JP2005213117A - セラミック基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 セラミックグリーンの焼成にセッターを繰り返し使用しても、焼成により得られるセラミック基板の不良率を低く抑えることができるセラミック基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 前回のセラミックグリーンの焼成に使用された使用済セッターを加熱処理することで、グリーンの焼成時にグリーンから蒸発して使用済セッター中に拡散した鉛成分を再び蒸発させて、前回のセラミックグリーンの焼成前とほぼ同じ状態の処理済セッター2bを得ることができる。これにより、処理済セッター2bに反りやうねりが発生すること等を防止することができる。そして、処理済セッター2b上にグリーン1を載置して焼成することで、焼成により得られる圧電セラミック基板に反りやうねりが発生すること等を防止することができる。
【選択図】 図6
【解決手段】 前回のセラミックグリーンの焼成に使用された使用済セッターを加熱処理することで、グリーンの焼成時にグリーンから蒸発して使用済セッター中に拡散した鉛成分を再び蒸発させて、前回のセラミックグリーンの焼成前とほぼ同じ状態の処理済セッター2bを得ることができる。これにより、処理済セッター2bに反りやうねりが発生すること等を防止することができる。そして、処理済セッター2b上にグリーン1を載置して焼成することで、焼成により得られる圧電セラミック基板に反りやうねりが発生すること等を防止することができる。
【選択図】 図6
Description
本発明は、電子セラミック部品等に用いられるセラミック基板の製造方法に関する。
従来におけるセラミック基板の製造方法としては、例えば特許文献1に記載されたものが知られている。この特許文献1記載の方法は、セラミックグリーンを焼成する際に、セラミックグリーンから蒸発する蒸発成分と同じ蒸発成分を焼成雰囲気中に加えるというものである。これにより、セラミックグリーンから一定の割合で蒸発成分が蒸発するため、セラミックグリーンの焼成により得られるセラミック基板に反りやうねりが発生するのを防止することができる。
特開平9−71476号公報
ところで、上述したようなセラミックグリーンの焼成は、セッターと呼ばれる支持部材上にセラミックグリーンを載置して行うのが一般的である。
しかしながら、セラミックグリーンの焼成にセッターを繰り返し使用すると、焼成時にセラミックグリーンから蒸発した成分がセッター中に蓄積されて、セッターを構成する成分と反応し、その結果、セッターに反りやうねりが発生したり、焼成時にセッターが割れたりする場合がある。
このように、セッターに反りやうねりが発生すると、焼成により得られるセラミック基板にも反りやうねりが発生してしまう。また、焼成時にセッターが割れると、焼成により得られるセラミック基板も破損してしまう。つまり、セラミックグリーンの焼成にセッターを繰り返し使用することによって、焼成により得られるセラミック基板の不良率が高くなるおそれがある。
そこで、本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、セラミックグリーンの焼成にセッターを繰り返し使用しても、焼成により得られるセラミック基板の不良率を低く抑えることができるセラミック基板の製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明に係るセラミック基板の製造方法は、セラミックグリーンを焼成してセラミック基板を製造するセラミック基板の製造方法であって、セラミックグリーン焼成に使用された使用済セッターを加熱処理して処理済セッターを得る加熱処理工程と、処理済セッター上にセラミックグリーンを載置して焼成する焼成工程とを含むことを特徴とする。
このセラミック基板の製造方法においては、セラミックグリーン焼成(少なくとも1回のセラミックグリーンの焼成)に使用された使用済セッターを加熱処理するため、セラミックグリーン焼成時にセラミックグリーンから蒸発して使用済セッター中に拡散した成分を再び蒸発させて、セラミックグリーン焼成前とほぼ同じ状態の処理済セッターを得ることができる。このように、処理済セッターは、セラミックグリーン焼成前とほぼ同じ状態であるため、処理済セッターに反りやうねりが発生したり、焼成時に処理済セッターが割れたりすることを防止することができる。そして、このような処理済セッター上にセラミックグリーンを載置して焼成するため、焼成により得られるセラミック基板に反りやうねりが発生したり、焼成により得られるセラミック基板が破損したりすることを防止することができる。従って、セラミックグリーンの焼成にセッターを繰り返し使用しても、焼成により得られるセラミック基板の不良率を低く抑えることができる。
また、セラミックグリーンは鉛を含有しており、加熱処理工程では、使用済セッター中に拡散した鉛を減少させることが特に重要である。これは、セラミックグリーンが鉛を含有している場合、セラミックグリーン焼成時にセラミックグリーンから鉛成分が蒸発して使用済セッター中に拡散し、その結果、使用済セッターに反りやうねりが発生したり、焼成時に使用済セッターが割れたりする場合が多いからである。
また、加熱処理工程では、800℃以上1500℃以下の温度で使用済セッターを加熱処理することが好ましい。このような温度で使用済セッターを加熱処理すると、使用済セッター中に拡散した鉛成分を確実に蒸発させることができる。
また、加熱処理工程では、使用済セッターにおいてセラミックグリーン焼成時にセラミックグリーンが載置されていた領域を露出させて使用済セッターを加熱処理することが好ましい。使用済セッターにおいてセラミックグリーン焼成時にセラミックグリーンが載置されていた領域には、セラミックグリーン焼成時にセラミックグリーンから蒸発した成分が特に多く拡散している。そのため、当該領域を露出させて使用済セッターを加熱処理することで、セラミックグリーン焼成前とほぼ同じ状態の処理済セッターを確実に得ることができる。
また、加熱処理工程では、セラミックグリーン焼成に複数回使用された使用済セッターを加熱処理するようにしてもよい。これにより、セラミックグリーン焼成1回毎に使用済セッターの加熱処理を行う場合に比べ加熱処理の回数が減少するため、セラミック基板の生産性の向上及び生産コストの低減を図ることができる。
本発明によれば、セラミックグリーンの焼成にセッターを繰り返し使用しても、焼成により得られるセラミック基板の不良率を低く抑えることができる。
以下、本発明に係るセラミック基板の製造方法の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
本実施形態は、チタン酸ジルコン酸鉛を主成分とする圧電セラミック基板を製造するものである。このような圧電セラミック基板は、セラミック発振子、セラミックフィルタ、圧電ブザー、圧電センサ、圧電アクチュエータ等の電子セラミック部品に適用される。
上記圧電セラミック基板を製造するために、図1及び図2に示すように、セラミックグリーン1を載置するためのジルコニアセッター2を用意する。このジルコニアセッター2は、「100mm×100mm、厚さ1.5mm」の正方形薄板状であって、気孔率1%未満の緻密質のものである。また、ジルコニアセッター2の材料は、酸化ジルコニウムに8mol%のイットリア(Y2O3)を安定化剤として添加したものである。なお、ジルコニアセッター2として、気孔率3%未満の緻密質のものを用いてもよい。また、安定化剤として、カルシア(CaO)、マグネシア(MgO)、セリア(CeO2)等を用いてもよい。
そして、セラミックグリーン1を次のようにして用意する。まず、酸化物や炭酸塩等の形態の材料を所定の組成(一般式(Pb0.96Sr0.04)[Ti0.47 Zr0.53]O3+0.5重量%Nb2O5)となるように調合し、仮焼成後に微粉化を行って圧電セラミック粉を得る。この圧電セラミック粉に有機バインダ、有機溶剤等を加えて圧電セラミックペーストを作製し、この圧電セラミックペーストを用いてドクターブレード法により厚さ50μmのグリーンシートを作製する。続いて、銀:パラジウム=7:3の金属材料に有機バインダ、有機溶剤等を加えて導電ペーストを作製し、この導電ペーストを用いてスクリーン印刷法によりグリーンシート上に内部電極を形成する。その後、内部電極が形成されたグリーンシートを所定の順序で10枚積層し、積層方向にプレス処理を行ってグリーン積層体を作製する。このグリーン積層体を「15mm×35mm」の長方形状に切断し、セラミックグリーン1を得る。
セラミックグリーン1を用意した後、脱バインダ及び焼成を行うが、それらに先立って使用済セッター2a(セラミックグリーン1の焼成に使用されたジルコニアセッター2)を加熱処理して処理済セッター2b(加熱処理されたジルコニアセッター2)を得る。具体的には、図3に示すように、柱状のジルコニアスペーサ3を介在させて複数枚の使用済セッター2aを加熱炉4内に積み重ねる。ジルコニアスペーサ3は、ジルコニアセッター2と同じ材料で形成されたものであり、使用済セッター2aの四隅に配置される。そして、加熱炉4内の温度を1100℃の温度で2時間保持し、使用済セッター2aをアニーリングして処理済セッター2bを得る。
その後、セラミックグリーン1の脱バインダ及び焼成を行う。まず、図4及び図5に示すように、10枚のセラミックグリーン1が載置された処理済セッター2bを、その四隅にジルコニアスペーサ3を介在させて、加熱炉4内に複数枚積み重ねる。そして、加熱炉4内の温度を400℃の温度で10時間保持し、セラミックグリーン1の脱バインダを行う。これにより、セラミックグリーン1中に含まれる有機バインダが除去される。
続いて、図6に示すように、10枚のセラミックグリーン1(脱バインダ後のセラミックグリーン1)が載置された処理済セッター2bを、その四隅にジルコニアスペーサ3を介在させて、加熱炉4内に配置された密閉匣鉢5内に10枚積み重ね、更にその上に、セラミックグリーン1が載置されていない処理済セッター2bを1枚積み重ねる。そして、加熱炉4内の温度を1100℃の温度で3時間保持し、セラミックグリーン1の焼成を行う。これにより、図7に示すように、セラミックグリーン1が圧電セラミック基板6となり、また、処理済セッター2bが使用済セッター2aとなる。
その後、使用済セッター2aの加熱処理と、セラミックグリーン1の脱バインダ及び焼成を交互に繰り返す。
以上説明したように、圧電セラミック基板6の製造方法においては、前回のセラミックグリーン1の焼成に使用された使用済セッター2aを加熱処理するため、セラミックグリーン1の焼成時にセラミックグリーン1から蒸発して使用済セッター2a中に拡散した鉛成分を再び蒸発させて、前回のセラミックグリーン1の焼成前とほぼ同じ状態の処理済セッター2bを得ることができる。このように、処理済セッター2bは、前回のセラミックグリーン1の焼成前とほぼ同じ状態であるため、処理済セッター2bに反りやうねりが発生したり、焼成時に処理済セッター2bが割れたりすることを防止することができる。そして、このような処理済セッター2b上にセラミックグリーン1を載置して焼成するため、焼成により得られる圧電セラミック基板6に反りやうねりが発生したり、焼成により得られるセラミック基板6が破損したりすることを防止することができる。従って、セラミックグリーン1の焼成にジルコニアセッター2を繰り返し使用しても、焼成により得られる圧電セラミック基板6の不良率を低く抑えることができる。
また、使用済セッター2aにおいて前回のセラミックグリーン1の焼成時にセラミックグリーン1が載置されていた領域を露出させて使用済セッター2aを加熱処理するため、前回のセラミックグリーン1の焼成前とほぼ同じ状態の処理済セッター2bを確実に得ることができる。これは、使用済セッター2aにおいて前回のセラミックグリーン1の焼成時にセラミックグリーン1が載置されていた領域には、前回のセラミックグリーン1の焼成時にセラミックグリーン1から蒸発した鉛成分が特に多く拡散しているためである。
次に、上述した圧電セラミック基板6の製造方法の評価実験について説明する。評価実験の条件は次の通りである。
(1)新品のジルコニアセッター2を実施例用に100枚、比較例用に100枚用意した。
(2)同じジルコニアセッター2を繰り返し使用して、上述したセラミックグリーン1の脱バインダ及び焼成を20回行った。
(3)実施例では、セラミックグリーン1の脱バインダ及び焼成の前に使用済セッター2aの加熱処理を行ったのに対し、比較例では、使用済セッター2aの加熱処理を行わなかった。
(4)セラミックグリーン1をジルコニアセッター2上に載置する際には、ジルコニアセッター2の同一面を常に載置面とした。
(5)評価実験の結果として、20回目の焼成により得られる圧電セラミック基板6の不良率を求めた。ここで、不良率とは、全評価試料個数に対して反り不良(試料の高さを非接触で測定し、測定点の最大高低差が30μm以上のもの)又は反応不良(ジルコニアセッター2を構成する成分と反応したもの)が認められた試料個数の割合である。なお、参考として、脱バインダ及び焼成を20回行う間に割れたジルコニアセッター2の枚数を求めた。
(1)新品のジルコニアセッター2を実施例用に100枚、比較例用に100枚用意した。
(2)同じジルコニアセッター2を繰り返し使用して、上述したセラミックグリーン1の脱バインダ及び焼成を20回行った。
(3)実施例では、セラミックグリーン1の脱バインダ及び焼成の前に使用済セッター2aの加熱処理を行ったのに対し、比較例では、使用済セッター2aの加熱処理を行わなかった。
(4)セラミックグリーン1をジルコニアセッター2上に載置する際には、ジルコニアセッター2の同一面を常に載置面とした。
(5)評価実験の結果として、20回目の焼成により得られる圧電セラミック基板6の不良率を求めた。ここで、不良率とは、全評価試料個数に対して反り不良(試料の高さを非接触で測定し、測定点の最大高低差が30μm以上のもの)又は反応不良(ジルコニアセッター2を構成する成分と反応したもの)が認められた試料個数の割合である。なお、参考として、脱バインダ及び焼成を20回行う間に割れたジルコニアセッター2の枚数を求めた。
評価実験の結果は次の通りである。すなわち、20回目の焼成により得られる圧電セラミック基板6の不良率は、実施例では0%、比較例では43%であった。この結果から、上述した圧電セラミック基板6の製造方法を採用することで、セラミックグリーン1の焼成にジルコニアセッター2を繰り返し使用しても、焼成により得られる圧電セラミック基板6の不良率を低く抑え得ることが証明された。
また、脱バインダ及び焼成を20回行う間に割れたジルコニアセッター2の枚数は、実施例では0枚、比較例では8枚であった。この結果から、上述した圧電セラミック基板6の製造方法を採用することで、ジルコニアセッター2の長寿命化を図れ得ることが証明された。なお、ジルコニアセッター2が割れた場合には、新たなジルコニアセッター2に替えることなく、残存しているジルコニアセッターにて評価実験を行った。
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態は、チタン酸ジルコン酸鉛を主成分とする圧電セラミック基板6を製造する場合であったが、圧電セラミック基板6がチタン酸鉛を主成分とするものであってもよい。つまり、セラミックグリーン1が鉛を含有している場合に本発明は特に有効である。これは、セラミックグリーン1が鉛を含有している場合、前回のセラミックグリーン1の焼成時にセラミックグリーン1から鉛成分が蒸発して使用済セッター2a中に拡散し、その結果、使用済セッター2aに反りやうねりが発生したり、焼成時に使用済セッター2aが割れたりする場合が多いからである。
また、上記実施形態では、1100℃の温度で使用済セッター2aの加熱処理を行ったが、800℃以上1500℃以下の温度で使用済セッター2aの加熱処理を行えば、使用済セッター2a中に拡散した鉛成分を確実に蒸発させることができる。これは、800℃未満だと鉛を十分に蒸発させることができず、1500℃を超えるとジルコニアセッターの融点に近くなり、ジルコニアセッターに変形が生じるからである。なお、900℃以上1300℃以下の温度で使用済セッター2aの加熱処理を行えば、使用済セッター2aを変形させるおそれがなく、使用済セッター2a中に拡散した鉛成分をより一層効率良く蒸発させることができる。
また、上記実施形態は、前回のセラミックグリーン1の焼成に1回使用された使用済セッター2aを加熱処理する場合であったが、前回以前のセラミックグリーン1の焼成に複数回使用された使用済セッター2aを加熱処理するようにしてもよい。これにより、セラミックグリーン1の焼成1回毎に使用済セッター2aの加熱処理を行う場合に比べ加熱処の回数が減少するため、圧電セラミック基板6の生産性の向上及び生産コストの低減を図ることができる。
また、上記実施形態は、鉛を含有する圧電セラミック基板の製造についてのものであったが、本発明は、それ以外のセラミック基板の製造にも適用可能である。更に、上記実施形態は、セラミックグリーン1及び圧電セラミック基板6が積層体である場合であったが、本発明は、単板のセラミックグリーン及びセラミック基板にも適用可能である。
1…セラミックグリーン、2a…使用済セッター、2b…処理済セッター、6…圧電セラミック基板。
Claims (5)
- セラミックグリーンを焼成してセラミック基板を製造するセラミック基板の製造方法であって、
セラミックグリーン焼成に使用された使用済セッターを加熱処理して処理済セッターを得る加熱処理工程と、
前記処理済セッター上に前記セラミックグリーンを載置して焼成する焼成工程とを含むことを特徴とするセラミック基板の製造方法。 - 前記セラミックグリーンは鉛を含有しており、
前記加熱処理工程では、前記使用済セッター中に拡散した鉛を減少させることを特徴とする請求項1記載のセラミック基板の製造方法。 - 前記加熱処理工程では、800℃以上1500℃以下の温度で前記使用済セッターを加熱処理することを特徴とする請求項1又は2記載のセラミック基板の製造方法。
- 前記加熱処理工程では、前記使用済セッターにおいて前記セラミックグリーン焼成時にセラミックグリーンが載置されていた領域を露出させて前記使用済セッターを加熱処理することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載のセラミック基板の製造方法。
- 前記加熱処理工程では、前記セラミックグリーン焼成に複数回使用された使用済セッターを加熱処理することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載のセラミック基板の製造方法。
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