JP2005206834A - 高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシート - Google Patents

高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシート Download PDF

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JP2005206834A
JP2005206834A JP2004374925A JP2004374925A JP2005206834A JP 2005206834 A JP2005206834 A JP 2005206834A JP 2004374925 A JP2004374925 A JP 2004374925A JP 2004374925 A JP2004374925 A JP 2004374925A JP 2005206834 A JP2005206834 A JP 2005206834A
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Hideyuki Miyamoto
秀幸 宮本
Hironobu Morishita
浩延 森下
Hiroyuki Tamura
裕之 田村
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Abstract

【課題】ポリイミドと同等の耐熱性(ハンダ耐熱性)を有し、低誘電率をも兼ね備え、電子機器の高性能化、小型化に対応したフレキシブルプリント基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシートを提供する。
【解決手段】2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン化合物もしくはその誘導体に由来する繰り返し単位[1]と各種二価フェノール類に由来する繰り返し単位[2]を含有し、繰り返し単位[1]の含有割合が全繰り返し単位に対してモル比で0.5〜0.95の範囲にあるポリカーボネート共重合体を用いてフレキシブルプリント基板用のフィルムもしくはシートにする。
Figure 2005206834

式中、R,Rはハロゲン原子,アルキル基等、Rはハロゲン原子,アルキル基,フルオロアルキル基等、r,tは0〜4の整数、sは0〜14の整数、Xは単結合,−O−,−CO−,ポリシロキサン基等を表わす。
【選択図】なし

Description

本発明は、特定の構造の繰り返し単位を特定割合で含有するポリカーボネート共重合体を用いて得られたフレキシブルプリント基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシートに関する。さらに詳しくは、ポリイミドと同等の耐熱性(ハンダ耐熱性)を有し、低誘電率をも兼ね備え、電子機器の高性能化、小型化に対応したフレキシブルプリント基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシートに関する。
従来、電子機器用途分野における、フレキシブルプリント基板のベースフィルムおよびカバーフィルムには耐熱性に優れたポリイミドフィルムが多く使用されている。そして、昨今、電子機器の高性能化、小型化に伴う導体間ピッチが狭くなり、誘電損失を防止するため、フレキシブルプリント基板のベースフィルムおよびカバーフィルムには、低誘電率が求められるようになってきた。
しかしながら、ポリイミドフィルムは誘電率が高く、低誘電率の要求に答えることができていないのが現状であり、さらに、該ポリイミドフィルムは吸水率が高く、吸水によるハンダ耐熱性の低下を招くため、フレキシブルプリント基板を作製する工程において、事前に充分な乾燥を行う必要があるなどの問題点があった。
また、透明性と耐熱性および機械的強度に優れた芳香族ポリカーボネート樹脂として、
アダマンタン骨格を有する特定構造のビスフェノール類由来の繰返し単位を共重合成分として含む芳香族ポリカーボネート共重合樹脂(例えば特許文献1参照)、並びにこの芳香族ポリカーボネート共重合樹脂からなる光学部品成形材料および光学部品(例えば特許文献2参照)が開示されている。
しかしながら、これらの特許文献1,2においては、該ポリカーボネート共重合樹脂を用いて得られたフィルムやシートを、電気機器分野におけるフレキシブルプリント基板に用いることについては、なんら記載されていない。
特開2003−212986公報 特開2003−226746公報
本発明は、このような状況下で、ポリイミドと同等の耐熱性(ハンダ耐熱性)を有し、低誘電率をも兼ね備え、電子機器の高性能化、小型化に対応したフレキシブルプリント基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシートを提供することを目的とする。
本発明者らは前記課題を解決するために鋭意研究した。その結果、高耐熱性ポリカーボネートフィルムおよびシートの材料として、特定の構造の繰り返し単位を特定割合で含有するポリカーボネート共重合体を用いて得られたポリカーボネートフィルムもしくはシートにより、上記の目的を達成することができるを見出し、この知見に基づいて本発明を完成した。
本発明は、下記から構成される。
(1)下記の一般式[1]で表されるアダマンタン骨格を含有する繰り返し単位[1]の少なくとも1種及び下記の一般式[2]で表される繰り返し単位「2」の少なくとも1種を含有し、繰り返し単位[1]の含有割合が、全繰り返し単位に対してモル比で0.5≦[[1]/([1]+[2])]≦0.95のポリカーボネート共重合体を用いて得られたことを特徴とするフレキシブルプリント基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシート。
Figure 2005206834
[式中、R1、R2は、各々独立にハロゲン原子、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜12アリール基、炭素数7〜13のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基、または炭素数1〜12のフルオロアルキル基を示す。rは0〜4の整数、sは0〜14の整数である。
3はハロゲン原子、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜12アリール基、炭素数7〜13のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基、または炭素数1〜12のフルオロアルキル基を示し、tは0〜4の整数である。Xは、単結合、−O−、−CO−、−S−、−SO−、−SO2−、−CR45−(ここで、R4、R5は各々独立に水素原子、炭素数1〜12のアルキル基、もしくはトリフルオロメチル基である)、炭素数6〜12のシクロアルキリデン基、9,9−フルオレニリデン基、1,8−メンタンジイル基、2,8−メンタンジイル基、置換もしくは無置換の1,3−アダマンチレン基、置換もしくは無置換のピラジリデン基、炭素数6〜12の置換もしくは無置換のアリーレン基、−C(CH32−Ph−C(CH32―(ただし、Phはフェニレン基を表す)又は下記構造のポリシロキサン基を示す。
Figure 2005206834
{式中、R6とR7はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜20(好ましくは1〜10)のアルキル基又は炭素数6〜30(好ましくは6〜12)の置換又は無置換のアリール基であり(特に好ましくは、メチル基、フェニル基)、R8とR9はそれぞれ独立に、炭素数1〜20(好ましくは1〜10)のアルキレン基、nは1〜200(好ましくは5から100、より好ましくは1〜30)の整数である。}]
(2)繰り返し単位[2]が、下記一般式(3)で表されるものである前記第1項に記載のフレキシブルプリント基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシート。
Figure 2005206834
[式中、R3、Xおよびtは、それぞれ一般式(2)におけるR3、Xおよびtと同一の意味を表す。]
(3)自動平衡ブリッジを用い、測定周波数1kHz、室温下、大気中での誘電率の測定値が3.0以下、飽和吸水率が0.5質量%以下、であり、かつ、銅箔と積層した状態で、280℃の熔融ハンダ上に5秒間浮かべても発泡または剥離を実質的に生じない特性を有する前記第1項もしくは第2項に記載のフレキシブルプリント基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムフィルムもしくはシート。
(4)下記の一般式[1]で表されるアダマンタン骨格を含有する繰り返し単位[1]の少なくとも1種及び下記の一般式[4]で表される繰り返し単位「4」の少なくとも1種を含有し、繰り返し単位[1]の含有割合が、全繰り返し単位に対してモル比で0.5≦[[1]/([1]+[4])]≦0.95のポリカーボネート共重合体を用いて得られたことを特徴とするフレキシブル基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシート。
Figure 2005206834
[式中、R1、R2は、各々独立にハロゲン原子、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜12アリール基、炭素数7〜13のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基、または炭素数1〜12のフルオロアルキル基を示す。rは0〜4の整数、sは0〜14の整数である。
10、R11は各々独立にハロゲン原子、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜12アリール基、炭素数7〜13のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基、または炭素数1〜12のフルオロアルキル基を示し、u、vは各々独立に0〜4の整数である。Yは−O−、>N−R12を示す。ここで、R12は水素、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数6〜13のアリール基、炭素数7〜13のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基、または炭素数1〜12のフルオロアルキル基を示す。]
(5)繰り返し単位[4]が、下記一般式[5]で表されるものである前記第4項に記載の高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシート。
Figure 2005206834
(6)自動平衡ブリッジを用い、測定周波数1kHz、室温下、大気中での誘電率の測定値が3.0以下、飽和吸水率が0.5質量%以下、であり、かつ、銅箔と積層した状態で、280℃の熔融ハンダ上に5秒間浮かべても発泡または剥離を実質的に生じない特性を有する前記第4項または第5項に記載のフレキシブルプリント基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムフィルムもしくはシート。
本発明によれば、電子機器の製造、特に鉛フリーハンダに充分対応できる高耐熱性を有し、電子機器の高性能化・小型化に寄与できる低誘電率と、その性能を安定的に発揮しうる低吸水率を兼ね備えた、フレキシブルプリント基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシートを提供することができる。
本発明は、前記一般式〔1〕で表される繰返し単位[1]の少なくとも1種と、前記一般式〔2〕で表される繰返し単位[2]の少なくとも1種を含有し、繰り返し単位[1]の含有割合が全繰り返し単位に対してモル比で0.5≦[[1]/([1]+[2])]≦0.95のポリカーボネート共重合体を用いて得られたフレキシブルプリント基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシート、前記一般式〔1〕で表される繰返し単位[1]の少なくとも1種と、前記一般式〔4〕で表される繰返し単位[4]の少なくとも1種を含有し、繰り返し単位[1]の含有割合が全繰り返し単位に対してモル比で0.5≦[[1]/([1]+[4])]≦0.95のポリカーボネート共重合体を用いて得られたフレキシブルプリント基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシートである。
一般式[1]で表される繰り返し単位の内、特に好適な繰り返し単位は下記の構造である。
Figure 2005206834
一般式[2]および[4]で表される繰り返し単位の内、特に好適な繰り返し単位は下記の構造である。
Figure 2005206834
そして、本発明に係るポリカーボネート共重合体は、一般式[1]〜[4]で表される繰り返し単位において、繰り返し単位[1]と繰り返し単位[2]〜[4]は各々1種ずつでもよいが、各々独立に2種以上の繰り返し単位を含有した構造の共重合体でもよい。さらに、ポリカーボネート共重合体の特性を改善するために、シロキサン等の柔軟性を有する構造の化合物を共重合させてもよく、ポリオルガノシロキサン等のシリコン含有高分子化合物を混合してもよい。
そして、前記一般式[1]〜[4]で表される繰り返し単位[1]〜[4]において、R1、R2、R3、R10およびR11で表わされるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子または沃素原子を挙げることができる。また、R1、R2、R3、R5、R10およびR11で表わされる炭素数1〜12のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。また、炭素数1〜12のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−ヘプチルオキシ基、n−オクチルオキシ基、n−ノニルオキシ基、n−デシルオキシ基、n−ウンデシルオキシ基、n−ドデシルオキシ基などが挙げられる。また、炭素数6〜12アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。また、炭素数7〜13のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基としては、ベンジル基、フェネチル基、スチリル基、シンナミル基などが挙げられる。更に炭素数1〜12のフルオロアルキル基としては、モノフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基などが挙げられる。これら各種の置換基の中でも、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、トリフルオロメチル基が好ましい。そして、r、s、t、u、vは0すなわち水素原子のみでもよいし、rは1〜4、sは1〜14、tは1〜4、uは1〜4、vは1〜4の置換基を有しているものであってもよい。
6およびR7については、上記R1、R2、R3、R5、R10およびR11における炭素数1〜12のアルキル基および炭素数6〜12アリール基で挙げたものと同じものが好適である。R8およびR9については、上記R1、R2、R3、R5、R10およびR11における炭素数1〜12のアルキル基で挙げたものと同じものが好適である。
一般式[4]で表される繰り返し単位[4]におけるYとしては、−O−、>N−R12を挙げることができ、ここで、R12としては、水素原子、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数6〜12のアリール基、炭素数7〜13のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基、または炭素数1〜12のフルオロアルキル基を挙げることができる。炭素数1〜12のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。また、炭素数6〜12のアリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。また、炭素数7〜13のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基としては、ベンジル基、フェネチル基、スチリル基、シンナミル基などが挙げられる。更に炭素数1〜12のフルオロアルキル基はモノフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基などが挙げられる。好ましいものは、>N−メチル、>N−シクロヘキシル、>N−フェニル等であり、特に>N−シクロヘキシルが好ましい。
また、一般式[2]で表される繰り返し単位[2]におけるR3 で表わされる炭素数1〜12のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。これらの中では、メチル基、エチル基、n−プロピル基が好適なものとして挙げられる。
さらに、繰返し単位[2]としては、一般式〔3〕で表される繰り返し単位を有するものが、耐熱性や機械的強度などに優れることから好ましい。そして、これら一般式〔2〕、〔3〕で表される繰り返し単位[2]、[3]において、Xが表わす二価の基としては、−C(R45 )−(ただし、R4 、R5 は各々独立に水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基またはトリフルオロメチル基を示す)、炭素数6〜12の置換もしくは無置換のシクロアルキリデン基または9,9'−フルオレニリデン基であるものが、より耐熱性に優れていることから好ましい。
また、一般式[2]および [3]で表される繰り返し単位における置換基R3で表される炭素数1〜12のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。また、炭素数6〜12のアリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。また、炭素数7〜13のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基としては、ベンジル基、フェネチル基、スチリル基、シンナミル基などが挙げられる。更に炭素数1〜12のフルオロアルキル基はモノフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基などが挙げられる。これら各種の置換基の中でも、ブチル基、フェニル基、シクロヘキシル基、トリフルオロエチル基が好ましい。
また、前記一般式〔1〕で表される繰返し単位[1]と前記一般式〔2〕で表される繰返し単位[2]もしくは繰り返し単位[4]との含有割合については、この繰返し単位[1]の全繰返し単位に対する含有割合〔[1]/([1]+[2])〕もしくは[[1]/([1]+[4])]が、モル比で0.5〜0.95の範囲内にあるものが用いられる。好ましくは0.6〜0.9、より好ましくは0.7〜0.8の範囲内にあるものである。この繰返し単位[1]のモル比が0.5よりも低い場合には、成形加工性は良好であるが耐熱性が不足し、0.95よりも高くなると、結晶化等により成形が不可能になる恐れがある。
つぎに、本発明の繰り返し単位[1]と繰り返し単位[2]もしくは繰り返し単位[4]を含有するポリカーボネート共重合体は、前記一般式〔1〕で表される繰り返し単位を形成する特定の2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン化合物と前記一般式〔2〕もしくは一般式[4]で表される繰り返し単位を形成する二価フェノール類に、炭酸エステル形成性化合物を反応させる方法によって製造することができる。この場合、重合溶媒や酸受容体、末端停止剤、触媒の存在下に界面重合法により行う方法もしくは減圧下にエステル交換反応を行う方法により、高分子量化してポリカーボネート共重合体を製造することができる。
得られるポリカーボネート共重合体は、塩化メチレンを溶媒とする濃度0.5g/dlの溶液の20℃で測定した還元粘度〔ηSP/C〕が0.1dl/g以上、好ましくは0.2〜4.0dl/g、より好ましくは0.3〜3.0dl/gのものである。該還元粘度が0.1dl/g以上であると、十分な機械的強度を有し、4.0dl/g以下であると適度の溶液粘度、溶融粘度を有し、成形加工性が良好である。
繰り返し単位[1]と繰り返し単位[2]もしくは繰り返し単位[4]を含有するポリカーボネート共重合体の製造に用いるアダマンタン化合物としては、例えば、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン、2,2−ビス(3−クロロ−4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン、2,2−ビス(3−ブロモ−4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン、2,2−ビス(3−フルオロ−4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン、2,2−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン、2,2−ビス(3−エチル−4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン、2,2−ビス(3−n−プロピル−4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン、2,2−ビス(3−イソプロピル−4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン、2,2−ビス(3−n−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン、2,2−ビス(3−イソブチル−4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン、2,2−ビス(3−sec−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン、2,2−ビス(3−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン、2,2−ビス(3−n−ペンチル−4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン、2,2−ビス(3−n−ヘキシル−4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン、2,2−ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン、2,2−ビス(3−メトキシ−4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン、2,2−ビス(3−エトキシ−4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン、2,2−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン、2,2−ビス(3−ベンジル−4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン、2,2−ビス(3−ナフチル−4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン、2,2−ビス(3−テトラフルオロメチル−4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン、2,2−ビス(3,5−ジクロロ−4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン、2,2−ビス(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン、2,2−ビス(3,5−ジフルオロ−4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン、2,2−ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン、2,2−ビス(3,5−ジエチル−4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン、2,2−ビス(3,5−ジメトキシ−4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン、2,2−ビス(3,5−ジエトキシ−4−ヒドロキシフェニル)アダマンタンなどが挙げられる。これら2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン化合物は、2種以上を併用してもよい。
また、繰り返し単位[1]と繰り返し単位[2]を含有するポリカーボネート共重合体の製造に用いる二価フェノール類としては、例えば、4,4'−ジヒドロキシビフェニル、3,3'−ジフルオロ−4,4'−ジヒドロキシビフェニル、3,3'−ジクロロ−4,4'−ジヒドロキシビフェニル、3,3'−ジメチル−4,4'−ジヒドロキシビフェニル、3,3'−ジフェニル−4,4'−ジヒドロキシビフェニル、3,3'−ジシクロヘキシル−4,4'−ジヒドロキシビフェニル、2,2'−ジメチル−4,4'−ジヒドロキシビフェニル、3,3',5,5'−テトラメチル−4,4'−ジヒドロキシビフェニルなどの4,4'−ジヒドロキシビフェニル類;ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)フェニルメタン、ビス(3−ノニル−4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(3−クロロ−4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(3−フルオロ−4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)フェニルメタン、ビス(2−ヒドロキシフェニル)メタン、2−ヒドロキシフェニル−4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2−ヒドロキシ−4メチルフェニル)メタン、ビス(2−ヒドロキシ−4−メチル−6−tert−ブチルフェニル)メタン、ビス(2−ヒドロキシ−4,6−ジメチルフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、1,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)−1−フェニルエタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ−3−フェニルフェニル)−1−フェニルエタン、2−(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)−2−(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン、1,1−ビス(2−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)エタン、1−フェニル−1,1−ビス(3−フルオロ−4−ヒドロキシフェニル)エタン、
1、1−ビス(2−ヒドロキシ−4−メチルフェニル)エタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフプロパン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(2−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−イソプロピル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−sec−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−クロロ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−フルオロ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−ブロモ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)プロパン、1,1−ビス(2−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジクロロフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジブロモフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−ブロモ−4−ヒドロキシ−5−クロロフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(2−ヒドロキシ−4−sec−ブチルフェニル)プロパン、2,2−ビス(2−ヒドロキシ−4,6−ジメチルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ブタン、2,2−(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)ブタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−2−メチルプロパン、1,1−ビス(2−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)−2−メチルプロパン、1,1−ビス(2−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)ブタン、1,1−ビス(2−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)ブタン、1,1−ビス(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−tert−ペンチルフェニル)ブタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジクロロフェニル)ブタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジブロモフェニル)ブタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3−メチルブタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3−メチルブタン、3,3−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ペンタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘプタン、2,2−ビス(2−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)ヘプタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)オクタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ノナン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)デカン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロペンタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)シクロヘキサン、
1,1−ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、1,1−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサンなどのビス(ヒドロキシフェニル)アルカン類;ビス(4−ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(3−フルオロ−4−ヒドロキシフェニル)エーテルなどのビス(4−ヒドロキシフェニル)エーテル類;ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルフィド、ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)スルフィドなどのビス(4−ヒドロキシフェニル)スルフィド類;ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)スルホキシドなどのビス(4−ヒドロキシフェニル)スルホキシド類;ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)スルホンなどのビス(4−ヒドロキシフェニル)スルホン類;4,4'−ジヒドロキシベンゾフェノンなどのビス(4−ヒドロキシフェニル)ケトン類;9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)フルオレンなどのビス(ヒドロキシフェニル)フルオレン類;4,4"−ジヒドロキシ−p−ターフェニルなどのジヒドロキシ−p−ターフェニル類;4,4'''−ジヒドロキシ−p−クォーターフェニルなどのジヒドロキシ−p−クォーターフェニル類;2,5−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ピラジン、2,5−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,6−ジメチルピラジン、2,5−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−2,6−ジエチルピラジンなどのビス(ヒドロキシフェニル)ピラジン類;1,8−ビス(4−ヒドロキシフェニル)メンタン、2,8−ビス(4−ヒドロキシフェニル)メンタン、1,8−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)メンタン、1,8−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メンタンなどのビス(ヒドロキシフェニル)メンタン類;1,4−ビス〔2−(4−ヒドロキシフェニル)−2−プロピル〕ベンゼン、1,3−ビス〔2−(4−ヒドロキシフェニル)−2−プロピル〕ベンゼンなどのビス〔2−(4−ヒドロキシフェニル)−2−プロピル〕ベンゼン類;1,3−ビス(4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン、1,3−ビス(3−クロル−4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン、1,3−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)アダマンタンなどが挙げられる。
また、本発明のポリカーボネート共重合体の製造に用いる2価フェノール類の例として下記のものが挙げられる。
Figure 2005206834
繰り返し単位[4]を含有するポリカーボネート共重合体の製造に用いる二価フェノール類としては下記の構造のビスフェノール類を挙げることができる。
Figure 2005206834
Yとしては、−O−、>N−R12を挙げることができ、ここで、R12としては、水素、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数6〜12のアリール基、炭素数7〜13のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基、または炭素数1〜12のフルオロアルキル基を挙げることができる。炭素数1〜12のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。また、炭素数6〜12のアリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。また、炭素数7〜13のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基としては、ベンジル基、フェネチル基、スチリル基、シンナミル基などが挙げられる。更に炭素数1〜12のフルオロアルキル基はモノフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基などが挙げられる。好ましいものは、>N−メチル、>N−シクロヘキシル、>N−フェニル等であり、特に下記の>N−シクロヘキシルが好ましい。
Figure 2005206834
なお、繰り返し単位[2]および繰り返し単位[4]を形成するこれら二価フェノール類は2種以上を併用してもよいし、繰り返し単位[2]を形成する二価フェノール類と繰り返し単位[4]を形成する二価フェノール類を併用することもできる。
上記炭酸エステル形成性化合物としては、ホスゲンなどの各種ジハロゲン化カルボニルや、クロロホーメートなどのハロホーメート、炭酸エステル化合物などを用いることができる。ホスゲンなどのガス状の炭酸エステル形成性化合物を使用する場合、これを反応系に吹き込む方法が好適に採用できる。そして、この反応において用いる溶媒としては、通常のポリカーボネート樹脂の製造に使用されているものが用いられる。例えば、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、塩化メチレン、クロロホルム、1.1−ジクロロエタン、1,2−ジクロロエタン、1,1,1−トリクロロエタン、1,1,2−トリクロロエタン、1,1,1,2−テトラクロロエタン、1,1,2,2−テトラクロロエタン、ペンタクロロエタン、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素、アセトフェノンなどが好適なものとして挙げられる。これら溶媒は、1種単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。さらに、互いに混ざり合わない2種の溶媒を用いてもよい。
酸受容体としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化セシウムなどのアルカリ金属水酸化物や、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどのアルカリ金属炭酸塩、ピリジンなどの有機塩基、あるいはこれらの混合物を用いることができる。これら酸受容体の使用割合は、この反応の化学量論比(当量)を考慮して、例えば原料の二価フェノールの水酸基1モル当たり、1当量もしくはそれより若干過剰量、好ましくは1〜5当量の酸受容体を使用すればよい。
末端停止剤としては、一価のフェノール類を用いることができる。例えば、p−tert−ブチル−フェノール、p−フェニルフェノール、p−クミルフェノール、p−パーフルオロノニルフェノール、p−(パーフルオロノニルフェニル)フェノール、p−tert−パーフルオロブチルフェノール、1−(P−ヒドロキシベンジル)パーフルオロデカンなどが用いられる。
分子量調整剤として好ましいのは、下記一般式で表される三価フェノール
Figure 2005206834
{R13は炭素数1〜20のアルキル基(好ましくは1〜10、より好ましくは1〜5)または炭素数6〜30のアリール基(好ましくは6〜12)であり、R14、R15およびR16はそれぞれ独立に、炭素数0〜20のアルキル基(好ましくは0〜10、より好ましくは1〜5)または炭素数6〜30のアリール基(好ましくは6〜12)である。}、より好ましくは下記一般式の三価フェノール
Figure 2005206834
(式中、R13は上記と同じ意味を有する。)
上記三価フェノールの具体例としては、1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)ブタン、1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)ペンタン等が挙げられ、特に1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタンが好ましい。
触媒としては、トリエチルアミンなどの第三級アミン類や第四級アンモニウム塩が好適に用いられる。さらに、この反応系には、亜硫酸ナトリウムやハイドロサルファイドなどの酸化防止剤を少量添加して反応を行う方法を採用してもよい。つぎに、界面重合法による場合の反応条件は、反応温度は、通常0〜150℃程度、好ましくは5〜40℃程度であり、反応圧力は減圧、常圧、加圧のいずれでもよいが、常圧もしくは反応系の自圧程度の加圧下に行うのが好ましい。反応時間については、反応温度により左右されるが、0.5分間〜10時間程度、好ましくは1分間〜2時間程度である。また、この反応は、連続法、半連続法、回分法のいずれの反応方式で実施してもよい。
また、エステル交換反応による場合には、減圧下に、120〜350℃程度で反応させる。この場合、減圧度を反応の進行にそって段階的に強化し、最終的には133Pa以下まで減圧して、生成するフェノール類を反応系外に抜き出すようにする。反応時間は、1〜4時間程度とすればよく、必要に応じて触媒や酸化防止剤を添加してもよい。
本発明のポリカーボネート共重合体には、各種の添加剤、例えば、高分子改質剤、熱安定剤、酸化防止剤、光安定剤、着色剤、帯電防止剤、滑剤、可塑剤、離型剤などを適量配合することができる。
フィルム・シートの製造方法としては、任意の方法を採用し得るが、特に溶液キャスト法(流延法)が特に好適である。溶液キャスト法に用いられる溶媒としては、当該ポリカーボネート共重合体を溶解できる各種溶媒を使用することができ、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等が好適である。
繰り返し単位[1]の少なくとも1種と繰り返し単位[2]もしくは繰り返し単位[4]の少なくとも1種とを含有する本発明のポリカーボネート共重合体を用いて得られるフレキブル基板用のポリカーボネートフィルムもしくはシートは、自動平衡ブリッジを用い、測定周波数1kHz、室温下、大気中での誘電率の測定値が3.0以下、飽和吸水率が0.5質量%以下、であり、かつ、銅箔と積層した状態で、280℃の熔融ハンダ上に5秒間浮かべても発泡または剥離を実質的に生じないという耐熱特性を有しており、電子機器の高性能化、小型化に対応したフレキシブルプリント基板に好適に適用できる。
以下、実施例、比較例を用いて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらによってなんら限定されるものではない。なお、実施例、比較例で用いた測定法を下記する。
(1)還元粘度:離合(RIGO)オートビスコメーター タイプV MR−042(離合株式会社製)を用いて、塩化メチレンを溶媒とする濃度0.5g/Lのポリカーボネート共重合体溶液の20℃における還元粘度[ηSP/C]を測定する。
(2)誘電率:JIS C6471に準拠して測定する。
(3)吸水率:JIS K7209に準拠して測定する。
実施例1
下記式(A)で示される2,2−ビス(4-ヒドロキシフェニル)アダマンタン51g、下記式(B)で示される1,1−ビス(4-ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン19gを、2モル/リットルの濃度の塩化カリウム水溶液1,360ミリリットルに溶解した溶液に、塩化メチレン700ミリリットルを加え、冷却下に、この液中にホスゲンガスを950ミリリットル/分の割合で30分間吹き込んだ。この反応液を静置分離し、有機相に重合度が2〜5であり、分子末端にクロロフォーメート基を有するオリゴマーの塩化メチレン溶液を得た。
Figure 2005206834
得られた塩化メチレン溶液110ミリリットルに塩化メチレンを加えて全量を150ミリリットルにした後、これに2,2−ビス(4-ヒドロキシフェニル)アダマンタン3gを2モル/リットル濃度の塩化カリウム水溶液に溶解した溶液を加え、さらに分子量調節剤としてp−tert−ブチルフェノールを0.2g加えた。ついでこの反応液を激しく攪拌しながら、触媒として7%濃度のトリエチルアミン水溶液1ミリリットルを加え、室温下1時間反応させた。
反応終了後、得られて反応生成物に塩化メチレン200ミリリットルによって希釈し、水100ミリリットルで2回洗浄した。得られて有機相をメタノール中に投入して再沈精製することにより、ポリカーボネート共重合体の白色粉末を得た。
得られたポリカーボネート共重合体は、塩化メチレンを溶媒とする濃度0.5g/Lの溶液の20℃における還元粘度[ηSP/C]は0.6dl/gであり、、ガラス転移温度(Tg)は270℃であった。1H−NMRスペクトル分析により確認した化学構造は下記の繰り返し単位からなる、組成比75:25のポリカーボネート共重合体であった。
Figure 2005206834
このポリカーボネート共重合体の塩化メチレン溶液を用いてキャストして得られた厚さ50μmのフィルムの誘電率を、平衡ブリッジを用い、測定周波数1kHz、室温下、大気中で測定したところ、誘電率は2.9であった。同じフィルムを使ってJIS法に則って吸水率を測定したところ、その飽和吸水率は0.2質量%であり、40℃90%RHに24時間放置した後の吸水率に変化は無かった。また、同じポリカーボネート共重合体の塩化メチレン溶液を厚さ18μmの銅箔上にキャストし、銅箔層の上に厚さ25μmのポリカーボネート層を持つ積層板(フレキシブルプリント基板)を作成し、この積層板を280℃の溶融したハンダに、銅箔が下側になるように5秒間浮かべたが、ポリカーボネート層に発泡や収縮は見られなかった。同じ、積層板を40℃、90%RHに24時間放置して同様の評価を行ったが、ポリカーボネート層に発泡や収縮は見られなかった。
実施例2
2,2−ビス(4-ヒドロキシフェニル)アダマンタン74gを2モル/リットルの濃度の塩化カリウム水溶液1,360ミリリットルに溶解した溶液に、塩化メチレン700ミリリットルを加え、冷却下に、この液中にホスゲンガスを950ミリリットル/分の割合で30分間吹き込んだ。この反応液を静置分離し、有機相に重合度が2〜5であり、分子末端にクロロフォーメート基を有するオリゴマーの塩化メチレン溶液を得た。得られた塩化メチレン溶液110ミリリットルに塩化メチレンを加えて全量を150ミリリットルにした後、これに下記のビスフェノール4gを2モル/リットルの濃度の塩化カリウム水溶液に溶解した溶液を加え、さらに分子量調節剤としてp−tert−ブチルフェノールを0.2g加えた。ついでこの反応液を激しく攪拌しながら、触媒として7質量%濃度のトリエチルアミン水溶液1ミリリットルを加え、室温下1時間反応させた。
Figure 2005206834
反応終了後、得られて反応生成物に塩化メチレン200ミリリットルによって希釈し、水100ミリリットルで2回洗浄した。得られて有機相をメタノール中に投入して再沈精製することにより、ポリカーボネート共重合体の白色粉末を得た。得られたポリカーボネート共重合体は、塩化メチレンを溶媒とする濃度0.5g/Lの溶液の20℃における還元粘度(ηSP/C)は0.55dl/g、Tgは285℃であった。1H−NMRスペクトル分析法により確認した化学構造は下記の繰り返し単位からなる、組成比80:20のポリカーボネート共重合体であった。
Figure 2005206834
実施例1に準拠して、誘電率・吸水率を測定したところ、誘電率は3.0、吸水率は0.3質量%であり、40℃、90%RHに24時間放置した後の吸水率に変化は無かった。
また、実施例1に準拠して作成した積層板(フレキシブルプリント基板)を280℃の熔融ハンダに浮かべた後のポリカーボネート層に発泡、収縮は見られず、40℃90%RHに24時間放置した後の試験でも、ポリカーボネート層に発泡や収縮は見られなかった。
比較例1
市販のポリイミド樹脂(東レデュポン株式会社社製、商品名:カプトンR 100H)を用い、実施例1、2に準拠して評価試験を行った。
誘電率・吸水率を測定したところ、誘電率は3.3であり、吸水率は2.0質量%であり、40℃90%RHに24時間放置した後の吸水率は2.9質量%であった。
また、市販の銅貼り積層板(銅箔18μm/カプトン25μm)を280℃の熔融ハンダに浮かべた後の樹脂層に発泡、収縮は見られなかったが、40℃、90%RHに24時間放置した後、同様に試験を行ったところ、樹脂層に発泡が見られた。
比較例2
市販のポリカーボネート樹脂(出光石油化学株式会社製、商品名:タフロンA1900)を用い、実施例1、2に準拠して評価試験を行った。誘電率・吸水率を測定したところ、誘電率は2.9、吸水率は0.2質量%であり、40℃90%RHに24時間放置した後の吸水率に変化は無かった。
実施例1に準拠して作成した積層板を280℃の熔融ハンダに浮かべたところ、ポリカーボネート層は溶融し、著しい収縮が残った。
実施例3
実施例1と同様にして得られた塩化メチレン溶液110mLに塩化メチレンを加えて全量を150mLにした後、これに2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン2.5g、下記の末端変性ポリジメチレシロキサン1.5gを2規定塩化カリウム水溶液に溶解した溶液に加え、さらに分子量調節剤としてp−t−ブチルフェノールを0.2gを加えた。次いで、この反応液を激しく撹拌しながら、触媒として濃度7%のトリエチルアミン水溶液1mLを加え、室温下1時間反応させた。
Figure 2005206834
反応終了後、得られた反応生成物に塩化メチレン200mLによって希釈し、水100mLで2回洗浄した。得られた有機相をメタノール中に投入して再沈精製することにより、芳香族ポリカーボネートの白色粉末を得た。
ここで得られたポリカーボネート樹脂は、塩化メチレンを溶媒とする0.5g/Lの溶液の20℃における還元粘度は0.58dL/g、1H−NMRにより確認した組成比は74:25:1、Tgは268℃であった。
Figure 2005206834
このポリカーボネートの塩化メチレン溶液を用いてキャストして得られた厚さ50μmのフィルムの誘電率を、平衡ブリッジを用い、測定周波数1kHz、室温下、大気中で測定したところ、誘電率は3.0であった。
同じフィルムを使ってJIS法に則って吸水率を測定したところ、その飽和吸水率は0.2%であり、40℃、90%RH(相対湿度)に24時間放置した後の吸水率に変化は無かった。
また、同じポリカーボネートの塩化メチレン溶液を銅箔18μmの上にキャストし、銅箔層の上に厚さ25μmのポリカーボネート層を持つ積層板を作成し、この積層板を280℃の溶融したハンダに、銅箔が下側になるように5秒間浮かべたが、ポリカーボネート層に発泡や収縮は見られなかった。
実施例4
実施例1と同様にして得られた塩化メチレン溶液110mLに塩化メチレンを加えて全量を150mLにした後、これに1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン5gを2規定塩化カリウム水溶液に溶解した溶液に加え、さらに分子量調節剤としてp−t−ブチルフェノールを0.3gと下記のトリスフェノール0.1gを加えた。次いで、この反応液を激しく撹拌しながら、触媒として濃度7%のトリエチルアミン水溶液1mLを加え、室温下1時間反応させた。
Figure 2005206834
反応終了後、得られた反応生成物に塩化メチレン200mLによって希釈し、水100mLで2回洗浄した。得られた有機相をメタノール中に投入して再沈精製することにより、芳香族ポリカーボネートの白色粉末を得た。
ここで得られたポリカーボネート樹脂は、塩化メチレンを溶媒とする濃度0.5g/Lの溶液の20℃における還元粘度は0.5dL/g、1H−NMRにより確認した組成比は80:19:1、Tgは278℃であった。
Figure 2005206834
実施例1と同様に、誘電率及び吸水率を測定したところ、誘電率は3.0、吸水率は0.3%であり、40℃90%RHに24時間放置した後の吸水率に変化は無かった。
また、実施例1と同様に作成した積層板を280℃の溶融ハンダに浮かべた後のポリカーボネート層に発泡、収縮は見られず、40℃90%RHに24時間放置した後の試験でも、ポリカーボネート層に発泡、収縮は見られなかった。



Claims (6)

  1. 下記の一般式[1]で表されるアダマンタン骨格を有する繰り返し単位[1]の少なくとも1種及び下記の一般式[2]で表される繰り返し単位「2」の少なくとも1種を含有し、繰り返し単位[1]の含有割合が、全繰り返し単位に対してモル比で0.5≦[[1]/([1]+[2])]≦0.95のポリカーボネート共重合体を用いて得られたことを特徴とするフレキシブルプリント基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシート。
    Figure 2005206834
    [式中、R1およびR2は、各々独立にハロゲン原子、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜12アリール基、炭素数7〜13のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基、または炭素数1〜12のフルオロアルキル基を示す。rは0〜4の整数、sは0〜14の整数である。
    3はハロゲン原子、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜12アリール基、炭素数7〜13のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基、または炭素数1〜12のフルオロアルキル基を示し、tは0〜4の整数である。Xは、単結合、−O−、−CO−、−S−、−SO−、−SO2−、−CR45−(ここで、R4およびR5は各々独立に水素原子、炭素数1〜12のアルキル基、もしくはトリフルオロメチル基である)、炭素数6〜12のシクロアルキリデン基、9,9−フルオレニリデン基、1,8−メンタンジイル基、2,8−メンタンジイル基、置換もしくは無置換の1,3−アダマンチレン基、置換もしくは無置換のピラジリデン基、炭素数6〜12の置換もしくは無置換のアリーレン基、−C(CH32−Ph−C(CH32―(ただし、Phはフェニレン基を表す)又は下記構造のポリシロキサン基を示す。
    Figure 2005206834
    {式中、R6とR7はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜20(好ましくは1〜10)のアルキル基又は炭素数6〜30(好ましくは6〜12)の置換又は無置換のアリール基であり(特に好ましくは、メチル基、フェニル基)、R8とR9はそれぞれ独立に、炭素数1〜20(好ましくは1〜10)のアルキレン基、nは1〜200(好ましくは5から100、より好ましくは1〜30)の整数である。}]
  2. 繰り返し単位[2]が、下記一般式[3]で表されるものである請求項1に記載のフレキシブルプリント基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシート。
    Figure 2005206834
    [式中、R3、Xおよびtは、それぞれ一般式[2]におけるR3、Xおよびtと同一の意味を表す。]
  3. 自動平衡ブリッジを用い、測定周波数1kHz、室温下、大気中での誘電率の測定値が3.0以下、飽和吸水率が0.5質量%以下、であり、かつ、銅箔と積層した状態で、280℃の熔融ハンダ上に5秒間浮かべても発泡または剥離を実質上生じない特性を有する請求項1または2に記載のフレキシブルプリント基板用の高耐熱ポリカーボネートフィルムフィルムもしくはシート。
  4. 下記の一般式[1]で表されるアダマンタン骨格を有する繰り返し単位[1]の少なくとも1種及び下記の一般式[4]で表される繰り返し単位「4」の少なくとも1種を含有し、繰り返し単位[1]の含有割合が、全繰り返し単位に対してモル比で0.5≦[[1]/([1]+[4])]≦0.95のポリカーボネート共重合体を用いて得られたことを特徴とするフレキシブルプリント基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシート。
    Figure 2005206834
    [式中、R1およびR2は、各々独立にハロゲン原子、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜12アリール基、炭素数7〜13のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基、または炭素数1〜12のフルオロアルキル基を示す。rは0〜4の整数、sは0〜14の整数である。
    10およびR11は各々独立にハロゲン原子、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜12アリール基、炭素数7〜13のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基、または炭素数1〜12のフルオロアルキル基を示し、uおよびvは各々独立に0〜4の整数である。Yは−O−、>N−R12を示す。ここで、R12は水素原子、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数6〜12のアリール基、炭素数7〜13のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基、または炭素数1〜12のフルオロアルキル基を示す。]
  5. 繰り返し単位[4]が、下記一般式[5]で表されるものである請求項4に記載の高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシート。
    Figure 2005206834
  6. 自動平衡ブリッジを用い、測定周波数1kHz、室温下、大気中での誘電率の測定値が3.0以下、飽和吸水率が0.5質量%以下、であり、かつ、銅箔と積層した状態で、280℃の熔融ハンダ上に5秒間浮かべても発泡または剥離を実質的に生じない特性を有する請求項4または5に記載のフレキシブルプリント基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムフィルムもしくはシート。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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