JP2005162947A - 低分子型有機el素子製造の真空蒸着工程において使用するマスクの洗浄液組成物および洗浄方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】低分子型有機EL素子製造の真空蒸着工程において使用するマスクの洗浄液組成物であって、非プロトン性極性溶剤を1種類または2種類以上含む前記洗浄液組成物。
【選択図】 なし
Description
有機EL素子はその有機材料の種類により低分子型有機EL素子と高分子型有機EL素子の二つのタイプがあり、素子製造プロセスが異なる。前者は蒸着法により成膜され、後者は溶剤に溶解し回転塗布法やインクジェット法により成膜される。
低分子型有機EL素子は、ガラス基板上に、例えば(1)陽極、(2)正孔注入層、(3)正孔輸送層、(4)発光層、(5)電子輸送層、(6)陰極の順に層状の構造物をマスクを使用して真空蒸着により形成する。
マスクは、0.1mm程度の厚さの、SUS等の金属をエッチング等により加工して製造したメタルマスクが一般に用いられているが、より精度が高い加工が可能なマスクとして、面方位が(100)や(110)である単結晶シリコンを異方性エッチングにより加工して製造したマスクが提案されている(特許文献1〜3)。
上記の例では正孔注入層としてCuPcが使用されているが、正孔注入層を特に設けない場合もある。正孔輸送層には通常NPBが用いられている。
発光層はキレート金属錯体や縮合多環芳香族化合物をホストとして、各種のドーパントをドープして得ている。青色の発光には縮合多環芳香族化合物である2−tert−ブチル−9、10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン(TBADN)等が用いられ、赤色、緑色の発光には、キレート金属錯体である、Alq3やビス(ベンゾキノリナト)ベリリウム錯体(BeBq2)等が用いられる。
発光層にTBADNが用いられる場合は、一般に電子輸送層(例えばAlq3)が用いられるが、発光層がAlq3等のキレート金属錯体である場合には電子輸送層は省略されることがある(特許文献5)。
また、本発明は、低分子型有機EL素子構造が、N,N′−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N′−ジフェニル−ベンジジンおよび銅(II)フタロシアニンおよびトリス(8−キノリノラト)アルミニウムを含む、前記洗浄液組成物に関する。
さらに、本発明は、非プロトン性極性溶剤が、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチル−2−ピロリジノン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、1、4−ジオキサンまたはシクロヘキサノンである、前記洗浄液組成物に関する。
また、本発明は、非プロトン性極性溶剤が、N−メチル−2−ピロリジノンまたはシクロヘキサノンである、前記洗浄液組成物に関する。
さらに、本発明は、洗浄液組成物に含まれる非プロトン性極性溶剤が1種類である、前記洗浄液組成物に関する。
また、本発明は、低分子型有機EL素子製造の真空蒸着工程において使用するマスクの洗浄方法であって、前記洗浄液組成物を用いて、浸漬またはジェット水流により洗浄する、前記洗浄方法に関する。
さらに、本発明は、超音波洗浄を併用する、前記洗浄方法に関する。
また、本発明は、室温で洗浄する、前記洗浄方法に関する。
さらに、本発明は、マスクを洗浄後、ハイドロフルオロエーテルによってリンスする、前記洗浄方法に関する。
また、本発明の洗浄液組成物は、室温で洗浄することができるために、マスクの材料が特に金属材料、例えばSUS、ニッケル(Ni)単体、鉄(Fe)などとNiの合金(例えば、Fe−Ni合金)などである場合であっても、マスクパターンの伸縮や歪みが生じず、反復使用の際においても基板にパターンを正確に転写することができる。
さらに、本発明の洗浄液組成物を用いてマスクを洗浄した後、乾燥速度が速いハイドロフルオロエーテルを用いてリンスを行うが、本発明の洗浄液組成物は、ハイドロフルオロエーテルに対して良好な溶解性を有するため、容易にリンスされる。
さらに、当該非プロトン性極性有機溶剤はこれらの1種類を用いることができるだけではなく、これらの有機溶剤の2種類以上を組み合わせた洗浄液組成物も、洗浄能力に優れるので好ましい。
また、使用済みの洗浄液組成物を蒸留して再使用する場合、複数の有機溶剤からなる洗浄液組成物であっても、蒸留して回収した液の組成を調整することにより再使用することが可能である。
また、本発明の洗浄液組成物は、マスク洗浄の際に超音波洗浄を併用することにより、溶解能が向上し、洗浄時間を短縮することができる。
さらに、本発明の洗浄液組成物は、乾燥速度が速い各種のリンス液を使用してリンスを行うことができ、例えば、乾燥速度の速いリンス液として知られているハイドロフルオロエーテルは、リンス液として特に好ましい。
この工程は、カラー表示装置としての各原色R、G、Bに対応して各別に行われる。すなわち、ホール輸送層の形成されたガラス基板1は、上記各原色R、G、Bに対応する発光層を形成するための各別の真空チャンバへと順々に挿入される。そして、これら各真空チャンバには、上記マスク20として、上記透明電極(陽極)のうち、所定の原色の発光に用いられる透明電極(陽極)に対応した部分のみが開口されたマスクが備えられている。すなわち、各真空チャンバ内には、R、G、Bのいずれかの色に対応したマスクが備えられている。これにより、各チャンバにおいて、各原色に対応した発光層をそれぞれ所定の位置に形成することができる。
このマスク20を介した発光層の形成態様を、図2に模式的に示す。図2に示すように、各透明電極(陽極)のうち、各チャンバ内で該当する原色に対応した透明電極の形成領域以外がマスク20で覆われる。そして、該当する原色に対応したEL材料(有機EL材料)は、ソース30内で加熱され、気化されてマスク20の開口部20hを介してガラス基板1(正確にはそのホール輸送層)上に蒸着形成される。
なお、マスクの材質としては、SUS、Ni単体、FeなどとNiの合金(例えばFe−Ni合金)、またはシリコン等の半導体などが挙げられる。
表1に示す、5種類の低分子型有機EL材料について、洗浄性(除去時間)及びリンス性を調べた。洗浄性については各材料を蒸着した金属片を室温(25℃)で洗浄液に浸漬することにより、また、リンス性については、洗浄後のリンス液として住友スリーエムのノべックHFE7100(ハイドロフルオロエーテル)を用い、室温(25℃)で、リンス液を満たした二つの槽に1分間ずつ浸漬する「2槽処理」により調べた。その結果を表2に示す。
さらに、洗浄性については、浸漬法による洗浄に超音波を併用した場合についても調べた。それらの結果を比較例とともに、表3に示す。
これに対して実施例の溶剤は、1種類の有機溶剤により、浸漬による洗浄方法を用いて、室温(25℃)で、A〜Eの、全ての種類の低分子型有機EL材料を除去することができた。
また、浸漬による洗浄方法に超音波を併用することにより、室温(25℃)における洗浄性はさらに高まった。
1a・・アラインメントマーク
11・・透明電極
20・・マスク
20a・・アラインメントマーク
20h・・開口部
21・・マスクフレーム
22・・CCDカメラ
24・・保持台
30・・ソース
Claims (9)
- 低分子型有機EL素子製造の真空蒸着工程において使用するマスクの洗浄液組成物であって、非プロトン性極性溶剤を1種類または2種類以上含む、前記洗浄液組成物。
- 低分子型有機EL素子構造が、N,N′−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N′−ジフェニル−ベンジジンおよび銅(II)フタロシアニンおよびトリス(8−キノリノラト)アルミニウムを含む、請求項1に記載の洗浄液組成物。
- 非プロトン性極性溶剤が、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチル−2−ピロリジノン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、1、4−ジオキサンまたはシクロヘキサノンである、請求項1または2に記載の洗浄液組成物。
- 非プロトン性極性溶剤が、N−メチル−2−ピロリジノンまたはシクロヘキサノンである、請求項1または2に記載の洗浄液組成物。
- 洗浄液組成物に含まれる非プロトン性極性溶剤が1種類である、請求項1〜4のいずれかに記載の洗浄液組成物。
- 低分子型有機EL素子製造の真空蒸着工程において使用するマスクの洗浄方法であって、請求項1〜5のいずれかに記載の洗浄液組成物を用いて、浸漬またはジェット水流により洗浄する、前記洗浄方法。
- 超音波洗浄を併用する、請求項6に記載の洗浄方法。
- 室温で洗浄する、請求項6または7に記載の洗浄方法。
- マスクを洗浄後、ハイドロフルオロエーテルによってリンスする、請求項6〜8のいずれかに記載の洗浄方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017152330A (ja) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法、表示装置及び表示装置の製造装置 |
WO2019003605A1 (ja) * | 2017-06-26 | 2019-01-03 | Agc株式会社 | 真空蒸着用のマスクの洗浄方法及びリンス組成物 |
WO2019123759A1 (ja) * | 2017-12-22 | 2019-06-27 | Agc株式会社 | 溶剤組成物、洗浄方法、塗膜形成用組成物、塗膜付き基材の製造方法、エアゾール組成物、リンス組成物、部材の洗浄方法および部材の洗浄装置 |
WO2019138580A1 (ja) * | 2018-01-15 | 2019-07-18 | シャープ株式会社 | 表示デバイスの製造方法および蒸着マスクのクリーニング方法並びにリンス液 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2530180C (en) * | 2003-06-27 | 2011-05-24 | Asahi Glass Company, Limited | Cleaning and rinsing method |
JP4352880B2 (ja) * | 2003-12-02 | 2009-10-28 | セイコーエプソン株式会社 | 洗浄方法および洗浄装置 |
KR100626037B1 (ko) * | 2004-11-18 | 2006-09-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 마스크 세정방법 |
JP2008293699A (ja) * | 2007-05-22 | 2008-12-04 | Toyota Industries Corp | メタルマスクの浄化方法 |
TW201323102A (zh) * | 2011-12-15 | 2013-06-16 | Dongwoo Fine Chem Co Ltd | 清洗製造有機el裝置的氣相沉積掩模的方法及清洗液 |
JP5944801B2 (ja) * | 2012-09-11 | 2016-07-05 | 株式会社エンプラス | 照明装置 |
JP5964714B2 (ja) * | 2012-10-05 | 2016-08-03 | 株式会社エンプラス | 光束制御部材、発光装置および照明装置 |
KR20180061621A (ko) | 2016-11-30 | 2018-06-08 | 동우 화인켐 주식회사 | 마스크 세정액 조성물 |
KR101951860B1 (ko) * | 2017-02-14 | 2019-02-26 | 동우 화인켐 주식회사 | 마스크 세정액 조성물 |
CN108424818A (zh) * | 2017-02-14 | 2018-08-21 | 东友精细化工有限公司 | 掩模清洗液组合物 |
KR102469931B1 (ko) | 2017-03-28 | 2022-11-23 | 동우 화인켐 주식회사 | 마스크 세정액 조성물, 마스크 세정액 예비-조성물, 및 마스크 세정액 조성물의 제조방법 |
JP7126830B2 (ja) * | 2018-01-19 | 2022-08-29 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | フッ素化液体の再生方法、及び該方法を用いる再生装置 |
WO2019156364A1 (ko) * | 2018-02-06 | 2019-08-15 | 동우 화인켐 주식회사 | 마스크 세정액 조성물 |
KR20210105911A (ko) * | 2018-12-26 | 2021-08-27 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 기재로부터의 전계발광 재료의 제거 |
JP2022553290A (ja) | 2019-10-21 | 2022-12-22 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 基材からのエレクトロルミネッセンス材料の除去 |
CN111172550B (zh) * | 2020-02-14 | 2022-03-11 | 福建省佑达环保材料有限公司 | 一种oled掩膜版清洗剂及其清洗工艺 |
CN115873669A (zh) * | 2022-11-04 | 2023-03-31 | 三明市海斯福化工有限责任公司 | 一种漂洗剂及oled工艺用掩膜版的清洗方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4276186A (en) * | 1979-06-26 | 1981-06-30 | International Business Machines Corporation | Cleaning composition and use thereof |
US5011621A (en) * | 1990-06-04 | 1991-04-30 | Arco Chemical Technology, Inc. | Paint stripper compositions containing N-methyl-2-pyrrolidone and renewable resources |
US5073287A (en) * | 1990-07-16 | 1991-12-17 | Fremont Industries, Inc. | Coating remover and paint stripper containing N-methyl-2-pyrrolidone, methanol, and sodium methoxide |
US5298184A (en) * | 1992-07-09 | 1994-03-29 | Specialty Environmental Technologies, Inc. | Paint stripper composition |
US5597678A (en) * | 1994-04-18 | 1997-01-28 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Non-corrosive photoresist stripper composition |
TW467953B (en) * | 1998-11-12 | 2001-12-11 | Mitsubishi Gas Chemical Co | New detergent and cleaning method of using it |
JP4273440B2 (ja) * | 1999-01-26 | 2009-06-03 | 栗田工業株式会社 | 電子材料用洗浄水及び電子材料の洗浄方法 |
FR2792737B1 (fr) * | 1999-04-26 | 2001-05-18 | Atochem Elf Sa | Compositions pour le decapage de photoresists dans la fabrication de circuits integres |
US6277799B1 (en) * | 1999-06-25 | 2001-08-21 | International Business Machines Corporation | Aqueous cleaning of paste residue |
JP4889883B2 (ja) * | 2000-07-10 | 2012-03-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜方法および成膜装置 |
JP2002110345A (ja) | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Toshiba Corp | マスク及びそれを用いた有機el表示素子の製造方法 |
JP4092914B2 (ja) | 2001-01-26 | 2008-05-28 | セイコーエプソン株式会社 | マスクの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
JP2002313564A (ja) | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Nec Corp | シャドウマスク、該シャドウマスクの製造方法、およびディスプレイ |
JP2003109759A (ja) | 2001-09-27 | 2003-04-11 | Mitsumi Electric Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2003257664A (ja) | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP4352880B2 (ja) * | 2003-12-02 | 2009-10-28 | セイコーエプソン株式会社 | 洗浄方法および洗浄装置 |
-
2003
- 2003-12-04 JP JP2003406394A patent/JP3833650B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-11-18 TW TW093135493A patent/TWI323742B/zh active
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- 2004-12-03 CN CNB2004100983112A patent/CN1320088C/zh active Active
-
2005
- 2005-07-20 US US11/185,290 patent/US7073518B2/en active Active
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017152330A (ja) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法、表示装置及び表示装置の製造装置 |
WO2019003605A1 (ja) * | 2017-06-26 | 2019-01-03 | Agc株式会社 | 真空蒸着用のマスクの洗浄方法及びリンス組成物 |
KR20200021444A (ko) | 2017-06-26 | 2020-02-28 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 진공 증착용의 마스크의 세정 방법 및 린스 조성물 |
JPWO2019003605A1 (ja) * | 2017-06-26 | 2020-04-23 | Agc株式会社 | 真空蒸着用のマスクの洗浄方法及びリンス組成物 |
WO2019123759A1 (ja) * | 2017-12-22 | 2019-06-27 | Agc株式会社 | 溶剤組成物、洗浄方法、塗膜形成用組成物、塗膜付き基材の製造方法、エアゾール組成物、リンス組成物、部材の洗浄方法および部材の洗浄装置 |
WO2019138580A1 (ja) * | 2018-01-15 | 2019-07-18 | シャープ株式会社 | 表示デバイスの製造方法および蒸着マスクのクリーニング方法並びにリンス液 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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