JP2020513696A5 - - Google Patents

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  1. 方法であって、
    第1の表面を有する第1の材料の基板を提供すること
    第2の材料のナノ粒子を含む第1の溶剤ペーストの層を前記第1の表面上に付加的に堆積すること
    前記第2の材料のナノ粒子を共に焼結させるために前記第1の溶剤ペーストにエネルギーを印加して前記第1の表面に前記第2の材料を拡散させること
    前記第2の材料の焼結されたナノ粒子上に第3の材料のナノ粒子を含む第2の溶剤ペーストの層を付加的に堆積させることであって、前記第2の溶剤ペーストが前記第1の溶剤ペーストと異なる化学化合物を含み、前記第3の材料が前記第2の材料に付着する、前記付加的に堆積させることと
    前記第3の材料のナノ粒子を共に焼結させるために前記第2の溶剤ペーストにエネルギーを印加することであって、前記第3の材料の焼結されたナノ粒子が前記第2の材料の焼結されたナノ粒子に付着する、前記第2の溶剤ペーストにエネルギーを印加することと
    を含む、方法。
  2. 請求項に記載の方法であって、
    前記基板が、金属基板と半導体デバイスに用いられる金属リードフレームと絶縁層と交互にされる金属層を含む積層基板とを含む群から選択される、方法。
  3. 請求項に記載の方法であって、
    前記第1の材料が、銅銅合金アルミニウムアルミニウム合金鉄ニッケル合金を含む群から選択される、方法。
  4. 請求項に記載の方法であって、
    前記第1の材料が、スズニッケルパラジウムを含む群から選択される金属のめっき層を含む、方法。
  5. 請求項に記載の方法であって、
    前記付加的に堆積することが、スクリーン印刷フレキソ印刷グラビア印刷浸漬コーティングスプレーコーティングとインクジェット印刷とを含む群から選択され前記インクジェット印刷が、圧電音響静電とのインクジェット印刷を含む、方法。
  6. 請求項に記載の方法であって、
    前記第2の材料が、金属金属酸化物酸化物セラミックスを含む群から選択される、方法。
  7. 請求項に記載の方法であって、
    前記第3の材料が、ポリマー酸化物セラミックス金属金属酸化物を含む群から選択される、方法。
  8. 請求項に記載の方法であって、
    前記第2の材料のナノ粒子を焼結するためのエネルギーが、熱エネルギー光子エネルギー電磁エネルギー化学エネルギーを含む群から選択される、方法。
  9. 方法であって、
    第1の表面を有する第1の材料の基板を提供すること
    第2の材料のナノ粒子を含む第1の溶剤ペーストの層を前記第1の表面上に付加的に堆積させること
    前記第2の材料のナノ粒子を共に焼結するために前記第1の溶剤ペーストにエネルギーを印加して前記第1の表面に前記第2の材料を拡散させること
    第3の材料のナノ粒子を含む第2の溶剤ペーストの層を前記第2の材料の焼結されたナノ粒子上に付加的に堆積させることであって、前記第2の溶剤ペーストが前記第1の溶剤ペーストと異なる化学化合物を含み、前記第3の材料が前記第2の材料に付着する、前記付加的に堆積させることと
    前記第3の材料のナノ粒子を共に焼結させるために前記第2の溶剤ペーストにエネルギーを印加することであって、前記第3の材料の焼結されたナノ粒子が前記第2の材料の焼結されたナノ粒子に付着し、それにより層ナノ粒子が形成される、前記第2の溶剤ペーストにエネルギーを印加すること
    を含、方法。
  10. 請求項に記載の方法であって、
    前記基板が、銅銅合金アルミニウムアルミニウム合金鉄ニッケル合金を含む群から選択される前記第1の材料を備える半導体デバイスに用いるための金属リードフレームである、方法。
  11. 請求項10に記載の方法であって、
    前記第1の材料が、スズニッケルパラジウムを含む群から選択される金属のめっき層を含む、方法。
  12. 請求項に記載の方法であって、
    前記第2の材料が、金属金属酸化物酸化物セラミックスを含む群から選択される、方法。
  13. 請求項に記載の方法であって、
    前記第3の材料が、ポリマー酸化物セラミックス金属金属酸化物を含む群から選択される、方法。
  14. 請求項9に記載の方法であって、
    前記2層ナノ粒子膜を第4の材料内に封止することを更に含む、方法。
  15. 請求項14に記載の方法であって、
    前記封止することの前に、前記封止することの後に半導体チップがパッケージ内に位置するように前記基板上に前記半導体チップをアセンブルすることを更に含む、方法。
  16. 請求項14に記載の方法であって、
    前記第4の材料が、エポキシベースのモールディング化合物のような重合体化合物を含む、方法。
  17. 請求項14に記載の方法であって、
    前記第4の材料が、前記第3の材料と混ざり合う前記第4の材料によって前記第3の材料のナノ粒子と結合する、方法。
  18. 請求項14に記載の方法であって、
    前記第3の材料のナノ粒子が、前記第4の材料の物体に結合する、方法。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180138110A1 (en) * 2016-11-17 2018-05-17 Texas Instruments Incorporated Enhanced Adhesion by Nanoparticle Layer Having Randomly Configured Voids
US9865527B1 (en) 2016-12-22 2018-01-09 Texas Instruments Incorporated Packaged semiconductor device having nanoparticle adhesion layer patterned into zones of electrical conductance and insulation
US9941194B1 (en) 2017-02-21 2018-04-10 Texas Instruments Incorporated Packaged semiconductor device having patterned conductance dual-material nanoparticle adhesion layer
JP7338204B2 (ja) * 2019-04-01 2023-09-05 富士電機株式会社 半導体装置
US10770206B1 (en) * 2019-04-08 2020-09-08 Government Of The United States As Represented By The Secretary Of The Air Force System and method for fabricating a strain sensing device directly on a structure
US11116096B2 (en) 2019-04-18 2021-09-07 City University Of Hong Kong Medium for binding components in an assembly of an electronic device, a method of preparing the same, a display assembly of an electronic device, and a system for simulating mechanical behaviours of the electronic device and the medium
JP7206418B2 (ja) * 2019-11-28 2023-01-17 京セラ株式会社 配線基体、半導体素子収納用パッケージ、および半導体装置

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1846907B (zh) * 2001-02-16 2010-12-08 株式会社大阪钛技术 多孔质导电板
US20040161596A1 (en) * 2001-05-31 2004-08-19 Noriyuki Taoka Porous ceramic sintered body and method of producing the same, and diesel particulate filter
DE10208635B4 (de) * 2002-02-28 2010-09-16 Infineon Technologies Ag Diffusionslotstelle, Verbund aus zwei über eine Diffusionslotstelle verbundenen Teilen und Verfahren zur Herstellung der Diffusionslotstelle
US7112237B2 (en) * 2002-12-12 2006-09-26 Entegris, Inc. Porous sintered composite materials
US8257795B2 (en) * 2004-02-18 2012-09-04 Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. Nanoscale metal paste for interconnect and method of use
US20070163643A1 (en) * 2004-02-19 2007-07-19 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of chalcogen layer and the use of an inter-metallic material
JP4583063B2 (ja) * 2004-04-14 2010-11-17 三井金属鉱業株式会社 銀化合物被覆銀粉及びその製造方法
JP2006059904A (ja) * 2004-08-18 2006-03-02 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
DE102005028704B4 (de) * 2005-06-20 2016-09-08 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils mit in Kunststoffgehäusemasse eingebetteten Halbleiterbauteilkomponenten
DE102005061248B4 (de) * 2005-12-20 2007-09-20 Infineon Technologies Ag Systemträger mit in Kunststoffmasse einzubettenden Oberflächen, Verfahren zur Herstellung eines Systemträgers und Verwendung einer Schicht als Haftvermittlerschicht
DE102006017115B4 (de) * 2006-04-10 2008-08-28 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit einem Kunststoffgehäuse und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102006022254B4 (de) * 2006-05-11 2008-12-11 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit in Kunststoffgehäusemasse eingebetteten Halbleiterbauteilkomponenten, Anordnung für eine Mehrzahl von Halbleiterbauteilen und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauteilen
WO2008068873A1 (en) * 2006-12-08 2008-06-12 Kazufumi Ogawa Monolayer nanoparticle film, multilayer nanoparticle film, and manufacturing method thereof
JP2008153470A (ja) * 2006-12-18 2008-07-03 Renesas Technology Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP4895994B2 (ja) * 2006-12-28 2012-03-14 株式会社日立製作所 金属粒子を用いた接合方法及び接合材料
US20080272344A1 (en) * 2007-03-23 2008-11-06 Georgia Tech Research Corporation Conductive polymer composites
JP5012239B2 (ja) * 2007-06-13 2012-08-29 株式会社デンソー 接合方法及び接合体
US7846642B2 (en) * 2007-08-17 2010-12-07 The University Of Massachusetts Direct incident beam lithography for patterning nanoparticles, and the articles formed thereby
WO2009048983A2 (en) * 2007-10-09 2009-04-16 Nanomas Technologies, Inc. Conductive nanoparticle inks and pastes and applications using the same
TWI456707B (zh) * 2008-01-28 2014-10-11 Renesas Electronics Corp 半導體裝置及其製造方法
JP4644718B2 (ja) 2008-01-31 2011-03-02 株式会社日立製作所 金属/樹脂接着構造体及び樹脂封止型半導体装置とその製造方法
JP2010171271A (ja) 2009-01-23 2010-08-05 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
US20110209751A1 (en) * 2010-01-25 2011-09-01 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition for electrode and photovoltaic cell
JP5525335B2 (ja) * 2010-05-31 2014-06-18 株式会社日立製作所 焼結銀ペースト材料及び半導体チップ接合方法
DE102010044709B4 (de) * 2010-09-08 2015-07-02 Vincotech Holdings S.à.r.l. Leistungshalbleitermodul mit Metallsinterverbindungen sowie Herstellungsverfahren
US8736052B2 (en) * 2011-08-22 2014-05-27 Infineon Technologies Ag Semiconductor device including diffusion soldered layer on sintered silver layer
DE102012207652A1 (de) * 2012-05-08 2013-11-14 Robert Bosch Gmbh Zweistufiges Verfahren zum Fügen eines Halbleiters auf ein Substrat mit Verbindungsmaterial auf Silberbasis
US9583453B2 (en) * 2012-05-30 2017-02-28 Ormet Circuits, Inc. Semiconductor packaging containing sintering die-attach material
JP2014127537A (ja) 2012-12-26 2014-07-07 Hitachi Power Semiconductor Device Ltd 導電性接合材料を用いた半導体装置及びその半導体装置の製造方法。
JP5975911B2 (ja) * 2013-03-15 2016-08-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US20150069600A1 (en) * 2013-09-12 2015-03-12 Texas Instruments Incorporated Embedded Silver Nanomaterials into Die Backside to Enhance Package Performance and Reliability
KR102214829B1 (ko) * 2014-02-27 2021-02-10 삼성전자주식회사 나노입자 다층 박막
KR20240112953A (ko) * 2014-06-12 2024-07-19 알파 어쎔블리 솔루션 인크. 재료들의 소결 및 그를 이용하는 부착 방법들
FR3038534A1 (fr) * 2015-07-10 2017-01-13 Commissariat Energie Atomique Assemblage d'un element avec un substrat isole electriquement et a faible resistance thermique notamment pour des applications haute temperature, ensemble comprenant ledit assemblage et un drain thermique et procede de fabrication
FR3038535B1 (fr) * 2015-07-10 2017-08-11 Commissariat Energie Atomique Assemblage comprenant deux elements de coefficient de dilatation thermique differents et un joint fritte heterogene en densite et procede de fabrication de l'assemblage

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