JP2005163152A5 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Claims (10)

1. （ａ）メッキ槽と、前記メッキ槽内に収納され、かつ錫及びビスマスを含むメッキ液と、前記メッキ液内に設けられ、かつ電源の陽極に接続された金属製ケースと、前記金属製ケース内に収納された固体錫金属及び固体ビスマス金属を有するメッキ装置を準備する工程と、
   （ｂ）半導体チップと、前記半導体チップを封止する樹脂封止体と、前記樹脂封止体から露出した外部接続用端子部を有する被メッキ処理物を準備する工程と、
   （ｃ）前記電源の陰極に接続し、かつ前記メッキ液内に前記被メッキ処理物を配置する工程と、
   （ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記メッキ装置を稼動させ、前記陽極と前記陰極の間に電界をかけることで、前記被メッキ処理物の外部接続用端子部に錫−ビスマス合金層を形成する工程と、
   を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記メッキ液は、有機スルホン酸溶液を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記メッキ液は、無機硫酸溶液を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記固体錫金属、前記固体ビスマス金属の夫々は、複数の粒状固体金属であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記固体錫金属の複数の粒状固体金属は球形状であり、前記固体ビスマス金属の複数の粒状固体金属は、円柱状であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記陽極は、第１の電位に接続された第１の陽極と、前記第１の電位よりも電位が高い第２の電位に接続された第２の陽極とを有し、
   前記固体錫金属が前記第１の陽極に接続され、前記固体ビスマス金属が前記第２の陽極に接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記メッキ液内の錫は、前記メッキ液内に前記固体錫金属が電解析出することによって供給され、
   前記メッキ液内のビスマスは、前記メッキ液内に前記固体ビスマス金属が電解析出することによって供給されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記金属製ケースは遮蔽板により区画された第１収納部と第２収納部を有し、
   前記固体錫金属は前記第１収納部内に配置され、
   前記固体ビスマス金属は前記第２収納部内に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記金属製ケースにおける前記被メッキ処理物と対向する面は、網で構成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
10. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記金属製ケースは、前記被メッキ処理物を挟むように複数個、前記メッキ槽内に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。