JP2005167275A5 - - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 51
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 1
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005015790A JP2005167275A (ja) | 2000-12-07 | 2005-01-24 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000373039 | 2000-12-07 | ||
| JP2001153693 | 2001-05-23 | ||
| JP2005015790A JP2005167275A (ja) | 2000-12-07 | 2005-01-24 | 半導体素子 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001267299A Division JP3836697B2 (ja) | 2000-12-07 | 2001-09-04 | 半導体素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005167275A JP2005167275A (ja) | 2005-06-23 |
| JP2005167275A5 true JP2005167275A5 (enExample) | 2007-03-22 |
Family
ID=34743337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005015790A Pending JP2005167275A (ja) | 2000-12-07 | 2005-01-24 | 半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2005167275A (enExample) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8545629B2 (en) | 2001-12-24 | 2013-10-01 | Crystal Is, Inc. | Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride |
| JP5010467B2 (ja) | 2005-03-17 | 2012-08-29 | 日本電気株式会社 | フィルム外装電気デバイスおよびその製造方法 |
| EP1954857B1 (en) | 2005-12-02 | 2018-09-26 | Crystal Is, Inc. | Doped aluminum nitride crystals and methods of making them |
| CN101390201B (zh) | 2005-12-28 | 2010-12-08 | 日本电气株式会社 | 场效应晶体管和用于制备场效应晶体管的多层外延膜 |
| US9034103B2 (en) | 2006-03-30 | 2015-05-19 | Crystal Is, Inc. | Aluminum nitride bulk crystals having high transparency to ultraviolet light and methods of forming them |
| JP2007273843A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Fujifilm Corp | 成膜方法、半導体層、及び半導体素子 |
| JP2008053703A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-03-06 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | AlN層およびAlGaN層並びにそれらの製造方法 |
| US9771666B2 (en) | 2007-01-17 | 2017-09-26 | Crystal Is, Inc. | Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth |
| US8323406B2 (en) | 2007-01-17 | 2012-12-04 | Crystal Is, Inc. | Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth |
| US8080833B2 (en) | 2007-01-26 | 2011-12-20 | Crystal Is, Inc. | Thick pseudomorphic nitride epitaxial layers |
| CN101652832B (zh) * | 2007-01-26 | 2011-06-22 | 晶体公司 | 厚的赝晶氮化物外延层 |
| JP2008205221A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体素子 |
| JP4888537B2 (ja) | 2009-08-28 | 2012-02-29 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体積層ウェハ及びiii族窒化物半導体デバイス |
| CN105951177B (zh) | 2010-06-30 | 2018-11-02 | 晶体公司 | 使用热梯度控制的大块氮化铝单晶的生长 |
| US8962359B2 (en) | 2011-07-19 | 2015-02-24 | Crystal Is, Inc. | Photon extraction from nitride ultraviolet light-emitting devices |
| JP5416754B2 (ja) * | 2011-11-15 | 2014-02-12 | フューチャー ライト リミテッド ライアビリティ カンパニー | 半導体基板およびその製造方法 |
| JP2012064977A (ja) * | 2011-12-15 | 2012-03-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物半導体積層ウェハ及びiii族窒化物半導体デバイス |
| JP6275817B2 (ja) | 2013-03-15 | 2018-02-07 | クリスタル アイエス, インコーポレーテッドCrystal Is, Inc. | 仮像電子及び光学電子装置に対する平面コンタクト |
| US10636663B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-04-28 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device including implanting impurities into an implanted region of a semiconductor layer and annealing the implanted region |
| US12002881B2 (en) | 2017-07-20 | 2024-06-04 | Swegan Ab | Heterostructure for a high electron mobility transistor and a method of producing the same |
-
2005
- 2005-01-24 JP JP2005015790A patent/JP2005167275A/ja active Pending
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