JP2005120411A - クラスター製造装置およびクラスター製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明によって提供されるクラスター製造装置(10)は、内部が減圧可能なケーシング(12)と、前記ケーシング内においてターゲットを保持するターゲット保持手段(3A,3B)と、前記ターゲット保持手段により保持されたターゲット近傍にプラズマ源ガスを前記ケーシング内の他の空間よりも高濃度に供給するプラズマ源ガス供給手段(22,22A)と、前記ケーシング内に供給されたプラズマ源ガスをプラズマ状態にするプラズマ発生手段(27A,27B)とを備えるクラスター発生部(20)、および、前記クラスター発生部において発生したクラスターをキャリアガスとともに移送するクラスター流路(36)を備えるクラスター成長部(30)を有する。
【選択図】 図1
Description
ここで「プラズマ状態のガス」とは、当該ガス分子の少なくとも一部が放電等により励起分子、ラジカル、イオン等の形態で存在している状態であることをいう。
また、「クラスター」とは、複数の原子、イオン等が凝集して成る集合物をいい、個々のクラスターの形状や質量を限定するものではない。例えば、粒径が50nm程度又はそれ以下の金属微粒子はここでいうクラスターに包含される典型例である。
また、好ましくは、前記クラスター発生部は、前記ターゲット保持手段により保持されたターゲットに磁場を与える磁場発生手段を備える。ターゲット(典型的には金属材料)に磁場を与えることにより、ターゲット表面の磁場強度を向上し、ターゲット周囲のプラズマ密度(例えばイオン化したガス分子密度)を上げることができる。このため、より高効率(高速)にスパッタリングを行うことができる。また、ターゲットが磁性材であっても、安定したスパッタリングが可能となる。
前記磁場発生手段としては永久磁石が好ましい。永久磁石により、容易かつ効果的にターゲットに磁場を与えることができる。
スパッタリングで生じた蒸気(ターゲット由来の気化原子)は、凝縮してクラスターを形成する。ここで開示される装置によれば、効率的に高濃度に蒸気(気化原子)を発生させ得るとともに、ターゲット近傍以外のケーシング内においてはプラズマ化されたガスの濃度が低い。このため、プラズマ化されたガスによるクラスターの形成阻害が低減され、効率よくナノサイズのクラスターを生成することができる。
好ましくは、前記クラスター成長部は、クラスターを加熱するクラスター加熱手段を備える。この構成によれば、クラスター加熱手段によりクラスターにエネルギーを与え、そのサイズ(平均粒径)を制御し得る。即ち本構成の装置では、所望するサイズ(粒径)のクラスターを得ることが容易となる。
ここで開示されるクラスター製造方法によると、ターゲットの近傍に局所的に高濃度のプラズマ源ガスを供給することにより、プラズマ源ガスの利用効率が向上し得る。また、プラズマ化したガスがターゲット(典型的には金属材料)近傍において高濃度で存在するため、プラズマ化したガスを高確率(高頻度)にターゲットに衝突させ得、スパッタリングを効率よく行うことができる。好ましくは、前記ターゲットに磁場を与える工程をさらに包含する。
本発明のクラスター製造方法は、ここで開示されるクラスター製造装置を用いて好適に実施することができる。
本発明の具体的な実施形態に係るクラスター製造装置10について図面を参照して説明する。図1は本実施形態に係るクラスター製造装置10の構成の概略を模式的に示すブロック図である。本装置10は、大まかにいって、内部が減圧可能なケーシング12,42と、クラスター発生部20及びクラスター成長部30(以下、これらをまとめてクラスター製造部50という場合がある。)と、クラスター堆積部40とから構成されている。
本実施形態に係るプラズマ発生手段は、電極間に適当な電圧を印加することによって、カソード27A,27B周辺において好適なグロー放電を形成することができる。また、永久磁石4A,4Bにより金属材料2A,2Bの周囲、例えば金属材料2A,2B間の中央部2Cにおける磁場の強さを調整可能としている。
特に限定しないが、好ましい一実施形態として、反応性ガス供給管38に供給されるガス流量が0.1〜10sccmであって、クラスター流路36の長さLが50〜200mmである場合に、毛細管38Aの直径dmmと、その長さLmmとの比L/dは、好ましくは100≦L/d≦300、特に150≦L/d≦250となるように設定するとよい。この範囲内であると、クラスター流路36に反応性ガスを均一に拡散させることができ、クラスターが反応性ガスに衝突する割合を向上させることができる。また、反応性ガス供給管38から供給されるガスを、クラスターを堆積部40に移送するキャリアガスとして利用することができる。換言すれば、所定のガス圧で前記反応性ガス供給管38から所望の反応性ガスをクラスター流路36に供給することによって、クラスター流路36を流れるクラスターの表面を改変しつつ(例えば酸化被膜の形成)、当該クラスターを迅速にクラスター堆積部40方向に移送することができる。
また、図7にその構成の概略を模式的に示すクラスター製造装置100のように、一つのクラスター堆積部40に対して、図1に示した構成のクラスター発生部20、20’とクラスター成長部30,30’とから成るクラスター発生部50,50’を複数連通するように設けてもよい(図7では2つであるがこれに限られない。)。この構成の装置100では、金属材料の材質を相互に異ならせる等によって複数のクラスター発生部50,50’においてそれぞれ異なる性状のクラスターを発生させ得る。そして2種若しくはそれ以上の性状の異なるクラスターを同時に一つのクラスター堆積部40に導入することができる。この結果、当該一つのクラスター堆積部40において2種若しくはそれ以上のクラスターから成るクラスター集合体(典型的には薄膜)を基材上に堆積することが容易に実現できる。
なお、使用する金属材料は、クラスター源として金属蒸気を発生させ得るものであれば特に制限はない。例えば、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)又はこれらの合金(例えばFeとCo又はFeとNiの合金)から成る金属材料が好ましい。或いは、合金クラスターを生成する場合、2種類以上の金属材料を使用することが好ましい。例えば金属材料として、Feと、Co及び/又はNiとを使用し、Fe蒸気とCo蒸気及び/又はNi蒸気とを発生させ、それら蒸気よりFeとCoの合金クラスター、FeとNiと合金クラスター又はFeとCoとNiの合金クラスターを生成することができる。
使用する材料の形状は特に限定されず、金属蒸気を発生させる態様や使用する装置に応じて適宜異なり得る。例えば、板状や円盤状の金属材料を用いることができる。
例えば、ターゲット保持部3A,3Bに、直径80〜100mm、厚さ5〜10mm程度の円盤形状ターゲット2A,2Bをそれぞれ配置する。
複数のカソード27A,27Bのターゲット保持部3A,3Bに、それぞれ、異なる金属種のターゲットを配置し、スパッタリングすることによって、それら金属種から成る合金クラスターを生成することができる。例えば、対向する一方のカソード27Aのターゲット保持部3AにFeを配置し、他方のカソード27Bのターゲット保持部3BにCoを配置する。これにより、Fe蒸気とCo蒸気とを発生させ、これら金属蒸気から成るFe−Co合金クラスターを得ることができる。
次いで、成長室30のバルブ35A,35Bを開け、外部の真空ポンプを作動させるとともに前記バルブ24を閉める。これにより、ガス導入管22からクラスター発生部20に導入されたプラズマ源ガスは金属材料2A,2B間にシート状に拡散して集中的に、即ち高濃度で金属材料2A,2B周囲に存在する。そして、成長室30へと所定の流速(流量)で流動し得る。好ましくは、クラスター発生部20内における平均プラズマ源ガス圧がおよそ1×10−2〜1×103Pa程度となるようにプラズマ源ガス供給量及び真空ポンプの仕事量を調整する。
クラスターを加熱することによって、クラスターの成長速度、延いては最終的なクラスターのサイズを調整することができる。このようにして、典型的には単分散性の比較的粒径の小さいナノレベルのクラスターを生成させることができる。生成(粒成長を含む。以下同じ。)されるクラスターのサイズ(即ち金属蒸気の集合化の程度)は、クラスター流路36の長さ、クラスター生成空間のガス圧、金属蒸気の発生量等を制御することによって適宜調整することができる。例えば平均粒径(典型的には顕微鏡観察に基づく粒径)1〜50nm、好ましくは2nm〜30nm、より好ましくは3〜20nm、特に好ましくは5nm〜15nmのクラスターを効率よく生成することができる。このような粒径範囲のクラスター(典型的には前記いずれかの粒径範囲内に平均粒径の値が含まれる単分散系クラスター)を使用することにより、クラスターの崩壊を防止するとともに充填率の向上した緻密な金属薄膜を製造することができる。
例えば、適当な温度条件下(好ましくは酸化は常温又は高温域、窒化及び炭化は高温域で行う)、ケーシング及びクラスター流路内の減圧状態(例えば10−4〜10−1Pa程度)を維持しつつ酸素(O2)ガス、アンモニア(NH3)ガス、炭化水素(HC)ガス等を反応性ガス供給管38から導入する。これにより、クラスター表面の金属原子と導入ガス種とが反応し、結果、反応生成物である酸化物,窒化物,炭化物等の化合物でクラスター表面が被覆された状態となる。
また、カーボン、異種金属、半導体等でクラスターの表面を修飾する場合には、クラスター堆積部40に別のスパッタリング装置を付設し、所定の材料(ターゲット)をスパッタリングし、得られたカーボン、異種金属、半導体等の蒸気をクラスターと反応させてもよい。このことによって、クラスター表面をカーボン、異種金属、半導体等によって被覆することができる。なお、これら材料をスパッタリングする方法は、従来公知の方法でよい。例えば高周波電源を備えたプラズマ発生装置を使用してスパッタリングを行うことができる。さらに、図7に示すようにクラスター発生部50,50’を複数設けた場合には、性状の異なる2種以上のクラスターから成る複合クラスター集合体(堆積物)を基材に堆積させることができる。
基材としては、用途に応じて適宜その材料を選択することができる。例えば、シリコン基板、金属基板、セラミック基板、ガラス基板等を用いることができる。基材は、ホルダー41の位置変更手段49を作動させてクラスター供給方向(クラスター流路36)に対して相対位置を移動させる。このことによって、基材におけるクラスターの衝突位置を変化させることができる。この結果、基材上に全体に亘って均質で緻密なクラスター堆積層(典型的には薄膜状にクラスターが堆積して成る軟磁性材料)を形成することができる。
以下に説明する実施例によって、本発明を更に詳細に説明するが、本発明をかかる実施例に示すものに限定することを意図したものではない。
次いで、ターゲットから金属蒸気を発生させるためのスパッタリングを以下のように行った。すなわち、成長部30のバルブ35A,35Bを開け、図示しないポンプ(排気管35A,35Bに接続した複合分子ポンプ)を作動してクラスター発生部20、クラスター成長部30、及びクラスター堆積部40内の前記減圧状態を維持しつつ、ガス導入管22から毛細管22Aを介してArガスを350sccmの流量でプラズマ発生部20のターゲット2A,2B近傍に導入した。この状態で直流電源28から350W程度の電力を投入し、電極27A,27Bに−200Vの直流高電圧を印加した。これにより生じたグロー放電によって電極26A,26B,27A,27B周囲をプラズマ状態とし、ターゲット2A,2Bから金属蒸気を発生させた。金属蒸気はガス流とともに成長部30へと搬送され、その過程において金属蒸気原子はAr及びHe(キャリアガス)と衝突してエネルギーを失い、相互に凝集して単分散系のクラスターが生成された。生成したクラスターはキャリアガス(Ar/He混合ガス)とともに約10m/sの流速でビーム状にスキマー33の開口部33Aからクラスター堆積部40に噴出させた。
本実施例では、ホルダー41に表面がポリイミド膜(カプトン(登録商標)膜)でコートされた各辺30mmの矩形状ガラス基板をセットし、そのポリイミド膜上にクラスターを堆積させた。堆積時間は5分間とした。膜厚計43により堆積速度を測定したところ、約4Å/分であった。5分間の堆積時間終了後、基板表面のクラスター堆積状況を電子顕微鏡(TEM)により観察した。図8の(A)はノズル31A及びスキマー開口部32A,33Aの長軸方向と交差する基板部分(即ちクラスタービーム進行方向と対面する部分)の表面を示すTEM写真であり、図8の(B)は該部分から基板面方向に20mm移動した部分の表面を示すTEM写真である。これらTEM像から明らかなように、本クラスター製造装置10によると、効率よく所望する粒径のクラスターを基材(基板)表面に堆積させることができる。
Claims (12)
- ターゲットをスパッタリングして得た蒸気からクラスターを製造するクラスター製造装置であって:
内部が減圧可能なケーシングと、前記ケーシング内においてターゲットを保持するターゲット保持手段と、前記ターゲット保持手段により保持されたターゲット近傍にプラズマ源ガスを前記ケーシング内の他の空間よりも高濃度に供給するプラズマ源ガス供給手段と、前記ケーシング内に供給されたプラズマ源ガスをプラズマ状態にするプラズマ発生手段とを備えるクラスター発生部;および
前記クラスター発生部において発生したクラスターをキャリアガスとともに移送するクラスター流路を備えるクラスター成長部;
を有するクラスター製造装置。 - 前記プラズマ源ガス供給手段は、前記ターゲット保持手段により保持されたターゲット近傍に配置される複数のガス供給用毛細管を有する、請求項1に記載の装置。
- 前記複数のガス供給用毛細管は、各毛細管から供給されたプラズマ源ガスから成るシート状気流が前記ターゲット近傍に形成されるように設けられている、請求項2に記載の装置。
- 前記毛細管は、その径dmmと長さLmmとの比L/dが、100≦L/d≦500となるように形成されている、請求項2又は3に記載の装置。
- 前記ターゲット保持手段として、プラズマ源ガスを導入し得るスペースを挟んでターゲットを対向して配置可能な少なくとも一対の対向するターゲット保持部を有しており、
ここで該対向するターゲット保持部は、該保持部の対向面にそれぞれ配置されるターゲットにおけるプラズマ源ガス進行方向に沿う径Dmm又は長さWmmと、該対向するターゲット間の距離Tmmとの比D/T又はW/Tが、3≦(D又はW)/T≦15となるように形成されている、請求項1〜4のいずれかに記載の装置。 - 前記クラスター発生部は、前記ターゲット保持手段により保持されたターゲットに磁場を与える磁場発生手段を備える、請求項1〜5のいずれかに記載の装置。
- 前記クラスター成長部は、クラスターを加熱するクラスター加熱手段を備える、請求項1〜6のいずれかに記載の装置。
- 前記クラスター成長部は、クラスターに反応性ガスを供給する反応性ガス供給手段を備える、請求項1〜7のいずれかに記載の装置。
- 前記反応性ガス供給手段は複数の反応性ガス供給口を有し、各ガス供給口から供給された反応性ガスから成るシート状気流が前記クラスター流路の少なくとも一部において形成されるように設けられている、請求項8に記載の装置。
- 前記クラスター流路に連通する基材配置部を備え、該配置部に配置された基材に対して前記クラスター流路から供給されたクラスターを堆積させるクラスター堆積部をさらに有する、請求項1〜9のいずれかに記載の装置。
- 一つのクラスター堆積部に連通する複数の前記クラスター発生部及びクラスター成長部を有する、請求項10に記載の装置。
- 減圧可能な容器内にターゲットを配置する工程と、
前記容器内を減圧する工程と、
前記ターゲット近傍にプラズマ源ガスを前記容器内の他の空間よりも高濃度に供給する工程と、
該供給されたプラズマ源ガスをプラズマ状態にする工程と、
該プラズマ状態となったガスにより前記ターゲットから蒸気を発生させる工程と、
該蒸気からクラスターを生成する工程と、
を包含するクラスター製造方法。
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