JP2005265548A - ガスセンサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ガスセンサ100は、抵抗体薄膜2が形成された電気絶縁性基板1の一方面に、ガス検出材料膜3を備え、ガス検出材料膜3の温度を検出する温度検出手段と、温度検出手段の温度情報に基づいて抵抗体薄膜2の温度を制御する制御手段とを更に備える。
【選択図】図1
Description
純度99%の石英製基板(縦横:2×2mm、厚さ:0.5mm)の片面の全面に、シリカからなる絶縁層(膜厚:1μm)をスパッタ法により形成した。次いで、形成した絶縁層の上面に、ソースとしてのシラン(日本酸素社製)及びジボラン(日本酸素社製)と、ホウ素とを用い、減圧CVD法(温度:650℃、圧力:1Pa)により、ホウ素を1モル%含有する多結晶シリコン薄膜(膜厚:5μm)を成膜して抵抗体薄膜を形成した。
Claims (10)
- 抵抗体薄膜が形成された電気絶縁性基板の一方面に、ガス検出材料膜を備え、
前記ガス検出材料膜の温度を検出する温度検出手段と、
前記温度検出手段の温度情報に基づいて前記抵抗体薄膜の温度を制御する制御手段と、
を更に備えることを特徴とするガスセンサ。 - 前記温度検出手段が、前記ガス検出材料膜の一方の面に設けられた絶縁層に隣接して形成された酸化物半導体膜であることを特徴とする請求項1に記載のガスセンサ。
- 前記ガスセンサが、前記ガス検出材料膜を、前記電気絶縁性基板の前記抵抗体薄膜が形成された面と異なる面に備え、
前記抵抗体薄膜を被覆する保温層をさらに備えることを特徴とする請求項1又は2に記載のガスセンサ。 - 前記抵抗体薄膜と、前記保温層との間に、拡散防止層をさらに備えることを特徴とする請求項3に記載のガスセンサ。
- 前記拡散防止層が、シリカ、窒化ケイ素及びアルミナからなる群より選択される少なくとも1種からなることを特徴とする請求項4に記載のガスセンサ。
- 前記ガスセンサが、前記ガス検出材料膜を、前記電気絶縁性基板の前記抵抗体薄膜が形成された面と同一面に備え、
前記電気絶縁性基板の前記抵抗体薄膜が形成された面と異なる面に保温層をさらに備えることを特徴とする請求項1又は2に記載のガスセンサ。 - 前記ガス検出材料膜が、酸化亜鉛粒子と、該酸化亜鉛粒子の表面に存在する塩素化合物と、を含む水素ガス検出材料膜であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のガスセンサ。
- 前記抵抗体薄膜が、金属、窒化物、サーメット、シリサイド、ポリシリコン、炭化ケイ素、又は炭素材料からなることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のガスセンサ。
- 前記電気絶縁性基板が、金属、アルミナ、酸化ベリリウム、炭化ケイ素、炭化タングステン、窒化ホウ素、窒化タングステン、窒化アルミニウム、石膏、シリカ、ムライト、ジルコニア、又はホウケイ酸ガラスからなることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載のガスセンサ。
- 前記保温層が、耐火セメント、石膏、シリカ、ムライト、ジルコニア及びホウケイ酸ガラスからなる群より選択される少なくとも1種からなることを特徴とする請求項3〜9のいずれか1項に記載のガスセンサ。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009150884A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | General Electric Co <Ge> | ガス・センサ及び製造方法 |
Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6293653A (ja) * | 1985-10-18 | 1987-04-30 | Ngk Insulators Ltd | 加熱センサ |
JPH0177943U (ja) * | 1979-03-07 | 1989-05-25 | ||
JPH0367160A (ja) * | 1989-08-04 | 1991-03-22 | Toyota Motor Corp | 酸素センサの製造方法 |
JPH0458144A (ja) * | 1990-06-27 | 1992-02-25 | Toshiba Corp | ガスセンサ |
JPH04216452A (ja) * | 1990-02-27 | 1992-08-06 | Robert Bosch Gmbh | 混合気の組成とガス速度を同時に検出するためのセンサ |
JPH0494561U (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-17 | ||
JPH04273050A (ja) * | 1991-02-28 | 1992-09-29 | Nok Corp | ガスセンサ |
JPH06288952A (ja) * | 1993-04-01 | 1994-10-18 | Mitsubishi Materials Corp | ガスセンサ |
JPH07198649A (ja) * | 1993-11-11 | 1995-08-01 | Lg Electron Inc | ガスセンサ及びその製造方法 |
JPH07198646A (ja) * | 1993-12-04 | 1995-08-01 | Lg Electron Inc | 低消費電力型薄膜ガスセンサ及びその製造方法 |
JPH0815200A (ja) * | 1994-06-28 | 1996-01-19 | Dkk Corp | 食品の品質検知用ガスセンサ |
JPH08188869A (ja) * | 1994-06-22 | 1996-07-23 | Lg Electron Inc | 半導体素子の金属薄膜形成方法及びガスセンサの製造方法 |
JPH08313470A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Siemens Ag | ガス混合物中のメタンの検出法 |
JPH10208904A (ja) * | 1996-11-22 | 1998-08-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 温度センサ素子および同素子を備えた温度センサ |
JPH11201929A (ja) * | 1998-01-16 | 1999-07-30 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜ガスセンサ |
JPH11233305A (ja) * | 1998-02-16 | 1999-08-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ptcサーミスタ薄膜素子 |
JP2003270187A (ja) * | 2002-03-13 | 2003-09-25 | New Cosmos Electric Corp | 半導体式ガス検知素子 |
JP2004037402A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-05 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 薄膜ガスセンサ |
-
2004
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Patent Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0177943U (ja) * | 1979-03-07 | 1989-05-25 | ||
JPS6293653A (ja) * | 1985-10-18 | 1987-04-30 | Ngk Insulators Ltd | 加熱センサ |
JPH0367160A (ja) * | 1989-08-04 | 1991-03-22 | Toyota Motor Corp | 酸素センサの製造方法 |
JPH04216452A (ja) * | 1990-02-27 | 1992-08-06 | Robert Bosch Gmbh | 混合気の組成とガス速度を同時に検出するためのセンサ |
JPH0458144A (ja) * | 1990-06-27 | 1992-02-25 | Toshiba Corp | ガスセンサ |
JPH0494561U (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-17 | ||
JPH04273050A (ja) * | 1991-02-28 | 1992-09-29 | Nok Corp | ガスセンサ |
JPH06288952A (ja) * | 1993-04-01 | 1994-10-18 | Mitsubishi Materials Corp | ガスセンサ |
JPH07198649A (ja) * | 1993-11-11 | 1995-08-01 | Lg Electron Inc | ガスセンサ及びその製造方法 |
JPH07198646A (ja) * | 1993-12-04 | 1995-08-01 | Lg Electron Inc | 低消費電力型薄膜ガスセンサ及びその製造方法 |
JPH08188869A (ja) * | 1994-06-22 | 1996-07-23 | Lg Electron Inc | 半導体素子の金属薄膜形成方法及びガスセンサの製造方法 |
JPH0815200A (ja) * | 1994-06-28 | 1996-01-19 | Dkk Corp | 食品の品質検知用ガスセンサ |
JPH08313470A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Siemens Ag | ガス混合物中のメタンの検出法 |
JPH10208904A (ja) * | 1996-11-22 | 1998-08-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 温度センサ素子および同素子を備えた温度センサ |
JPH11201929A (ja) * | 1998-01-16 | 1999-07-30 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜ガスセンサ |
JPH11233305A (ja) * | 1998-02-16 | 1999-08-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ptcサーミスタ薄膜素子 |
JP2003270187A (ja) * | 2002-03-13 | 2003-09-25 | New Cosmos Electric Corp | 半導体式ガス検知素子 |
JP2004037402A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-05 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 薄膜ガスセンサ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009150884A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | General Electric Co <Ge> | ガス・センサ及び製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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