JP2005205221A - 画像撮影装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】撮像すべき対象から高品質の高エネルギー画像を供給し、画像撮影装置の動作が補正画像の作成によってできるだけ中断されないようにする。
【解決手段】高エネルギー光子(2)による高エネルギー画像(11)の撮影に用いられる検出器(3)と、画像撮影装置の状態を記述するシステムパラメータを検出する評価ユニット(8)とを備え、評価ユニット(8)は、画像処理プロセス(17,18,22,26)において使用可能な補正画像の作成と関連してシステムパラメータ(19,23)の現在値を検出し、このシステムパラメータ(19,23)の時間的動向を監視し、予め定められた限界値を上回る場合に補正画像(17,18,26)の新たな作成を要求する。
【選択図】図3

Description

本発明は、高エネルギー光子による高エネルギー画像の撮影に用いられる検出器と、画像撮影装置の状態を記述するシステムパラメータを検出する評価ユニットとを有する画像撮影装置に関する。
この種の画像撮影装置はX線装置の形態で一般的に知られている。現在、ディジタルX線画像化のためのX線装置は開発段階にある。ディジタルX線画像化のための新式のX線装置はとりわけいわゆる平面形画像検出器を使用する。この平面形画像検出器は、直接変換式の平面形画像検出器と間接変換式の平面形画像検出器とに分類される。
間接変換式の平面形画像検出器はアモルファスシリコンからなる読取マトリックスを覆う平面状に広がるシンチレータを有する。シンチレータには種々の材料が使用される。通常の材料はCsIまたはGd22Sを基にして形成されている。読取マトリックスは、シンチレータにおいてX線入射時に発生した光を電荷に変換する多数のホトダイオードを含む。電荷はそれぞれ個々のホトダイオードに付設された静電容量に蓄えられ、撮影過程の終了後に能動スイッチング素子によって読み取られ、アナログディジタル変換器によりディジタルデータに変換される。
直接変換式の平面形画像検出器の場合、入射するX線が、標準的にはアモルファスセレンからなる光導電層において電荷に変換され、光導電層に隣接する電極に蓄えられ、引続いて能動スイッチング素子により電極から読み取られる。
新式の平面形画像検出器により発生されたディジタルデータは生の状態では診断目的には利用できない。なぜならば、平面形画像検出器の個々の検出器要素いわゆるピクセルの光学的および電気的特性が激しく変化するからである。例えば個々のホトダイオード、スイッチングトランジスタおよびスイッチングダイオードは種々の感度および電気的特性、とりわけ種々の漏れ電流を有する。更に、製造時から既に抵抗値および静電容量値が行ごとに、列ごとに、あるいはピクセルごとに相異する。ホトダイオードまたは電極の読み取りに使用される増幅器チップの個々の入力も異なる特性を有する。
多数の隣接配置された個々の部分マトリックスからなる平面形画像検出器の場合には相違が特に大きい。なぜならば個々の部分マトリックスの光学的および電気的特性は激しく変化し得るからである。これらの部分マトリックスは、それぞれ別々に作られたアモルファスシリコン板であってもよいし、あるいは異なる検出器範囲を読取・駆動電子回路の異なるチップに割り当てることによって読取マトリックスの回路技術的な区分によって生じてもよい。
この理由およびその他の理由から、規則的な間隔で較正およびオフセット取得を行なうことが必要である。
オフセット画像を得るためのオフセット取得では、標準的にはミリ秒間隔〜分間隔で暗像が撮影される。なぜならばオフセットは主に、検出器温度に強く依存する漏れ電流によって決まるからである。漏れ電流は急速なオフセット変動をもたらし得る。なぜならば検出器温度自体は周囲温度と発生した電力損失に基づいて運転時に発生する温度変化とに依存するからである。
オフセット取得の他の理由はゴースト画像アーチファクトの補正の可能性である。平形画面検出器においてX線画像は一般に指数関数的に減衰する画像記憶を残す。このような画像記憶は標準的には約10〜30秒後に消える。しかしながら、約30ミリ秒毎にX線画像が撮影されなければならない医療用途が存在する。これに関する例は、種々のエネルギー範囲のX線光子による撮影法、個々のX線画像が合成される全身撮影、あるいは簡単な胸部撮影である。
オフセット取得と違って、較正は日間隔、週間隔あるいは月間隔でさえも行なわれる。というのはその際に得られるデータはこれらの時間間隔に基づくほかに画像撮影装置の現在の状態を十分な精度で再現するからである。
較正の実施は種々の露出条件下で多数のX線画像の撮影を必要とする。次に、生データからオフセットが除去され、個々のピクセルの感度が決定されることによって、X線画像はいわゆるゲイン画像およびいわゆる欠陥画像に加工される。ゲイン画像は個々の検出器要素の感度を再現し、欠陥画像は完全に故障している検出器要素または標準的に動作しない検出器要素を示す。較正の実施は標準的には約1時間かかり、一般に人の存在を必要とする。
較正およびオフセット取得の実施は以下では補正画像の作成とも呼ぶ。較正時またはオフセット取得時に作成された補正画像は、その後、画像処理ユニットにおいて、ディジタル生データからアーチファクトのない診断に適したX線画像を作成するために使用される。
基本的には、補正画像が画像撮影装置の現在の状態を記述することを保証するために、補正画像はできるだけ頻繁に作成されるべきである。他方では補正画像の撮影は時間がかかり動作経過の妨げとなる。
この従来技術に基づいて、本発明の課題は、撮像すべき対象から高品質の高エネルギー画像を供給し、画像撮影装置の動作が補正画像の作成によってできるだけ中断されない画像撮影装置を提供することにある。
この課題は、本発明によれば、高エネルギー光子による高エネルギー画像の撮影に用いられる検出器と、画像撮影装置の状態を記述するシステムパラメータを検出する評価ユニットとを有する画像撮影装置において、評価ユニットは、画像処理プロセスにおいて使用可能な補正画像の作成と関連してシステムパラメータの現在値を検出し、このシステムパラメータの時間的動向を監視し、予め定められた限界値を上回る場合に補正画像の新たな作成を要求することによって解決される。
画像撮影装置において、評価ユニットが、補正画像作成との関係で、画像撮影装置の状態を記述するシステムパラメータを検出する。更に、画像撮影装置はこのシステムパラメータの時間的動向を監視し、予め定められた限界値を上回る場合に補正画像の新たな作成を要求する。従って、補正画像は、監視されたシステムパラメータの値が最後の補正画像を作成した時間でのシステムパラメータの値に比べて著しく変化している場合にのみ作成される。従って、補正画像は、監視されたシステムパラメータの激しい変化に基づいて、新たな補正画像が作成されなければならないことが推測される場合にのみ作成される。従って、補正画像の作成は必要に応じて制御されて行なわれる。これによって補正画像の作成に必要な時間だけが使用される。結局、動作経過もできる限り僅かにしか妨げられない。
有利な実施態様では、画像撮影装置は、間接変換式の検出器を含み、さらにその検出器に当てられる低エネルギー光子のための光源を備えている。低エネルギー光子により、較正の実行と関連して他の低エネルギー画像が撮影される。低エネルギー画像の撮影は較正終了後に短い時間間隔で繰り返される。相次いで撮影された低エネルギー画像の評価によって検出器の状態を推定することができる。なぜならば、低エネルギー画像は読取マトリックスおよびその後に接続された読取電子回路の状態を示すからである。シンチレータにおける高エネルギー放射の低エネルギー光子への変換だけは検出されない。新たな較正の実行が必要であるという評価が得られたならば、評価ユニットは、新たな補正画像を撮影することを信号化する。
他の有利な実施態様では、評価ユニットは、較正の実行と関連して暗画像の形で欠陥画像を検出し、その後に欠陥の個数を監視する。
他の有利な実施態様では、評価ユニットは、較正の実行と関連して検出器の温度を検出する。後に続く監視において、検出器の温度が予め定められた限界値を上回ったことが示された場合、評価ユニットは較正の新たな実行を要求する。検出器の温度は検出器の画素の増幅率への著しい影響を有するので、このようにして画像アーチファクトの確実に補償を達成することができる。
他の有利な実施態様では、評価ユニットは、オフセット取得と関連してオフセット補正された高エネルギー画像の暗基準区域を監視する。暗基準区域においては高エネルギー画像の値がオフセット画像の値と等しくあるべきであるので、オフセット補正された高エネルギー画像はもっぱら0の値を示すべきである。実際の値が予め与えられた閾値を上回る場合、評価ユニットは、補正画像の新たな作成、この場合にはオフセット画像の撮影を指示する。
他の有利な実施態様では、評価ユニットは、オフセット取得の実施と関連して検出器の温度を検出する。後に続く監視において、検出器の温度が予め定められた限界値を上回ったことが示された場合、評価ユニットはオフセット画像の新たな撮影を要求する。検出器の温度は検出器の画素のオフセットへの著しい影響を有するので、このようにして画像アーチファクトの確実な補償を達成することができる。
更に、最後のオフセット取得から経過した時間を監視することは有意義である。このようにして、長い時間の間、欠陥のあるオフセット画像が使用されないことが保証されている。
なお、本発明の有利な実施態様は次のように列記される。
(1)評価ユニットは、較正の実行と関連して基準システムデータを検出し、その後に現在の比較システムデータを取得し、比較システムデータが基準システムデータから予め定められた基準だけずれている場合に新たな較正を要求する。
画像撮影装置は低エネルギー光子のための光源を有し、評価ユニットはこの光源を用いて撮影された低エネルギー画像を基準システムデータおよび比較システムデータとして使用する。
(2)評価ユニットは基準低エネルギー画像および比較低エネルギー画像から商画像を算出する。
評価ユニットは、商画像の平均値が予め定められた限界値を上回る場合に新たな較正を要求する。
評価ユニットは、商画像内のノイズが予め定められた基準を上回る場合に新たな較正を要求する。
評価ユニットは、商画像の異なる範囲が予め定められた基準だけ異なる場合に新たな較正を要求する。
(3)評価ユニットは、較正と関連して基準欠陥画像を検出し、その後に現在の比較欠陥画像を取得し、比較欠陥画像が基準欠陥画像から予め定められた基準だけずれている場合に新たな較正を要求する。
(4)評価ユニットは、較正と関連して検出器の基準温度を検出し、その後に検出器の現在の比較温度を取得し、現在の比較温度が基準温度から予め定められた基準だけずれている場合に新たな較正を要求する。
(5)評価ユニットは、オフセット画像の撮影と関連して基準システムデータを検出し、その後に現在の比較システムデータが基準システムデータから予め定められた基準だけずれている場合に新たなオフセット画像の撮影を指示する。
基準システムデータおよび比較システムデータは検出器の温度値である。
基準システムデータおよび比較システムデータは画像撮影装置のシステム時間の値である。
基準システムデータおよび比較システムデータは高エネルギー画像の暗範囲におけるオフセット補正された高エネルギー画像の値である。
画像処理ユニットは高エネルギー画像の補正のためにオフセット画像の線形結合を使用する。
本発明の実施例が添付図面に基づいて詳細に説明されている以下の記載から、本発明の他の詳細および利点を明らかにする。
図1は部分的に破断された間接変換式の平面形画像検出器を有する画像撮影装置の斜視図、
図2は図1の画像撮影装置の横断面図、
図3は平面形画像検出器の較正の監視の際に行なわれる動作ステップを示す流れ図、
図4はオフセット取得の監視時に行なわれる動作ステップを示す流れ図である。
図1は、X線2を発生するための図1に示されていないX線源を含むX線装置の一部である画像撮影装置1を示す。X線2はX線透視すべき対象を透過後に平面形画像検出器3に入射する。標準的には平面形画像検出器3は約30×30cmの寸法を有する。平面形画像検出器3は例えばCsIから作られたシンチレータ4を含む。シンチレータ4の下には、一般にアモルファスシリコンを基礎にして作られた能動マトリックス5がある。能動マトリックス5にはホトダイオード6の領域が形成されている。ホトダイオード6においては、それぞれのシンチレータ4内においてそれぞれのホトダイオード6を介して発生された光が吸収される。吸収の際に電子−正孔対が発生され、これらはそれぞれのホトダイオード6の陽極および陰極へそれぞれ運ばれる。このようにして発生した電荷量は、ホトダイオード6が能動スイッチング素子7により読み取られるまでの間、それぞれのホトダイオード6内に蓄えられる。能動スイッチング素子7は評価ユニット8によって行ごとにアドレス線9を介して作動させられる。ホトダイオード6内に蓄えられた電荷は列ごとにデータ線10を介して読み取られる。
評価ユニット8の概念は機能的に解すべきである。評価ユニット8は、単独の半導体デバイスで実現されなければならないというわけではない。むしろ評価ユニット8は1つまたは複数の基板上における多数の半導体デバイスを含むことができる。評価ユニット8は機能グループとして種々の機器内に含ませることができる。評価ユニット8は平面形画像検出器3の制御および監視を行なう役目を有する。更に、評価ユニット8の役目は、ディジタル生データから診断目的に適したディジタルX線画像11を作成して、これを図1に示されていない表示ユニットに出力することである。
図2は図1の画像撮影装置1の機械的構造の横断面図を示す。ハウジング2内にはシンチレータ4があり、シンチレータ4は能動マトリックス5上に配置されている。能動マトリックス5はアドレス線9およびデータ線10を介してプリント回路基板13に接続されている。プリント回路基板13上には評価ユニット8の機能アセンブリが配置されている。プリント回路基板13と能動マトリックス5との間には、光学波長範囲の光15を能動マトリックス5の方向へ放出するリセット光源14が存在する。リセット光源14は、能動マトリックス5のホトダイオード6内に連続的に電子−正孔対を発生させ、この電子−正孔対によって深いところにあるトラップいわゆる「深いトラップ(deep traps)」を飽和状態に保たせるために使用される。それによって暗電流は平面形画像検出器の、X線2を照射された範囲だけに特にはっきり現れることはない。寧ろ、暗電流は平面形画像検出器3にわたって均一化される。この措置によって画像記憶すなわちゴースト画像障害が著しく低減される。なぜならば、深いトラップの崩壊によって発生された暗電流が平面形画像検出器3内に一様に発生し、平面形画像検出器3の、X線2を照射された範囲だけに発生するのではないからである。
平面形画像検出器は個々の検出器要素の感度いわゆる「ゲイン」に関して較正されなければならない。なぜならば、後段に接続された電子回路のそれぞれの能動スイッチング素子7のホトダイオード6の感度が異なることがあるからである。その相異は、平面形画像検出器3が多数の部分マトリックスから構成された能動マトリックス5を有する場合には特に大きい。更に、シンチレータ4の厚みおよび材料状態が変化することがあり、これがX線2を光へ変換する際に異なる効率を生じる。従って、平面形画像検出器3の検出器要素はホトダイオード6の寸法によって定められ、異なる感度を有する。従って、較正によって検出器要素の相対感度を相互に定め、完成されたX線画像へのディジタル生データの変換の際に考慮することが必要である。
更に、個々の検出器要素が完全に故障するか又は標準的に動作しないことが起こり得る。欠陥のあるまたは標準的に動作しない検出器要素は欠陥画像において検出される。この欠陥画像は、同様に完成されたX線画像へのディジタル生データの変換の際に考慮される。
欠陥画像の作成およびゲイン画像のための個々の検出器要素の相対感度の決定は以下において較正と呼ばれる。
図3は評価ユニット8によって行なわれる平面形画像検出器3の監視の流れ図を示し、この監視によって新たな較正の時点が定められる。図3に示された流れ図によれば、まず現在の較正16が実行される。その際に得られた本来の較正データはゲイン画像17および欠陥画像18を含む。更に、現在の較正16において、後で詳しく説明する以後の経過において基準として用いられる基準システムデータ19が記録される。基準システムデータ19の取得はゲイン画像17および欠陥画像18の作成時点のできるだけ近くで行なわれる。
画像撮影装置1の更なる動作期間中に現在の比較システムデータ20が獲得され、演算ユニット21において基準システムデータ19と比較される。演算ユニット21は、予め与えられた限界値に基づいて、新たな較正16が必要であるかどうか、あるいは監視が現在のシステムデータ20の新たな取得による較正16なしに定められた時間の経過後に継続されるかどうかを決定する。
基準システムデータ19および比較システムデータ20として種々のデータが考慮の対象となる。
とりわけ、このためにいわゆるリセット光画像が適している。リセット光画像は、能動マトリックス5がリセット光源14によって照明される画像である。リセット光画像は、能動マトリックス5から読み出された生データから現在のオフセット画像を除去することによって作成される。
リセット光画像は均一な照射によるX線画像に似ている。なぜならば、シンチレータ4においてX線2を光へ変換することを除いて、ホトダイオード6において光子を電荷へ変換することから増幅、多重化およびディジタル変換の以後の方法ステップまでの全変換系が生じるからである。従って、リセット光画像はX線2により作成されたゲイン画像に十分対応し、従ってゲイン画像が更新されるべきか否かを決定するための良好な根拠となる。
リセット光画像は欠陥状況も良好に再現するが、シンチレータ4と関係する欠陥だけは検出されない。
場合によっては、平面形画像検出器3を種々のダイナミックレンジで監視するために、リセット光画像を異なる露光条件で作成することもできる。
リセット光画像は演算ユニット21において解析される。例えば基準リセット光画像および比較リセット光画像から商を算出し、商画像の値が平均で値1から予め定められたパーセント値(例えば2パーセント)だけずれている場合、あるいは商画像のノイズが予め定めた値を上回っている場合、または商画像における1つまたは複数の予め定めた領域における値が平均で互いに或るパーセント値だけずれている場合、常に新しいゲイン画像の作成を開始することができる。
基準システムデータ19およびシステムデータ20として欠陥画像も考慮の対象となる。例えば入射するX線2なしにバックグラウンドにおいて、比較システムデータ20として使用可能である欠陥画像を作成することができる。この基準システムデータは、平面形画像検出器3の較正と関係してX線2なしに撮影され基準システムデータ19をなす欠陥画像と比較される。演算ユニット21は、両欠陥画像の欠陥の個数が予め定められたパーセント値、例えば2%を上回るか、あるいは絶対値、例えば5個の欠陥よりも大きい場合には常に新たな較正が要求されるように調整されるとよい。
基準システムデータ19として、較正に関係して検出された平面形画像検出器3の温度値を用いることもできる。例えば涼しい季節から暑い季節への移行により平面形画像検出器3の現在温度が基準温度から予め定められた温度差(例えば5℃)以上ずれた場合、演算ユニット21は新たな較正を要求することができる。
一部変更された実施形態では、演算ユニット21が新たな較正16を開始させたり、あるいは人に新たな較正の必要性を指示したりすることができるだけでなく、メンテナンス技術者を要求することもできる。これは、例えば、比較システムデータ20が基準システムデータ19からあまりにも大きくずれ、どうも故障が画像撮影装置1に存在しているらしくこの画像撮影装置1をもはや較正できない場合に必要である。メンテナンス技術者の要求は例えば使用者に監視モニタで指示されるかまたは自動的に、例えばEメールによるデータネットを介して行なうこともできる。
図1乃至図3に基づいて説明した画像撮影装置1は、最初の基準システムデータ19が標準的でない値(例えば0)にセットされ、それにより自動的に現在の比較システムデータ20に対して著しい偏差を有するならば、新設後の最初の場合も支援する。この場合に使用開始後すぐに較正が要求される。
画像撮影装置1は、比較システムデータ20を常にバックグラウンドにX線2なしに作成できる利点を有する。従って、比較システムデータ20は、規則的に画像撮影装置1の休止時間に、例えば夜間にまたは2人の患者の間に作成することができる。
更に、図4による画像撮影装置1はオフセット取得も必要時に制御して行なうことができる。図4によれば、オフセット画像22の撮影時点近くで基準システムデータ23が取得される。基準システムデータ23は演算ユニット24において現在の比較システムデータ25と比較される。平面形画像検出器3の個々の検出器要素のオフセットは、例えばX線ウィンドウ長、画像周波数の如き動作パラメータや、あるいは先行のX線撮影の画像記憶に関係するので、平面形画像検出器3の検出器要素のオフセット検査は、X線画像の撮影とほぼ同じ周波数で行なわなければならない。
基準システムデータ23および比較システムデータ25としては種々のデータが考慮される。
実施例において、例えば1秒間に1回だけ平面形画像検出器3の現在温度が読み取られる。この温度は、最後のオフセット画像22の取得直前に測定された温度と比較される。現在温度が定められた限界値(例えば1℃)だけ基準温度の上または下にある場合、現在のオフセット画像26の取得が開始される。画像撮影装置1がそのための状態になればすぐに、新たなオフセット画像26の撮影が行なわれ、この時点からは後続のオフセット補正に使用される。
一部変更された実施例では、現在のオフセット画像26と先行のオフセット画像22との線形結合(一次結合とも呼ばれる)がオフセットの補正に使用される。この措置によって、両オフセット画像22,26間の時間に撮影されるX線画像のオフセット補正を改善することができる。
他の一部変更された実施形態では、新たなオフセット画像26が取得されるべきかどうかの決定に、平面形画像検出器3の温度のほかに、最後のオフセット画像22の撮影から経過した時間も加えられる。例えば2つのオフセット画像の取得の間における最大許容時間に対して上記限界値が定められる。例えば、両オフセット画像22,26の撮影の間に最大5分が経過してもよいことを要求することができる。この関係においても、オフセット補正のために、両オフセット画像22,26の線形結合を使用することもできる。
他の実施形態においては、演算ユニット24はオフセット補正されたX線画像11を画像解析することができる。X線画像11は、例えば、全くX線2が当たらず従ってX線信号が全く発生されないいわゆる暗基準区域を有する。暗基準区域においてはディジタル生データがオフセット画像のデータに等しい。なぜならば、漏れ電流および類似の影響のみが検出され、X線によって惹き起こされた信号は検出されないからである。従って、暗基準区域においては、オフセット補正されたX線画像11のディジタル値は0に等しくなければならないはずである。それゆえ、演算ユニット24は、暗基準区域におけるX線画像11の値が予め定められた値を上回るか又は下回る場合にのみ新たなオフセット画像26の撮影が開始されるように調整されるとよい。
他の一部変更された実施形態では、ここに説明したシステムパラメータのうち2つまたは3つが、新たなオフセット画像26の取得を開始するために使用される。例えば、3つの比較過程のうちの1つが新たなオフセット画像26の取得を必要とする場合には常に新たなオフセット画像の取得を開始することができる。他のケースにおいて、新たなオフセット画像26の取得は、3つの比較過程のうち2つまたは3つがこれを要求する場合には常に行なわれる。
ここに説明したオフセット画像22,26の取得は、この取得が必要である場合にのみ行なわれる利点をもたらす。それによって動作経過は必要程度にしか妨げられない。これは高速の画像列が取得されるべき場合には特に有利である。
ここに説明したシステムパラメータのほかに他のシステムパラメータも、較正またはオフセット画像取得が行なわれるべきかどうかの決定に利用することができる。画像撮影装置1の較正およびオフセット特性に影響を及ぼす全てのシステムパラメータが考慮の対象となる。
更に、その都度の現在のシステムパラメータが比較される限界値は全ての動作様式にとって同じである必要はない。むしろ動作様式に応じて異なる限界値を使用することができる。
部分的に破断された間接変換式の平面形画像検出器を有する画像撮影装置の斜視図 図1の画像撮影装置を横断面図 平面形画像検出器の較正の監視の際に行なわれた動作ステップを示す流れ図 オフセット撮影の監視時に行なわれた動作ステップを示す流れ図
符号の説明
1 画像撮影装置
2 X線
3 平面形画像検出器
4 シンチレータ
5 能動マトリックス
6 ホトダイオード
7 能動スイッチング素子
8 評価ユニット
9 アドレス線
10 データ線
11 X線画像
12 ハウジング
13 プリント回路基板
14 リセット光源
15 光
16 現在の較正
17 ゲイン画像
18 欠陥画像
19 基準システムデータ
20 比較システムデータ
21 演算ユニット
22 オフセット画像
23 基準システムデータ
24 演算ユニット
25 比較システムデータ
26 オフセット画像

Claims (14)

  1. 高エネルギー光子(2)による高エネルギー画像(11)の撮影に用いられる検出器(3)と、画像撮影装置の状態を記述するシステムパラメータを検出する評価ユニット(8)とを有する画像撮影装置において、
    評価ユニット(8)は、画像処理プロセス(17,18,22,26)において使用可能な補正画像の作成と関連してシステムパラメータ(19,23)の現在値を検出し、このシステムパラメータ(19,23)の時間的動向を監視し、予め定められた限界値を上回る場合に補正画像(17,18,26)の新たな作成を要求することを特徴とする画像撮影装置。
  2. 評価ユニット(8)は、較正(16)の実行と関連して基準システムデータ(19)を検出し、その後に現在の比較システムデータ(20)を取得し、比較システムデータ(20)が基準システムデータ(19)から予め定められた基準だけずれている場合に新たな較正(16)を要求することを特徴とする請求項1記載の画像撮影装置。
  3. 画像撮影装置は低エネルギー光子(15)のための光源(14)を有し、評価ユニット(8)はこの光源(14)を用いて撮影された低エネルギー画像を基準システムデータ(19)および比較システムデータ(20)として使用することを特徴とする請求項2記載の画像撮影装置。
  4. 評価ユニット(8)は基準低エネルギー画像(19)および比較低エネルギー画像(20)から商画像を算出することを特徴とする請求項3記載の画像撮影装置。
  5. 評価ユニット(8)は、商画像の平均値が予め定められた限界値を上回る場合に新たな較正(16)を要求することを特徴とする請求項4記載の画像撮影装置。
  6. 評価ユニット(8)は、商画像内のノイズが予め定められた基準を上回る場合に新たな較正(16)を要求することを特徴とする請求項4記載の画像撮影装置。
  7. 評価ユニット(8)は、商画像の異なる範囲が予め定められた基準だけ異なる場合に新たな較正(16)を要求することを特徴とする請求項4記載の画像撮影装置。
  8. 評価ユニット(8)は、較正(16)と関連して基準欠陥画像(19)を検出し、その後に現在の比較欠陥画像(20)を取得し、比較欠陥画像(20)が基準欠陥画像(19)から予め定められた基準だけずれている場合に新たな較正(16)を要求することを特徴とする請求項1乃至7の1つに記載の画像撮影装置。
  9. 評価ユニット(8)は、較正(16)と関連して検出器(3)の基準温度(19)を検出し、その後に検出器(3)の現在の比較温度(20)を取得し、現在の比較温度(20)が基準温度(19)から予め定められた基準だけずれている場合に新たな較正(16)を要求することを特徴とする請求項1乃至8の1つに記載の画像撮影装置。
  10. 評価ユニット(8)は、オフセット画像(22,26)の撮影と関連して基準システムデータ(23)を検出し、その後に現在の比較システムデータ(25)が基準システムデータ(23)から予め定められた基準だけずれている場合に新たなオフセット画像(22,26)の撮影を指示することを特徴とする請求項1乃至9の1つに記載の画像撮影装置。
  11. 基準システムデータ(23)および比較システムデータ(25)は検出器(3)の温度値であることを特徴とする請求項10記載の画像撮影装置。
  12. 基準システムデータ(23)および比較システムデータ(25)は画像撮影装置のシステム時間の値であることを特徴とする請求項10記載の画像撮影装置。
  13. 基準システムデータ(23)および比較システムデータ(25)は高エネルギー画像(11)の暗範囲におけるオフセット補正された高エネルギー画像の値であることを特徴とする請求項10記載の画像撮影装置。
  14. 画像処理ユニットは高エネルギー画像(11)の補正のためにオフセット画像(22,26)の線形結合を使用することを特徴とする請求項10乃至13の1つに記載の画像撮影装置。
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