子部品実装体を形成することができる。
［第３実施形態］
次に、図４を参照して、本発明に係る第３実施形態について説明する。この実施形態でも、第１実施形態又は第２実施形態と同一の構成要素には同一符号を付し、それらの説明は省略する。
本実施形態では、電子構造基板１０の実装面１０Ｘ上に型成形によって熱可塑性樹脂層を形成する。より具体的には、図４（ａ）に一点鎖線で示すように、電子構造基板１０の実装面１０Ｘ上にキャビティＣが配置されるような態様で、金型内に電子構造基板１０をセットし、図示しない射出成形機などを用いることによって、矢印で示すように溶融樹脂をキャビティＣ内に注入する。その後、金型内部の温度が低下することによって注入された樹脂が硬化し、図４（ｂ）に示す熱可塑性樹脂層２３が形成される。
本実施形態では、型成形により熱可塑性樹脂層２３を形成するため、型形状によって熱可塑性樹脂層２３を自由な形状に成形できる。図示例では、電子構造基板１０に設けられた電子構造領域１０Ａ毎に独立した熱可塑性樹脂層２３が形成されている。もちろん、本実施形態においても、第１実施形態及び第２実施形態と同様に一体の熱可塑性樹脂層を形成してもよい。また、本実施形態のように相互に分離した複数の熱可塑性樹脂層を第１実施形態及び第２実施形態において適用しても構わない。
その後、第２実施形態と同じ方法で、図４（ｃ）に示すように、バンプ電極１１，１２に導電接続された導電体２５，２６を形成する。その後、第１実施形態と同様にして、電子構造分割基板１０Ｂ、熱可塑性分割層２３Ｂ及び導電体２５，２６を備えた電子部品実装体２０Ｐを分割形成する。
この実施形態において、上述のように熱可塑性樹脂層２３が電子構造領域１０Ａ毎に分離した状態で形成されていれば、電子構造基板１０を分割するだけで電子部品実装体２０Ｐを形成することができる。したがって、特にスクライブ・ブレイク法だけで分割を完了させることができるなど、分割作業を容易に行うことが可能になる。
なお、本実施形態において、予め上記の金型内に第１実施形態と同じ導体層１４をバンプ電極１１，１２に接触するように配置しておき、金型内に樹脂を注入することによって、電子構造基板１０と導体層１４との間に熱可塑性樹脂層２３が配置されるように成形してもよい。
［第４実施形態］
次に、図５を参照して本発明に係る第４実施形態について説明する。この実施形態では、図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、上記と同様のバンプ電極３１，３２を備えた電子構造領域３０Ａを複数有する電子構造基板３０に熱可塑性樹脂層３３を積層したとき、バンプ電極３１，３２は熱可塑性樹脂層３３の内部に埋設されるが、バンプ電極３１，３２の先端が熱可塑性樹脂層３３の表面に露出しない。したがって、この実施形態では、熱可塑性樹脂層３３の厚さがバンプ電極３１，３２の突出高さよりも或る程度厚く形成されていてもよい。
次に、図５（ｃ）に示すように、熱可塑性樹脂層３３の表面に穴３３ａ，３３ｂを形成し、上記のように埋設されているバンプ電極３１，３２を露出させる。この場合に、熱可塑性樹脂層３３には、温度変化による寸法変化の少ない電子構造基板３０を基準にアライメントを行った上で穿孔を施すことができるので、正確な位置に穴３３ａ，３３ｂを形成できる。また、熱可塑性樹脂層３３を光を透過する材質で構成することによって、表面側から視認されるバンプ電極３１，３２を基準として穴を形成してもよい。
図７には、本実施形態の穿孔方法の一例を示す。この穿孔方法では、レーザ発振器３５で発生したレーザ光３５Ｒを熱可塑性樹脂層３３に照射することによって熱可塑性樹脂を溶融して焼失させ、穴３３ａ，３３ｂを形成する。図示例では、レーザ発振器３５から光ファイバ３６及び光学系３７を介してレーザ光３５Ｒが熱可塑性樹脂層３３に照射される。穴３３ａ，３３ｂは、バンプ電極３１，３２が穴内に露出するように形成される。穴３３ａ，３３ｂの直径は、例えば１０〜５０μｍ程度であり、バンプ電極３１，３２とほぼ同じ径であることが好ましいが、バンプ電極よりも小径であってもよい。
上記のように穴３３ａ，３３ｂが形成されると、次に、図５（ｃ）に示すように、穴３３ａ，３３ｂ内に導電材料Ｎが充填される。この導電材料Ｎとしては、例えば、Ｓｎ，ＩＮ，Ｚｎなどといった低融点金属の粉体を加熱溶融させたもの、同金属の柱状体、或いは、金属ペーストなどといった導電性粒子を分散させた導電性の流動材料を硬化させたものなどを用いることができる。バンプ電極３１，３２と導電材料Ｎとは、加熱処理などによって相互に合金接合していることが好ましい。この導電材料Ｎは、バンプ電極３１，３２に導電接続された状態で熱可塑性樹脂層３３の表面上に露出した状態となる。
その後、上記第２実施形態又は第３実施形態と同じ方法で、導電材料Ｎに導電接続された導電体３５，３６を熱可塑性樹脂層３３の表面上に形成する。最後に、第１実施形態と同様の方法で、電子構造分割基板３０Ｂ、熱可塑性樹脂分割層３３Ｂ及び導電体３５，３６を備えた電子部品実装体３０Ｐを分割形成する（図５（ｄ）参照）。
本実施形態では、樹脂積層工程においてバンプ電極３１，３２を熱可塑性樹脂層３３の表面上に露出させる必要がないため、樹脂積層工程を容易に実施することができる。また、熱可塑性樹脂層３３を穿孔してバンプ電極３１，３２に導電接続する導電材料Ｎを充填するので、バンプ電極３１，３２と導電対３５，３６との間の電気的信頼性を高めることができる。
本実施形態により形成された電子部品実装体３０Ｐは、基本的に先に説明した各実施形態の電子部品実装体と同様であるが、導電材料Ｎを用いてバンプ電極３１，３２と導電体３５，３６との電気的導通を確保していることにより、バンプ電極３１，３２の形状や突出高さ、熱可塑性樹脂層３３の厚さなどに対してより高い自由度を有するという利点がある。
［第５実施形態］
次に、図８を参照して、本発明に係る電気光学装置を示す第５実施形態について説明する。この実施形態では、上記各実施形態にて製造した電子部品実装体１０Ｐを備えた電気光学装置１００を構成してある。以下においては電子部品実装体１０Ｐを用いる場合を例にとり説明するが、電子部品実装体１０Ｐ'，２０Ｐ，３０Ｐについても同様に用いることができる。ここで、電子部品実装体１０Ｐは、その電子構造領域に電気光学装置を駆動するための駆動信号を生成する回路を内包するもの（すなわち、液晶駆動用ＩＣチップの実装体）であることが望ましい。
本実施形態の電気光学装置１００は、液晶表示装置であり、電気光学パネル（液晶パネル）１１０と、これに実装された回路基板（フレキシブル配線基板）１２０とを備えている。電気光学パネル１１０は、ガラスやプラスチックなどで構成される一対の基板１１１と１１２をシール材１１３によって貼り合わせてなり、両基板１１１と１１２の間には液晶などの電気光学物質１１４が封入されている。基板１１１の内面上には、ＩＴＯなどの透明導電体で構成された透明電極１１１ａが形成され、その上を配向膜１１１ｂが覆っている。また、基板１１２の内面上には上記と同様の材料で構成された透明電極１１２ａが形成され、その上を配向膜１１２ｂが被覆している。また、基板１１１及び１１２の外面上には偏光板１１５，１１６が配置されている。
一方、回路基板１２０は、絶縁基材１２１の表面（図示下面）上にＣｕなどで構成される配線パターン１２１ａが形成されてなる。絶縁基材１２１はエポキシやポリイミドなどの熱硬化性樹脂、又はポリエステル、ポリアミド、芳香族ポリエステル、芳香族ポリアミド、テトラフロオロエチレン、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂で構成される。配線パターン１２１ａは、電気光学パネル１１０に対する接続端子部１２１ｂなどの端子部分を除いて保護膜１２２により被覆されている。接続端子部１２１ｂは異方性導電膜１１７を介して基板１１１の表面上の配線１１１ｃに導電接続されている。なお、この配線１１１ｃは、上記透明電極１１１ａ，１１２ａに導電接続され、それぞれ基板１１１の基板張出部（基板１１２の外形よりも周囲に張り出した部分）に引き出されたものである。
絶縁基材１２１の配線パターン１２１ａが形成されている表面とは反対側の表面（図示上面）には、上記配線パターン１２１ａに導電接続された接続パッド１２３，１２４，１２５，１２６が露出している。そして、これらの接続パッドに各種の電子部品１２７，１２８が実装されている。接続パッド１２３，１２４には、上述の電子部品実装体１０Ｐが実装されている。この電子部品実装体１０Ｐは、加圧加熱ヘッドなどにより加熱された状態で回路基板１２０に対して押し付けられ、加圧される。これによって熱可塑性樹脂分割層１３Ｂの一部が軟化若しくは溶解して、導電体３５，３６と接続パッド１２３，１２４との導電接続部分の周囲を熱可塑性樹脂分割層１３Ｂが覆い、電子部品実装体１０Ｐと絶縁基材１２１との間の隙間が完全に密閉される。このようにすると、アンダーフィル樹脂の注入作業が不要であるために実装作業が容易になり、また、ボイドの発生を抑制することができることから実装構造の電気的信頼性を高めることができる。
特に、本実施形態の回路基板の絶縁基材１２１が熱可塑性樹脂で構成されている場合、電子部品実装体１０Ｐの熱可塑性樹脂分割層１３Ｂとの溶着性が良好であることから、十分な保持力及び封止性能を備えた実装構造を得ることができる。
［第６実施形態］
最後に、図９を参照して本発明に係る別の電気光学装置を示す第６実施形態について説明する。この実施形態の電気光学装置（液晶表示装置）２００は、電気光学パネル２１０と、これに実装された回路基板２２０とを有する。電気光学パネル２１０は、第５実施形態の電気光学パネル１１０とほぼ同様の構造を有し、基板２１１，２１２、透明電極２１１ａ，２１２ａ、配向膜２１１ｂ，２１２ｂ、配線２１１ｃ、シール材２１３、液晶などの電気光学物質２１４、偏光板２１５，２１６及び異方性導電膜２１７は第５実施形態で説明したものと同じであるため、説明を省略する。ただし、本実施形態では、回路基板２２０が導電接続される入力配線２１１ｄが配線２１１ｃとは別途形成されている。
また、回路基板２２０においても、絶縁基材２２１、配線パターン２２１ａ、接続端子部２２１ｂ、保護膜２２２、接続パッド部２２３，２２４，２２５，２２６、及び、電子部品２２７，２２８，２２９は第５実施形態で説明したものと同じであるので、説明を省略する。
この実施形態では、電気光学パネル２１０を構成する一方の基板２１１の表面上に上記の電子部品実装体１０Ｐが直接実装されている点で、第５実施形態とは異なる。電子部品実装体１０Ｐは、上記と同様に基板２１１の基板張出部上に引き出されてなる配線２１１ｃ及び上記の入力配線２１１ｄに対して導電体１５，１６を導電接続させた状態で基板２１１に直接実装されている。基板２１１はガラスやプラスチックなどで構成されるが、本実施形態では、電子部品実装体１０Ｐを基板２１１上に配置し、加圧加熱状態とすることによって、熱可塑性樹脂分割層１３Ｂが軟化若しくは溶解することにより基板２１１に対して密着固定される。
このように、本実施形態では、電気光学パネル２１０の基板２１１上に電子部品実装体１０Ｐを直接実装することが可能になるため、上述のような異方性導電膜を用いる必要がなくなることから、実装コストを低減することができるとともに、効率的に実装を行うことができる。
［第７実施形態］
最後に、図１０及び図１１を参照して、本発明に係る電子機器の実施形態について説明する。この実施形態では、上記電気光学装置（液晶装置２００）を表示手段として備えた電子機器について説明する。図１０は、本実施形態の電子機器における液晶装置２００に対する制御系（表示制御系）の全体構成を示す概略構成図である。ここに示す電子機器は、表示情報出力源２９１と、表示情報処理回路２９２と、電源回路２９３と、タイミングジェネレータ２９４と、光源制御回路２９５とを含む表示制御回路２９０を有する。また、上記と同様の液晶装置２００には、上述の構成を有する液晶パネル２１０を駆動する駆動回路２１０Ｄが設けられている。この駆動回路２１０Ｄは、上記のように液晶パネル２１０に直接実装されている電子部品実装体１０Ｐの半導体ＩＣチップで構成される。ただし、駆動回路２１０Ｄは、上記のような態様の他に、パネル表面上に形成された回路パターン、或いは、液晶パネルに導電接続された回路基板に実装された半導体ＩＣチップ若しくは回路パターンなどによっても構成することができる。
表示情報出力源２９１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ２９４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路２９２に供給するように構成されている。
表示情報処理回路２９２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路２１０Ｄへ供給する。駆動回路２１０Ｄは、走査線駆動回路、信号線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路２９３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。
光源制御回路２９５は、外部から導入される制御信号に基づいて、電源回路２９３から供給される電力を照明装置２８０の光源部２８１（具体的には発光ダイオードなど）に供給する。この光源制御回路２９５は、上記制御信号に応じて光源部２８１の各光源の点灯／非点灯を制御する。また、各光源の輝度を制御することも可能である。光源部２８１から放出された光は導光板２８２を介して液晶パネル２１０へ照射される。
図１１は、本発明に係る電子機器の一実施形態である携帯電話の外観を示す。この電子機器２０００は、操作部２００１と、表示部２００２とを有し、表示部２００２の内部に回路基板２１００が配置されている。回路基板２１００上には上記の液晶装置２００が実装されている。そして、表示部２００２の表面において上記液晶パネル２１０を視認できるように構成されている。
尚、本発明は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記電気光学装置の実施形態では、パッシブマトリクス型の液晶表示装置を例示したが、本発明は図示例のようなパッシブマトリクス型の液晶表示装置だけではなく、アクティブマトリクス型の液晶表示装置（例えばＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やＴＦＤ（薄膜ダイオード）をスイッチング素子として備えた液晶表示装置）にも同様に適用することが可能である。また、液晶表示装置だけでなく、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display等）などの各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用することが可能である。
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
第１実施形態の製造方法を模式的に示す概略工程断面図（ａ）−（ｃ）。 第２実施形態の製造方法を模式的に示す概略工程断面図（ａ）−（ｃ）。 第２実施形態の製造方法の変形例を模式的に示す概略工程断面図（ａ）−（ｄ）。 第３実施形態の製造方法を模式的に示す概略工程断面図（ａ）−（ｃ）。 第４実施形態の製造方法を模式的に示す概略工程断面図（ａ）−（ｄ）。 第２実施形態の導電体の製造工程を模式的に示す概略工程説明図。 第４実施形態の樹脂穿孔工程を模式的に示す概略工程説明図。 第５実施形態の電気光学装置の実装構造を模式的に示す概略断面図。 第６実施形態の電気光学装置の実装構造を模式的に示す概略断面図。 電気光学装置を備えた電子機器の表示制御系を示す概略構成図。 電子機器の概略斜視図。
符号の説明
１０ 電子構造基板、１０Ａ 電子構造領域、１１，１２ バンプ電極、１３ 熱可塑性樹脂層、１４ 導体層、１５，１６ 導電体、１０Ｐ 電子部品実装体、１０Ｂ 電子構造分割基板、１３Ｂ 熱可塑性樹脂分割層、１００，２００ 電気光学装置、１１０，２１０ 電気光学パネル、１２０ 回路基板、２０００ 電子機器（携帯電話）

Claims (18)

  1. 複数の電子構造領域を有し、該電子構造領域毎にバンプ電極を具備する電子構造基板の表面に、前記バンプ電極が埋設されるように熱可塑性樹脂層を形成する樹脂積層工程と、前記熱可塑性樹脂層の前記電子構造基板とは反対側の表面に、前記バンプ電極に導電接続される導電体を形成する導電体形成工程と、
    前記電子構造基板を前記電子構造領域毎に分割することにより、前記電子構造領域を含んで構成される電子部品が、前記バンプ電極に導電接続された前記導電体を有する前記熱可塑性樹脂層に実装されてなる電子部品実装体を形成する部品分割工程と、
    を有することを特徴とする電子部品実装体の製造方法。
  2. 前記樹脂積層工程では、前記電子構造基板若しくは前記熱可塑性樹脂層を加熱しながら前記熱可塑性樹脂層を積層することを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装体の製造方法。
  3. 前記樹脂積層工程では、前記電子構造基板に対して前記熱可塑性樹脂層を型成形によって積層することを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装体の製造方法。
  4. 前記樹脂積層工程では、前記バンプ電極が前記熱可塑性樹脂層を貫通し、前記熱可塑性樹脂層における前記電子構造基板とは反対側の表面に露出するように構成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子部品実装体の製造方法。
  5. 前記樹脂積層工程では、前記電子構造基板に前記熱可塑性樹脂層を積層したときに、前記バンプ電極が前記熱可塑性樹脂層内から前記熱可塑性樹脂層の反対側に予め配置された導体層と導電接触するように構成し、
    前記導電体形成工程では、前記導体層をパターニングして前記導電体を形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子部品実装体の製造方法。
  6. 前記樹脂積層工程と前記導電体形成工程との間に、前記熱可塑性樹脂層における前記電子構造基板とは反対側の表面に前記バンプ電極を露出させる穴を形成する樹脂穿孔工程と、前記穴に導電材料を充填する導電材料充填工程とを有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子部品実装体の製造方法。
  7. 前記導電体形成工程では、前記熱可塑性樹脂層における前記電子構造基板とは反対側の表面上に流動性材料を選択的に塗布し、前記流動性材料を硬化させることによって前記導電体を形成することを特徴とする請求項１乃至４、６のいずれか一項に記載の電子部品実装体の製造方法。
  8. 前記導電体形成工程では、液状の前記流動性材料を液滴として選択的に吐出することを特徴とする請求項７に記載の電子部品実装体の製造方法。
  9. 前記導電体形成工程では、ペースト状の前記流動性材料を選択的に印刷することを特徴とする請求項７に記載の電子部品実装体の製造方法。
  10. 前記導体形成工程は、前記熱可塑性樹脂層の前記電子構造基板とは反対側の表面上にパターニングされた開口を有するレジスト層を形成する工程を含み、
    前記導電体を、前記熱可塑性樹脂層における前記開口からの露出部に形成することを特徴とする請求項１乃至４、６乃至９のいずれか一項に記載の電子部品実装体の製造方法。
  11. 前記導電体形成工程は、導電性微粒子を含有する溶剤を選択的に吐出する工程を含み、
    前記レジスト層を、上端面が、前記熱可塑性樹脂層の前記電子構造基板とは反対側の表面よりも前記溶剤との親和性が悪くなるように形成することを特徴とする請求項１０記載の電子部品実装体の製造方法。
  12. 前記導電体を形成した後に、前記レジスト層を除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の電子部品実装体の製造方法。
  13. 請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の製造方法により製造された電子部品実装体を熱圧着により回路基板上に実装する工程と、前記回路基板を電気光学パネルに実装する工程とを有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  14. 請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の製造方法により製造された電子部品実装体を電気光学パネルを構成する基板上に熱圧着により実装することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  15. バンプ電極を備えた電子部品と、該電子部品の前記バンプ電極の形成面上に積層された熱可塑性樹脂層と、該熱可塑性樹脂層の表面上に形成され、前記バンプ電極に導電接続された導電体とを有し、
    前記熱可塑性樹脂層の外縁が前記電子部品の外縁上若しくはそれよりも内側に配置されていることを特徴とする電子部品実装体。
  16. 電気光学パネルと、該電気光学パネルに実装された回路基板とを有し、請求項１５に記載の電子部品実装体が前記回路基板上に実装されていることを特徴とする電気光学装置。
  17. 電気光学パネルと、該電気光学パネルを構成する基板上に実装された請求項１５に記載の電子部品実装体とを有することを特徴とする電気光学装置。
  18. 請求項１６又は１７に記載の電気光学装置と、該電気光学装置を制御する制御手段とを有することを特徴とする電気光学装置。
JP2004069556A 2003-08-21 2004-03-11 電子部品実装体の製造方法、電気光学装置の製造方法、電子部品実装体、電気光学装置 Withdrawn JP2005101506A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004069556A JP2005101506A (ja) 2003-08-21 2004-03-11 電子部品実装体の製造方法、電気光学装置の製造方法、電子部品実装体、電気光学装置
US10/916,609 US20050067635A1 (en) 2003-08-21 2004-08-12 Method of manufacturing electronic component, method of manufacturing electro-optical device, electronic component, and electro-optical device
KR1020040065293A KR100651002B1 (ko) 2003-08-21 2004-08-19 전자 부품의 제조 방법, 전기 광학 장치의 제조 방법,전자 부품, 전기 광학 장치
CNB2004100576741A CN100346452C (zh) 2003-08-21 2004-08-23 电子零件及其制造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003297651 2003-08-21
JP2004069556A JP2005101506A (ja) 2003-08-21 2004-03-11 電子部品実装体の製造方法、電気光学装置の製造方法、電子部品実装体、電気光学装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006013921A Division JP4247634B2 (ja) 2003-08-21 2006-01-23 電子部品実装体の製造方法、電気光学装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005101506A true JP2005101506A (ja) 2005-04-14

Family

ID=34380280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004069556A Withdrawn JP2005101506A (ja) 2003-08-21 2004-03-11 電子部品実装体の製造方法、電気光学装置の製造方法、電子部品実装体、電気光学装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20050067635A1 (ja)
JP (1) JP2005101506A (ja)
KR (1) KR100651002B1 (ja)
CN (1) CN100346452C (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100915145B1 (ko) * 2006-06-01 2009-09-03 아미테크 어드밴스드 멀티레이어 인터컨넥트 테크놀러지 리미티드 개선된 다중층 코어리스 지지 구조 및 그 제조 방법

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3835460B2 (ja) * 2004-04-08 2006-10-18 セイコーエプソン株式会社 電子部品実装体の製造方法、及び電気光学装置
JP2008235556A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 配線板モジュール及び該配線板モジュールの製造方法
US8803183B2 (en) * 2010-10-13 2014-08-12 Ho Cheng Industrial Co., Ltd. LED heat-conducting substrate and its thermal module
JP6406235B2 (ja) * 2015-12-16 2018-10-17 オムロン株式会社 電子装置及びその製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6314455A (ja) * 1986-07-07 1988-01-21 Hitachi Maxell Ltd 半導体装置
KR100855530B1 (ko) * 1998-09-03 2008-09-01 이비덴 가부시키가이샤 다층프린트배선판 및 그 제조방법
DE60042787D1 (de) * 1999-07-16 2009-10-01 Panasonic Corp Verfahren zur Herstellung einer verpackten Halbleiteranordnung
EP1259103B1 (en) * 2000-02-25 2007-05-30 Ibiden Co., Ltd. Multilayer printed wiring board and method for producing multilayer printed wiring board
JP2003092310A (ja) * 2001-09-17 2003-03-28 Nagase & Co Ltd 封止樹脂付突起電極付ｉｃチップとその製造方法
JP2003124259A (ja) * 2001-10-15 2003-04-25 Seiko Epson Corp 電子部品の実装構造、電子部品モジュール、および電子部品の実装方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100915145B1 (ko) * 2006-06-01 2009-09-03 아미테크 어드밴스드 멀티레이어 인터컨넥트 테크놀러지 리미티드 개선된 다중층 코어리스 지지 구조 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN1584670A (zh) 2005-02-23
CN100346452C (zh) 2007-10-31
US20050067635A1 (en) 2005-03-31
KR20050020674A (ko) 2005-03-04
KR100651002B1 (ko) 2006-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8336201B2 (en) Method of manufacturing printed circuit board having flow preventing dam
KR100676156B1 (ko) 전자 소자의 실장 방법, 전자 장치의 제조 방법, 회로 기판및 전자 기기
US8497432B2 (en) Electronic component mounting structure
US7297876B2 (en) Circuit board and method of manufacturing the same
KR100707587B1 (ko) 전자 부품 실장체의 제조 방법 및 전기 광학 장치
JP4487875B2 (ja) 電子基板の製造方法及び電気光学装置の製造方法並びに電子機器の製造方法
JP4487883B2 (ja) 電子部品内蔵モジュールの製造方法
KR101525158B1 (ko) 인쇄회로기판 조립체 및 그 제조방법
JP4247634B2 (ja) 電子部品実装体の製造方法、電気光学装置の製造方法
JP2005101507A (ja) 電子部品実装体の製造方法及び電気光学装置の製造方法
JP2005101506A (ja) 電子部品実装体の製造方法、電気光学装置の製造方法、電子部品実装体、電気光学装置
US20050285277A1 (en) Circuit film with bump, film package using the same, and related fabrication methods
JP2007281116A (ja) 半導体装置の製造方法
JP5589314B2 (ja) 電子部品モジュールの製造方法
WO2000021135A1 (fr) Dispositif semi-conducteur et son procede de fabrication
JP2009070866A (ja) 半導体装置
JP2000307221A (ja) 電子部品の電気接続方法
JP2002050853A (ja) 回路基板のコーティング方法、およびその方法によって製造された回路基板
JP2010240850A (ja) 液滴吐出ヘッド、液滴吐出ヘッドの製造方法、及び液滴吐出装置
JPH06180459A (ja) 液晶表示装置の実装構造及びその製造方法
JP2008124106A (ja) 多層配線基板の製造方法
JP2005134541A (ja) レジストパターン形成方法
JP2010232342A (ja) 半導体装置の実装構造及び半導体装置の実装方法
JP2010251412A (ja) 半導体装置の実装構造及び半導体装置の実装方法
JP2004214053A (ja) コネクタの接続方法、コネクタの接続構造およびコネクタ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050811

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20050811

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20050830

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20051109

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051124

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20051221

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060123

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060215

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20060414