JP2005216711A - Led素子の駆動方法及び駆動装置、照明装置並びに表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 LED点灯回路20は、LED素子22を含むLEDランプ10にパルス電流21を供給する。LED点灯回路20のパルス電流値演算部24は、LED素子22の駆動電流値対発光色特性を参照して、所望発光色を指示する色信号cを波高値信号iに変換する。デューティ演算部25は、所望発光強度を指示する強度信号p及び波高値信号iに基づいて、波高値信号iが指示する波高値IとデューティDとの積が強度信号pが指示する所望発光強度に相当するようなデューティDを指示するデューティ信号dを求める。パルス電流発生部26は、波高値信号iが指示する波高値I及びデューティ信号dが指示するデューティDを有するパルス電流21を生成する。
【選択図】 図6
Description
以下に本発明の実施の形態1について、図面を参照しつつ説明する。
〈照明装置の概略〉
本発明の実施の形態1に係る照明装置の外観を図1に示す。図1に示す照明装置1は、多数(約60個)のLEDランプ10を含んでいる。LEDランプ10が平面内にマトリクス状に集積されることで、パネル11が形成されている。各LEDランプ10は、1つのLED素子22(図2参照)を含んでいる。後述するように、LED素子22は、互いに発光波長ピークの異なる2つの窒化物系半導体発光層42、44(図3参照)を含んでいる。パネル11の後方には、多数のLEDランプ10を駆動するための駆動装置であるLED点灯回路20が配置されている。パネル11及びLED点灯回路20は、外箱13に収められている。外箱13の前面には、多数のLEDランプ10からの出力光を拡散して均一に放出するためのディフューザ14が取り付けられている。外箱13の前面には、受信部15が設けられている。受信部15は、外箱13とは別体のリモートコントローラから、照明装置1のON/OFFや、発光色指定、明るさ指定などの命令信号を受信するためのものである。
図2は、本実施の形態に係る照明装置1に含まれるLED素子22の断面図である。LED素子22においては、サファイア基板31上に、GaNバッファ層(図示せず)と、n型のGaNコンタクト層32、n型のInGaNクラッド層33、活性領域34、p型のAl0.1Ga0.9N蒸発防止層35、p型のGaNコンタクト層36が順次積層されている。GaNコンタクト層36上のほぼ全面には、パラジウム(Pd)膜からなるp型電極38がパターン形成されている。p型電極38上にはモリブデン/金(Mo/Au)からなる電極パッド39がパターン形成されている。また、GaNコンタクト層32は上面中央部が隆起部となった凸形状を有しており、その隆起部上にのみ上記各層33〜36が形成されている。GaNコンタクト層32の非隆起部上には、ハフニウム(Hf)膜及びその上のアルミニウム(Al)膜で構成されたn型電極37がパターン形成されている。
図4は、LED素子22を一定電流で直流駆動した場合の駆動電流値とそのときの発光色の関係(駆動電流値対発光色特性)を示したCIE標準色度図である。図4に記載のライン18は、駆動電流値を1mAから200mAまで変化させたときの発光色の変化を示す軌跡である。例えば、駆動電流が5mAのときの発光色は黄色がかった白色((x,y)=(0.38,0.35))であるが、電流が増大するにつれて青色発光の影響が強くなり、100mAのときの発光色は青みがかった白色((x,y)=(0.26,0.28))となり、200mAのときの発光色はさらに青みがかった白色((x,y)=(0.22,0.22))となる。例えば、LED素子22において(x,y)=(0.33,0.32)の白色を得るためには、LED素子22に供給される駆動電流を約10mAとする必要がある。このように、LED素子22の発光色は、電流値の増加に応じて、CIE標準色度図内を右上から左下に向かってやや上方に膨らむように湾曲した曲線に沿って変化していく。これは、LED素子22からの出力における2つの発光層42、44の寄与の割合が駆動電流値に応じて変化するためであると推論される。
図6に、本実施の形態に係る照明装置1の制御ブロック図を示す。図6においては、図面を簡略にするために、多数のLEDランプ10のうちの1つだけを描いている。図6に示すように、LED点灯回路20は、強度信号p及び色信号cを受信し、LEDランプ10に供給される方形波である波高値I及びデューティDのパルス電流21を出力する。本実施の形態の照明装置1において、強度信号p及び色信号cは、各々、リモートコントローラから発せられ受信部15を通じてLED点灯回路20に入力された、照明装置1の明るさを指定するための信号、及び、発光色を指定するための信号である。
次に、LED点灯回路20を中心とした照明装置1の動作例について、図7に示すフローチャートを参照しつつ説明する。LED点灯回路20は、パネル11に搭載されたすべてのLEDランプ10を同一の条件で駆動する。本動作例では、照明装置1を所望発光色((x,y)=(0.33,0.32))、所望発光強度P=5で発光させる場合について説明する。なお、本明細書において、発光強度Pを便宜的に無単位の数値で表すことにする。この数値が大きいほど発光強度Pが大きいことを意味している。発光強度P=5は、照明装置1に含まれる全LEDランプ10を波高値10mA、デューティ0.5で駆動したときの明るさに相当するものとする。
別の動作例として、照明装置1の所望発光色を(x,y)=(0.33,0.32)に相当する色に維持した状態において、所望発光強度Pを7、5、3と時間の経過と共に切り換える場合について説明する。この場合、LED点灯回路20に入力される色信号cはc33で一定であるが、強度信号pが所望発光強度Pの変化に応じてp7、p5、p3と変化する。したがって、本動作例は、図7に示したフローチャートにおいて、ステップS5からステップS1に戻る場合に相当する。
さらに別の動作例として、照明装置1の所望発光色を(x,y)=(0.38,0.35)に相当する色(黄みがかった白色)から(x,y)=(0.26,0.28)に相当する色(青みがかった白色)へと切り換えると共に、この切り換えに合わせて、所望発光強度を発光強度4から発光強度7へと切り換える場合について説明する。本動作例も、LED点灯回路20に入力される色信号c及び強度信号pが変化するので、図7に示したフローチャートにおいて、ステップS5からステップS1に戻る場合に相当する。この場合、LED点灯回路20に与えられる色信号c及び強度信号pの組は、色信号c38及び強度信号p4から色信号c26及び強度信号p7に切り換えられるとする。
次に、本発明の実施の形態2に係る照明装置について説明する。本実施の形態の照明装置は実施の形態1の照明装置と類似しているので、ここでは主に実施の形態1との相違点について説明する。なお、実施の形態1と同じ部材については同じ符号を付すこととして説明を省略する。
次に、本発明の実施の形態3に係る照明装置について説明する。本実施の形態の照明装置は実施の形態1の照明装置と類似しているので、ここでは主に実施の形態1との相違点について説明する。なお、実施の形態1と同じ部材については同じ符号を付すこととして説明を省略する。
次に、本発明の実施の形態4に係る照明装置について説明する。なお、実施の形態1と同じ部材については同じ符号を付すこととして説明を省略する。本実施の形態に係る照明装置に含まれるLED素子は、活性領域の構造が実施の形態1〜3とは相違している。図10は、本実施の形態に係る照明装置に含まれるLED素子が有する活性領域34’の模式的な断面図である。活性領域34’は、図10に示すように、InGaN障壁層51、InGaN青色発光層52、InGaN障壁層53、InGaN緑色発光層54、InGaN障壁層55、InGaN赤色発光層56、及び、InGaN障壁層57が、サファイア基板31に近い方から順に積層されたものである。つまり、活性領域34’は、発光波長ピークの異なる3つの発光層52、54、56が直列に配置された3層の多重量子井戸(MQW)構造を有している。
次に、本発明の実施の形態5による表示装置であるディスプレイについて説明する。図14に描かれたディスプレイ90は、多数のLEDランプ93がX方向及びY方向にマトリクス状に配列されたディスプレイ本体91と、その背後に配置されたLED点灯回路ブロック92とを有している。各LEDランプ93は、図2及び図3で説明したLED素子22を含んでいる。LED点灯回路ブロック92は、図6に示したLED点灯回路20をLEDランプ93と同数だけ有している。LED点灯回路ブロック92に含まれる複数のLED点灯回路20は、それぞれ、1つのLEDランプ93の発光色及び発光強度を制御する。
以上、本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明は上述の実施の形態に限られるものではなく、特許請求の範囲に記載した限りにおいて様々な設計変更が可能なものである。例えば、上述した実施の形態においては、説明を分かり易くするために、LED素子において駆動電流Iと発光強度Pとが比例関係をもっている、つまり、P=A×I×D(Aは定数)として説明してきたが、本発明はこのようなLED素子を駆動する場合に限られるものではない。LED素子において発光強度Pを駆動電流IとデューティDとの関数、すなわち、P=D×f[I]又はP=f’[I,D](関数f’は、与えられた駆動電流I及びデューティDに対する発光強度を表すものである)として表すことができるのであれば、本発明を適用することが可能である。このような関数f又はf’は、予めテーブルとして記憶装置に記憶されていてもよい。
10 LEDランプ
11 パネル
13 外箱
14 ディフューザ
15 リモコン受信部
20、60、70、80 LED点灯回路
21 パルス電流
22 LED素子
24、62、81 パルス電流値演算部
24a 発光色特性記憶部
25、82 デューティ演算部
25b 発光強度特性記憶部
26、72a、72b、72c、83 パルス電流発生部
31 サファイア基板
32 n型GaNコンタクト層
33 n型InGaNクラッド層
34、34’ 活性領域
35 p型Al0.1Ga0.9N蒸発防止層
36 p型GaNコンタクト層
37 n型電極
38 p型電極
39 電極パッド
41、43、45、51、53、55、57 InGaN障壁層
42、52 InGaN青色発光層
44 InGaN黄色発光層
54 InGaN緑色発光層
56 InGaN赤色発光層
61 検出器
71 パルス発生制御部
82a 発光色特性記憶部
82b 発光強度特性記憶部
90 ディスプレイ(表示装置)
91 ディスプレイ本体
92 LED点灯回路
93 LEDランプ
Claims (17)
- 障壁層を介して積層された互いに発光波長ピークの異なる複数の発光層が一対のp層とn層との間に挟まれており、発光色が実質的に駆動電流値だけに依存するLED素子に関して、所望発光色に対応した電流値を指示する値を求める駆動電流値演算ステップと、
前記駆動電流値演算ステップで求められた値によって指示される電流値を有する駆動電流を生成する駆動電流生成ステップと、
前記駆動電流生成ステップで生成された駆動電流を前記LED素子に供給する駆動電流供給ステップとを備えていることを特徴とするLED素子の駆動方法。 - 前記LED素子に駆動電流として供給される前記LED素子の所望発光強度に対応したパルス電流のデューティDを指示する値を求めるデューティ演算ステップをさらに備えており、
前記駆動電流生成ステップにおいて、前記駆動電流値演算ステップで求められた値が指示する波高値Iを有し且つ前記デューティ演算ステップで求められた値が指示するデューティDを有する前記パルス電流を生成することを特徴とする請求項1に記載のLED素子の駆動方法。 - 前記デューティ演算ステップにおいて、前記LED素子の所望発光強度と前記駆動電流値演算ステップで求められた値とに基づいて、前記パルス電流のデューティDを求めることを特徴とする請求項2に記載のLED素子の駆動方法。
- 前記駆動電流値演算ステップにおいて、前記LED素子の所望発光色を指示する色信号cを、前記LED素子の駆動電流値対発光色特性に従って波高値信号iに変換し、
前記デューティ演算ステップにおいて、前記LED素子の所望発光強度を指示する強度信号pと波高値信号iとに基づいて、波高値信号iが指示する波高値Iの関数値とデューティDとの積が強度信号pが指示する所望発光強度に相当するようなデューティDを指示するデューティ信号dを演算し、
前記駆動電流生成ステップにおいて、波高値信号iが指示する波高値I及びデューティ信号dが指示するデューティDを有する前記パルス電流を生成することを特徴とする請求項3に記載のLED素子の駆動方法。 - 前記駆動電流値演算ステップにおいて、混色によって所望発光色となる互いに異なる複数の発光色に対応した複数の電流値を指示する複数の値を求め、
前記駆動電流生成ステップにおいて、前記駆動電流値演算ステップで求められた複数の値が指示する互いに異なる波高値Iを有する複数のパルスを含む駆動電流を生成することを特徴とする請求項1に記載のLED素子の駆動方法。 - 混色によって前記LED素子が所望発光強度及び所望発光色で発光しているかのように感知させる前記複数のパルスの各々のデューティDを指示するデューティ信号dを、前記複数のパルスごとに求めるデューティ演算ステップをさらに備えており、
前記駆動電流生成ステップにおいて、前記駆動電流値演算ステップで求められた複数の値が指示する互いに異なる波高値I、及び、前記デューティ演算ステップにおいて前記複数のパルスごとに求められたデューティ信号dによって指示されるデューティDをそれぞれ有する複数のパルスを含む駆動電流を生成することを特徴とする請求項5に記載のLED素子の駆動方法。 - 前記駆動電流生成ステップにおいて、前記複数のパルスが順次出現する前記駆動電流を生成することを特徴とする請求項5又は6に記載のLED素子の駆動方法。
- 前記駆動電流値演算ステップにおいて、混色によって所望発光色となる3以上の発光色に対応した互いに異なる3以上の電流値を指示する3以上の値を求めることを特徴とする請求項5〜7のいずれか1項に記載のLED素子の駆動方法。
- 前記駆動電流値演算ステップにおいて、前記LED素子の発光色信号を参照して、所望発光色に対応した電流値を指示する値を求めることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載のLED素子の駆動方法。
- 前記発光層が窒化物系半導体からなることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載のLED素子の駆動方法。
- 障壁層を介して積層された互いに発光波長ピークの異なる複数の発光層が一対のp層とn層との間に挟まれており、発光色が実質的に駆動電流値だけに依存するLED素子に関して、所望発光色に対応した電流値を指示する値を求める駆動電流値演算手段と、
前記駆動電流値演算手段で求められた値によって指示される電流値を有する駆動電流を生成する駆動電流生成手段とを備えていることを特徴とするLED素子の駆動装置。 - 前記LED素子に駆動電流として供給される前記LED素子の所望発光強度に対応したパルス電流のデューティDを指示する値を求めるデューティ演算手段をさらに備えており、
前記駆動電流生成手段が、前記駆動電流値演算手段で求められた値が指示する波高値Iを有し且つ前記デューティ演算手段で求められた値が指示するデューティDを有する前記パルス電流を生成することを特徴とする請求項11に記載のLED素子の駆動装置。 - 前記駆動電流値演算手段が、混色によって所望発光色となる互いに異なる複数の発光色に対応した複数の電流値を指示する複数の値を求め、
前記駆動電流生成手段が、前記駆動電流値演算手段で求められた複数の値が指示する互いに異なる波高値Iを有する複数のパルスを含む駆動電流を生成することを特徴とする請求項11に記載のLED素子の駆動装置。 - 混色によって前記LED素子が所望発光強度及び所望発光色で発光しているかのように感知させる前記複数のパルスの各々のデューティDを指示するデューティ信号dを、前記複数のパルスごとに求めるデューティ演算手段をさらに備えており、
前記駆動電流生成手段が、前記駆動電流値演算手段で求められた複数の値が指示する互いに異なる波高値I、及び、前記デューティ演算手段で前記複数のパルスごとに求められたデューティ信号dによって指示されるデューティDをそれぞれ有する複数のパルスを含む駆動電流を生成することを特徴とする請求項13に記載のLED素子の駆動装置。 - 前記駆動電流値演算手段が、混色によって所望発光色となる3以上の発光色に対応した互いに異なる3以上の電流値を指示する3以上の値を求めることを特徴とする請求項13又は14に記載のLED素子の駆動装置。
- 請求項11〜15のいずれか1項に記載の駆動装置と、
前記駆動装置によって駆動されるLED素子であって、障壁層を介して積層された互いに発光波長ピークの異なる複数の発光層が一対のp層とn層との間に挟まれており、発光色が実質的に駆動電流値だけに依存するLED素子とを備えていることを特徴とする照明装置。 - 請求項11〜15のいずれか1項に記載の駆動装置と、
前記駆動装置によって駆動されるLED素子であって、障壁層を介して積層された互いに発光波長ピークの異なる複数の発光層が一対のp層とn層との間に挟まれており、発光色が実質的に駆動電流値だけに依存するLED素子とを備えていることを特徴とする表示装置。
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005275204A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Nec Display Solutions Ltd | 液晶表示装置 |
JP2007305712A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 発光装置 |
WO2008108468A1 (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-12 | Rohm Co., Ltd. | Led照明装置およびその駆動方法 |
JP2008226473A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Rohm Co Ltd | 照明装置 |
JP2008305759A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Rohm Co Ltd | Led照明装置およびその駆動方法 |
JPWO2008096701A1 (ja) * | 2007-02-04 | 2010-05-20 | 国立大学法人鳥取大学 | 電子装置及び電子装置の発光制御方法 |
JP2010206063A (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Sony Corp | GaN系半導体発光素子の駆動方法、画像表示装置におけるGaN系半導体発光素子の駆動方法、面状光源装置の駆動方法、及び、発光装置の駆動方法 |
JP2011022481A (ja) * | 2009-07-17 | 2011-02-03 | Panasonic Corp | 液晶表示装置 |
JP2014510296A (ja) * | 2011-01-31 | 2014-04-24 | グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | エレクトロルミネッセント装置のマルチレベルドライブ色度シフト補償 |
JP2017009494A (ja) * | 2015-06-24 | 2017-01-12 | 富士通株式会社 | 測色装置 |
Families Citing this family (88)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4463024B2 (ja) * | 2004-06-21 | 2010-05-12 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
KR101234783B1 (ko) * | 2006-07-13 | 2013-02-20 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
US8030641B2 (en) * | 2006-12-19 | 2011-10-04 | Lehigh University | Graded in content gallium nitride-based device and method |
US20110180781A1 (en) * | 2008-06-05 | 2011-07-28 | Soraa, Inc | Highly Polarized White Light Source By Combining Blue LED on Semipolar or Nonpolar GaN with Yellow LED on Semipolar or Nonpolar GaN |
US8847249B2 (en) | 2008-06-16 | 2014-09-30 | Soraa, Inc. | Solid-state optical device having enhanced indium content in active regions |
US20100006873A1 (en) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Soraa, Inc. | HIGHLY POLARIZED WHITE LIGHT SOURCE BY COMBINING BLUE LED ON SEMIPOLAR OR NONPOLAR GaN WITH YELLOW LED ON SEMIPOLAR OR NONPOLAR GaN |
US8143148B1 (en) | 2008-07-14 | 2012-03-27 | Soraa, Inc. | Self-aligned multi-dielectric-layer lift off process for laser diode stripes |
US8259769B1 (en) | 2008-07-14 | 2012-09-04 | Soraa, Inc. | Integrated total internal reflectors for high-gain laser diodes with high quality cleaved facets on nonpolar/semipolar GaN substrates |
US8805134B1 (en) | 2012-02-17 | 2014-08-12 | Soraa Laser Diode, Inc. | Methods and apparatus for photonic integration in non-polar and semi-polar oriented wave-guided optical devices |
JP2010032732A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Panasonic Corp | 液晶表示装置 |
US8284810B1 (en) | 2008-08-04 | 2012-10-09 | Soraa, Inc. | Solid state laser device using a selected crystal orientation in non-polar or semi-polar GaN containing materials and methods |
CN102144294A (zh) | 2008-08-04 | 2011-08-03 | Soraa有限公司 | 使用非极性或半极性的含镓材料和磷光体的白光器件 |
US8252662B1 (en) | 2009-03-28 | 2012-08-28 | Soraa, Inc. | Method and structure for manufacture of light emitting diode devices using bulk GaN |
US8837545B2 (en) | 2009-04-13 | 2014-09-16 | Soraa Laser Diode, Inc. | Optical device structure using GaN substrates and growth structures for laser applications |
US8634442B1 (en) | 2009-04-13 | 2014-01-21 | Soraa Laser Diode, Inc. | Optical device structure using GaN substrates for laser applications |
US9531164B2 (en) | 2009-04-13 | 2016-12-27 | Soraa Laser Diode, Inc. | Optical device structure using GaN substrates for laser applications |
US8294179B1 (en) | 2009-04-17 | 2012-10-23 | Soraa, Inc. | Optical device structure using GaN substrates and growth structures for laser applications |
US8242522B1 (en) | 2009-05-12 | 2012-08-14 | Soraa, Inc. | Optical device structure using non-polar GaN substrates and growth structures for laser applications in 481 nm |
US8254425B1 (en) | 2009-04-17 | 2012-08-28 | Soraa, Inc. | Optical device structure using GaN substrates and growth structures for laser applications |
US8416825B1 (en) | 2009-04-17 | 2013-04-09 | Soraa, Inc. | Optical device structure using GaN substrates and growth structure for laser applications |
US8509275B1 (en) | 2009-05-29 | 2013-08-13 | Soraa, Inc. | Gallium nitride based laser dazzling device and method |
US8427590B2 (en) | 2009-05-29 | 2013-04-23 | Soraa, Inc. | Laser based display method and system |
US9829780B2 (en) | 2009-05-29 | 2017-11-28 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser light source for a vehicle |
US10108079B2 (en) | 2009-05-29 | 2018-10-23 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser light source for a vehicle |
US8247887B1 (en) | 2009-05-29 | 2012-08-21 | Soraa, Inc. | Method and surface morphology of non-polar gallium nitride containing substrates |
US9800017B1 (en) | 2009-05-29 | 2017-10-24 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser device and method for a vehicle |
US9250044B1 (en) | 2009-05-29 | 2016-02-02 | Soraa Laser Diode, Inc. | Gallium and nitrogen containing laser diode dazzling devices and methods of use |
US8314429B1 (en) | 2009-09-14 | 2012-11-20 | Soraa, Inc. | Multi color active regions for white light emitting diode |
US8750342B1 (en) | 2011-09-09 | 2014-06-10 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser diodes with scribe structures |
US8355418B2 (en) | 2009-09-17 | 2013-01-15 | Soraa, Inc. | Growth structures and method for forming laser diodes on {20-21} or off cut gallium and nitrogen containing substrates |
US9293644B2 (en) | 2009-09-18 | 2016-03-22 | Soraa, Inc. | Power light emitting diode and method with uniform current density operation |
US9583678B2 (en) | 2009-09-18 | 2017-02-28 | Soraa, Inc. | High-performance LED fabrication |
KR101368906B1 (ko) | 2009-09-18 | 2014-02-28 | 소라, 인코포레이티드 | 전력 발광 다이오드 및 전류 밀도 작동 방법 |
US8933644B2 (en) | 2009-09-18 | 2015-01-13 | Soraa, Inc. | LED lamps with improved quality of light |
KR20110083824A (ko) * | 2010-01-15 | 2011-07-21 | 삼성전자주식회사 | Blu 및 디스플레이 장치 |
US10147850B1 (en) | 2010-02-03 | 2018-12-04 | Soraa, Inc. | System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures |
US8905588B2 (en) | 2010-02-03 | 2014-12-09 | Sorra, Inc. | System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures |
US9927611B2 (en) | 2010-03-29 | 2018-03-27 | Soraa Laser Diode, Inc. | Wearable laser based display method and system |
US8451876B1 (en) | 2010-05-17 | 2013-05-28 | Soraa, Inc. | Method and system for providing bidirectional light sources with broad spectrum |
EP2542026B1 (en) * | 2010-05-17 | 2019-06-12 | Nec Lighting, Ltd. | Illumination device and light-adjusting method |
US8816319B1 (en) | 2010-11-05 | 2014-08-26 | Soraa Laser Diode, Inc. | Method of strain engineering and related optical device using a gallium and nitrogen containing active region |
US8975615B2 (en) | 2010-11-09 | 2015-03-10 | Soraa Laser Diode, Inc. | Method of fabricating optical devices using laser treatment of contact regions of gallium and nitrogen containing material |
US9048170B2 (en) | 2010-11-09 | 2015-06-02 | Soraa Laser Diode, Inc. | Method of fabricating optical devices using laser treatment |
US9318875B1 (en) | 2011-01-24 | 2016-04-19 | Soraa Laser Diode, Inc. | Color converting element for laser diode |
US9025635B2 (en) | 2011-01-24 | 2015-05-05 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser package having multiple emitters configured on a support member |
US9595813B2 (en) | 2011-01-24 | 2017-03-14 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser package having multiple emitters configured on a substrate member |
US9093820B1 (en) | 2011-01-25 | 2015-07-28 | Soraa Laser Diode, Inc. | Method and structure for laser devices using optical blocking regions |
US8456390B2 (en) * | 2011-01-31 | 2013-06-04 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent device aging compensation with multilevel drive |
US9287684B2 (en) | 2011-04-04 | 2016-03-15 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser package having multiple emitters with color wheel |
US8971370B1 (en) | 2011-10-13 | 2015-03-03 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser devices using a semipolar plane |
US9020003B1 (en) | 2012-03-14 | 2015-04-28 | Soraa Laser Diode, Inc. | Group III-nitride laser diode grown on a semi-polar orientation of gallium and nitrogen containing substrates |
US10559939B1 (en) | 2012-04-05 | 2020-02-11 | Soraa Laser Diode, Inc. | Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode |
US9800016B1 (en) | 2012-04-05 | 2017-10-24 | Soraa Laser Diode, Inc. | Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode |
US9343871B1 (en) | 2012-04-05 | 2016-05-17 | Soraa Laser Diode, Inc. | Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode |
US9099843B1 (en) | 2012-07-19 | 2015-08-04 | Soraa Laser Diode, Inc. | High operating temperature laser diodes |
US8971368B1 (en) | 2012-08-16 | 2015-03-03 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser devices having a gallium and nitrogen containing semipolar surface orientation |
US9166372B1 (en) | 2013-06-28 | 2015-10-20 | Soraa Laser Diode, Inc. | Gallium nitride containing laser device configured on a patterned substrate |
US9368939B2 (en) | 2013-10-18 | 2016-06-14 | Soraa Laser Diode, Inc. | Manufacturable laser diode formed on C-plane gallium and nitrogen material |
US9362715B2 (en) | 2014-02-10 | 2016-06-07 | Soraa Laser Diode, Inc | Method for manufacturing gallium and nitrogen bearing laser devices with improved usage of substrate material |
US9379525B2 (en) | 2014-02-10 | 2016-06-28 | Soraa Laser Diode, Inc. | Manufacturable laser diode |
US9520695B2 (en) | 2013-10-18 | 2016-12-13 | Soraa Laser Diode, Inc. | Gallium and nitrogen containing laser device having confinement region |
FR3012676A1 (fr) * | 2013-10-25 | 2015-05-01 | Commissariat Energie Atomique | Diode electroluminescente a puits quantiques separes par des couches barrieres d'ingan a compositions d'indium variables |
FR3012677B1 (fr) * | 2013-10-25 | 2015-12-25 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif emissif lumineux, dispositif et procede d'ajustement d'une emission lumineuse d'une diode electroluminescente a phosphore |
FR3012675B1 (fr) * | 2013-10-25 | 2015-12-25 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif emissif lumineux, dispositif et procede d'ajustement d'une emission lumineuse d'une diode electroluminescente |
US9209596B1 (en) | 2014-02-07 | 2015-12-08 | Soraa Laser Diode, Inc. | Manufacturing a laser diode device from a plurality of gallium and nitrogen containing substrates |
US9520697B2 (en) | 2014-02-10 | 2016-12-13 | Soraa Laser Diode, Inc. | Manufacturable multi-emitter laser diode |
US9871350B2 (en) | 2014-02-10 | 2018-01-16 | Soraa Laser Diode, Inc. | Manufacturable RGB laser diode source |
US9564736B1 (en) | 2014-06-26 | 2017-02-07 | Soraa Laser Diode, Inc. | Epitaxial growth of p-type cladding regions using nitrogen gas for a gallium and nitrogen containing laser diode |
US9246311B1 (en) | 2014-11-06 | 2016-01-26 | Soraa Laser Diode, Inc. | Method of manufacture for an ultraviolet laser diode |
US9666677B1 (en) | 2014-12-23 | 2017-05-30 | Soraa Laser Diode, Inc. | Manufacturable thin film gallium and nitrogen containing devices |
US9653642B1 (en) | 2014-12-23 | 2017-05-16 | Soraa Laser Diode, Inc. | Manufacturable RGB display based on thin film gallium and nitrogen containing light emitting diodes |
JP2017033841A (ja) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | ミネベア株式会社 | 光源駆動装置および調光調色制御方法 |
US11437775B2 (en) | 2015-08-19 | 2022-09-06 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Integrated light source using a laser diode |
US10879673B2 (en) | 2015-08-19 | 2020-12-29 | Soraa Laser Diode, Inc. | Integrated white light source using a laser diode and a phosphor in a surface mount device package |
US11437774B2 (en) | 2015-08-19 | 2022-09-06 | Kyocera Sld Laser, Inc. | High-luminous flux laser-based white light source |
US10938182B2 (en) | 2015-08-19 | 2021-03-02 | Soraa Laser Diode, Inc. | Specialized integrated light source using a laser diode |
US9787963B2 (en) | 2015-10-08 | 2017-10-10 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser lighting having selective resolution |
US9875624B2 (en) * | 2016-02-23 | 2018-01-23 | Cooper Technologies Company | Notification device with non-uniform LED strobe light pulse shaping control and methods |
US10771155B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-09-08 | Soraa Laser Diode, Inc. | Intelligent visible light with a gallium and nitrogen containing laser source |
US10361537B2 (en) | 2017-10-23 | 2019-07-23 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Dynamic supply voltage control circuit for laser diode |
US10658814B2 (en) | 2017-10-23 | 2020-05-19 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Laser diode priming to reduce latency |
US10222474B1 (en) | 2017-12-13 | 2019-03-05 | Soraa Laser Diode, Inc. | Lidar systems including a gallium and nitrogen containing laser light source |
US10551728B1 (en) | 2018-04-10 | 2020-02-04 | Soraa Laser Diode, Inc. | Structured phosphors for dynamic lighting |
US11421843B2 (en) | 2018-12-21 | 2022-08-23 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Fiber-delivered laser-induced dynamic light system |
US11239637B2 (en) | 2018-12-21 | 2022-02-01 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Fiber delivered laser induced white light system |
US11884202B2 (en) | 2019-01-18 | 2024-01-30 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Laser-based fiber-coupled white light system |
US11228158B2 (en) | 2019-05-14 | 2022-01-18 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Manufacturable laser diodes on a large area gallium and nitrogen containing substrate |
US10903623B2 (en) | 2019-05-14 | 2021-01-26 | Soraa Laser Diode, Inc. | Method and structure for manufacturable large area gallium and nitrogen containing substrate |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60216496A (ja) * | 1984-04-10 | 1985-10-29 | 平手 孝士 | 発光色可変形薄膜電界発光素子 |
JPH06268332A (ja) | 1993-03-12 | 1994-09-22 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
JPH11121806A (ja) | 1997-10-21 | 1999-04-30 | Sharp Corp | 半導体発光素子 |
JP4197814B2 (ja) * | 1999-11-12 | 2008-12-17 | シャープ株式会社 | Led駆動方法およびled装置と表示装置 |
JP2001272938A (ja) | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Sharp Corp | 色調調整回路およびその回路を備えたバックライトモジュールおよび発光ダイオード表示装置 |
JP4770058B2 (ja) | 2000-05-17 | 2011-09-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子及び装置 |
JP4027609B2 (ja) | 2001-02-13 | 2007-12-26 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 発光ダイオードの発光色制御方法 |
JP2002324685A (ja) | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Sony Corp | 照明装置 |
-
2004
- 2004-01-30 JP JP2004022940A patent/JP4279698B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-01-28 US US11/043,938 patent/US7573446B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005275204A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Nec Display Solutions Ltd | 液晶表示装置 |
JP4593140B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2010-12-08 | Necディスプレイソリューションズ株式会社 | 液晶表示装置 |
JP2007305712A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 発光装置 |
JPWO2008096701A1 (ja) * | 2007-02-04 | 2010-05-20 | 国立大学法人鳥取大学 | 電子装置及び電子装置の発光制御方法 |
US8410727B2 (en) | 2007-03-08 | 2013-04-02 | Rohm Co., Ltd. | LED lighting device and driving method for the same |
JP2008226473A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Rohm Co Ltd | 照明装置 |
WO2008108468A1 (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-12 | Rohm Co., Ltd. | Led照明装置およびその駆動方法 |
US8698425B2 (en) | 2007-03-08 | 2014-04-15 | Rohm Co., Ltd. | LED lighting device and driving method for the same |
US9000686B2 (en) | 2007-03-08 | 2015-04-07 | Rohm Co., Ltd. | LED lighting device and driving method for the same |
JP2008305759A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Rohm Co Ltd | Led照明装置およびその駆動方法 |
JP2010206063A (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Sony Corp | GaN系半導体発光素子の駆動方法、画像表示装置におけるGaN系半導体発光素子の駆動方法、面状光源装置の駆動方法、及び、発光装置の駆動方法 |
US8553740B2 (en) | 2009-03-05 | 2013-10-08 | Sony Corporation | Method of driving GaN-based semiconductor light emitting element, method of driving GaN-based semiconductor light emitting element of image display device, method of driving planar light source device, and method of driving light emitting device |
JP2011022481A (ja) * | 2009-07-17 | 2011-02-03 | Panasonic Corp | 液晶表示装置 |
JP2014510296A (ja) * | 2011-01-31 | 2014-04-24 | グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | エレクトロルミネッセント装置のマルチレベルドライブ色度シフト補償 |
JP2017009494A (ja) * | 2015-06-24 | 2017-01-12 | 富士通株式会社 | 測色装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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