CN201122591Y - 用于芯片封装的散热片组件 - Google Patents
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Abstract
一种用于芯片封装的散热片组件，包含一框架单元及一散热片单元，该框架单元具有多个相邻接的框架，每一框架围绕界定出一容置空间，及一自该框架向该容置空间延伸突出的连接段，该散热片单元具有多个位于该容置空间中的散热片，且每一散热片是与该连接段连接，借由该框架单元将多个散热片搭载，使所述散热片能一次进行电镀、阳极处理或氧化处理作业，不但提高制程效率，也借此增进成品与成品间电镀、阳极处理或氧化处理的质量的稳定性。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种散热片组件，特别是涉及一种用于芯片封装的散热片组件。
背景技术
如图1所示，目前用于芯片封装的散热片1包含一散热体11，及一自散热体11周缘向外且向下延伸的支撑体12(在此以BGA为例说明)。
该用于芯片封装的散热片1在制程中，是在冲压成形后再一片一片地进行电镀(Electroplating)，阳极处理或氧化处理步骤，作法是将该支撑体12与负极电连接，使该散热体11浸滞于含有金属(例如金、银、镍)离子的电镀液、阳极处理槽液或氧化处理液中，通电之后就可镀覆一金属层、阳极皮膜层或氧化层，并使该散热片1具有防氧化锈蚀或绝缘的能力。
由于该散热片1是一片一片地进行处理，不但费时费工，也不易应用在可大量生产的自动化生产线上，在制程效率上相当不理想。
以电镀作业来说，每一散热片1电镀后形成在该散热片1表面的金属层的质量也会因为是一片一片地加工而参差不齐。举例来说，镀覆在散热片1表面上的金属层厚度与分布平均度会因外在因素，例如散热片1浸滞在电镀液中的时间长短等而有所不同，如该散热片1需要被大量生产，就单以金属层厚度来说，各个完成品之间的差异会相对提高，造成出货质量上的参差不齐且控管不易，进而影响出产的散热片1抗氧化锈蚀的能力。
实用新型内容
本实用新型的目的，在于提供一种用于芯片封装的散热片组件，该用于芯片封装的散热片组件不但可以提升芯片封装用散热片的电镀处理、阳极处理及氧化处理制程效率，而且也可以同时提升处理后散热片组件的质量。
为达到上述目的，本实用新型用于芯片封装的散热片组件，包含一框架单元及一散热片单元。
该框架单元具有多个相邻接的框架，每一框架围绕界定出一容置空间，及至少一自该框架向该容置空间延伸突出的连接段。
该散热片单元具有多个位于该容置空间中的散热片，且每一散热片是与该连接段连接。
本实用新型的功效在于，利用一框架单元搭载多个散热片，并在电镀、阳极处理或氧化处理过程中能借由该框架单元一次处理多个散热片，进而提升制程效率，各批处理后的完成品也会因为接受同样的处理过程而质量较稳定。
附图说明
图1是一立体图，说明现有用于芯片封装的散热片；
图2是一俯视图，说明本实用新型用于芯片封装的散热片组件的第一优选实施例；
图3是一俯视图，说明本实用新型用于芯片封装的散热片组件的第二优选实施例；
图4是一俯视图，说明本实用新型用于芯片封装的散热片组件的第三优选实施例；
图5是一俯视图，说明本实用新型用于芯片封装的散热片组件的第四优选实施例；
图6是一俯视图，说明本实用新型用于芯片封装的散热片组件的第五优选实施例。
具体实施方式
下面通过优选实施例及附图对本实用新型用于芯片封装的散热片组件进行详细说明。
在本实用新型被详细描述之前，要注意的是，在以下的说明中，类似的元件是以相同的附图标记来表示，此外，本实用新型用于芯片封装的散热片组件，可被应用在各种不同的芯片封装方式上，例如：覆晶封装(Flip Chip，F/C)、球门阵列封装(Ball Grid Array，BGA)、方块形扁平封装(Quad Flat Package，QFP)、超薄方块形扁平封装(LowProfile Quad Flat Package，LQFP)等。
如图2所示，本实用新型用于芯片封装的散热片组件的第一优选实施例，适用于球门阵列封装(Ball Grid Array，BGA)用的散热片，BGA封装在电子产品中，主要应用于300接脚数以上高密度结构的产品，如芯片组、CPU、Flash、部份通信用IC等；由于BGA封装所具有的良好电气、散热性质，以及可有效缩小封装体面积的特性，使其需求成长率远高于其它型态的封装方式。
该第一优选实施例，包含：一框架单元2及一散热片单元3。该框架单元2具有多个相邻接的框架21，且所述框架21为正矩形。在本实施例中，每一框架21由四个侧边围绕界定出一容置空间，并于各个侧边向该容置空间延伸突出一连接段211，进而形成如图2所示每一框架21上设有四个连接段211。选择此连接段211的配置方式，是为了让连接于所述连接段211上的散热片单元3在电镀、阳极处理或氧化处理后形成的金属层、阳极皮膜层或氧化层的厚度更为平均。
该散热片单元3，具有多个位于该容置空间中的散热片31，每一散热片31与设于其相对应的框架21的连接段211相连接。该散热片31是与现有技术相似的供球门阵列封装用的散热片。
在本实施例中，每一连接于其相对应框架21上的散热片31预先经冲压成形后之后才进行电镀、阳极处理或氧化处理作业。
借由上述设计，本实用新型于实际运作时，具有以下所述的优点：
1.该框架单元2可搭载包含多个散热片31的该散热片单元3，在电镀、阳极处理或氧化处理作业中可将框架单元2直接浸滞在一含有金属离子的电镀液、阳极处理槽液或氧化处理槽液中，并借此一次对多个散热片31进行处理，进而提高制程效率，且各个完成品之间的电镀、阳极处理及氧化处理质量较不易参差不齐。
2.该框架单元2可配合自动化设备将电镀、阳极处理或氧化处理步骤自动化，并借此进一步地提高制程效率。
3.该框架单元2可搭载不同种类的芯片封装用散热片，例如：BGA封装用或是覆晶(Flip Chip，F/C)封装用。
4.每一连接于其相对应框架21上的散热片31预先经冲压成形后之后才进行电镀、阳极处理或氧化处理作业，如此一来就可避免冲压成形作业对金属层、阳极皮膜或氧化层所造成的损坏。
如图3所示，为本实用新型用于芯片封装的散热片组件的第二优选实施例，该第二优选实施例大致上是与该第一优选实施例相同，相同之处于此不再赘言，其中不相同之处在于，该第二优选实施例中散热片单元3中的多个散热片31是适用于覆晶封装(Flip Chip，F/C)的散热片31。覆晶封装技术应用的应用范围包括高阶计算机、PCMCIA卡、军事设备、个人通信产品、钟表以及液晶显示器等。好处为可缩小芯片封装后的尺寸，使得芯片封装前后大小差不多。
如图4所示，为本实用新型用于芯片封装的散热片组件的第三优选实施例，该第三优选实施例大致上是与该第二优选实施例相同，相同之处于此不再赘言，其中不相同之处在于，该第三优选实施例中每一正矩形的框架21的每一角还可向该容置空间延伸突出一连接段211。
如图5所示，为本实用新型用于芯片封装的散热片组件的第四优选实施例，该第四优选实施例大致上是与该第一优选实施例相同，相同之处于此不再赘言，其中不相同之处在于，该第四优选实施例的每一框架21也可只设有一个连接段211。
如图6所示，为本实用新型用于芯片封装的散热片组件的第五优选实施例，该第五优选实施例大致上是与该第二优选实施例相同，相同之处于此不再赘言，其中不相同之处在于，该第五优选实施例的每一框架21的各个侧边向该容置空间延伸突出两个连接段211，进而形成如图6所示每一框架21上设有八个连接段211。所述连接段211的形成位置与配置方式也可再进一步地变化，所以并不应以上述的各个优选实施例所限。
综上所述，本实用新型的用于芯片封装的散热片组件，利用一框架单元2将多个散热片31搭载，使所述散热片31能一次进行电镀、阳极处理或氧化处理作业，不但提高制程效率，也借此增进成品及成品间电镀、阳极处理及氧化处理的质量的稳定性，所以确实能达到本实用新型的目的。
Claims (2)
1.一种用于芯片封装的散热片组件，其特征在于：
所述用于芯片封装的散热片组件，包含一框架单元及一散热片单元，所述框架单元具有多个相邻接的框架，每一框架围绕界定出一容置空间，及至少一自所述框架向所述容置空间延伸突出的连接段，所述散热片单元具有多个位于所述容置空间中的散热片，每一散热片是与所述连接段连接。
2.根据权利要求1所述用于芯片封装的散热片组件，其特征在于：
所述框架单元的每一框架具有多个向所述容置空间中延伸突出且相间隔地与其对应的散热片的侧缘连接固定的连接段。
Priority Applications (1)
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| CNU2007201834843U CN201122591Y (zh) | 2007-12-06 | 2007-12-06 | 用于芯片封装的散热片组件 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101850501A (zh) * | 2009-04-01 | 2010-10-06 | 富准精密工业(深圳)有限公司 | 散热器及其制造方法 |
| CN113755934A (zh) * | 2021-09-25 | 2021-12-07 | 潍坊裕元电子有限公司 | 一种散热片无连料点电镀载带工装片 |
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2007
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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