JP2005167180A - 半導体光素子の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板上にエッチング比の異なる2種以上の半導体層を交互に積層する工程と、所定のマスクを用いて、積層された半導体層をパターニングする工程と、少なくとも1種以上の半導体層を選択エッチングしてエアギャップを形成することにより、残留した半導体層からなるメサ構造が形成されるようにする工程と、エアギャップが埋め込まれるように、伝熱特性の良好な物質を蒸着する工程とを含む。
【選択図】 図2
Description
まず、InP基板に格子整合成長を行って得られるInP/InAlAs反射鏡、InAlGaAs/InAlAs反射鏡及びInAlGaAsSb/InAlAsSb反射鏡などは、電流を流すことが可能な伝導性反射鏡(特許文献1)であるという長所をもつ反面、成長の厚さが厚くて厚さの調節或いは成長が難しいという短所をもつ。
なお、本発明の実施例は様々な変形が可能であるが、本発明は下記の実施例に限定されるものと解釈されてはならない。これらの実施例は当該技術分野で通常の知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。従って、図面における要素の形状などはより明確な説明を強調するために誇張されたものであり、図面上において同一の符号で表示された要素は同一の要素を意味する。また、ある層が他の層又は半導体基板の「上にある」と記載される場合、前記ある層は前記他の層又は半導体基板に直接接触して存在することができ、或いはその間に第3の層が介在できることを意味する。
図2は、本発明の実施例によって作製された半導体光素子の断面図である。
電流制限領域14はエッチング比の異なる多層構造の半導体層で形成する。
2,3,16 半導体層
4 メサ構造
4a,9a 素子領域
4b,9b 支持領域
5,15,17,35 エアギャップ
6,18,32 伝熱特性に優れた物質
7 空隙
12 下部反射鏡
13、37 伝導領域
14、33 電流制限領域
19、20 電極
21、39 出力光
22 上部反射鏡領域
34 上部反射鏡
40 下部反射鏡領域
Claims (8)
- a)半導体基板上にエッチング比の異なる2種以上の半導体層を交互に積層する工程と、
b)所定のマスクを用いて、積層された前記半導体層をパターニングする工程と、
c)少なくとも1種以上の前記半導体層を選択エッチングしてエアギャップを形成することにより、残留した半導体層からなるメサ構造が形成されるようにする工程と、
d)前記エアギャップが埋め込まれるように、所定の伝熱特性を有する物質を蒸着する工程と
を具えたことを特徴とする半導体光素子の作製方法。 - 前記工程b)で積層された半導体層は、
素子領域の幅が、該素子領域の両側の支持領域より狭くパターニングされたことを特徴とする請求項1記載の半導体光素子の作製方法。 - 前記工程b)で積層された半導体層は、
素子領域の幅が、該素子領域の一側の支持領域より狭くパターニングされたことを特徴とする請求項1記載の半導体光素子の作製方法。 - 前記半導体層は、前記半導体基板上への結晶成長が可能な物質であることを特徴とする請求項1記載の半導体光素子の作製方法。
- 前記所定の伝熱特性を有する物質は、酸化物、窒化物又はこれらの混合物からなる伝熱特性の良好な物質であることを特徴とする請求項1記載の半導体光素子の作製方法。
- 前記所定の伝熱特性を有する物質は、Al2O3、ZnO、MgO、TiO2、Ta2O5、ZrO2、HfO2、SiO2、Si3N4、AlN、AlONのいずれか1つ、若しくは、これらの組合せからなる伝熱特性の良好な物質であることを特徴とする請求項5記載の半導体光素子の作製方法。
- 前記所定の伝熱特性を有する物質は、原子層蒸着法で蒸着する伝熱特性の良好な物質であることを特徴とする請求項5記載の半導体光素子の作製方法。
- 前記半導体光素子は、反射鏡、又は、光学フィルタであることを特徴とする請求項1記載の半導体光素子の作製方法。
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