JP2005243947A - 半導体装置の製造方法、及び半導体装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法、及び半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005243947A JP2005243947A JP2004052221A JP2004052221A JP2005243947A JP 2005243947 A JP2005243947 A JP 2005243947A JP 2004052221 A JP2004052221 A JP 2004052221A JP 2004052221 A JP2004052221 A JP 2004052221A JP 2005243947 A JP2005243947 A JP 2005243947A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- blade
- semiconductor device
- manufacturing
- abrasive grains
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【解決手段】 本製造方法は、第1の面及び第1の面に対向する第2の面を有する化合物半導体基板と、第2の面に金設けられた金属膜とを備えるウエハから第1のブレード及び第2のブレードを用いて半導体装置を個片化する。本製造方法は、第2のブレードに含まれるダイアモンド砥粒より粒径が小さいダイアモンド砥粒を含み第2のブレードより刃幅が大きい第1のブレードによって、第1の面から化合物半導体基板の内部まで所定の深さの溝を形成する工程と、当該溝の内側に第2のブレードを進入させ、ウエハを切断する工程と、を含む。
【選択図】 図1
Description
Claims (3)
- 第1の面及び該第1の面に対向する第2の面を有し、該第2の面に設けられた金属膜を備える半導体基板から第1のブレード及び第2のブレードを用いて半導体装置を個片化する半導体装置の製造方法であって、
前記第2のブレードに含まれるダイアモンド砥粒より粒径が小さいダイアモンド砥粒を含み該第2のブレードより刃幅が大きい第1のブレードによって、前記第1の面から前記半導体基板の内部まで所定の深さの溝を形成する工程と、
前記溝の内側に前記第2のブレードを進入させ、前記半導体基板を切断する工程と
を含む、半導体装置の製造方法。 - 前記第1の面には、更にチッピング防止膜が設けられており、
前記第1のブレードを進入させるための所定の領域に位置する前記チッピング防止膜をエッチングによって除去する工程を更に含む、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1のブレードの前記砥粒の粒径は、0.5〜1.0μmであり、
前記第2のブレードの前記砥粒の粒径は、1〜3μmである、請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004052221A JP2005243947A (ja) | 2004-02-26 | 2004-02-26 | 半導体装置の製造方法、及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004052221A JP2005243947A (ja) | 2004-02-26 | 2004-02-26 | 半導体装置の製造方法、及び半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005243947A true JP2005243947A (ja) | 2005-09-08 |
Family
ID=35025353
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004052221A Pending JP2005243947A (ja) | 2004-02-26 | 2004-02-26 | 半導体装置の製造方法、及び半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005243947A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7244664B2 (en) * | 2003-10-30 | 2007-07-17 | Texas Instruments Incorporated | Method for dicing and singulating substrates |
KR100870288B1 (ko) | 2006-03-16 | 2008-11-25 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 장치의 제조 방법 |
JP2011124628A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-23 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 複合圧電チップ及び複合圧電チップの製造方法 |
KR101784655B1 (ko) | 2015-02-13 | 2017-10-11 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 반도체 디바이스 및 방법 |
CN108422101A (zh) * | 2018-04-12 | 2018-08-21 | 无锡奥夫特光学技术有限公司 | 一种蓝宝石光学窗口的切割方法 |
JP2019149472A (ja) * | 2018-02-27 | 2019-09-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びダイシング方法 |
US10804360B2 (en) | 2017-04-14 | 2020-10-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Silicon carbide semiconductor device, electric power conversion device, method for producing silicon carbide semiconductor device, and method for producing electric power conversion device |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04282852A (ja) * | 1991-03-11 | 1992-10-07 | Fujitsu Ltd | 半導体ウエハ |
JPH07263380A (ja) * | 1994-03-17 | 1995-10-13 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置 |
JP2000082686A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-03-21 | Yokogawa Electric Corp | シリコン半導体チップ |
JP2001217211A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-08-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法およびダイシング装置 |
JP2002083785A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Nec Kansai Ltd | 半導体素子の製造方法 |
-
2004
- 2004-02-26 JP JP2004052221A patent/JP2005243947A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04282852A (ja) * | 1991-03-11 | 1992-10-07 | Fujitsu Ltd | 半導体ウエハ |
JPH07263380A (ja) * | 1994-03-17 | 1995-10-13 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置 |
JP2000082686A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-03-21 | Yokogawa Electric Corp | シリコン半導体チップ |
JP2001217211A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-08-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法およびダイシング装置 |
JP2002083785A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Nec Kansai Ltd | 半導体素子の製造方法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7244664B2 (en) * | 2003-10-30 | 2007-07-17 | Texas Instruments Incorporated | Method for dicing and singulating substrates |
KR100870288B1 (ko) | 2006-03-16 | 2008-11-25 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 장치의 제조 방법 |
JP2011124628A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-23 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 複合圧電チップ及び複合圧電チップの製造方法 |
KR101784655B1 (ko) | 2015-02-13 | 2017-10-11 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 반도체 디바이스 및 방법 |
US10163709B2 (en) | 2015-02-13 | 2018-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device and method |
US10510604B2 (en) | 2015-02-13 | 2019-12-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device and method |
US11688639B2 (en) | 2015-02-13 | 2023-06-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device and method |
US10804360B2 (en) | 2017-04-14 | 2020-10-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Silicon carbide semiconductor device, electric power conversion device, method for producing silicon carbide semiconductor device, and method for producing electric power conversion device |
DE112018001989B4 (de) | 2017-04-14 | 2022-12-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Siliciumcarbid-halbleitereinheit, elektrische leistungswandlungseinheit, verfahren zur herstellung einer siliciumcarbid-halbleitereinheit sowie verfahren zur herstellung einer elektrischen leistungswandlungseinheit |
JP2019149472A (ja) * | 2018-02-27 | 2019-09-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びダイシング方法 |
CN108422101A (zh) * | 2018-04-12 | 2018-08-21 | 无锡奥夫特光学技术有限公司 | 一种蓝宝石光学窗口的切割方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8198705B2 (en) | Ultra-thin die and method of fabricating same | |
US6699774B2 (en) | Wafer splitting method using cleavage | |
US7485547B2 (en) | Method of fabricating semiconductor device | |
JP4751634B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US7384858B2 (en) | Wafer dividing method | |
JP5128897B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
EP1394851A2 (en) | Semiconductor chip and fabrication method thereof | |
JP2009088252A (ja) | ウエハのダイシング方法および半導体チップ | |
CN109309047B (zh) | 处理衬底的方法 | |
JP2006344816A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
JPH0774130A (ja) | ウェハからチップを個別化する方法 | |
EP3509096B1 (en) | Separation of workpiece with three material removal stages | |
US7214568B2 (en) | Semiconductor device configured for reducing post-fabrication damage | |
JP2010182753A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2005123263A (ja) | 半導体ウェハの加工方法 | |
JP2005243947A (ja) | 半導体装置の製造方法、及び半導体装置 | |
US6465344B1 (en) | Crystal thinning method for improved yield and reliability | |
JP2006049419A (ja) | ダイシング方法 | |
JPH1064855A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2004221423A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US7179720B2 (en) | Pre-fabrication scribing | |
JP4046645B2 (ja) | 半導体デバイス及びその製造方法 | |
JP5181209B2 (ja) | 半導体ウエハのダイシング方法 | |
JP2003124147A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20070022355A (ko) | 초박형 다이 및 이를 제조하는 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20060525 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090311 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090929 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20091111 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20100525 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |