JP2005150425A - トランス、トランス用磁心およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 インダクタンスが高く、インダクタンスの公差が小さく、かつ高調波歪、特に総高調波歪（ＴＨＤ）の小さいトランス用磁心、トランスおよび上記特性を有するトランス用磁心の製造方法を提供する。
【解決手段】 インダクタンス調整用のギャップを有するトランス用磁心であって、前記ギャップを構成するギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）が、ＲａＧ≦０．７０μｍ、好ましくはＲａＧ≦０．４５μｍであることを特徴とするトランス用磁心および、前記ギャップを構成するギャップ形成面を研磨砥粒の粒度が＃４００〜＃８０００、好ましくは＃６００〜＃８０００（ＪＩＳ−Ｒ６００１）である研削砥石を使用して研磨することを特徴とするトランス用磁心の製造方法。
【選択図】 図１

Description

本発明は、トランス用磁心およびトランスに係り、さらに詳しくは、各種通信機器等における伝送用トランスに好適である高調波歪が小さいトランス用磁心およびトランスに関する。

伝送トランスや電源用トランスの磁心としては、一般にフェライトから構成される磁心が使用されている。これは、フェライトが他の軟磁性金属材料に比べ、高周波数帯域での初透磁率の低下や電力損失の増大が少なく、安価に製造できるためである。

近年、各種電子機器分野では、更なる電子機器の小型化、薄型化および高性能化などの要求が高まっており、その要求に応えるべく、フェライトから構成されるトランス用の磁心の性能向上が試みられている。

たとえば、特許文献１に、中央脚部と外側脚部とこれら両脚部を接続する底面部とからなる磁心（磁芯）構造を持ち、中央脚部よりも外側脚部を僅かに長くし、かつ該外側脚部先端面の最高点と前記中央脚部先端面の最低点との高さの差を０.３μｍ以下に鏡面加工してなるフェライト磁心が開示されている。

この文献によると、上記フェライト磁心を複数個突き合わせてトランスやインダクタの磁心を構成した際に突き合わせ面に生じるエアーギャップを充分小さくすることができ、高インダクタンスを実現できる旨記載されている。

また、特許文献２には、すり合せ面を対面させて、組み合わされたトランス用コアにおいて、対面するすり合せ面間に、鉄原子およびアルコキシ基を含み、スピネル構造を呈するスピネル磁性層を介して、接合されるトランス用コアが開示されている。

この文献によると、トランス用コアを上記構成とすることにより、磁束の漏洩を防ぐことができ、透磁率の向上を図ることが可能となる旨記載されている。

一方、トランス用の磁心を電源トランスなどで使用する場合には、損失が問題になるが、トランス用の磁心を伝送トランスとして使用する場合においては、損失だけでなく高調波歪の低減が求められている。しかし、上記特許文献１，２記載の発明からは、通信伝送トランスとして使用する際に要求されるような、小さい高調波歪を有するトランス用磁心を得ることは困難である。

また、通信機器の分野では、大容量のデータをより高速通信できる方式への要求が高まっており、高速通信を可能とする技術としてｘＤＳＬ（ｘ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｕｂｓｃｒｉｂｅｒ Ｌｉｎｅ）技術が普及している。ｘＤＳＬ技術としては、ＡＤＳＬ（Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｕｂｓｃｒｉｂｅｒ Ｌｉｎｅｓ）やＶＤＳＬ（Ｖｅｒｙ ｈｉｇｈ−ｂｉｔ−ｒａｔｅ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｕｂｓｃｒｉｂｅｒ Ｌｉｎｅ）等がある。

ｘＤＳＬ技術においては、デジタル信号とアナログ信号とを変換するモデムが必要であり、このモデムにはラインと絶縁するための伝送トランスが必要となる。このようなｘＤＳＬ技術に使用される伝送トランスとしては、広周波帯域において高いインダクタンスを有することおよび、伝送信号の再現性や通信速度の維持のため、トランスを介して信号を伝送する際に発生する総高調波歪（ＴＨＤ：Ｔｏｔａｌ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ）が小さいことが要求される。ここで、総高調波歪（ＴＨＤ）は、高調波成分の実効値総和と基本波の実効値との比を表し、下記式（１）で算出される。
ＴＨＤ（ｄＢ）＝２０×ｌｏｇ［（高調波＋ノイズ）／（基本波＋高調波＋ノイズ）］…式（１）

特許文献３には、外脚と内脚とを形成した脚付磁心と、当該脚付磁心と突き合わせる磁心とにおいて、磁心同士の突き合わせ面の中心線平均あらさＲａを１．２μｍ以下とした磁心を使用した通信機器用電子部品が、開示されている。

この文献によると、磁心同士の突き合わせ面の中心線平均あらさＲａを１．２μｍ以下とすることにより、ＴＨＤ_Ｆ（ＴＨＤ_Ｆは、ＴＨＤを振幅透磁率μａで除した値）を小さくすることができる旨が記載されている。しかしながら、この文献においては、ＴＨＤ_Ｆ（またはＴＨＤ）の低減を目的として、面粗さの改善を行っているが、面粗さの改善を行っているのは、突き合わせ面についてのみであり、この文献記載の発明では、ＴＨＤ_Ｆ（またはＴＨＤ）の低減が十分に図られているとは言い難い。

各周波数の高調波歪を低減するためには、トランスの駆動条件におけるフェライトコアのヒステリシス損失の低減や、Ｂ−Ｈ曲線における磁化曲線の直線性を良くすることが必要である。フェライトコアにおいては、特にヒステリシス損失の低減が高調波歪を小さくするために重要である。

特開平１１−２６０６５２号公報 特開平５−２９９２７９号公報 特開２００３−２９７６４１号公報

本発明の目的は、インダクタンスが高く、インダクタンスの公差が小さく、かつ高調波歪の小さいトランス用磁心、およびトランスを提供することである。さらに、本発明は、上記特性を有するトランス用磁心の製造方法を提供することも目的とする。

本発明者等は、インダクタンスを調整する目的で形成されるギャップを構成するギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）に着目し、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）を所定の範囲内とすることにより、インダクタンスを高く保ちつつ、インダクタンスの公差を小さくし、高調波歪、特に総高調波歪（ＴＨＤ）を低減することができることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明の第１の観点に係るトランス用磁心は、
インダクタンス調整用のギャップを有するトランス用磁心であって、前記ギャップを構成するギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）が、ＲａＧ≦０．７０μｍであることを特徴とする。

本発明の第１の観点によると、ギャップを構成するギャップ形成面を有するトランス用磁心（分割型または非分割型）において、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）を上記範囲とすることにより、インダクタンスが高く、インダクタンスの公差が小さく、かつ高調波歪の小さいトランス用磁心が得られる。

本発明の第２の観点に係るトランス用磁心は、
基準面とギャップ形成面とを有し、前記基準面と前記ギャップ形成面との高さの差であるギャップを有する分割型のトランス用磁心であって、前記ギャップを構成するギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）が、ＲａＧ≦０．７０μｍであることを特徴とする。

本発明の第２の観点によると、本発明のトランス用磁心の基準面と他のトランス用磁心の基準面とを組み合わせて使用する分割型のトランス用磁心において、前記ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）を上記範囲とすることにより、インダクタンスが高く、インダクタンスの公差が小さく、かつ高調波歪の小さいトランス用磁心が得られる。なお、前記他のトランス用磁心としては、本発明のトランス用磁心でも良いし、そうでなくても良い。

なお、従来より、インダクタンスの大きさとギャップの深さに相関関係があることは知られており、分割型のトランス用磁心において、インダクタンスを調整する目的で、トランス用磁心のギャップ加工は行われていた。

また、従来においては、高調波歪を低減する等の目的で、直接他方の磁心と接触する基準面（突き合わせ面）については鏡面加工を行い、その表面粗さを小さくすることが行われることがあった。

しかし、ギャップ加工を施した際に形成されるギャップ形成面については、直接他方の磁心と接触することがなく、インダクタンスを所定の値に調整するためにギャップ深さを制御することが目的であり、接触面となる基準面のように、表面粗さを極めて小さくするような加工を施す必要はないと考えられており、積極的にそのような加工が行われることはなかった。

ところが、本発明者等の新たな知見によると、高調波歪を低減させるためには、基準面の表面粗さ（ＲａＳ）を制御するよりも、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）を制御するほうが、より重要である。そのため、本発明によれば、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）を上記範囲とすることにより高調波歪を低減させることができる。

本発明に係るトランス用磁心は、好ましくは、前記ギャップを構成するギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）が、ＲａＧ≦０．４５μｍである。

本発明に係るトランス用磁心は、好ましくは、前記ギャップを構成するギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）が、ＲａＧ≧０．００５μｍである。

本発明に係るトランス用磁心は、好ましくは、前記基準面の表面粗さ（ＲａＳ）が、０．００５μｍ≦ＲａＳ≦１．０μｍである。

本発明においては、前記ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）を上記範囲とすると共に、基準面の表面粗さ（ＲａＳ）を上記範囲とすることにより、さらなる高調波歪の低減を図ることができる。

本発明に係るトランス用磁心は、好ましくは、前記ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）と前記基準面の表面粗さ（ＲａＳ）との関係が、ＲａＧ≦ＲａＳの関係である。

本発明者等の新たな知見によると、前記ギャップ形成面と前記基準面のいずれも、その表面粗さを小さくすれば高調波歪を小さくすることが可能だが、ギャップ形成面（ＲａＧ）を小さくした場合の方が、表面粗さを小さくした場合の高調波歪の改善効果が大きい。

すなわち、研磨等の方法により、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）と基準面の表面粗さ（ＲａＳ）をそれぞれ同等の水準まで小さくした場合においては、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）を小さくした場合の方が、高調波歪を低減することができる。

そのため、高調波歪を低減するためには、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）を加工する方が、基準面の表面粗さ（ＲａＳ）を加工するよりも効果的であるため、ＲａＧ≦ＲａＳとすることが好ましい。

本発明によれば、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）を上記範囲とすることにより、基準面の表面粗さ（ＲａＳ）について高精度に加工することなく、高調波歪の低減を達成することができる。

本発明に係るトランス用磁心は、好ましくは、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトで構成されている。

本発明に係るトランス用磁心においては、好ましくは、前記Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトが、酸化鉄をＦｅ_２Ｏ_３換算で５１．０〜５５．０ｍｏｌ％、酸化マンガンをＭｎＯ換算で２０．０〜３０．０ｍｏｌ％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で１８．０〜２５．０ｍｏｌ％含有する。

本発明に係るトランスは、上記いずれかのトランス用磁心の回りにコイルを巻線することにより、作製される。

あるいは、本発明に係るトランスは、上記いずれかのトランス用磁心と、前記トランス用磁心に組み合わされる他のトランス用磁心とを有し、組み合わされたトランス用磁心の回りにコイルを巻線することにより、作製される。

なお、上記他のトランス用磁心としては、本発明のトランス用磁心であっても良いし、そうでなくても良い。つまり、組み合わされるトランス用磁心のうち少なくとも１つが本発明のトランス用磁心であれば良い。

本発明に係るトランスは、好ましくは、通信用の伝送トランスである。
通信用の伝送トランスとしては、たとえば、ｘＤＳＬ技術においてデジタル信号とアナログ信号とを変換するモデムに使用される伝送用トランス、特にＡＤＳＬ用モデムに使用される伝送用トランス等が挙げられる。

本発明に係るトランス用磁心の製造方法は、前記ギャップを構成するギャップ形成面を研磨砥粒の粒度が＃４００〜＃８０００（ＪＩＳ−Ｒ６００１）である研削砥石を使用して研磨することを特徴とする。

本発明に係るトランス用磁心の製造方法は、好ましくは、前記研削砥石として、研磨砥粒の粒度が＃６００〜＃８０００（ＪＩＳ−Ｒ６００１）である研削砥石を使用することを特徴とする。

本発明によると、インダクタンスを調整する目的で形成されるギャップを構成するギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）を所定の範囲内とすることにより、インダクタンスが高く、インダクタンスの公差が小さく、高調波歪、特に総高調波歪（ＴＨＤ）の小さいトランス用磁心およびトランスを提供することができる。

また、本発明の製造方法によると、ギャップを構成するギャップ形成面を研磨する際に使用する研削砥石の研磨砥粒の粒度を所定の範囲内とすることにより、インダクタンスが高く、インダクタンスの公差が小さく、高調波歪、特に総高調波歪（ＴＨＤ）の小さいトランス用磁心の製造方法を提供することができる。

以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
図１（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施形態に係るギャップ形成面を有するＥＰ型磁心の斜視図および正面図、図１（ｃ）、（ｄ）はギャップ形成面を有しないＥＰ型磁心の斜視図および正面図、
図２（ａ）、（ｂ）はギャップ形成面を有するＥＰ型磁心とギャップ形成面を有しないＥＰ型磁心を突き合わせ面で組み合わせる前後の状態を示す正面図、
図３は本発明の実施形態に係るトランス用磁心のギャップ形成面の加工方法の例を示す図、
図４は本発明の実施形態に係るトランス用磁心のギャップ形成面の加工方法の例を示す図、
図５（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施形態に係るトランス用磁心の例を示す図、
図６は本発明の実施形態に係るトランス用磁心の基準面およびギャップ形成面の加工方法の例を示す図、
図７は本発明の実施形態に係るトランス用磁心の基準面およびギャップ形成面の加工方法の例を示す図、
図８（ａ）、（ｂ）は本発明の実施例において作製したＥＰ型磁心の寸法を説明するための図、
図９は本発明の実施例においてＴＨＤ測定を行った回路図、
図１０は本発明の実施例におけるギャップ形成面および基準面の表面粗さとＴＨＤとの関係を示すグラフ、
図１１は本発明の実施例における基準面の表面粗さとＴＨＤとの関係を示すグラフである。

図２（ａ）、（ｂ）に示すように、本発明の一実施形態に係るトランス用磁心１は、ＥＰ型の磁心１１および１２が組み合わされ、各磁心１１、１２は、中脚部２と外脚部３を底板部４で接続して構成される。

図１（ａ）、（ｂ）に示すギャップ形成面を有する一方のＥＰ型磁心１１は、中脚部２の上面にギャップ形成面２１を有し、外脚部３の上面に基準面３１を有する。このＥＰ型磁心１１は、ギャップ形成面２１と基準面３１との底板部４からの高さの差であるギャップΔＧを有する。

図１（ｃ）、（ｄ）に示すギャップ形成面を有しないＥＰ型磁心１２は、中脚部２の上面に基準面２２を有し、外脚部３の上面にも基準面３１を有し、これらは略同一平面になっており、ギャップΔＧを有しない。

本実施形態に係るトランス用磁心１は、図２（ａ）、（ｂ）に示すようにギャップ形成面を有するＥＰ型磁心１１とギャップ形成面を有しないＥＰ型磁心１２が、外脚部３の基準面３１がお互いに重なるように組み合わされ、一対のトランス用磁心１として使用される。このように組み合わされたトランス用磁心１は、ギャップ形成面を有するＥＰ型磁心１１のギャップ形成面２１と、ギャップ形成面を有しないＥＰ型磁心１２の基準面２２との間にギャップΔＧが形成される。本実施形態に係るトランスは、インダクタンスを調整するためのギャップΔＧを有しており、このギャップΔＧの深さを調整することによりインダクタンスを調整することが可能となる。

トランス用磁心
本実施形態のトランス用磁心１（磁心１１および１２）は、酸化鉄、酸化マンガン、酸化亜鉛を含有するＭｎ-Ｚｎ系フェライト組成物で構成されている。

酸化鉄の含有量の範囲は、Ｆｅ_２Ｏ_３換算で５１．０〜５５．０ｍｏｌ％であることが好ましく、さらに好ましくは５２．０〜５４．０ｍｏｌ％である。

酸化鉄の含有量が少なすぎると磁心における結晶磁気異方性が大きくなり高調波歪が増大する傾向にあり、同様に多すぎても高調波歪が増大する傾向にある。

酸化マンガンの含有量の範囲は、ＭｎＯ換算で２０．０〜３０．０ｍｏｌ％であることが好ましく、さらに好ましくは２１．０〜２８．０ｍｏｌ％である。

酸化マンガンの含有量が少なすぎるとキュリー点が実使用温度領域まで低下し、フェライトとしての特性が失われる傾向にあり、多すぎると磁心の結晶磁気異方性が大きくなり、高調波歪は増大する。

酸化亜鉛の含有量の範囲は、ＺｎＯ換算で１８．０〜２５．０ｍｏｌ％であることが好ましく、さらに好ましくは２１．０〜２５．０ｍｏｌ％である。

酸化亜鉛の含有量が少なすぎると磁心の結晶磁気異方性が大きくなり、高調波歪は増大し、多すぎるとキュリー点が実使用温度領域まで低下し、フェライトとしての特性が失われる。

また、本発明の目的を達成できる範囲において、上述した酸化鉄、酸化亜鉛、酸化マンガン以外にも、種々の添加物を含有させることが可能である。

次に、本実施形態のトランス用磁心１（磁心１１および１２）の製造方法を説明する。
まず、出発原料として、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＭｎＯ、ＺｎＯ、あるいは焼成後にこれらの酸化物となる原料および、必要に応じて他の原料を用意する。

用意した出発原料を秤量し、焼成後の最終的な組成において、目的の組成となるように調整する。

なお、原料混合物中には、原料中の不可避的不純物元素が含まれ得る。このような元素としては、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎａ、Ｋ、Ｓ、Ｃｌなどが挙げられる。電力損失や磁気特性への影響を抑えるためには、これら各元素の組成物全体に対する重量比率が５００ｐｐｍ以下であることが好ましく、特にＢ、Ｐについては１００ｐｐｍ以下であることが好ましい。

秤量した出発原料を混合し、仮焼きを行う。仮焼きは、原料の熱分解、成分の均質化、フェライトの生成、焼結による超微粉の消失と適度の粒子サイズへの粒成長を起こさせ、原料混合物を後工程に適した形態に変換するために行われる。仮焼は酸化性雰囲気中、通常は空気中で行われる。仮焼温度は８００〜１０００度とすることが好ましい。

次に、上記にて得られた仮焼き材料の粉砕を行い、粉砕材料を得る。粉砕は、仮焼き材料の凝集をくずして適度の焼結性を有する粉体を製造するために行われる。仮焼き材料が大きい塊を形成しているときには、粗粉砕を行ってからボールミルやアトライターなどを用いて湿式粉砕を行う。

次に、粉砕材料の造粒（顆粒）を行い、造粒物を得る。造粒は、粉砕材料を適度な大きさの凝集粒子とし、成形に適した形態に変換するために行われる。こうした造粒法としては、たとえば、加圧造粒法やスプレードライ法などが挙げられる。スプレードライ法は、粉砕材料に、ポリビニルアルコールなどの通常用いられる結合剤を加えた後、スプレードライヤー中で霧化し、乾燥する方法である。

次に、造粒物を所定形状に成形し、成形体を得る。造粒物の成形としては、たとえば、乾式成形、湿式成形、押出成形などが挙げられる。乾式成形法は、造粒物を、金型に充填して圧縮加圧（プレス）することにより行う成形法である。

成形体の形状は、特に限定されず、用途に応じて適宜決定すればよいが、本実施形態においては、図１（ａ）〜（ｄ）に示すようなＥＰ型磁心である。

本実施形態においては、まず、図１（ｃ）、（ｄ）に示す中脚部２の基準面２２と外脚部３の基準面３１の高さが同じであるギャップ形成面を有しないＥＰ型磁心１２を複数成形し、本焼成を行い、ギャップ形成面を有しないＥＰ型磁心１２の焼結体を得る。

本焼成は、多くの空隙を含んでいる成形体の粉体粒子間に、融点以下の温度で粉体が凝着する焼結を起こさせ、緻密な焼結体を得るために行われ、５０〜３００℃／ｈｒで昇温し、安定温度１２００〜１４００℃で２〜８時間程度行い、安定温度から冷却部においてはＭｎ−Ｚｎ系フェライトの平衡酸素分圧に制御した雰囲気中で焼成することが好ましい。

次に、焼結体の表面研削を行う。まず、ギャップ形成面を有しないＥＰ型磁心１２の焼結体の中脚部２の基準面２２、外脚部３の基準面３１について、基準面の表面粗さ（ＲａＳ）を調整するための表面研削を行う。

基準面の表面粗さ（ＲａＳ）を調整するための表面研削の方法としては、特に限定はされず、基準面の表面粗さや平坦度を制御可能な加工方法であれば何でもよく、たとえば、バーチカル加工機を使用した加工方法等が挙げられる。

基準面の表面粗さ（ＲａＳ）は、０．００５μｍ≦ＲａＳ≦１．０μｍであることが好ましく、さらに好ましくは０．００５μｍ≦ＲａＳ≦０．７０μｍであり、より好ましくは０．００５μｍ≦ＲａＳ≦０．２０μｍである。

基準面の表面粗さ（ＲａＳ）が大きすぎると、磁束の漏洩が生じ、ヒステリシス損失が大きくなるため、高調波歪が大きくなる傾向にある。また、基準面の表面粗さ（ＲａＳ）を極めて小さい値（たとえばＲａＳ＝０．００５μｍ以下）にすることは、フェライトのような多結晶体においては結晶粒子間や結晶粒子内に空孔が存在することや、加工コストが高くなるために困難である。なお、本実施形態においては、突き合わせ面となる基準面について、鏡面加工等の微細加工を行い、基準面の表面粗さ（ＲａＳ）を０．００５〜０．２０μｍとすることが特に好ましい。

なお、ここで、表面粗さとは、ＪＩＳ−Ｂ０６０１に準拠した表面粗さ（算術表面高さ：Ｒａ）をいう。また、表面粗さの測定は、たとえば、表面粗さ計等を使用して行うことができる。

次に、図１（ａ）、（ｂ）に示すギャップ形成面を有するＥＰ型磁心１１を得るために、上記にて表面研削を行ったギャップ形成面を有しないＥＰ型磁心１２について、中脚部２の上面部にギャップ加工を目的とした表面研削を行い、中脚部２の上面部にギャップ形成面２１を形成する。

ギャップ加工を目的とした表面研削の方法としては、特に限定はされず、トランス用磁心の形状に合わせて適宜選択すれば良いが、たとえば、本実施形態のＥＰ型磁心のような分割型の磁心の場合は、図３または図４に示すような加工方法で行うことができる。

図３に示す加工方法においては、下面および側面に研磨砥粒面を有する円柱状の研削砥石５を回転させながら、ギャップ深さ分降下させ、ＥＰ型磁心１１の中脚部２を研削するように前後に動かし、ギャップ形成面２１を形成する。

また、図４に示す加工方法においては、研削台７の上に、ＥＰ型磁心１１を中脚部２の上面が下向きになるように固定し、上面に研磨砥粒面を有する研削砥石６およびＥＰ型磁心１１を回転させ、研削砥石６を昇降させることにより、中脚部２の上面を研削し、ギャップ形成面２１を形成する。なお、ＥＰ型磁心１１は、研削台７を回転させることにより、回転させてもよい。

本実施形態においては、ギャップ加工により形成されるギャップ形成面２１の表面粗さ（ＲａＧ）はＲａＧ≦０．７０μｍであり、好ましくはＲａＧ≦０．４５μｍ、さらに好ましくはＲａＧ≦０．３０μｍである。また、表面粗さの下限としては、ＲａＧ≧０．００５μｍ程度であることが好ましい。

本発明の特徴点としては、ギャップ形成面２１の表面粗さ（ＲａＧ）を上記範囲とする点にあり、このようにすることにより、インダクタンスが高く、かつインダクタンスの公差が小さく、高調波歪の小さいトランス用磁心を得ることが可能となる。

なお、ギャップ形成面２１の表面粗さ（ＲａＧ）と高調波歪との相関関係については必ずしも明確ではないが、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）が大きいと、ギャップ形成面における磁束密度のばらつきが大きくなったり、磁束の漏洩が大きくなり、交流磁場中でのヒステリシス損失が増大し、その結果高調波歪が増大すると考えられる。

ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）が大きすぎると、上述した原因により、高調波歪が増大する傾向にある。また、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）を極めて小さい値（たとえばＲａＧ＝０．００５μｍ以下）にすることは、フェライトのような多結晶体においては結晶粒子間や結晶粒子内に空孔が存在することや、加工コストが高くなるために困難である。

また、上述したように、高調波歪が増大する要因としてはギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）だけでなく、基準面３１（突き合わせ面）の表面粗さ（ＲａＳ）を制御することも重要である。そのため、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）を上記範囲とし、さらに、基準面の表面粗さ（ＲａＳ）を上述した範囲とすることが好ましく、このようにすることにより、従来と比較して高調波歪を低減することが可能となる。

本実施形態では、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）と基準面の表面粗さ（ＲａＳ）との関係を、ＲａＧ≦ＲａＳの関係とする。これは、高調波歪を低減するためには、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）を加工する方が、基準面の表面粗さ（ＲａＳ）を加工するよりも効果的であるためである。

ギャップ加工を目的とした表面研削を行う際に使用する研削砥石としては、研削砥石を構成する研磨砥粒の粒度が＃４００〜＃８０００（ＪＩＳ−Ｒ６００１）であることが好ましく、さらに好ましくは＃６００〜＃８０００である。

研磨砥粒の粒度が＃４００より大きいとギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）を十分に小さくすることができない傾向にあり、また粒度が＃８０００より小さいと加工コストが増大する傾向にある。

トランス
本実施形態に係るトランスは、図２に示すようにギャップ形成面を有するＥＰ型磁心１１とギャップ形成面を有しないＥＰ型磁心１２を、外脚部３の基準面３１がお互いに重なるように組み合わせ、一対のトランス用磁心とし、中脚部２の周囲に所定巻数だけ巻線することにより形成される。

本実施形態に係るトランスは、ギャップ形成面を有するＥＰ型磁心１１のギャップ形成面２１とギャップ形成面を有しないＥＰ型磁心１２の基準面２２との間に形成されたギャップΔＧの深さを調整することによりインダクタンスを調整することが可能となっている。

なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。

たとえば、上述した実施形態においては、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）と基準面の表面粗さ（ＲａＳ）との関係を、ＲａＧ≦ＲａＳの関係としたが、本発明の目的を達成できる範囲内で、ＲａＧ≦ＲａＳの関係とならない範囲とすることも可能である。すなわち、上述した実施形態では、効率的に高調波歪を低減させるためにＲａＧ≦ＲａＳの関係としたが、製造工程の困難性を考慮しなければ、ＲａＧ＞ＲａＳとしても良い。

また、上述した実施形態では、ＥＰ型のトランス用磁心を例示したが、本発明に係るトランス用磁心としては、図５（ａ）〜（ｅ）に示す各形状を有する磁心とすることもできる。

図５（ａ）は、非分割型の磁心であり、磁心の一部をファインカッターやサーフェイス等で切断し、ギャップを形成することにより得られる、ギャップΔＧを有するトロイダル型磁心である。

図５（ｂ）も、非分割型の磁心であり、同様に、磁心の一部をファインカッターやサーフェイス等で切断し、ギャップを形成することにより得られる、ギャップΔＧを有するＦＴ型磁心である。

図５（ｃ）は、分割型の磁心であり、Ｅ型の磁心とＩ型の磁心が組み合わされて構成されるＥＩ型磁心である。この磁心においては、たとえば、Ｅ型の磁心の真ん中の脚についてギャップ加工を行いギャップ形成面を形成する。そして、このギャップ形成面を有するＥ型の磁心とＩ型の磁心とを組み合わせることによりギャップΔＧが形成される。

なお、Ｅ型の磁心のギャップ加工を行う際には、加工方法として、たとえば図６または７に示す方法で加工を行うことができる。

図６は、突き合わせ面およびギャップ形成面について、連続して加工を行う方法である。この方法においては、まず、Ｅ型の磁心１３の外脚部１３２および中脚部１３１の上面と、下面および側面に研磨砥粒面を有する円板状の研削砥石８ａの下面とを接触させ、円板状の研削砥石８ａを回転させることにより、外脚部１３２および中脚部１３１の上面の研削を行う。次いで、Ｅ型の磁心１３の中脚部１３１の上面と、側面に研磨砥粒面を有する円板状の研削砥石８ｂの側面とを接触させ、円板状の研削砥石８ｂを回転させることにより、中脚部１３１の上面について研削を行い、ギャップ形成面を形成する。なお、図６に示した加工方法においては、Ｅ型の磁心を固定させた状態でそれぞれ研削を行う。また、研削砥石８ａの回転軸と研削砥石８ｂの回転軸とは、垂直な関係にある。

図７に示す加工方法も、図６に示す加工方法と同様に、突き合わせ面およびギャップ形成面について、連続して加工を行う方法であるが、図６に示した加工方法と異なり、Ｅ型の磁心をマグネットチャック９の上に固定し、マグネットチャック９が動くことにより連続的に研削を行う方法である。なお、図６および７に示す加工方法は、いずれも突き合わせ面およびギャップ形成面について、連続して加工を行う方法であるが、突き合わせ面または、ギャップ形成面の研削を別々に行う方法としても良い。すなわち、図６，７において、研削砥石８ａを使用しない加工方法、または、研削砥石８ｂを使用しない加工方法とすることも可能である。

図５（ｄ）も、分割型の磁心であり、二つのＵ型の磁心が組み合わされて構成されるＵＵ型の磁心である。この磁心においては、たとえば、両方のＵ型の磁心の二つの脚の側面部をギャップ形成面とし、両磁心のギャップ形成面間に誘電体フィルムを挟むことにより、ギャップΔＧが形成される。

図５（ｅ）も、分割型の磁心であり、二つのＥ型の磁心が組み合わされて構成されるＥＥ型の磁心である。この磁心においては、たとえば、二つのＥ型の磁心のうち一方の磁心の真ん中の脚についてギャップ加工を行いギャップ形成面を形成する。そして、このギャップ形成面を有するＥ型の磁心とギャップ形成面を有しないＥ型の磁心とを組み合わせることによりギャップΔＧが形成される。または、ギャップ形成面を有するコア同士での組み合わせでも良い。

以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。

実施例１
［磁心の作製］
主成分および副成分の出発原料を準備した。主成分の出発原料としては、Ｆｅ_２ Ｏ_３ 、ＭｎＯ 、ＺｎＯを用いた。また、副成分の出発原料としては、ＳｉＯ_２、ＣａＯを用いた。これらの出発原料は、焼成後の組成が以下のようになるように、秤量した。
Ｆｅ_２ Ｏ_３：５３モル％
ＭｎＯ：２４モル％
ＺｎＯ：２３モル％
ＳｉＯ_２：０．０１重量％
ＣａＯ：０．０６重量％
なお、Ｆｅ_２ Ｏ_３ 、ＭｎＯ 、ＺｎＯの量は、主成分全体に対するモル％で、ＳｉＯ_２、ＣａＯの添加量はフェライト組成物全体に対する重量％で表した。

次に、これらの原料を、以下の条件で配合、仮焼成、粉砕を行いフェライト材料を調製した。
・配合および粉砕用ポット：ステンレスボールミルポット使用
・配合および粉砕用メディア：スチールボール使用
・配合時間：１６時間
・仮焼成条件：８５０℃、３時間
・仮焼き後の粉砕時間：８時間
得られたフェライト材料１００重量部にバインダーとしてのポリビニルアルコールを１．０重量部添加して造粒して造粒物とし、加圧成形し、１３５０℃で焼成することにより、中脚部および外脚部を有するＥＰ型磁心（ＥＰ１３型）を得た。なお、ＥＰ型磁心の寸法は、図８において、Ａ＝１２．５±０．３ｍｍ、Ｂ＝１０．０±０．３ｍｍ、φＣ＝４．３５±０．１５ｍｍ、２Ｄ＝１２．８５±０．１５ｍｍ、Ｅ＝８．８±０．２ｍｍ、２Ｈ＝９．２±０．２ｍｍとした。

次に、上記にて得られた焼結体の中脚部および外脚部の基準面をバーチカル加工機により表面加工を行い、ギャップ形成面を有しないＥＰ型磁心を得た。中脚部および外脚部の基準面の表面粗さ（ＲａＳ）は、ＲａＳ＝０．１００μｍであった。なお、表面粗さの測定には、（株）小坂研究所製 サーフコーダＳＥ−３０Ｄを使用した。

さらに、ギャップ形成面を有しないＥＰ型磁心試料のうち半分の試料について、中脚部の基準面をＭＧＬ（ミニギャップライン）加工によりギャップ加工を行い、ギャップ形成面を有するＥＰ型磁心を得た。ここで、各試料についてＭＧＬ加工を行う際の研削砥石の研磨砥粒の粒度および、研削速度等の加工条件を調整することにより、表１に示すギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）の異なる試料１〜１６を作製した。なお、このときのギャップ深さは、インダクタンスが５．０ｍＨ、インダクタンスの公差が±９％となるように調整した。その結果ギャップ深さは約３０μｍであった。インダクタンスの測定は、１００ターンコイルを作製し、ＬＣＲメーター（ヒューレットパッカード（株）製）を使用し、測定周波数１ｋＨｚ、測定電流０．５ｍＡで行った。

［トランスの作製］
同様に、ギャップ形成面を有しないＥＰ型磁心とギャップ形成面を有するＥＰ型磁心とを、図２に示すように外脚部３の接触面３１がお互いに重なる状態とし、かつ両磁心の中脚部２を１次巻線と２次巻線とが巻回されたボビンに挿入することによりトランス試料を作製した。

なお、巻線は、リーケージインダクタンスを小さくするために、１次巻線を２分割して、１次巻線（７０ターン）−２次巻線（１４０ターン）−１次巻線（７０ターン）というサンドイッチ巻きとした。

［総高調波歪（ＴＨＤ）の測定］
上記にて作製したトランス試料をオーディオアナライザ（Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ社製 Ｓｙｓｔｅｍ２）に接続し、ＴＨＤの測定を行った。本実施例においては、トランス試料の高調波歪を評価するに際して、総高調波歪（ＴＨＤ）を測定し、評価を行った。なお、総高調波歪（ＴＨＤ）は、下記式（１）で算出される。
ＴＨＤ（ｄＢ）＝２０×ｌｏｇ［（高調波＋ノイズ）／（基本波＋高調波＋ノイズ）］…式（１）

図９に示すように、１次巻線Ｎｐは１０Ωの抵抗を直列に接続して、ジェネレータ側の端子ｔ１、ｔ２に接続し、２次巻線Ｎｓは５０Ωの抵抗を並列に接続して、アナライザー側の端子ｔ３、ｔ４に接続する。なお測定器のジェネレータ側には４０Ωの抵抗が直列に接続されているため、１次巻線には合計で５０Ωの抵抗が直列に接続されていることになる。

測定は、端子ｔ１、ｔ２より、トランスの１次巻線Ｎｐに、周波数５ｋＨｚのデータ信号を、１次巻線の両端の電圧が２．５Ｖとなるように入力し、このとき、１次巻線Ｎｐ側から２次巻線Ｎｓ側に出力される伝送波形を端子ｔ３、ｔ４より入力し、分析することにより行った。このとき、トランスを図９に示すように、恒温槽ＴＨに格納し、２５℃に保持して測定した。ＴＨＤの値は小さい方が好ましい。

なお、一般に、高周波数でＴＨＤの測定を行うと、ＴＨＤの値が小さくなり、良好な結果となりやすくなる傾向にあるため、トランスのＴＨＤ特性に有意差が現れにくい。そのため、トランスのＴＨＤ特性に有意差が現れるためには、低周波数で測定を行うことが必要であり、本実施例では、５ｋＨｚでＴＨＤの測定を行った。

表１に、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）の異なるギャップ形成面を有するＥＰ型磁心とするトランス試料１〜１６のギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）、基準面の表面粗さ（ＲａＳ）およびＴＨＤの測定結果を示した。なお、いずれの試料も基準面の表面粗さ（ＲａＳ）は、ＲａＳ＝０．１００μｍとした。

本実施例において、トランスを構成する磁心の各基準面（図１において、ギャップ形成面を有するＥＰ型磁心１１の外脚部３の基準面３１、ギャップ形成面を有しないＥＰ型磁心１２の中脚部２の基準面２２および外脚部３の基準面３１の合計３面）の表面粗さ（ＲａＳ）は、同じとした。

表１より、基準面の表面粗さ（ＲａＳ）が一定である場合、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）を小さくしていくと、ＴＨＤの値が小さくなっていくことが確認できる。また、この傾向は、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）とＴＨＤの測定結果をグラフ化した図１０（本実施例の結果は、図１０中において、黒塗りの点で示した）からも明らかである。また、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）がＲａＧ＝０．７００μｍ以下である実施例の試料１〜１１は、ＴＨＤの値がいずれも−８８．５ｄＢ以下となり良好な値となった。

実施例２
ギャップ形成面を有しないＥＰ型磁心とギャップ形成面を有するＥＰ型磁心を作製する際に、以下の条件で基準面の加工およびギャップ形成面の加工を行ったこと以外は、実施例１と同様の条件で磁心を作製し、その磁心を用いてトランス試料を作製し、ＴＨＤの測定を行った。

基準面の加工は、実施例１と同様にバーチカル加工機により行ったが、本実施例では加工条件を変化させ、基準面の表面粗さ（ＲａＳ）の異なるギャップ形成面を有しないＥＰ型磁心を作製した。

さらに、ギャップ形成面を有するＥＰ型磁心を得ることを目的として、上記にて作製したギャップ形成面を有しないＥＰ型磁心それぞれについて、ギャップ形成面の加工を行った。ギャップ形成面の加工は、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）が、ＲａＧ＝０．２４０μｍと一定となるように行った。

すなわち、本実施例においては、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）を一定とし、基準面の表面粗さ（ＲａＳ）を変化させた磁心を作製し、特性評価を行った。また、本実施例においても、実施例１と同様に各トランス試料を構成する磁心の各基準面（合計３面）の表面粗さ（ＲａＳ）は、同じとした。

表２に、基準面の表面粗さ（ＲａＳ）の異なるトランス試料３，１７〜２５のギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）、基準面の表面粗さ（ＲａＳ）およびＴＨＤの測定結果を示した。なお、表２に示した試料は、いずれの試料もギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）は、ＲａＧ＝０．２４０μｍとした試料である。

表２より、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）が一定である場合、基準面の表面粗さ（ＲａＳ）を小さくしていくと、ＴＨＤの値が小さくなっていくことが確認できる。また、この傾向は、基準面の表面粗さ（ＲａＳ）とＴＨＤの値をグラフ化した図１０（本実施例の結果は、図１０中において、白抜きの点で示した）からも明らかである。また、基準面の表面粗さ（ＲａＳ）がＲａＳ＝１．０００μｍ以下である実施例の試料３，１７〜２４は、ＴＨＤの値がいずれも−８８．５ｄＢ以下となり良好な値となった。

なお、図１０より、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）を変化させた場合（黒塗りの点）の近似直線１は、基準面の表面粗さ（ＲａＳ）を変化させた場合（白抜きの点）の近似直線２と比較して、傾きが大きいことが確認できる。すなわち、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）を変化させた場合のほうが、基準面の表面粗さ（ＲａＳ）を変化させた場合と比較して、ＴＨＤの改善効果が大きい
ことが確認された。したがって、本実施例においては、ＲａＧ＞ＲａＳである実施例の試料２〜１１においても良好な結果が得られており、ＲａＧ＞ＲａＳとしても、本発明の目的を達成することは可能であるが、上記の結果を考慮すると、ＲａＧ≦ＲａＳとすることが、より好ましい。

なお、この理由については必ずしも明らかではないが、ＥＰ型の磁心においては、突き合わせ面を有する外脚部より、ギャップが形成されている中脚部の方が磁束が集中するためであると考えられる。

実施例３
ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）をＲａＧ＝０．５００μｍと一定にした以外は、実施例２と同様に磁心を作製し、その磁心を用いてトランス試料を作製し、ＴＨＤの測定を行った。また、本実施例においても、実施例１、２と同様に各トランスを構成する磁心の各基準面（合計３面）の表面粗さ（ＲａＳ）は、同じとした。

表３に、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）が、ＲａＧ＝０．２４０μｍまたは、ＲａＧ＝０．５００μｍであり、基準面の表面粗さ（ＲａＳ）の異なるトランス試料３，２１，２５〜２８のギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）、基準面の表面粗さ（ＲａＳ）およびＴＨＤの測定結果を示した。

表３より、基準面の表面粗さ（ＲａＳ）が、ＲａＳ＝０．１００μｍと同じであり、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）が異なる試料３，２６は、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）が小さい試料３の方が、ＴＨＤが小さい値となった。また、試料２１と２７、試料２５と２８においても同様の結果となった。

また、試料２１は、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）がＲａＧ＝０．２４０μｍであるため、基準面の表面粗さ（ＲａＳ）がＲａＳ＝０．６５０μｍであるにもかかわらず、基準面の表面粗さ（ＲａＳ）がＲａＳ＝０．１００である試料２６と同程度のＴＨＤとすることができた。

つまり、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）を小さくすることにより、基準面の表面粗さ（ＲａＳ）を高精度（たとえばＲａＳ＝０．１００以下）とすることなく、高精度とした場合と同程度のＴＨＤを得ることが可能であるということが確認できた。また、試料２５と２７についても同様の傾向がみられた。

さらに、この傾向は、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）がＲａＧ＝０．２４０μｍである試料とＲａＧ＝０．５００μｍである試料の基準面の表面粗さ（ＲａＳ）とＴＨＤとの関係をグラフ化した図１１からもこの傾向は、明らかである。つまり、図１１より、たとえば、ＴＨＤの値を−９０以下としたい場合においては、ＲａＧ＝０．５００μｍである場合には、ＲａＳ＝０．１μｍ程度にする必要があるが、ＲａＧ＝０．２４０μｍである場合には、ＲａＳ＝０．５μｍ程度でも十分達成することが可能であるということがわかる。

実施例４
ギャップ形成面を有するＥＰ型磁心を作製する際に、以下の条件でギャップ形成面の加工を行ったこと以外は、実施例１と同様の条件で磁心を作製し、その磁心を用いてトランス試料を作製し、ＴＨＤの測定を行った。

ギャップ形成面の加工は、実施例１と同様にＭＧＬ加工により行ったが、ＭＧＬ加工する際に使用する研削砥石の研磨砥粒の粒度をそれぞれ＃２００、＃３００、＃４００、＃６００、＃８００と変化させ、それ以外の加工条件を一定とすることにより行った。なお、基準面の表面粗さ（ＲａＳ）は、ＲａＳ＝０．１００μｍとし、本実施例においても、実施例１と同様に各トランスを構成する磁心の各基準面（合計３面）の表面粗さ（ＲａＳ）は、同じとした。

表４に研磨砥粒の粒度を変化させた試料２９〜３３の研磨砥石の粒度、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）、基準面の表面粗さ（ＲａＳ）およびＴＨＤの測定結果を示した。

表４より、使用する研磨砥石の粒度を細かくすると、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）が小さくなり、ＴＨＤも小さくなることが確認できた。特に、粒度を＃４００、＃６００、＃８００とした試料は、ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）がＲａＧ＝０．７００以下、ＴＨＤが−８８．５ｄＢ以下となり良好な結果となった。

図１（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施形態に係るギャップ形成面を有するＥＰ型磁心の斜視図および正面図、図１（ｃ）、（ｄ）はギャップ形成面を有しないＥＰ型磁心の斜視図および正面図である。 図２（ａ）、（ｂ）はギャップ形成面を有するＥＰ型磁心とギャップ形成面を有しないＥＰ型磁心を突き合わせ面で組み合わせる前後の状態を示す正面図である。 図３は本発明の実施形態に係るトランス用磁心のギャップ形成面の加工方法の例を示す図である。 図４は本発明の実施形態に係るトランス用磁心のギャップ形成面の加工方法の例を示す図である。 図５（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施形態に係るトランス用磁心の例を示す図である。 図６は本発明の実施形態に係るトランス用磁心の基準面およびギャップ形成面の加工方法の例を示す図である。 図７は本発明の実施形態に係るトランス用磁心の基準面およびギャップ形成面の加工方法の例を示す図である。 図８（ａ）、（ｂ）は本発明の実施例において作製したＥＰ型磁心の寸法を説明するための図である。 図９は本発明の実施例においてＴＨＤ測定を行った回路図である。 図１０は本発明の実施例におけるギャップ形成面および基準面の表面粗さとＴＨＤとの関係を示すグラフである。 図１１は本発明の実施例における基準面の表面粗さとＴＨＤとの関係を示すグラフである。

符号の説明

１… トランス用磁心
１１… ギャップ形成面を有するＥＰ型磁心
１２… ギャップ形成面を有しないＥＰ型磁心
１３… Ｅ型の磁心
１３１… 中脚部
１３２… 外脚部
２… 中脚部
２１… ギャップ形成面
２２… 基準面
３… 外脚部
３１… 基準面
４… 底板
５，６… 研削砥石
７… 研削台
８ａ，８ｂ… 研削砥石
９… マグネットチャック

Claims (13)

1. インダクタンス調整用のギャップを有するトランス用磁心であって、前記ギャップを構成するギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）が、ＲａＧ≦０．７０μｍであることを特徴とするトランス用磁心。
2. 基準面とギャップ形成面とを有し、前記基準面と前記ギャップ形成面との高さの差であるギャップを有する分割型のトランス用磁心であって、前記ギャップを構成するギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）が、ＲａＧ≦０．７０μｍであることを特徴とするトランス用磁心。
3. 前記ギャップを構成するギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）が、ＲａＧ≦０．４５μｍである請求項１または２に記載のトランス用磁心。
4. 前記ギャップを構成するギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）が、ＲａＧ≧０．００５μｍである請求項１〜３のいずれかに記載のトランス用磁心。
5. 前記基準面の表面粗さ（ＲａＳ）が、０．００５μｍ≦ＲａＳ≦１．０μｍである請求項２〜４のいずれかに記載のトランス用磁心。
6. 前記ギャップ形成面の表面粗さ（ＲａＧ）と前記基準面の表面粗さ（ＲａＳ）との関係が、ＲａＧ≦ＲａＳの関係である請求項２〜４のいずれかに記載のトランス用磁心。
7. 前記トランス用磁心が、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトで構成されている請求項１〜６のいずれかに記載のトランス用磁心。
8. 前記Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトが、酸化鉄をＦｅ_２Ｏ_３換算で５１．０〜５５．０ｍｏｌ％、酸化マンガンをＭｎＯ換算で２０．０〜３０．０ｍｏｌ％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で１８．０〜２５．０ｍｏｌ％含有する請求項７に記載のトランス用磁心。
9. 請求項１〜８のいずれかに記載のトランス用磁心の周囲にコイルを巻回してあるトランス。
10. 請求項１〜８のいずれかに記載のトランス用磁心と、前記トランス用磁心に組み合わされる他のトランス用磁心とを有し、組み合わされたトランス用磁心の周囲にコイルが巻回してあるトランス。
11. 前記トランスが、通信用の伝送トランスである請求項９または１０に記載のトランス。
12. 請求項１〜８のいずれか記載のトランス用磁心の製造方法であって、前記ギャップを構成するギャップ形成面を研磨砥粒の粒度が＃４００〜＃８０００（ＪＩＳ−Ｒ６００１）である研削砥石を使用して研磨することを特徴とするトランス用磁心の製造方法。
13. 前記研削砥石として、研磨砥粒の粒度が＃６００〜＃８０００（ＪＩＳ−Ｒ６００１）である研削砥石を使用することを特徴とする請求項１２に記載のトランス用磁心の製造方法。

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