JP2005223091A - エッチング方法およびそれを用いた回路装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】偏ったオーバーエッチングを考慮したエッチング方法およびそれを用いた回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】エッチング方法は、形成予定の導電パターン１６に対応する領域の導電箔の表面を、レジスト１０で被覆する工程と、このレジスト１０から露出する部分の導電箔をウェットエッチングすることで導電パターン１６を形成する工程とを具備し、ウェットエッチングにより側方にオーバーエッチングされる量に応じて、導電パターン１６に対応する領域を被覆するレジスト１０の幅を広くしている。従って、サイドエッチングの不均一さに起因した、パターンの過度の細りや断線等の不具合を抑止することができる。
【選択図】図４

Description

本発明はエッチング方法およびそれを用いた回路装置の製造方法に関し、特に、ウェットエッチングを行うことにより発生するサイドエッチングを考慮したエッチング方法およびそれを用いた回路装置の製造方法に関するものである。

図１２を参照して、従来のエッチング方法を説明する（特許文献１を参照）。

図１２（Ａ）を参照して、基板１０２の表面には導電箔１０１が平面的に形成されている。そして、導電箔１０１の表面を覆うようにエッチング用のレジスト１００が塗布されている。

図１２（Ｂ）を参照して、露光マスク（図示せず）を介して、レジスト１００を選択的に露光させる。ここでは、レジスト１００はネガ型レジストであり、導電パターンとして残存する予定の領域に対応するレジスト１００に、選択的に光線１０３が照射される。

図１２（Ｃ）を参照して、薬剤を用いて溶融させることにより、先の工程で光線が１０３が照射された箇所以外の領域のレジスト１００を選択的に剥離させる。

図１２（Ｄ）を参照して、残存したレジスト１００をマスクとして、エッチングを行う。この結果、導電箔１０１を選択的に除去して導電パターン１０３が形成される。具体的には、１０３Ａから１０３Ｃまでの３つの導電パターンが形成される。ここでは、エッチングが略等方性で進行するウェットエッチングが採用されるので、導電パターン１０３の断面は、テーパー形状になっている。また、このようなエッチング方法は、プリント基板や回路装置等の製造方法に応用される。
特開平６−１１８６６１号公報

しかしながら、図１２（Ｄ）を参照して、形成される電気回路の種類により、各導電パターン１０３同士の間隔は異なる。具体的には、導電パターン１０３Ａと導電パターン１０３Ｂとの間隔は狭く、導電パターン１０３Ｂと導電パターン１０３Ｃとの間隔は広い。従って、ウェットエッチングによりエッチングを行った場合、隣接する導電パターン１０３との間隔が広い箇所の導電パターン１０３の側面は、他の箇所よりもオーバーエッチングされてしまう傾向がある。従って、過度のオーバーエッチングにより、導電パターン１０３の断面積が小さくなってしまう恐れがあった。更に、過度のオーバーエッチングにより、導電パターン１０３が断線してしまう恐れもあった。

本発明は上述した問題点を鑑みて成されたものであり、本発明の主な目的は、偏ったオーバーエッチングを考慮したエッチング方法およびそれを用いた回路装置の製造方法を提供することにある。

本発明のエッチング方法は、形成予定の導電パターンに対応する領域の被エッチング材の表面を、エッチングマスクで被覆する工程と、前記エッチングマスクから露出する部分の前記被エッチング材をウェットエッチングすることで前記導電パターンを形成する工程とを具備し、前記ウェットエッチングにより側方にオーバーエッチングされる量に応じて、前記導電パターンに対応する領域を被覆する前記エッチングマスクの幅を広くすることを特徴とする。

更に、本発明のエッチング方法は、形成予定の導電パターンに対応する領域の被エッチング材の表面を、エッチングマスクで被覆する工程と、前記エッチングマスクから露出する部分の前記被エッチング材をウェットエッチングすることで前記導電パターンを形成する工程とを具備し、前記導電パターン同士の間隔が広くなる箇所にダミーパターンを設けることを特徴とする。

本発明の回路装置の製造方法は、形成予定の導電パターンに対応する領域の被エッチング材の表面を、エッチングマスクで被覆する工程と、前記エッチングマスクから露出する部分の前記被エッチング材をウェットエッチングすることで前記導電パターンを形成する工程と、前記導電パターンと回路素子とを電気的に接続する工程と、前記導電パターンおよび前記回路素子を封止する工程とを具備し、前記ウェットエッチングにより側方にオーバーエッチングされる量に応じて、前記導電パターンに対応する領域を被覆する前記エッチングマスクの幅を広くすることを特徴とする。

更に、本発明の回路装置の製造方法は、形成予定の導電パターンに対応する領域の被エッチング材の表面を、エッチングマスクで被覆する工程と、前記エッチングマスクから露出する部分の前記被エッチング材をウェットエッチングする工程と、前記導電パターンと回路素子とを電気的に接続する工程と、前記導電パターンおよび前記回路素子を封止する工程とを具備し、前記導電パターン同士の間隔が広くなる箇所にダミーパターンを設けることを特徴とする。

本発明によれば、導電パターンの大きなサイドエッチングが予測される箇所のエッチングレジストの幅を、他の箇所よりも広く形成するので、サイドエッチングによる導電パターンの過度な細りを抑止することができる。更には、サイドエッチングによる導電パターンの断線を抑止することができる。

本発明によれば、導電パターン同士の間隔が広くなる箇所にダミーパターンを設けることにより、導電パターン同士の間隔を略同一にすることができる。従って、ウエットエッチングにより発生するサイドエッチングの量を均一化することができる。更には、導電パターン同士の間隔を略同一にすることにより、配線幅容量の合わせ込みを行うこともできる。

〈エッチング方法を説明する第1の実施の形態〉
先ず、図１のフローチャートを参照して、本形態のエッチング方法の概要を説明する。

先ず、ステップＳ１では、エッチングされる材料（被エッチング材）の受け入れを行う。ここで受け入れる材料としては、金属から成る導電箔、絶縁層を介して導電箔が積層された積層シート、表面に導電箔が貼り付けられた基板、等が採用される。さらにここでは、前処理として、被エッチング材の表面に付着した埃や油脂成分を除去する。

ステップＳ２では、被エッチング材である導電箔１１の表面にエッチングマスクであるレジスト１０を形成する。このレジストの形成は、液状のレジストの塗布、またはシート状のレジスト（ＤＦＲ）のラミネートにより行うことができる。そして、レジスト１０としては、ポジ型のレジスト、またはネガ型のレジストの何れかを採用することができる。

図２（Ａ）を参照して、ここでは、基板１２の表面に被エッチング材としての導電箔１１が形成され、導電箔１１の表面に全面的にレジスト１０が形成されている。

ステップＳ３では、塗布されたレジストの選択的な露光を行う。図２（Ｂ）を参照して、露光マスク１４を用いて、レジスト１０を選択的に露光させる。ここではネガ型のレジストを採用しているので、導電パターンとして残存する領域に対応するレジスト１０を露光させて、他の領域は遮光する。ポジ型のレジストを採用した場合は、露光領域と非露光領域とを逆転させる。ここでは、レジスト１０の露光領域１０Ｂは残存し、非露光領域１０Ａは現像の工程で除去される。非露光領域１０Ａの具体的な除去方法は、先ず、現像液にレジスト１０を浸すことにより、非露光領域１０Ａを膨潤させる。そして、水圧を用いて、膨潤した非露光領域１０Ａを除去する。

露光マスク１４は、基材となるガラスと、このガラスの下面に形成された露光パターン１５とを有する。ここで、基材として樹脂等から成るフィルム状のシートを採用しても良い。即ち、選択的に剥離される領域に対応するように露光パターン１５が形成され、この領域を遮光する。従って、このような構成の露光マスク１４を、レジスト１０の上方に介在させて上方から光線１３を照射することで、導電パターンとなる領域のレジスト１０のみに、選択的に光線１３を照射させることができる。ここで、露光パターン同士が離間する距離をＬ１とする。

ステップ４およびステップＳ５では、図３（Ａ）を参照して、溶液を用いて、レジストの選択的な剥離を行い、更に、レジストの硬化を行う。ここで、レジストの硬化を省いて本願を構成することも可能である。

そして、ステップＳ６では、図３（Ｂ）および図３（Ｃ）を参照して、レジスト１０を介して、被エッチング材である導電箔１２のエッチングを行う。ここで用いるエッチャントとしては、導電箔１１には反応して、レジスト１０には反応しない物が好適である。具体的には、導電箔１２の材料として銅を採用した場合は、エッチャントとして塩化第２鉄または塩化第２銅を採用することができる。このステップの詳細は図４を参照して詳述する。

図１のフローチャートの右側に示すものは、上述したステップＳ３で用いる露光マスクの製造工程を示すフローチャートである。ステップＳ８では、ユーザーの仕様や図面を入手して、電気回路の設計を行う。ステップＳ９では、ＣＡＤ（Computer Aided Design）等を用いて、電気回路に基づいた導電パターンの設計を行う。ステップＳ１０では、描画装置を用いて導電パターンを描画し、更に、ステップＳ１１では、導電パターンに対応する領域、または、導電パターンを除いて領域が透過するように、露光マスクを形成する。このように製造された露光マスクは、ステップＳ３の露光を行う工程にて、用いされる。即ち、本形態では、ステップ９のＣＡＤ処理にて、導電パターンのオーバーエッチングを考慮した露光マスクの設計を行っている。

図３（Ｃ）を参照して、上記工程で形成されたパターンの断面形状を説明する。導電箔１１をウェットエッチングすることにより形成されるパターン１６の側面はテーパー構造と成っている。即ち、上底よりも下底の方が長い矩形形状の断面をパターン１６は有する。

図４を参照して、本形態のエッチング方法を具体的に説明する。図４（Ａ）はエッチングにより形成された導電パターンの一例を示す平面図である。図４（Ｂ）および図４（Ｃ）は導電パターンの断面図である。図４（Ｄ）は図４（Ａ）の領域Ｒ１の拡大平面図である。

図４（Ａ）を参照して、導電パターンの構成を説明する。ここでは、導電パターン１６によりパッド部１６Ｂと、接続パターン部１６Ａとが形成されている。パッド部１６Ｂは、半導体素子等の回路素子が固着される領域であり、載置される回路素子と同等以上の大きさに形成される。接続パターン１６Ａは、金属細線等を介して、回路素子と電気的に接続されて外部端子を形成する導電パターンである。

接続パターン１６Ａの構成を更に詳述する。中央部に矩形状のパッド部１６Ｂが形成され、パッド部１６Ａから放射状に多数個の接続パターン１６Ａが延在している。パッド部１６Ｂに接近する方の接続パターン１６Ａの端部を第1の端部１６Ｄとし、反対側の接続パターン１６Ａの端部を第２の端部１６Ｅとする。そして、隣接する第1の端部１６Ｄ同士の間隔をＤ１とし、隣接する第２の端部１６Ｅ同士の間隔をＤ２とする。第1の端部１６Ｄ同士の間隔Ｄ１は、金属細線等を介して回路素子と接続される箇所であるので、短く形成される。それに対して、外部電極として機能する第２の端部１６Ｅ同士の間隔は、長く設定される。従って、Ｄ２はＤ１よりも長くなっている。

図４（Ｂ）および図４（Ｃ）を参照して、ウェットエッチングにより形成される導電パターン１６の断面を詳述する。図４（Ｂ）は第1の端部１６Ｄ付近の断面図である。図４（Ｃ）は第２の端部１６Ｅ付近の断面図である。

図４（Ｂ）を参照して、上述したように、第1の端部１６Ｄ付近では、接続パターン１６Ａ同士の間隔が狭い。従って、ウェットエッチングを行う工程において、エッチャントの流動が活発では無く、サイドエッチングの量は少ない。このことから、導電パターン１６の上部端部と、レジスト１０の端部との距離をＡ１とした場合、このＡ１の長さは短くなる。具体的には、Ａ１の長さは、１μｍ程度である。しかしながら、Ａ１の長さは導電箔の厚みや、パターン間の間隔等の条件に従い変化する。

図４（Ｃ）を参照して、第２の端部１６Ｅ付近では、接続パターン同士の間隔が広いことから、エッチャントの流動が活発でありサイドエッチングの量は大きくなる。従って、導電パターン１６の上部端部と、レジスト１０の端部との距離をＡ２とした場合、このＡ２の長さは長くなる。具体的には、Ａ２の長さは、２〜１０μｍ程度である。このＡ１およびＡ２の長さは、導電パターン１６の厚みにより変化する。即ち、導電パターン１６が厚くなればなるほど、Ａ１およびＡ２の長さは長くなる。しかしながら、どのような厚みの導電パターン１６を形成する場合でも、導電パターン１６同士の間隔が広い箇所のサイドエッチングの量は、間隔が狭い箇所の導電パターン１６サイドエッチングの量よりも大きくなる。

上述したサイドエッチングの量を考慮せずにパターンを設計した場合、導電パターン１６同士の間隔が広い箇所の導電パターン１６は、サイドエッチングの量が大きくなってしまう。このことから、導電パターン１６の細りや断線が発生してしまう恐れがある。特に、導電パターンの幅が数十ミクロン程度に細い場合では、断線の可能性が大きくなる。本願では、他の箇所よりも大きいサイドエッチングが予想される箇所のレジスト１０を、他の箇所よりも広くすることで、導電パターン１６の細りや断線を抑止している。ここで、「大きいサイドエッチングが予想される箇所」としては、導電パターン１６同士の間隔が大きい箇所や、導電パターン１６が曲折する箇所をあげることができる。導電パターン１６が曲折する箇所では、エッチャントの流れが変化することから、サイドエッチングの進行が大きくなることが考えられる。

図４（Ｄ）を参照して、サイドエッチングを考慮したレジスト１０の形成方法を説明する。この図は図４（Ａ）の領域Ｒ１の拡大平面図である。ここでは、接続パターン１６Ａの周縁を点線で示し、接続パターン１６Ａを形成するためのエッチングマスクであるレジスト１０の周縁を実線で示している。

接続パターン１６Ａの第２の端部１６Ｅ付近を被覆するレジスト１０は、形成予定の接続パターン１６Ａよりも太く形成されている。具体的には、導電パターン１６の厚みが数十μｍ程度の場合は、数μｍ程度のサイドエッチングが予想されるので、このサイドエッチングの量に応じて、レジスト１０は左右に広く形成される。

更に具体的には、導電パターン１０の厚みが３０μｍ程度の場合は、このサイドエッチングの量は、１０〜１５μｍ程度である。従って、大きなサイドエッチングが発生する領域のサイドエッチングの量は、導電パターン１０の厚みの半分から３分の１程度である場合がある。このように、発生するサイドエッチングの量に応じて、形成予定の導電パターン１６よりもレジスト１０を太くすることにより、導電パターン１６の過度の細りや断線を抑止することができる。

更に、導電パターン１６が曲折する箇所（屈折部１６Ｆ）でもサイドエッチングの量は大きくなる。これは、屈折部１６Ｆでは、エッチャントの流れが変わるために、局所的なサイドエッチングの進行が起こるからである。特に、エッチャントの流れをせき止めるような屈折形状を有する屈折部１６Ｆの場合は、サイドエッチングの量がより大きくなる傾向にある。従って、このような場合では、屈折部１６Ｆを被覆するレジスト１０を局所的に広くすることが有効である。このことにより、屈折部１６Ｆが過度に細くなったり、断線したりすることを防止することができる。

更に、図４（Ａ）を参照して、サイドエッチングの量を抑止するための他の方法を説明する。上述の方法では、大きなサイドエッチングが発生する導電パターン１６を被覆するレジスト１０を太らせることで、サイドエッチングによる導電パターン１６の細り等を防止していた。この方法とは他に、ダミーパターンを形成することで、導電パターン１６の過度のサイドエッチングを抑止することができる。ここでは、接続パターン１６Ａ１と接続パターン１６Ａ２との間の領域にダミーパターン１６Ｃが形成されている。ここで、接続パターン１６Ａ１とは、整列して設けられた接続パターン１６Ａの中でも端部に位置するものを指す。接続パターン１６Ａ２も同様である。

ダミーパターン１６Ｃは、電気回路の一部を構成しない導電パターン１６であり、他の導電パターン１６と同様にエッチングにより形成される。このダミーパターン１６Ｄを設けることにより、導電パターン１６同士の間隔を略同一にすることができる。従って、導電パターン１６同士の間隔が大きくなることによる、局所的なサイドエッチングの発生を抑止することができる。更には、導電パターン１６同士の間隔を均等にすることにより、導電パターン１６間に発生する配線幅容量の合わせ込みを行うことができる。このことから、導電パターン１６を介して形成される電気回路の動作を安定させることができる。

図５を参照して、本形態のエッチング方法が適用される他の形態のパターンを説明する。本形態では、中央部に半導体素子が載置される予定の載置領域Ａ３が設けられている。そして、載置領域Ａ３を囲むように、接続パターン１６Ｇが形成されている。この接続パターン１６Ｇは、金属細線等の接続手段を介して半導体素子を電気的に接続される。そして、外部端子として機能するパッド１６Ｈを形成している。半導体素子の載置領域Ａ３の下方には、接続パターン１６Ｇは設けられないが、載置領域Ａ３にはダミーパッド１６Ｉが形成されている。ダミーパッド１６Ｉは、格子状の間隔を開けて多数個が形成されている。このように、多数個のダミーパッド１６Ｉを設けることにより、製造工程の途中における基板の反りを抑止することができる。しかしながら、ランド状の１つのダミーパッド１６Ｉを設けることも可能である。このように、ダミーパッド１６Ｉを設けることで、各パターン同士の間隔を略同一にすることができ、過度の再度エッチングが発生することを防止することが出来る。

上記したエッチング方法は、単層または複数層の配線構造を有するプリント基板の製造方法、回路装置または半導体装置の製造方法等に用いることが可能である。
〈回路装置の製造方法を説明する第２の実施の形態〉
次に、図６を参照して、上述したエッチングの方法を用いて製造される回路装置を数種紹介する。図６を参照して、本形態に係る回路装置２０の構成を説明する。図６（Ａ）から図６（Ｃ）は各形態の回路装置の断面図である。

図６（Ａ）を参照して、本形態の回路装置２０Ａは、導電パターン２１と、導電パターン２１に半田を介して固着された回路素子２２と、導電パターン２１と外部とを電気的に接続する接続手段としての外部電極２７とを有する構成となっている。

導電パターン２１は、銅等の金属から成り、その裏面を露出させて封止樹脂２８に埋め込まれている。また、各導電パターン２１は分離溝２９により電気的に分離され、その分離溝２９には封止樹脂２８が充填されている。また、導電パターン２１の側面は湾曲状になっており、この形状により導電パターン２１と封止樹脂２８との結合は向上されている。

分離溝２９は、各導電パターン２１を電気的に分離する機能を有する。また、この分離溝２９は、上述したエッチング方法により形成されるので、その深さ方向の長さに対して、幅を狭くすることが出来る。即ち、導電パターン２１同士の間隔を狭くできる。更に、導電パターン２１の幅を広くしてその断面積を大きくすることができるので、電流容量の増大を図ることができる。

回路素子２２は、ここでは、半導体素子２２Ａおよびチップ素子２２Ｂから成っている。また、ＬＳＩチップ、ベアのトランジスタチップ、ダイオード等の能動素子を回路素子として採用することができる。更にまた、チップ抵抗やチップコンデンサ等の受動素子を回路素子として採用することもできる。具体的な実装構造としては、半導体素子２２Ａは、その裏面が導電パターン２１より成るパッドに固着されている。そして、半導体素子２２Ａの表面の電極と導電パターン２１とは、金属細線２５を介して電気的に接続されている。チップ素子２２Ｂは、その両端の電極が、半田を介して導電パターン２１に固着されている。

封止樹脂２８は、インジェクションモールドにより形成される熱可塑性樹脂、または、トランスファーモールドより形成される熱硬化性樹脂からなる。そして、封止樹脂２８は全体を封止する働きを有すると同時に、全体を機械的に支持する機能も有する。外部電極２７は、導電パターン２１の裏面の所定箇所に形成されている。

図６（Ｂ）を参照して、同図に示す回路装置２０Ｂの基本的な構成は、上述した回路装置２０Ａと同様であり、相違点は支持基板３１を有している点にある。

支持基板３１としては、放熱性に優れ、機械的強度が良いものが採用される。ここでは、金属基板、プリント基板、フレキシブル基板、複合基板等を採用することができる。また、金属等の導電性の材料から成る基板を採用する場合は、その表面に絶縁層を設けて導電パターン２１との絶縁を行う。

第１の導電パターン２１Ａおよび第２の導電パターン２１Ｂは、支持基板３１の表面および裏面に形成される。そして、支持基板３１を貫通して、第１の導電パターン２１Ａと第２の導電パターン２１Ｂとは電気的に接続されている。また、第２の導電パターン２１Ｂに外部電極２７が形成される。ここでも、第１および第２の導電パターン２１Ａ、２１Ｂは、上述したエッチング方法により形成されるので、パターン間の幅を狭くすることが可能になり、微細化を促進させることができる。

図６（Ｃ）を参照して、回路装置２０Ｃでは、導電パターン２１は多層の配線構造を有する。具体的には、第１の導電パターン２１Ａと、第２の導電パターン２１Ｂとからなる２層の導電パターンが、樹脂から成る絶縁層３２を介して積層されている。ここで、更に３層以上の配線構造が構成されても良い。そして、絶縁層３２を貫通して、第１の導電パターン２１Ａと第２の導電パターン２１Ｂとは電気的に接続されている。ここでも、第１および第２の導電パターン２１Ａ、２１Ｂは、上述したエッチング方法により形成されるので、パターン間の幅を狭くすることが可能になり、微細化を促進させることができる
次に、図７以降を参照して、図６にて説明した構成の回路装置の製造方法を説明する。先ず、図７から図９を参照して、図６（Ａ）に示す構成の回路装置２０Ａの製造方法を説明する。

最初に、図７（Ａ）を参照して、銅等の金属から成る導電箔３０の表面にレジスト１０を積層させる。そして、図７（Ｂ）に示すように、導電パターンとなる箇所を除いて、レジスト１０を選択的に除去する。そして、ウェットエッチングにより、レジスト１０から露出する導電箔３０をパターンニングする。このことにより、分離溝２９が形成される。分離溝２９の形成により、各導電パターン２１は凸状に形成されている。ここでも、第1の実施の形態にて説明したように、場所によって相違するサイドエッチングの量を考慮してレジスト１０が形成されている。従って、サイドエッチングによる導電パターン２１の過度な細りや断線は抑止されている。更に、導電パターン２１同士の間隔が大きく開く箇所にはダミーパターンが形成されても良い。

図７（Ｄ）を参照して、半田等のロウ材を介して、半導体素子２２Ａおよびチップ素子２２Ｂを、所望の導電パターン２１に固着する。また、半導体素子２２Ａの表面の電極と導電パターン２１とは、金属細線２５を介して電気的に接続される。

次に、図８（Ａ）を参照して、分離溝２９に充填され、回路素子が被覆されるように、封止樹脂２８を形成する。この封止樹脂２８の形成は、熱硬化性樹脂を用いたトランスファーモールド、または、熱可塑性樹脂を用いたインジェクションモールドで行うことができる。

次に、図８（Ｂ）を参照して、導電箔３０を裏面から全面的に除去することにより、分離溝２９に充填された封止樹脂２８を裏面に露出させ、各導電パターン２１を電気的に分離する。そして、レジスト２６の形成、および、外部電極２７の形成を行うことにより、図８（Ｃ）に示すような回路装置２０が完成する。

次に、図９から図１１を参照して、図６（Ｃ）に示す回路装置２０Ｃの製造方法を説明する。先ず、図９（Ａ）を参照して、第１の導電箔３３および第２の導電箔３４が絶縁層２２を介して積層された積層シートを用意する。

次に、図９（Ｂ）を参照して、第1の導電箔３３の表面にレジスト１０を積層させる。そして、レジスト１０を選択的に除去することにより、貫通孔３５が形成予定の第1の導電箔３３の表面を露出させる。

次に、図９（Ｃ）を参照して、パターンニングされたレジスト１０を介して第1の導電箔３３のエッチングを行う。このことにより、部分的に第1の導電箔３３は除去され、貫通孔３５の底部から絶縁層２２が露出する。

貫通孔３５が形成された後は、図９（Ｄ）を参照して、レジスト１０は除去される。続いて、貫通孔３５の下方に位置するの絶縁層２２を除去することにより、貫通孔３５を第２の導電箔３４の表面まで到達させる。この絶縁層２２の除去は、炭酸ガスレーザーを用いて行うことが出来る。

そして、図１０（Ａ）を参照して、銅等の金属から成るメッキ膜を構成することにより、接続部３６を貫通孔３５に形成して、第1の導電箔３３と第２の導電箔３４とを電気的に接続する。

続いて、図１０（Ｂ）を参照して、第1の導電箔３３の上面および第２の導電箔３４の下面を、レジスト１０で選択的に被覆する。また、ここでも第1の実施の形態と同様に、局所的に大きくなるサイドエッチングを考慮したレジスト１０のパターンニングが行われている。即ち、大きなサイドエッチングが発生する箇所の導電パターンを被覆するレジスト１０を太らせて形成し、導電パターン間の間隔が大きくなる領域には、ダミーパターンを形成する。この方法は、積層シートの表面に設けられる第1の導電箔３３、積層シートの裏面に設けられる第２の導電箔３４の両方に適用される。

図１０（Ｃ）を参照して、積層シート２２Ａの両面に設けられた導電箔をウェットエッチングする方法を説明する。積層シート２２Ａは、ローラー４１の上部に載置される。そして、ローラー４１が回転することにより、積層シート２２Ａは所望の速度で移動される。紙面上では、積層シート２２Ａは右方向に送られている。エッチャント４２は、ノズル４０から積層シート２２Ａに連続的に吹き付けられている。ノズル４２は、積層シート２２Ａの上方および下方にそれぞれ設置されている。図面では積層シート２２Ａの上方および下方に１つずつノズル４０が設置されている。しかしながら、ノズル４０の数は、要求させるエッチング条件に応じて変化させることができる。

積層シート２２Ａの表面には、ノズル４０から供給されるエッチャントによる流れが形成される。従って、局所的に大きなサイドエッチングが発生する恐れがあるので、サイドエッチングの不均一性を考慮したレジスト１０のパターンニングが有効である。更に、積層シート２２Ａの下面においても、下方に位置するノズル４０から噴射されるエッチャント４２の流れが形成されるので、サイドエッチングの不均一性を考慮したレジスト１０のパターンニングが有効である。

図１１（Ａ）を参照して、第1の導電箔３３および第２の導電箔３４をエッチングすることで、第1の導電パターン２１Ａおよび第２の導電パターン２１Ｂが形成される。この状態でも、十分に基板としての付加価値を有する。

次に、図１１（Ｂ）を参照して、半導体素子２２Ａおよびチップ素子２２Ｂを、第１の導電パターン２１Ａに固着する。そして、図１１（Ｃ）を参照して、半導体素子２２Ａおよびチップ素子２２Ｂが被覆されるように封止樹脂２８を形成する。そして、裏面の処理を施すことにより回路装置が完成する。

本発明のエッチング方法を示すフローチャートである。 本発明のエッチング方法を示す断面図（Ａ）−（Ｂ）である。 本発明のエッチング方法を示す断面図（Ａ）−（Ｃ）である。 本発明のエッチング方法を示す平面図（Ａ）、断面図（Ｂ）、断面図（Ｃ）、平面図（Ｄ）である。 本発明のエッチング方法を示す平面図である。 本発明の回路装置の製造方法を示す断面図（Ａ）−（Ｃ）である。 本発明の回路装置の製造方法を示す断面図（Ａ）−（Ｄ）である。 本発明の回路装置の製造方法を示す断面図（Ａ）−（Ｃ）である。 本発明の回路装置の製造方法を示す断面図（Ａ）−（Ｄ）である。 本発明の回路装置の製造方法を示す断面図（Ａ）−（Ｃ）である。 本発明の回路装置の製造方法を示す断面図（Ａ）−（Ｃ）である。 従来のエッチング方法を示す断面図（Ａ）−（Ｄ）である。

符号の説明

１０ レジスト
１１ 導電箔
１２ 基板
１４ 露光マスク
１６ 導電パターン

Claims (23)

1. 形成予定の導電パターンに対応する領域の被エッチング材の表面を、エッチングマスクで被覆する工程と、
   前記エッチングマスクから露出する部分の前記被エッチング材をウェットエッチングすることで前記導電パターンを形成する工程とを具備し、
   前記ウェットエッチングにより側方にオーバーエッチングされる量に応じて、前記導電パターンに対応する領域を被覆する前記エッチングマスクの幅を広くすることを特徴とするエッチング方法。
2. 前記導電パターン同士の間隔が広くなる箇所の前記導電パターンに対応する領域を被覆する前記エッチングマスクの幅を、他の箇所の前記導電パターンに対応する領域を被覆する前記エッチングマスクよりも広く形成することを特徴とする請求項１記載のエッチング方法。
3. 曲折する箇所の前記導電パターンに対応する領域を被覆する前記エッチングマスクの幅を、他の箇所の前記導電パターンに対応する領域を被覆する前記エッチングマスクの幅よりも広く形成することを特徴とする請求項１記載のエッチング方法。
4. 前記被エッチング材は、絶縁性の基材の表面および裏面に実質全面的に形成された第1の被エッチング材および第２の被エッチング材から成り、
   前記第1の被エッチング材および前記第２の被エッチング材をウェットエッチングすることにより前記導電パターン同士を分離することを特徴とする請求項１記載のエッチング方法。
5. 前記第1の被エッチング材および前記第２の被エッチング材を同時にエッチングすることを特徴とする請求項４記載のエッチング方法。
6. 前記ウェットエッチングは、エッチャントをシャワーリングすることにより行うことを特徴とする請求項１記載のエッチング方法。
7. 前記被エッチング材は導電箔であり、当該導電箔の厚さよりも浅い分離溝を前記ウェットエッチングにより形成することで、当該分離溝により前記導電パターンは凸状に形成されることを特徴とする請求項１記載のエッチング方法。
8. 形成予定の導電パターンに対応する領域の被エッチング材の表面を、エッチングマスクで被覆する工程と、
   前記エッチングマスクから露出する部分の前記被エッチング材をウェットエッチングすることで前記導電パターンを形成する工程とを具備し、
   前記導電パターン同士の間隔が広くなる箇所にダミーパターンを設けることを特徴とするエッチング方法。
9. 前記被エッチング材は、絶縁性の基材の表面および裏面に実質全面的に形成された第1の被エッチング材および第２の被エッチング材から成り、
   前記第1の被エッチング材および前記第２の被エッチング材をウェットエッチングすることにより前記導電パターン同士を分離することを特徴とする請求項８記載のエッチング方法。
10. 前記第1の被エッチング材および前記第２の被エッチング材を同時にエッチングすることを特徴とする請求項９記載のエッチング方法。
11. 前記ウェットエッチングは、エッチャントをシャワーリングすることにより行うことを特徴とする請求項８記載のエッチング方法。
12. 前記被エッチング材は導電箔であり、当該導電箔の厚さよりも浅い分離溝が前記ウェットエッチングにより形成され、当該分離溝により前記導電パターンは凸状に形成されることを特徴とする請求項８記載のエッチング方法。
13. 形成予定の導電パターンに対応する領域の被エッチング材の表面を、エッチングマスクで被覆する工程と、
    前記エッチングマスクから露出する部分の前記被エッチング材をウェットエッチングすることで前記導電パターンを形成する工程と、
    前記導電パターンと回路素子とを電気的に接続する工程と、
    前記導電パターンおよび前記回路素子を封止する工程とを具備し、
    前記ウェットエッチングにより側方にオーバーエッチングされる量に応じて、前記導電パターンに対応する領域を被覆する前記エッチングマスクの幅を広くすることを特徴とする回路装置の製造方法。
14. 前記導電パターン同士の間隔が広くなる箇所の前記導電パターンに対応する領域を被覆する前記エッチングマスクの幅を、他の箇所の前記導電パターンに対応する領域を被覆する前記エッチングマスクよりも広く形成することを特徴とする請求項１３記載の回路装置の製造方法。
15. 曲折する箇所の前記導電パターンに対応する領域を被覆する前記エッチングマスクの幅を、他の箇所の前記導電パターンに対応する領域を被覆する前記エッチングマスクの幅よりも広く形成することを特徴とする請求項１３記載の回路装置の製造方法。
16. 前記被エッチング材は、絶縁性の基材の表面および裏面に実質全面的に形成された第1の被エッチング材および第２の被エッチング材から成り、
    前記第1の被エッチング材および前記第２の被エッチング材をウェットエッチングすることにより前記導電パターン同士を分離することを特徴とする請求項１３記載の回路装置の製造方法。
17. 前記第1の被エッチング材および前記第２の被エッチング材を同時にエッチングすることを特徴とする請求項１６記載の回路装置の製造方法。
18. 前記ウェットエッチングは、エッチャントをシャワーリングすることにより行うことを特徴とする請求項１３記載の回路装置の製造方法。
19. 前記被エッチング材は導電箔であり、当該導電箔の厚さよりも浅い分離溝を前記ウェットエッチングにより形成することで、当該分離溝により前記導電パターンは凸状に形成されることを特徴とする請求項１３記載の回路装置の製造方法。
20. 形成予定の導電パターンに対応する領域の被エッチング材の表面を、エッチングマスクで被覆する工程と、
    前記エッチングマスクから露出する部分の前記被エッチング材をウェットエッチングする工程と、
    前記導電パターンと回路素子とを電気的に接続する工程と、
    前記導電パターンおよび前記回路素子を封止する工程とを具備し、
    前記導電パターン同士の間隔が広くなる箇所にダミーパターンを設けることを特徴とする回路装置の製造方法。
21. 前記被エッチング材は、絶縁性の基材の表面および裏面に実質全面的に形成された第1の被エッチング材および第２の被エッチング材から成り、
    前記第1の被エッチング材および前記第２の被エッチング材をウェットエッチングすることにより前記導電パターン同士を分離することを特徴とする請求項２０記載の回路装置の製造方法。
22. 前記第1の被エッチング材および前記第２の被エッチング材を同時にエッチングすることを特徴とする請求項２１記載の回路装置の製造方法。
23. 前記ウェットエッチングは、エッチャントをシャワーリングすることにより行うことを特徴とする請求項２０記載の回路装置の製造方法。

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