JP2005216508A5 - - Google Patents
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- 純度が９９．９重量％以上であり、平均粒径が０．００５μｍ〜１．０μｍである金粉、銀粉またはパラジウム粉から選択される一種以上の金属粉と、有機溶剤と、からなる金属ペースト。
- 有機溶剤は、エステルアルコール、ターピネオール、パインオイル、ブチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトール、カルビトールである請求項１に記載の金属ペースト。
- アクリル系樹脂、セルロース系樹脂、アルキッド樹脂から選択される一種以上を合計で５．０重量％以下含有している請求項１または請求項２に記載の金属ペースト。
- 電極パッドが設けられた半導体ウェハーの表面をレジストで被覆する被覆工程と、当該レジストの前記電極パッドに対応する位置に貫通穴を形成する穴開け工程と、金属ペーストを前記貫通穴に充填する充填工程と、充填した有機溶剤の乾燥工程と、半導体ウェハー表面からレジストを取り除く除去工程と、半導体ウェハー表面上に残された金属粉からなる凸状物を焼結する焼結工程とを有する半導体ウェハーへのバンプの形成方法であって、
前記充填工程で貫通穴に充填する金属ペーストは、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の金属ペーストである半導体ウェハーへのバンプの形成方法。 - 乾燥工程における乾燥温度は５０℃以下である、請求項４に記載の半導体ウェハーへのバンプの形成方法。
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| JP2004018102A JP4255847B2 (ja) | 2004-01-27 | 2004-01-27 | 金属ペーストを用いた半導体ウェハーへのバンプの形成方法 |
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