JP2005180933A - 表面検査装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】
表面検査装置自体でウェーハのセンタリングができる様にし、ウェーハのセンタリング、チャッキングを確実迅速に且つ高精度に行える様にする。
【解決手段】
モータ4により回転されるウェーハテーブル7と、該ウェーハテーブルに対して回転自在に設けられた一対のクランプアーム14と、該クランプアームを中心方向に回転する様に付勢する付勢手段25と、前記ウェーハテーブルに設けられ、ウェーハ12の周縁部が載置される円弧状の載置座9と、前記クランプアームに設けられ、ウェーハの周縁に当接する円弧状のクランプ爪18とを具備し、前記クランプアームは前記モータの回転中心とは異なる位置を中心に回転可能であり、前記クランプ爪は前記クランプアームの反中心側の回転で前記載置座から離反し、前記クランプアームのクランプ状態では前記載置座と前記クランプ爪間で前記ウェーハの周縁がクランプされる様構成した。
【選択図】 図3

Description

本発明は半導体製造工程で、ウェーハ等の基板に付着する異物、基板表面の傷を検査する表面検査装置であり、特に基板のセンタリングが可能な検査ステージを具備する表面検査装置に関するものである。
シリコン等半導体のウェーハに多数の半導体素子が形成されて半導体装置が製造されるが、高密度集積化の為、加工は増々微細化され、更に歩留りの向上の為、ウェーハの大径化が増々促進されている。
高密度集積化、微細化に伴いウェーハに付着する異物或は傷の有無は製品品質、製品の歩留りに大きく影響する。この為、半導体製造工程には検査工程が組込まれ、表面検査装置によりウェーハの表面検査を行い、ウェーハに付着した異物の付着状況或は傷の有無等を検査している。
ウェーハの表面検査装置はウェーハを保持する検査ステージを有し、該検査ステージを高速で回転させ、高速回転されるウェーハ表面にレーザ光線を照射して円周方向に走査し、ウェーハ表面で反射されるレーザ光線を受光し、反射状況により異物の付着、傷の有無等を検出している。
上記した様に、ウェーハは増々大径化する一方、更に検査時間を短縮し、生産性を向上させることが求められており、検査時のウェーハ回転速度も増大されている。従って、ウェーハの検査時、保持されたウェーハには大きな遠心力が作用する。又、ウェーハ中心と検査ステージの回転中心との偏心量はウェーハに作用する遠心力に大きく影響する。
更に、ウェーハ表面上の異物、傷を検出した場合、異物、傷の位置(座標)はウェーハの中心とオリエンテーションフラット、又はノッチを基準として示される。ウェーハの中心はエッジを基準として決定される。ウェーハのエッジは表面検査装置に保持され、回転された状態で検出されるが、ウェーハの偏心量が大きい場合は回転によりウェーハのエッジが大きく移動することとなり、正確にエッジを検出することが難しくなり、基準座標の精度が悪くなると共に、ウェーハの破損の原因となる。この為、検出された異物、傷の位置情報の精度も低下する。
この為、表面検査装置にウェーハを保持させる場合に、ウェーハ中心と検査ステージの回転中心とは正確に一致させる必要がある。
従来、ウェーハのセンタリングは、表面検査装置の他に別途センタリング装置を具備しており、該センタリング装置でウェーハのセンタリングを行い、その後ウェーハ搬送機構で表面検査装置にウェーハを移載しており、前記センタリング装置でのウェーハのセンタリングが、表面検査装置がウェーハを保持した時に反映される様になっている。
然し乍ら、上記した従来のウェーハのセンタリングでは以下に示す不具合がある。
ウェーハのセンタリングを、別途設けたセンタリング装置で行っている為、センタリング装置が必要となると共にセンタリングの工程が必要となる。又、センタリング装置から表面検査装置に移載する間で誤差が生じる可能性もある。
又、表面検査装置とセンタリング装置との位置合せをウェーハ搬送機構を介して行わなければならず、調整が面倒である等の問題があった。
尚、検査前にウェーハの姿勢合せ、センタリング等を行う表面検査装置として、例えば特許文献1、特許文献2に示されるものがある。
特許第2729297号公報
特許第2846423号公報
本発明は斯かる実情に鑑み、表面検査装置自体でウェーハのセンタリングができる様にし、ウェーハのセンタリング、チャッキングを確実迅速に且つ高精度に行える様にするものである。
本発明は、モータにより回転されるウェーハテーブルと、該ウェーハテーブルに対して回転自在に設けられた一対のクランプアームと、該クランプアームを中心方向に回転する様に付勢する付勢手段と、前記ウェーハテーブルに設けられ、ウェーハの周縁部が載置される円弧状の載置座と、前記クランプアームに設けられ、ウェーハの周縁に当接する円弧状のクランプ爪とを具備し、前記クランプアームは前記モータの回転中心とは異なる位置を中心に回転可能であり、前記クランプ爪は前記クランプアームの反中心側の回転で前記載置座から離反し、前記クランプアームのクランプ状態では前記載置座と前記クランプ爪間で前記ウェーハの周縁がクランプされる様構成した表面検査装置に係り、又前記ウェーハテーブルには径の異なる複数の載置座が同心多重円状に設けられ、前記クランプアームには前記載置座の径に対応する径を有するクランプ爪が同心多重円状に設けられ、前記載置座は中心側に位置する程高さが低くなっている表面検査装置に係り、又前記クランプアームに遠心力が作用した場合、前記クランプアームは前記遠心力で中心方向に回転する様付勢される表面検査装置に係り、更に又前記クランプ爪は下向き傾斜面を有し、該傾斜面がウェーハの周縁に当接する表面検査装置に係るものである。
本発明によれば、モータにより回転されるウェーハテーブルと、該ウェーハテーブルに対して回転自在に設けられた一対のクランプアームと、該クランプアームを中心方向に回転する様に付勢する付勢手段と、前記ウェーハテーブルに設けられ、ウェーハの周縁部が載置される円弧状の載置座と、前記クランプアームに設けられ、ウェーハの周縁に当接する円弧状のクランプ爪とを具備し、前記クランプアームは前記モータの回転中心とは異なる位置を中心に回転可能であり、前記クランプ爪は前記クランプアームの反中心側の回転で前記載置座から離反し、前記クランプアームのクランプ状態では前記載置座と前記クランプ爪間で前記ウェーハの周縁がクランプされる様構成したので、ウェーハのクランプとウェーハのアライメントが同時に行え、アライメント装置、アライメント工程が不要となる。
又、本発明によれば、前記ウェーハテーブルには径の異なる複数の載置座が同心多重円状に設けられ、前記クランプアームには前記載置座の径に対応する径を有するクランプ爪が同心多重円状に設けられ、前記載置座は中心側に位置する程高さが低くなっているので、1つの検査ステージで複数のサイズのウェーハの検査が可能となる。
又、本発明によれば、前記クランプアームに遠心力が作用した場合、前記クランプアームは前記遠心力で中心方向に回転する様付勢されるので、検査中にウェーハのクランプが緩むということがない。
更に又、本発明によれば、前記クランプ爪は下向き傾斜面を有し、該傾斜面がウェーハの周縁に当接するので、ウェーハの外径に多少の寸法誤差があっても、確実にウェーハをクランプできるという優れた効果を発揮する。
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
図1は、検査ステージ1を具備する表面検査装置2を示しており、該表面検査装置2は筐体3の内部に収納され、又該筐体3の内部には図示していないが、前記検査ステージ1を回転駆動する為の駆動機構、前記検査ステージ1に保持されたウェーハに検出光を照射する投光光学系、ウェーハ表面で反射された散乱光等を受光する受光光学系、受光光学系の検出結果に基づきウェーハ等の基板に付着する異物、基板表面の傷を検査する検査部、又駆動機構、検査部等を制御する制御部等が収納されている。
前記検査ステージ1について、図2〜図7を参照して説明する。
前記筐体3を構成するフレーム(図示せず)にモータ4が支持され、該モータ4の回転軸5にボス6が固着され、該ボス6の上端にウェーハテーブル7が前記回転軸5と同心に固着され、前記ウェーハテーブル7の下側に所定の間隙を形成する様にガイドフランジ8が配設され、該ガイドフランジ8は前記ウェーハテーブル7に同心に固着され、該ウェーハテーブル7に対して小径となっている。尚、前記ガイドフランジ8は前記ボス6に取付けられてもよい。
前記ウェーハテーブル7の上面に外側載置座9,9、内側載置座11,11が同心多重円状に固着されている。前記外側載置座9、内側載置座11は共に前記回転軸5の中心を中心とした円弧形状をしており、略四半円の長さを有し、前記外側載置座9の外径は、前記ウェーハテーブル7の外径より僅かに大きく、例えば300mmのウェーハ(以下大径ウェーハ12と称す)の外径と同径であり、又前記内側載置座11の外径は例えば200mmのウェーハ(以下小径ウェーハ13と称す(図5参照))の外径と同径となっている。
前記外側載置座9、内側載置座11は、上面の外周側の所要幅が水平面9a,11aであり、該水平面9a,11aから中心に向って斜面9b,11bが連続している。前記水平面11aの高さは、前記水平面9aの高さに比べ、低くなっている。該水平面9aに大径ウェーハ12の周縁が載置され、前記水平面11aに小径ウェーハ13の周縁が載置される。前記内側載置座11の高さは、前記大径ウェーハ12が前記外側載置座9に載置された状態で、前記大径ウェーハ12と干渉しない様になっている。
前記ウェーハテーブル7と前記ガイドフランジ8間に2のクランプアーム14,14が点対称の関係で摺動自在に設けられ、該クランプアーム14,14はそれぞれ枢軸15を介して前記ガイドフランジ8に回転自在に取付けられ、又前記クランプアーム14の重心は、前記枢軸15より先端側に存在する様に形状が決定されている。
前記クランプアーム14,14は前記ウェーハテーブル7の直径を境に接合し、各クランプアーム14,14の中央部には前記ウェーハテーブル7の中央部7aと干渉しない様に凹部16が形成されている(図6参照)。前記クランプアーム14,14の先端は前記ウェーハテーブル7の外周縁と同等の円弧となっており、前記クランプアーム14,14の先端部には断面が略L字状の外側爪取付座17が、前記クランプアーム14の下面に固着され、前記外側爪取付座17の上端には外側クランプ爪18が固着されている。該外側クランプ爪18は中心に向って庇状に突出する爪部18aを有し、該爪部18aの下面は下向き傾斜面となっており、該爪部18aは前記水平面9aとオーバラップしている(図4参照)。該水平面9aと前記爪部18a間に大径ウェーハ12の周縁が把持される。
又、前記クランプアーム14,14の上面中途部には、内側爪取付座19が前記外側爪取付座17に対して同心多重円状に固着され、前記内側爪取付座19は前記ウェーハテーブル7に穿設された逃げ孔21を貫通し、前記内側爪取付座19の上端には内側クランプ爪22が固着されている。該内側クランプ爪22は、前記外側クランプ爪18と同様、中心に向って庇状に突出する爪部22aを有し、該爪部22aの下面は下向き傾斜面となっており、該爪部22aは前記水平面11aとオーバラップしている。該水平面11aと前記爪部22aの間に、小径ウェーハ13の周縁が把持される。前記内側載置座11の上端位置は、前記水平面9aに大径ウェーハ12が載置された場合、該大径ウェーハ12の下面より低くなっている。
図7に見られる様に、前記クランプアーム14の先端近傍にはピン23が立設され、前記ガイドフランジ8の中心近傍にはバネ掛け24が設けられ、該バネ掛け24と前記ピン23との間にスプリング25が張設されている。該スプリング25の作用線は前記回転軸5の中心又は略中心を通過し、前記枢軸15の中心を通過する半径に略直交している。尚、前記スプリング25の作用線は、必ずしも前記回転軸5の中心又は略中心を通過する必要はなく、前記枢軸15より中心側を通過し、前記クランプアーム14に中心方向に向う回転モーメントを発生させる様になっていればよい。
前記ウェーハテーブル7の下面には、前記クランプアーム14の基端に対峙してロック手段26、例えばエアシリンダ、ソレノイドが設けられ、該ロック手段26はロックピン27を有し、前記ロック手段26は前記クランプアーム14,14が接合した状態で、前記ロックピン27により前記クランプアーム14の基部を中心側に押圧する等して該クランプアーム14,14の接合状態をロックする。
前記ウェーハテーブル7の周縁部下方には、クランプ解除手段28が設けられている。該クランプ解除手段28は図示しないアクチュエータ、例えばエアシリンダ、或はカム機構等によって半径方向に変位可能に支持されたプレート29及び該プレート29の先端部に立設された解除ピン31を有し、該解除ピン31は、前記外側爪取付座17より中心側に位置し、前記アクチュエータにより前記プレート29が外側に変位された場合、前記解除ピン31の先端は前記外側爪取付座17に係合可能となっている。又、前記解除ピン31は前記ウェーハテーブル7が回転された場合、前記ピン23、前記ロック手段26等の回転部分と干渉しない様になっている。
又、前記ウェーハテーブル7の前記外側載置座9,9が設けられていない部分は円弧状の欠切部32が形成され、又前記内側クランプ爪22が設けられていない部分には円弧状の長孔33が穿設されている。前記ウェーハテーブル7の下方に外側ウェーハセンサ34、内側ウェーハセンサ35が設けられ、前記外側ウェーハセンサ34の光軸は前記大径ウェーハ12の周縁を通過し、前記内側ウェーハセンサ35の光軸は前記小径ウェーハ13の周縁を通過する様になっており、前記ウェーハテーブル7の上方から、前記外側ウェーハセンサ34の光軸、前記内側ウェーハセンサ35の光軸に沿ってレーザ光線が照射される様になっている。
以下、上記した検査ステージ1によるウェーハのクランプ作用について、図8〜図10を参照して説明する。
前記検査ステージ1に対してウェーハを授受する際のホーミングポジションは、前記解除ピン31が前記外側爪取付座17に当接可能な位置となっている。
先ず、ウェーハ(以下大径ウェーハ12とする)を載置する場合、前記プレート29が外側に移動され、前記解除ピン31が前記外側爪取付座17に係合し、前記スプリング25に抗して前記クランプアーム14,14が外側に移動される。
前記解除ピン31に追従して前記外側爪取付座17が外方に変位することで、前記クランプアーム14,14は前記枢軸15を中心に回転する。該枢軸15は前記回転軸5に対して偏心しているので、前記外側クランプ爪18は、図9に見られる様に前記外側載置座9から外側に大きく離反する。
前記爪部18aが前記外側載置座9の水平面9aから退避し、該水平面9aの上方は完全に解放される。図示しないロボットアームに保持された大径ウェーハ12が前記外側載置座9と外側載置座9との間を通って搬送され、前記水平面9aに載置される。
前記ロボットアームが退避した後、前記プレート29を中心に向って変位させると、前記クランプアーム14,14は前記スプリング25の力で前記解除ピン31の動きに追従する。前記プレート29を完全に中心側に移動させると、前記外側爪取付座17が前記外側載置座9に当接し、前記解除ピン31は前記外側爪取付座17から離反する。又、前記解除ピン31が前記外側爪取付座17から離反した状態では、前記クランプアーム14,14は相互に接合している状態となっている。
前記クランプアーム14,14と一体に前記外側クランプ爪18が対称的な動きをし、前記大径ウェーハ12が中心からずれている場合は、ずれた側の大径ウェーハ12の周縁から前記大径ウェーハ12に接触し、前記外側クランプ爪18の動きで前記大径ウェーハ12の中心位置が修正(アライメント)される。前記外側クランプ爪18が前記外側載置座9に当接した状態では、前記大径ウェーハ12の中心と前記回転軸5の中心とが合致した状態で前記大径ウェーハ12がクランプされる。
前記大径ウェーハ12がクランプされた状態では、図4に見られる様に、前記外側クランプ爪18の爪部18aの斜面が前記大径ウェーハ12の周縁に接触しており、楔効果により前記大径ウェーハ12の外径に多少のバラツキがあったとしてもガタツキなく確実にクランプする。
前記外側載置座9の水平面9aのみで前記大径ウェーハ12と接触する様にして外側載置座9と大径ウェーハ12との接触部を少なくし、大径ウェーハ12の汚染を防止しているが、搬入された前記大径ウェーハ12の中心が大きくずれ、大径ウェーハ12の周縁が前記水平面9aから外れた場合も、該水平面9aには前記斜面9bが連続しているので、アライメントは円滑に行われる。
大径ウェーハ12のクランプが完了すると、前記モータ4により前記検査ステージ1が回転される。前記外側ウェーハセンサ34、内側ウェーハセンサ35に対してレーザ光線が照射され、前記外側ウェーハセンサ34がレーザ光線を受光することで前記検査ステージ1に保持されているウェーハが大径であることが判断されると共に大径ウェーハ12の回転方向の姿勢が検出される。
ウェーハには回転方向の位置を検出する為、周縁にオリエンテーションフラット或はノッチが形成されており、前記外側ウェーハセンサ34は受光した時点での、前記ウェーハテーブル7の回転位置を検出することで、該ウェーハテーブル7に対する大径ウェーハ12の回転方向の姿勢を検出することができる。該大径ウェーハ12の回転方向の姿勢を検出することで、ウェーハに付着した異物の位置を特定できる。
又、前記ウェーハテーブル7は高速で回転されるが、前記クランプアーム14の重心は外側載置座9側にあり、又前記クランプアーム14は前記回転軸5とは偏心した位置の枢軸15を中心に回転するので、前記クランプアーム14に遠心力が作用した場合、該クランプアーム14はクランプする方向に付勢され、回転中大径ウェーハ12のクランプが緩むことはない。
小径ウェーハ13をクランプする場合も、ウェーハを前記内側載置座11に載置することで同様に行え、該内側載置座11に載置された小径ウェーハ13は前記大径ウェーハ12が載置されるレベルより低くなっている。
上記した様に、前記外側クランプ爪18は半径方向に大きく移動するので、前記検査ステージ1に搬送されるウェーハの中心位置が大きくずれたとしても、アライメント、クランプが可能であり、前記検査ステージ1に搬送する途中で、別途アライメントする必要がなく、アライメント装置、アライメント工程が必要なくなる。
尚、上記実施の形態に於いて、前記内側載置座11の更に内側にウェーハ載置座を設け、前記クランプアーム14の前記内側クランプ爪22の更に内側にクランプ爪を設けることで、前記小径ウェーハ13より更に小径のウェーハをクランプできる。又前記ガイドフランジ8を省略し、前記クランプアーム14,14を前記ウェーハテーブル7に直接回転自在に取付けてもよい。
又、前記スプリング25に代えシリンダ等の付勢手段を設けてもよい。この場合、クランプ解除をシリンダ等で行う様にすれば、前記プレート29、解除ピン31等のクランプ解除手段は省略できる。
本発明の実施の形態の外観を示す概略図である。 本発明の実施の形態の要部を示す側面図である。 本発明の実施の形態の要部を示す断面図である。 図3のB部拡大図である。 本発明の実施の形態の要部を示す平面図である。 図2のA−A矢視図である。 本発明の実施の形態の要部を示す底面図である。 本発明の実施の形態に於けるクランプ解除状態を示す要部側面図である。 本発明の実施の形態に於けるクランプ解除状態を示す要部平面図である。 本発明の実施の形態に於けるクランプ解除状態を示す要部底面図である。
符号の説明
4 モータ
7 ウェーハテーブル
9 外側載置座
11 内側載置座
14 クランプアーム
15 枢軸
17 外側爪取付座
18 外側クランプ爪
19 内側爪取付座
22 内側クランプ爪
25 スプリング
26 ロック手段
28 クランプ解除手段
29 プレート
31 解除ピン

Claims (4)

  1. モータにより回転されるウェーハテーブルと、該ウェーハテーブルに対して回転自在に設けられた一対のクランプアームと、該クランプアームを中心方向に回転する様に付勢する付勢手段と、前記ウェーハテーブルに設けられ、ウェーハの周縁部が載置される円弧状の載置座と、前記クランプアームに設けられ、ウェーハの周縁に当接する円弧状のクランプ爪とを具備し、前記クランプアームは前記モータの回転中心とは異なる位置を中心に回転可能であり、前記クランプ爪は前記クランプアームの反中心側の回転で前記載置座から離反し、前記クランプアームのクランプ状態では前記載置座と前記クランプ爪間で前記ウェーハの周縁がクランプされる様構成したことを特徴とする表面検査装置。
  2. 前記ウェーハテーブルには径の異なる複数の載置座が同心多重円状に設けられ、前記クランプアームには前記載置座の径に対応する径を有するクランプ爪が同心多重円状に設けられ、前記載置座は中心側に位置する程高さが低くなっている請求項1の表面検査装置。
  3. 前記クランプアームに遠心力が作用した場合、前記クランプアームは前記遠心力で中心方向に回転する様付勢される請求項1の表面検査装置。
  4. 前記クランプ爪は下向き傾斜面を有し、該傾斜面がウェーハの周縁に当接する請求項1の表面検査装置。
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IL165287A IL165287A (en) 2003-12-16 2004-11-18 Device for centering wafer for surface inspection
TW093136736A TWI265587B (en) 2003-12-16 2004-11-29 Surface inspection apparatus
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