JP2005217167A - 半導体装置及びそれを用いた電力装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】逆並列に接続した半導体スイッチング素子とダイオードを有する半導体パッケージ内において、前記ダイオードは誘電体の板を挟んで対向する2つの導電板により構成されるコンデンサを介して前記半導体パッケージ内の基板に取り付けられ、前記コンデンサがスナバコンデンサとして働く。
【選択図】図1
Description
スイッチング回路122、123、132、133、142及び143はすべて同じ回路構成を有するので、以下スイッチング回路122について詳細に説明する。
図11において、導電板184aと導電板184b間には外付けのコンデンサがスナバコンデンサ165として接続されている。スナバコンデンサ165の定格は例えば、耐圧が5kV、容量が約1000pFである。導電板184aと184b間にスナバコンデンサ165を接続することにより、スナバコンデンサ165はダイオード164のカソード163とアノード170間に接続されることになる。
そこでスナバコンデンサ165の容量を、前記電圧上昇率が前記臨界電圧上昇率より一定の値だけ小さくなるように選定することにより、インバータの安定した動作が可能となる。
このような特性を有するSiCの半導体を用いたスイッチング素子160とダイオード164を用いて構成した図11に示すモジュールを500℃程度の温度で動作させると、コンデンサ165も500℃近い温度になる。しかし現在入手可能な通常の有機物誘電体を使ったコンデンサの使用可能温度は150℃程度であり、通常の有機物誘電体を用いたものでは500℃程度の温度に耐えるコンデンサは一般的でない。そこで従来はコンデンサ165の温度上昇を避けるために、コンデンサ165をSiCのスイッチング素子160とダイオード164から遠く離して導線で接続している。ところがそのようにすると、インバータのスイッチング周波数が高い場合に、導線の浮遊インダクタンスにより大きな過渡電圧が発生するおそれがある。また半導体パッケージとしての取扱いに不便であり実用的でないとともに、小型化の阻害要因となる。これらの問題を解決することが、従来の半導体スイッチング素子とダイオードを組み合わせたモジュールを有する半導体装置、及びそれを有する電力装置においては求められていた。
本発明は、上記の課題を解決することのできる半導体装置を提供することを目的とする。
本発明によれば、2つの導電体の間に誘電体を挟むことによりコンデンサが形成され、このコンデンサが、逆並列に接続された半導体スイッチング素子とダイオード素子に並列に接続されてスナバコンデンサとして働く。
本発明の他の観点の半導体装置は、導電性のヒートシンク上に設けられ、互いに逆並列に接続された半導体スイッチング素子とダイオード素子、及び前記半導体スイッチング素子とダイオード素子のいずれか一方と、前記ヒートシンクとの間に設けられた所定の面積を有する耐熱誘電体であってその両面にそれぞれ導電体を有するもの、を備え、前記それぞれの導電体が前記スイッチング素子と半導体ダイオード素子の前記いずれか一方の電流流入端と電流流出端にそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする。
本発明によれば、逆並列に接続された半導体スイッチング素子とダイオード素子がヒートシンク上に設けられ、前記スイッチング素子とダイオード素子のいずれか一方とヒートシンクとの間に、2つの導電体の間に誘電体を挟んで構成したコンデンサが設けられている。コンデンサは逆並列に接続された半導体スイッチング素子及びダイオード素子に並列に接続されてスナバコンデンサとして働く。
本発明によれば、逆並列に接続された半導体スイッチング素子とダイオード素子が、それぞれ半導体スイッチング素子とダイオード素子の熱膨張率に近い熱膨張率を有する熱膨張緩和用の金属板を介してヒートシンク上に設けられている。また、2つの導電体の間に誘電体を挟んで構成したコンデンサが、前記ダイオード素子と前記金属板との間に設けられている。コンデンサはダイオード素子に並列に接続されてスナバコンデンサとして働く。また半導体スイッチング素子及びダイオード素子と、ヒートシンク間にそれぞれ熱膨張緩和用の第1及び第2の導電体を設けたことにより、ヒートシンクが熱膨張した場合に、その熱膨張により半導体スイッチング素子及びダイオード素子に生じる歪みや応力が軽減され、素子にひび割れ(クラック)が生じたりすることを防止できる。
本発明の他の観点の半導体装置は、ヒートシンク上に設けられた、前記ヒートシンク上に取り付けられるダイオード素子の熱膨張率に近い熱膨張率を有する第1の導電体、前記第1の導電体の上に取り付けられたダイオード素子、及び前記ヒートシンク上に設けられた、前記ヒートシンク上に取り付けられる半導体スイッチング素子の熱膨張率に近い熱膨張率を有する第2の導電体、前記第2の導電体の上に設けられた、所定の面積を有する誘電体板を挟んで対向する2つの導電体、及び前記誘電体に対向する導電体の上に設けられた、前記ダイオード素子に逆並列に接続された半導体スイッチング素子を備え、前記2つの導電体がそれぞれ前記半導体スイッチング素子の電流流入端と電流流出端に電気的に接続されていることを特徴とする。
本発明によれば、逆並列に接続された半導体スイッチング素子とダイオード素子が、それぞれ半導体スイッチング素子とダイオード素子の熱膨張率に近い熱膨張率を有する熱膨張緩和用の第1及び第2の導電体を介してヒートシンク上に設けられている。また、対向する2つの導電体の間に誘電体を挟んで構成したコンデンサが、前記半導体スイッチング素子と前記金属板との間に設けられている。コンデンサは半導体スイッチング素子に並列に接続されてスナバコンデンサとして働く。半導体スイッチング素子及びダイオード素子と、ヒートシンクとの間に前記熱膨張緩和用の第1及び第2の導電体を設けたことにより、ヒートシンクが熱膨張した場合に、半導体スイッチング素子及びダイオード素子に生じる歪みや応力が軽減され、素子にクラックが入ったりすることを防止できる。
本発明の半導体装置、及びその半導体装置を具備した電力装置によれば、互いに逆並列に接続されたワイドギャップ半導体スイッチング素子とワイドギャップ半導体ダイオード素子として、2つの導電体の間に誘電体を挟んで構成したコンデンサを並列に接続してスナバコンデンサとしている。このスナバコンデンサは、誘電体として無機系のもの又は450℃程度までの温度に耐えうる、例えばポリイミド樹脂を用いた場合、ワイドギャップ半導体素子の高い使用温度においても正常かつ安全に機能する。その結果、従来のように通常のコンデンサを外付けしてなるスナバコンデンサは不要となり、且つ誘電体として高温に耐えるものを用いた場合、半導体装置の小型化が可能になるとともに構造が簡単になる。また、スイッチング素子を高い周波数で駆動するとき、スナバコンデンサを外付けにする場合に比べ大幅に配線を短くでき、配線のインダクタンスを小さくできる。そのため過渡電圧を抑制できるとともに、駆動周波数を高くすることができる。
本発明の第1実施例の半導体装置である半導体パッケージ1を図1及び図2を参照して説明する。図1の(a)は本実施例の半導体パッケージ1の断面図であり、同(b)は半導体パッケージ1内に収納されている複数の半導体素子を含む半導体モジュールの回路図である。図2の(a)及び(b)は、図1の(a)の半導体パッケージ1に含まれる半導体素子を構成する各半導体層を図の上下に拡大して示した断面図である。
本実施例の半導体素子は、ワイドギャップ半導体である炭化珪素(SiC)半導体を用いたものであり、図1の半導体パッケージ1内に、耐電圧5kV、定格電流110AのSiCゲートターンオフサイリスタ(以下、SiC−GTOと略記する)9とSiCのフリーホイーリングダイオード(以下、SiCダイオードと略記する)10が収納されている。
絶縁板4の上にCu等の薄板で作られた3つの導電板5a、5b、5cが接着されている。導電板5aの上には、SiC−GTO9のゲート電極9aに導線6aで接続された中継部6bが設けられている。中継部6bは導線6cでゲート端子6に接続されている。導電板5bの左側部分には、SiC−GTO9が設けられ、右側部分にはSiCダイオード10が設けられている。導電板5bの中央部には、SiCダイオード10のアノード電極10a(電流流入端)に導線7aで接続された中継部7tが設けられている。中継部7tは導線7mでカソード端子7に接続されている。
図2の(a)に示すSiC−GTOは、n+型SiCの半導体基板100の上に形成したp−型SiCのドリフト層101、及び前記ドリフト層101の上に形成したn型SiCのベース層102を有する。SiC半導体基板100の下面にはカソード電極9k(電流流出端)が設けられている。ベース層102の両端部にはn+型SiCのゲートコンタクト領域103が設けられており、それぞれのゲートコンタクト領域103にゲート電極9gが設けられている。2つのゲート電極9gは図示を省略した接続部で図1に示すように1つのゲート電極9aに接続されている。ベース層102の中央領域にp型SiCのアノード領域104が設けられ、アノード領域104にアノード電極9b(電流流入端)が設けられている。
SiC−GTO9は図1に示すように、そのカソード電極9kが導電板5bに電気的に接続されるように、導電板5bに取り付けられている。
導電板5cには中継部8tが設けられている。中継部8tには、導線8aでSiC−GTO9のアノード電極9bが接続されるとともに、導線8bでSiCダイオード10のカソード電極10bが金属板12を経て接続されている。中継部8tは導線8dでアノード端子8に接続されている。これによりSiC−GTO9とSiCダイオード10は逆並列に接続される。本実施例の半導体装置は、ヒートシンク2の絶縁シール材18を貫通して外部へ導出されるゲート端子6、カソード端子7、及びアノード端子8で外部の回路に接続される。ヒートシンク2の上面を覆うキャップ20が、ヒートシンク2の外縁部に溶接等で取り付けられて、半導体パッケージ1が完成する。キャップ20によってSiC−GTO9及びSiCダイオード10を含む空間は密閉され、湿気などの侵入が防止される。
本実施例の半導体パッケージ1を6つ用いて図9に示すような三相のインバータを構成して、定格電圧5kV、定格電流110Aのインバータとして動作させたところ、各SiC−GTO9のターンオフ時における電圧上昇率は5000V/μsであった。SiC−GTO9の臨界電圧上昇率は30000V/μsであるので、前記電圧上昇率5000V/μsは臨界電圧上昇率よりも小さく、SiC−GTOに損傷を与えるおそれはない。半導体パッケージ1に組み込む半導体素子の臨界電圧上昇率が5000V/μsより小さいときは、コンデンサ15の誘電体板13に大きな比誘電率を有する誘電体、例えば比誘電率40のSiCセラミックを用いたり、コンデンサ15の面積を大きくしたりして静電容量を大きくすればよい。また定格電圧に合わせて誘電体板13の厚さを必要最小限にすることによってコンデンサ15の静電容量を増加させてもよい。
本実施例の半導体パッケージ1には、ヒートシンク2と一体にしたスナバ用のコンデンサ15が内蔵されているので、外付けのスナバコンデンサを設ける必要がなく、半導体パッケージ1の小型化が可能となる。また、スイッチング素子を高い周波数で駆動するとき、スナバコンデンサを外付けにする場合に比べ大幅に配線を短くでき、配線のインダクタンスを小さくできる。そのため過渡電圧を抑制できるとともに、駆動周波数を高くすることができる。また製造時に外付けのコンデンサを接続する工程が不要なので生産性が良く生産コストを低減することができる。
本実施例の半導体装置では、ヒートシンク2と、SiC−GTO9及びSiCダイオード10との間に金属板3と絶縁板4とを介在させることにより、ヒートシンク2の膨張がSiC−GTO9及びSiCダイオード10に与える機械的歪みが緩和され、SiC−GTO9及びSiCダイオード10のひび割れなどを防止することができる。
本発明の第2実施例の半導体装置を図3の(a)及び(b)を参照して説明する。図3の(a)は本実施例の半導体装置の断面図であり、同(b)はその回路図である。
図3の(a)において、ヒートシンク20は、SiC半導体の膨張率(線膨張率βは約4.5×10−6/K)に近い膨張率(線膨張率βは約8×10−6/K)を有する、銅(Cu)とタングステン(W)の合金である銅タングステン(CuW)を用いて作られている。ヒートシンク20の上面左側部分に、前記第1実施例のものと同じSiC−GTO9が、そのカソード電極9kがヒートシンク20に電気的に接続されるように取り付けられている。カソード電極9kとヒートシンク20の取付方法としては、導電性接着剤を用いて接着する方法、高温半田による半田付方法等を用いる。SiC−GTO9のゲート電極9aは導線9eによりゲート端子26に接続されている。SiC−GTO9のエミッタ電極9bは導線9fによりエミッタ端子28に接続されている。
本実施例の半導体装置の回路図を図3の(b)に示す。図3の(b)の回路図に示すように、図1の(b)の回路にあるコンデンサ16は形成されない。
本実施例によれば、前記第1実施例の半導体装置の特徴に加えて、ヒートシンク20の材料として、SiC半導体材料の膨張率に近い膨張率を有する銅タングステン(CuW)を用いたことにより、SiC−GTO9をヒートシンク20に直接取り付けても、ヒートシンク20とSiC−GTO9の膨張率の違いによりSiC−GTO9が破損したり、ヒートシンク20との接合部ではがれたりするのを防止することができる。SiC−GTO9をヒートシンク20に直接取り付けると放熱効果が高いので、SiC−GTO9の温度上昇を抑制することができる。
本発明の第3実施例の半導体装置を図4及び図5を参照して説明する。図4は本実施例の半導体装置の断面図である。本実施例の半導体装置においては、半導体スイッチング素子として絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(以下、IGBTと略記する。)39を用い、フリーホイールダイオードとしてショットキーダイオード40を用いているが、半導体装置としての機能は前記第1及び第2実施例のものと実質的に変わりはない。
図4において、アルミニウムや銅等で作られたヒートシンク30の上面左側部分に、熱膨張緩和用の基板38が設けられており、基板38の上に半導体スイッチング素子としての、例えば定格電圧4kVのIGBT39が取り付けられている。熱膨張緩衝用の基板である、熱膨張緩和用の基板38は、SiC半導体材料の膨張率に近い膨張率を有する導電性の材料であり、銅タングステン(CuW)、アルミニウムをSiCに含浸させた焼結体(線膨張率βは8〜10×10−6/K)、SiC単結晶、モリブデン、ダイヤモンド等が用いられている。熱膨張緩衝用の基板38は熱膨張緩衝作用を果たすのでこの場合その熱膨張係数は半導体装置のそれより若干ヒートシンクのそれの方に寄ったものが良い効果が得られた。基板38は導電性接着剤によりヒートシンク30に取り付けられる。本実施例では、半導体スイッチング素子のIGBT39を基板38を介在させてヒートシンク30に取り付けているので、半導体装置の動作中に温度が変化してヒートシンク30が熱膨張により伸縮しても、その伸縮がIGBT39に与える機械的歪みを緩和することができ、機械的歪みによりIGBT39が損傷を受けるのを防止できる。基板38の面積をIGBT39の面積より大きくすると、IGBT39から発生する熱が基板38の面方向に拡がってヒートシンク30へ伝わるので放熱効果が改善される。すなわちIGBT39からヒートシンク30へ至る熱抵抗が低下する。基板38にSiC単結晶を用いた実験例では、上記熱抵抗は0.15℃/Wであった。
図4においてIGBT39のエミッタ電極39eは基板38を経てヒートシンク30に電気的に接続され、ゲート電極39gは、導線39fでゲート端子36に接続されている。IGBT39のコレクタ電極39kは導線37aでコレクタ端子37に接続されている。
誘電体板13に厚さ0.1mmのチタン酸ストロンチウム板を用いた場合について静電容量を測定したところ、1平方センチメートル当たりの静電容量は1500pFであった。
本実施例の半導体装置では、半導体スイッチング素子であるショットキーダイオード39とヒートシンク30との間にそれぞれ熱膨張緩和用の基板38、48を介在させているので、ヒートシンク30を膨張率の大きい銅で構成した場合に、ヒートシンク30の大きな熱膨張により誘電体板13及びSiCショットキーダイオード39に与えられる機械的歪みが緩和される。
本実施例では、ヒートシンク30に銅タングステン(CuW)などの高価な材料を用いる代わりに安価な銅のヒートシンクを使用する場合に適している。
本発明の第4実施例の半導体装置を図6の(a)及び(b)を参照して説明する。本実施例の半導体装置はSiCダイオード10、コンデンサ15及び抵抗器52を組み合わせたスナバ回路50である。このスナバ回路50は他の半導体回路と組み合わせて使うものである。図6の(a)はスナバ回路50の断面図であり、同(b)はその回路図である。
図6の(a)において、銅タングステン(CuW)等の比較的膨張率の低い導電性の材料を用いたヒートシンク51の上に、導電板12、13の間に誘電体板13を挟んで構成したコンデンサ15が取り付けられている。コンデンサ15の上には、図1に示す前記第1実施例のものと同様のSiCダイオード10が、そのカソード電極10bが導電板12に電気的に接続されるように設けられている。SiCダイオード10のアノード電極10aとカソード電極10b間に抵抗器52が接続されている。抵抗器52は高耐熱性の炭素系材料で作られており、その抵抗値は例えば100Ωである。図6の(a)の構成により、図6の(b)の回路図に示すように、SiCダイオード10と抵抗器52の並列接続体にコンデンサ15が直列に接続されたスナバ回路50が得られる。
本実施例のスナバ回路50において、ヒートシンク51に銅やアルミニウムなどの膨張率の大きい材料を用いる場合には、コンデンサ15とヒートシンク51との間に銅タングステン(CuW)等の膨張率の低い熱膨張率緩和用の板状部材を挟む。これにより銅のヒートシンク51の熱膨張により、コンデンサ15及びSiCダイオード10が受ける機械的歪みを緩和することができる。
本発明の第5実施例の半導体装置を図7及び図8を参照して説明する。図7は本実施例の半導体装置である半導体パッケージ60断面図であり、図8は半導体パッケージ60の回路図である。
図7において、ヒートシンク61の上に導電板82を介してスイッチング素子であるSiC−GTO69が設けられている。SiC−GTO69は前記第1実施例のSiC−GTO9と実質的に同じものである。SiC−GTO69のカソード電極69kは導電板82に電気的に接続されており、導電板82を経てヒートシンク61に電気的に接続される。SiC−GTO69のゲート電極69gは、導線62aで第1のゲート端子62に接続され、アノード電極69aは導線63aでアノード端子63に接続されている。もう1つのSiC−GTO79は、金属板11及び12の間に誘電体板13を挟んで構成したコンデンサ15aを介してヒートシンク61上に設けられている。SiC−GTO79のカソード電極79kは金属板12に電気的に接続され、導線64aによりカソード端子64に接続されている。SiC−GTO79のゲート電極79gは導線65aにより第2のゲート端子65に接続され、アノード電極79aは導線79eでヒートシンク61に接続されている。
図7の半導体パッケージ60の回路図を図8に示す。半導体パッケージ60のアノード端子63を直流電源90の正端子に接続し、カソード端子64を負端子に接続する。図示を省略したが、3つの半導体パッケージ60を直流電源90に並列に接続することにより三相のインバータが構成される。
3 金属板
4 絶縁板
5a、5b、5c 導電板
6 ゲート端子
7 カソード端子
8 アノード端子
9、69、79 SiC−GTO
10、70、80 SiCダイオード
11、12 金属板
13 誘電体板
15 コンデンサ
19 キャップ
38、48 熱膨張緩和板
39 IGBT
40 ショットキーダイオード
Claims (11)
- 導電性の基板上に設けられ、互いに逆並列に接続された半導体スイッチング素子とダイオード素子、及び
前記半導体スイッチング素子とダイオード素子のいずれか一方と、前記導電性の基板との間に設けられた所定の面積を有する誘電体であってその両面にそれぞれ導電体を有するもの、を備え、
前記それぞれの導電体が、前記半導体スイッチング素子とダイオード素子のいずれか一方の電流流入端と電流流出端にそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 導電性のヒートシンク上に設けられ、互いに逆並列に接続された半導体スイッチング素子とダイオード素子、及び
前記半導体スイッチング素子とダイオード素子のいずれか一方と、前記ヒートシンクとの間に設けられた、所定の面積を有する誘電体を挟んで対向する2つの導電体を備え、
前記2つの導電体が前記半導体スイッチング素子とダイオード素子のいずれか一方の電流流入端と電流流出端にそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - ヒートシンク上に設けられた、前記ヒートシンク上に取り付けられる半導体スイッチング素子の熱膨張率に近い熱膨張率を有する第1の導電体、
前記第1の導電体の上に取り付けられた半導体スイッチング素子、
前記ヒートシンク上に設けられた、前記ヒートシンク上に取り付けられるダイオード素子の熱膨張率に近い熱膨張率を有する第2の導電体、
前記第2の導電体の上に設けられた、所定の面積を有する誘電体を挟んで対向する2つの導電体、及び
前記誘電体に対向する導電体の上に設けられた、前記半導体スイッチング素子に逆並列に接続されたダイオード素子を備え、
前記2つの導電体がそれぞれ前記ダイオード素子のアノードとカソードに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - ヒートシンク上に設けられた、前記ヒートシンク上に取り付けられるダイオード素子の熱膨張率に近い熱膨張率を有する第1の導電体、
前記第1の導電体の上に取り付けられたダイオード素子、
前記ヒートシンク上に設けられた、前記ヒートシンク上に取り付けられる半導体スイッチング素子の熱膨張率に近い熱膨張率を有する第2の導電体、
前記第2の導電体の上に設けられた、所定の面積を有する誘電体を挟んで対向する2つの導電体、及び
前記誘電体に対向する導電体の上に設けられた、前記ダイオード素子に逆並列に接続された半導体スイッチング素子を備え、
前記2つの導電体がそれぞれ前記半導体スイッチング素子の電流流入端と電流流出端に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体スイッチング素子がワイドギャップ半導体のスイッチング素子であり、前記ダイオード素子がワイドギャップ半導体のダイオードであることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記所定の面積を有する誘電体が、アルミナ、酸化マグネシウム、窒化珪素、窒化アルミニウム、酸化ベリリウム、二酸化タンタル、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム及びSiCセラミックの群から選択した少なくとも1つの材料で作られていることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置。
- 少なくとも前記半導体スイッチング素子及びダイオード素子が密閉容器内に収納されて半導体パッケージを形成していることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記ヒートシンクが、銅(Cu)とタングステン(W)の合金(CuW)、銅(Cu)とモリブデン(Mo)の合金、モリブデン(Mo)及び銅(Cu)の群から選択した少なくとも一つの材料で作られていることを特徴とする請求項2、3又は4に記載の半導体装置。
- 前記第1及び第2の導電体が銅タングステン合金(CuW)、炭化珪素(SiC)や炭化珪素を主成分とする合金、モリブデン、及びダイヤモンドから選択した少なくとも1つの材料で作られていることを特徴とする請求項3又は4に記載の半導体装置。
- ヒートシンク上に設けられた、所定の面積を有する誘電体と、前記誘電体を挟んで対向する2つの導電体を有するコンデンサ、
前記コンデンサの上に設けられたダイオード素子及び
前記ダイオード素子に並列に接続された抵抗器
を有する半導体装置。 - 請求項1から請求項4の半導体装置をスイッチング装置として有する電力装置。
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