JP2005101507A - 電子部品実装体の製造方法及び電気光学装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の電子部品実装体の製造方法は、バンプ電極11,12を具備する複数の電子部品10を一体の熱可塑性樹脂層13に対してバンプ電極が熱可塑性樹脂層内に埋設されるように装着する部品装着工程と、熱可塑性樹脂層の電子部品とは反対側の表面に、バンプ電極に導電接続された導電体15,16を形成する導電体形成工程と、熱可塑性樹脂層を電子部品毎に分割することにより、電子部品が導電体を有する熱可塑性樹脂層に実装された電子部品実装体10Pを形成する部品分割工程とを有することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
(2)本発明において、前記部品装着工程では、前記電子部品若しくは前記熱可塑性樹脂層を加熱することが好ましい。電子部品若しくは熱可塑性樹脂層を加熱することによってバンプ電極に接した熱可塑性樹脂の少なくとも一部を軟化若しくは溶融させることができるため、バンプ電極を熱可塑性樹脂の内部に容易かつ確実に埋設することができる。
(3)本発明において、前記樹脂積層工程では、前記バンプ電極が前記熱可塑性樹脂層を貫通し、前記熱可塑性樹脂層における前記電子部品とは反対側の表面に露出するように構成することが好ましい。これによれば、部品装着工程においてバンプ電極が熱可塑性樹脂層の表面に露出しているため、導電体形成工程における導電体のアライメント作業が容易になるとともに、導電体を容易かつ確実にバンプ電極と導電接続させることができる。
(4)本発明において、前記部品装着工程では、前記バンプ電極が前記熱可塑性樹脂層内から前記熱可塑性樹脂層の反対側に予め配置された導体層と導電接触するように構成し、前記導電体形成工程では、前記導体層をパターニングして前記導電体を形成することが好ましい。これによれば、部品装着工程においては熱可塑性樹脂層の表面上に全面的に、或いはバンプ電極よりもある程度大きな範囲に導体層を形成しておくことで、バンプ電極を導体層に確実に導電接触させることができるとともに、導体層形成工程では、導体層をパターニングして所望の形状或いはパターンで導電体を形成することができるため、熱可塑性樹脂層の表面に予めパターニング済みの導電体を形成しておく場合に較べると、部品装着工程におけるアライメントを不要にすることができる。
(5)本発明において、前記部品装着工程の前に、前記熱可塑性樹脂層に貫通孔を形成する樹脂穿孔工程と、前記貫通孔内に導電材料を配置する導電材料配置工程とを有し、前記部品装着工程では、前記バンプ電極を前記貫通孔に挿入して前記導電材料に導電接続させることが好ましい。これによれば、樹脂穿孔工程により熱可塑性樹脂層に貫通孔を設けるとともにその内部に導電材料を配置することによって、バンプ電極の突出高さよりも熱可塑性樹脂層が厚い場合でも導電材料を介してバンプ電極と導電体とを確実に導電接続させることができるため、電子部品実装体の構造上の自由度を高めることができるとともに電気的信頼性を高めることができる。特に、熱可塑性樹脂層の反対側に導体層を配置し、この状態で導体層に導電接続するように上記の導電材料を貫通孔の内部に配置し、電子部品を装着した後に、導体層をパターニングして上記導電体を形成することが望ましい。
(6)本発明において、前記部品装着工程では、前記熱可塑性樹脂層を型成形により前記電子部品に対して一体に成形することが好ましい。型成形によって熱可塑性樹脂層を形成することにより、熱可塑性樹脂層の形状を高精度に規定することができる。例えば、バンプ電極が熱可塑性樹脂層の電子部品とは反対側の表面に確実に露出するように構成することができる。この場合、例えば、型の内部に電子部品を配置するインサート成形法によって容易に熱可塑性樹脂層を成形できる。型成形としては、射出成形法、ブロー成形法などを用いることができる。
(7)本発明において、前記部品装着工程では、前記複数の電子部品を支持体に保持することによって一体化した状態で前記型成形を行うことが好ましい。これによれば、支持体により複数の電子部品が一体化されることにより取り扱いが容易になるとともに、電子部品に対して熱可塑性樹脂層を高精度に成形することが可能になる。
(8)本発明において、前記支持体は前記バンプ電極に導電接続された導電体であり、前記導電体形成工程では、前記支持体をパターニングすることにより前記導電体を形成することが好ましい。これによれば、支持体を除去する必要がなくなるとともに、支持体をそのままパターニングするだけで導電体を形成することができるので、工程数を減らすことができ、製造コストを削減できる。
(9)本発明において、前記導電体形成工程では、前記熱可塑性樹脂層における前記電子部品とは反対側の表面上に流動性材料を選択的に塗布し、前記流動性材料を硬化させることによって前記導電体を形成することが好ましい。導電体形成工程は、熱可塑性樹脂層上に導体層を成膜し、この導体層をフォトリソグラフィ法などによってパターニングする方法で形成することもできる。しかし、この方法では、導体層が熱可塑性樹脂層の表面を覆ってしまうため、導電体のパターニング時のアライメントがやや困難になる。これに対して、熱可塑性樹脂層の表面上に流動性材料を選択的に塗布して硬化させることによって導体層を形成する方法では、熱可塑性樹脂層の表面が覆われないので、アライメントが容易になり、正確な位置に導電体を形成できる。ここで、流動性材料の硬化としては、流動性材料の特性に応じて、加熱、光照射、放置(静置)などによる乾燥、焼成、化学反応などによる硬化作用を用いることができる。
(10)この場合に、前記導電体形成工程では、液状の前記流動性材料を液滴として選択的に吐出することが望ましい。これによって、流動性材料の塗布位置及び塗布量の精度を高めることができる。液滴の吐出は、例えば、圧電体方式或いは熱気泡方式などのインクジェットヘッドを用いて行うことができる。
(11)また、前記導電体形成工程では、ペースト状の前記流動性材料を選択的に印刷することが望ましい。これによって、低コストで効率的に導電体を形成することができる。印刷方法としてはスクリーン印刷が挙げられる。
(12)本発明において、前記導体形成工程は、前記熱可塑性樹脂層の前記電子部品とは反対側の表面上にパターニングされた開口を有するレジスト層を形成する工程を含み、
前記導電体を、前記熱可塑性樹脂層における前記開口からの露出部に形成してもよい。これによれば、設計通りに導電体を形成することができる。
(13)この場合に、前記導電体形成工程は、導電性微粒子を含有する溶剤を選択的に吐出する工程を含み、
前記レジスト層を、上端面が、前記熱可塑性樹脂層の前記電子部品とは反対側の表面よりも前記溶剤との親和性が悪くなるように形成してもよい。これによれば、効率よく導電体を形成することができる。
(14)この場合に、前記導電体を形成した後に、前記レジスト層を除去する工程をさらに含んでいてもよい。これによれば、信頼性の高い電子部品実装体を製造することができる。
(15)次に、本発明の電気光学装置の製造方法は、上記のいずれかに記載の製造方法により製造された電子部品実装体を熱圧着により回路基板上に実装する工程と、前記回路基板を電気光学パネルに実装する工程とを有することを特徴とする。本発明に係る電子部品実装体は、バンプ電極に導電接続された導電体が熱可塑性樹脂層の表面上に形成されているため、加熱することによって熱可塑性樹脂が軟化若しくは溶融することから、容易に回路基板上に実装することができる。特に、回路基板の表面に露出した樹脂基材が熱可塑性樹脂であれば、回路基板の樹脂基材と電子部品実装体の熱可塑性樹脂層とが容易に溶着することから、きわめて容易に実装することができる。ここで、電子部品としては、電気光学装置を駆動するための駆動信号を生成する回路を内包するものであることが望ましい。また、本発明の別の電気光学装置の製造方法は、上記のいずれかに記載の製造方法により製造された電子部品実装体を電気光学パネルを構成する基板上に熱圧着により実装することを特徴とする。本発明に係る電子部品実装体は、バンプ電極に導電接続された導電体が熱可塑性樹脂層の表面上に形成されているため、加熱することによって熱可塑性樹脂が軟化若しくは溶融することから、容易に電気光学パネルの基板上に実装することができる。電気光学パネルを構成する基板の材料としては、ガラス、石英、プラスチック、セラミックなどが挙げられるが、いずれの材料であっても容易に実装することが可能である。ここで、電子部品としては、電気光学装置を駆動するための駆動信号を生成する回路を内包するものであることが望ましい。
(16)次に、本発明の電子部品実装体は、バンプ電極を備えた電子部品と、該電子部品の前記バンプ電極の形成面上に積層された熱可塑性樹脂層と、該熱可塑性樹脂層上に形成され、前記バンプ電極に導電接続された導電体とを有する。そして、この電子部品実装体を電気光学装置に用いることが好ましい。より具体的には、本発明の電気光学装置は、電気光学パネルと、該電気光学パネルに実装された回路基板とを有し、上記本発明に係る電子部品実装体が前記回路基板上に実装されている場合がある。また、電気光学パネルと、該電気光学パネルを構成する基板上に実装された上記本発明に係る電子部品実装体とを有する場合もある。後者の場合には、電子部品実装体に導電接続された回路基板をさらに有することが好ましい。ここで、電子部品としては、電気光学装置を駆動するための駆動信号を生成する回路を内包するものであることが望ましい。
最初に、図1を参照して、本発明に係る第1実施形態について説明する。この実施形態では、図1(a)に示すように、半導体構造や導体パターンなどで構成された電子構造領域10Aを備えた複数の電子部品10が用意される。この電子部品10は、シリコン単結晶や化合物半導体単結晶などで構成され、上記電子構造領域10Aとして所定の電子回路構造を有する半導体チップであってもよく、或いは、多数のセラミック層とその間に配置された導体層とを有し、上記電子構造領域10Aとして上記導体層を所定の導体パターンに構成してなるセラミック積層体(セラミック基板)であってもよい。電子部品10は例えば半導体チップであれば100〜800μm程度の厚さ、セラミック積層体であれば1〜5mm程度の厚さに形成される。
次に、図2を参照して本発明に係る第2実施形態について説明する。この実施形態において、第1実施形態と同じ構成要素については同一符号を付し、それらの説明は省略する。本実施形態では、図2(a)に示すように、複数の電子部品10を熱可塑性樹脂層13に対して第1実施形態と同様の方法で装着する。ただし、本実施形態では、熱可塑性樹脂層13の表面には導体層が形成されていない。この部品装着工程では、図2(b)に示すように、バンプ電極11,12の先端が熱可塑性樹脂層13の電子部品10とは反対側の表面に露出するように構成される。
以下、第2の実施形態の変形例について図面を参照して説明する。本変形例では、導電体25,26を形成する工程は、図3(a)に示すように、熱可塑性樹脂層13の電子部品10とは反対側の表面に、パターニングされた開口402を有するレジスト層400を形成する工程を含む。レジスト層400を形成する工程は特に限定されるものではなく、既に公知となっているいずれかの方法で形成してもよい。例えば、熱硬化性樹脂層13の表面に全面にレジスト層を形成した後に、その一部を除去することによって開口402を有するレジスト層400を形成してもよい。このとき、例えば露光工程及び現像工程によって、レジスト層の一部を除去してもよい。開口402は、溝状に形成してもよい。そして、本変形例では、導電体25,26を、熱硬化性樹脂層13における開口402からの露出部413に形成する(図3(c)参照)。言い換えると、導電体25,26を、開口402内に形成してもよい。これによると、導電体25,26を、開口402の幅と同じ幅になるように形成することができる。すなわち、開口402によって、導電体25,26の幅を制限することができる。そのため、導電体25,26を設計通りに形成することが可能となる。
次に、図4を参照して、本発明に係る第3実施形態について説明する。この実施形態でも、第1実施形態又は第2実施形態と同一の構成要素には同一符号を付し、それらの説明は省略する。
次に、図5を参照して本発明に係る第4実施形態について説明する。この実施形態では、図5(a)に示すように、電子部品10のバンプ電極11,12を支持体17に圧着することにより、複数の電子部品10を支持体を介して一体化する。ここで、支持体17は、第3実施形態の導体層24と同様に金属などの導体で構成されていてもよく、また、導体以外の任意の材料で構成されていてもよい。ただし、バンプ電極11,12に対する良好な固着性を有し、後述するように後の工程において除去するためには、支持体17は金属(金属板など)で構成されていることが好ましい。
次に、図8を参照して本発明に係る第5実施形態について説明する。この実施形態では、図8(a)に示す熱可塑性樹脂層33に、図8(b)に示すように貫通孔33a,33bを形成することに特徴がある。また、図8(a)に示すように、電子部品30のバンプ電極31,32の突出高さは、熱可塑性樹脂層33の厚さよりも小さく設定されている。
熱可塑性樹脂層33の片面には導体層34が配置されている。この導体層34は熱可塑性樹脂層33の片面上に固着されていることが好ましい。
次に、図9を参照して、本発明に係る電気光学装置を示す第6実施形態について説明する。この実施形態では、上記各実施形態にて製造した電子部品実装体10Pを備えた電気光学装置100を構成してある。以下においては電子部品実装体10Pを用いる場合を例にとり説明するが、電子部品実装体10P’,20P,20P’、或いは、第5実施形態により形成された電子部品実装体についても同様に用いることができる。ここで、電子部品実装体10Pは、その電子構造領域に電気光学装置を駆動するための駆動信号を生成する回路を内包するもの(すなわち、液晶駆動用ICチップの実装体)であることが望ましい。
次に、図10を参照して本発明に係る電気光学装置を示す第7実施形態について説明する。この実施形態の電気光学装置200は、上記第6実施形態の電気光学パネル110と同じ電気光学パネル210と、第6実施形態の回路基板120とほぼ同様の回路基板220とを備えている。したがって、それぞれ対応する構成要素である基板211,212、透明電極211a,212a、配線211c、配向膜211b,212b、シール材213、電気光学物質214、偏光板215,216、絶縁基材221、配線パターン221a、保護膜222、接続パッド部223,225,226、電子部品227,228は第6実施形態と同様であるので、説明を省略する。
最後に、図11を参照して本発明に係る別の電気光学装置を示す第8実施形態について説明する。この実施形態の電気光学装置(液晶表示装置)300は、電気光学パネル310と、これに実装された回路基板320とを有する。電気光学パネル310は、第6実施形態の電気光学パネル110とほぼ同様の構造を有し、基板311,312、透明電極311a,312a、配向膜311b,312b、配線311c、シール材313、液晶などの電気光学物質314、偏光板315,316は第6実施形態で説明したものと同じであるため、説明を省略する。
Claims (16)
- バンプ電極を具備する複数の電子部品を、一体の熱可塑性樹脂層に対して前記バンプ電極が前記熱可塑性樹脂層内に埋設されるように装着する部品装着工程と、
前記熱可塑性樹脂層の前記電子部品とは反対側の表面に、前記バンプ電極に導電接続される導電体を形成する導電体形成工程と、
前記熱可塑性樹脂層を前記電子部品毎に分割することにより、前記バンプ電極に導電接続された前記電子部品が、前記導電体を有する前記熱可塑性樹脂層に実装されてなる電子部品実装体を形成する部品分割工程と、
を有することを特徴とする電子部品実装体の製造方法。 - 前記部品装着工程では、前記電子部品若しくは前記熱可塑性樹脂層を加熱することを特徴とする請求項1に記載の電子部品実装体の製造方法。
- 前記部品装着工程では、前記バンプ電極が前記熱可塑性樹脂層を貫通し、前記熱可塑性樹脂層における反対側の表面に露出するように構成することを特徴とする請求項1又は2に記載の電子部品実装体の製造方法。
- 前記部品装着工程では、前記バンプ電極が前記熱可塑性樹脂層内から前記熱可塑性樹脂層の反対側に予め配置された導体層と導電接触するように構成し、
前記導電体形成工程では、前記導体層をパターニングして前記導電体を形成することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電子部品実装体の製造方法。 - 前記部品装着工程の前に、前記熱可塑性樹脂層に貫通孔を形成する樹脂穿孔工程と、前記貫通孔内に導電材料を配置する導電材料配置工程とを有し、前記部品装着工程では、前記バンプ電極を前記貫通孔に挿入して前記導電材料に導電接続させることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子部品実装体の製造方法。
- 前記部品装着工程では、型成形により前記複数の電子部品と一体に熱可塑性樹脂層を成形することを特徴とする請求項1に記載の電子部品実装体の製造方法。
- 前記部品装着工程では、前記複数の電子部品を支持体に保持することによって一体化した状態で前記型成形を行うことを特徴とする請求項6に記載の電子部品実装体の製造方法。
- 前記支持体は前記バンプ電極に導電接続された導電体であり、前記導電体形成工程では、前記支持体をパターニングすることにより前記導電体を形成することを特徴とする請求項7に記載の電子部品実装体の製造方法。
- 前記導電体形成工程では、前記熱可塑性樹脂層における前記電子部品とは反対側の表面上に流動性材料を選択的に塗布し、前記流動性材料を硬化させることによって前記導電体を形成することを特徴とする請求項1乃至3、5乃至7のいずれか一項に記載の電子部品実装体の製造方法。
- 前記導電体形成工程では、液状の前記流動性材料を液滴として選択的に吐出することを特徴とする請求項9に記載の電子部品実装体の製造方法。
- 前記導電体形成工程では、ペースト状の前記流動性材料を選択的に印刷することを特徴とする請求項9に記載の電子部品実装体の製造方法。
- 前記導体形成工程は、前記熱可塑性樹脂層の前記電子部品とは反対側の表面上にパターニングされた開口を有するレジスト層を形成する工程を含み、
前記導電体を、前記熱可塑性樹脂層における前記開口からの露出部に形成することを特徴とする請求項1乃至3、5乃至7、9乃至11のいずれか一項に記載の電子部品実装体の製造方法。 - 前記導電体形成工程は、導電性微粒子を含有する溶剤を選択的に吐出する工程を含み、
前記レジスト層を、上端面が、前記熱可塑性樹脂層の前記電子部品とは反対側の表面よりも前記溶剤との親和性が悪くなるように形成することを特徴とする請求項12記載の電子部品実装体の製造方法。 - 前記導電体を形成した後に、前記レジスト層を除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項12又は請求項13に記載の電子部品実装体の製造方法。
- 請求項1乃至14のいずれか一項に記載の製造方法により製造された電子部品実装体を熱圧着により回路基板上に実装する工程と、前記回路基板を電気光学パネルに実装する工程とを有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
- 請求項1乃至14のいずれか一項に記載の製造方法により製造された電子部品実装体を電気光学パネルを構成する基板上に熱圧着により実装することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007059851A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Toyota Industries Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2018503984A (ja) * | 2015-05-27 | 2018-02-08 | 深▲セン▼市華星光電技術有限公司 | 発光素子組立構造 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0705287D0 (en) * | 2007-03-20 | 2007-04-25 | Conductive Inkjet Tech Ltd | Electrical connection of components |
JP5255577B2 (ja) * | 2010-01-13 | 2013-08-07 | 古河電気工業株式会社 | 基板および基板の製造方法 |
KR102031731B1 (ko) * | 2012-12-18 | 2019-10-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 이의 제조방법 |
JP2017050360A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 富士ゼロックス株式会社 | 導体接続構造及び実装基板 |
US10057989B1 (en) * | 2017-04-10 | 2018-08-21 | Tactotek Oy | Multilayer structure and related method of manufacture for electronics |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09237806A (ja) * | 1996-02-28 | 1997-09-09 | Toshiba Corp | 半導体装置とその製造方法及びこの半導体装置を用いた実装構造体とその製造方法 |
JPH10335528A (ja) * | 1997-06-02 | 1998-12-18 | Yamaichi Electron Co Ltd | 半導体パッケージおよび半導体パッケージの製造方法 |
JPH11297750A (ja) * | 1998-04-08 | 1999-10-29 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置およびその製造方法および半導体装置の実装方法 |
JP2000022040A (ja) * | 1998-07-07 | 2000-01-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2001156088A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Fujikura Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2001250887A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置の製造方法 |
JP2004087895A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Ibiden Co Ltd | パッケージ部品およびその製造方法 |
JP2004087894A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Ibiden Co Ltd | パッケージ部品およびその製造方法 |
Family Cites Families (1)
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-
2004
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09237806A (ja) * | 1996-02-28 | 1997-09-09 | Toshiba Corp | 半導体装置とその製造方法及びこの半導体装置を用いた実装構造体とその製造方法 |
JPH10335528A (ja) * | 1997-06-02 | 1998-12-18 | Yamaichi Electron Co Ltd | 半導体パッケージおよび半導体パッケージの製造方法 |
JPH11297750A (ja) * | 1998-04-08 | 1999-10-29 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置およびその製造方法および半導体装置の実装方法 |
JP2000022040A (ja) * | 1998-07-07 | 2000-01-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2001156088A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Fujikura Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2001250887A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置の製造方法 |
JP2004087895A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Ibiden Co Ltd | パッケージ部品およびその製造方法 |
JP2004087894A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Ibiden Co Ltd | パッケージ部品およびその製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007059851A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Toyota Industries Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2018503984A (ja) * | 2015-05-27 | 2018-02-08 | 深▲セン▼市華星光電技術有限公司 | 発光素子組立構造 |
GB2569468A (en) * | 2015-05-27 | 2019-06-19 | Shenzhen China Star Optoelect | Light emitting element assembling structure |
GB2569468B (en) * | 2015-05-27 | 2020-01-22 | Shenzhen China Star Optoelect | Light emitting element assembling structure |
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Publication number | Publication date |
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