JP2000087226A - クラスタ生成装置 - Google Patents
クラスタ生成装置Info
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- JP2000087226A JP2000087226A JP25249598A JP25249598A JP2000087226A JP 2000087226 A JP2000087226 A JP 2000087226A JP 25249598 A JP25249598 A JP 25249598A JP 25249598 A JP25249598 A JP 25249598A JP 2000087226 A JP2000087226 A JP 2000087226A
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- carrier gas
- sputtering
- gas
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 数ｎｍオーダーの超微粒子を長時間にわたっ
て安定条件下で作製する。 【構成】 円筒状のターゲットＴを内挿したターゲット
ホルダ１０を、絶縁部材２１〜２４を介して真空フラン
ジ３１とカップリング３２との間に狭持する。カップリ
ング３２の導入孔３３からスパッタガスＧを送り込み、
ターゲットＴに放電電圧を印加してスパッタ蒸気を発生
させる。ターゲットＴ出側では、同心円状に設けられた
多数の噴出孔３７からキャリアガスＣがターゲットＴに
向けて噴射される。生成したスパッタ蒸気は、キャリア
ガスＣで絞られ、ジェット状の流れとなって蒸着域に移
送される。
て安定条件下で作製する。 【構成】 円筒状のターゲットＴを内挿したターゲット
ホルダ１０を、絶縁部材２１〜２４を介して真空フラン
ジ３１とカップリング３２との間に狭持する。カップリ
ング３２の導入孔３３からスパッタガスＧを送り込み、
ターゲットＴに放電電圧を印加してスパッタ蒸気を発生
させる。ターゲットＴ出側では、同心円状に設けられた
多数の噴出孔３７からキャリアガスＣがターゲットＴに
向けて噴射される。生成したスパッタ蒸気は、キャリア
ガスＣで絞られ、ジェット状の流れとなって蒸着域に移
送される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属，半導体，酸化物
等の各種材料をスパッタリングしてクラスタを生成する
装置に関する。
等の各種材料をスパッタリングしてクラスタを生成する
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜製造では、原子状の蒸気を基板に堆
積させるスパッタリング法，真空蒸着法等が主流である
が、粒径数ｎｍ程度の超微粒子（以下、クラスタとい
う）を堆積させる方法も一部で実施されている。超微粒
子堆積膜の作製に際しては、得られる薄膜の性能を高め
且つ使用目的に合ったものとするために、可能な限り粒
径が揃ったクラスタを生成させること、及びクラスタを
安定条件下で基板表面に均一に堆積させることが重要で
ある。クラスタの生成には、ガス中の凝集法が採用され
ている。ガス中の凝集法では、抵抗加熱蒸発源，アーク
放電蒸発源，スパッタリング蒸発源等を用いて原材料か
ら蒸気を発生させている。発生した蒸気は、１０2 Ｐａ
以上のガス中で凝縮させることにより、粒径数ｎｍのク
ラスタになる。しかし、抵抗加熱蒸発源，アーク放電蒸
発源を用いる方法では、数ｎｍオーダーで揃った粒径を
もつクラスタを作製することが困難であり、得られたク
ラスタの粒径分布も大きく広がっている。これに対し、
スパッタリング法は、粒径数ｎｍ程度のクラスタが容易
に得られ、しかも粒径分布がかなり狭くなっている。一
般的には、平板のターゲットを用い、１０2 Ｐａ以上の
雰囲気中でスパッタリングすることによりクラスタを生
成している。
積させるスパッタリング法，真空蒸着法等が主流である
が、粒径数ｎｍ程度の超微粒子（以下、クラスタとい
う）を堆積させる方法も一部で実施されている。超微粒
子堆積膜の作製に際しては、得られる薄膜の性能を高め
且つ使用目的に合ったものとするために、可能な限り粒
径が揃ったクラスタを生成させること、及びクラスタを
安定条件下で基板表面に均一に堆積させることが重要で
ある。クラスタの生成には、ガス中の凝集法が採用され
ている。ガス中の凝集法では、抵抗加熱蒸発源，アーク
放電蒸発源，スパッタリング蒸発源等を用いて原材料か
ら蒸気を発生させている。発生した蒸気は、１０2 Ｐａ
以上のガス中で凝縮させることにより、粒径数ｎｍのク
ラスタになる。しかし、抵抗加熱蒸発源，アーク放電蒸
発源を用いる方法では、数ｎｍオーダーで揃った粒径を
もつクラスタを作製することが困難であり、得られたク
ラスタの粒径分布も大きく広がっている。これに対し、
スパッタリング法は、粒径数ｎｍ程度のクラスタが容易
に得られ、しかも粒径分布がかなり狭くなっている。一
般的には、平板のターゲットを用い、１０2 Ｐａ以上の
雰囲気中でスパッタリングすることによりクラスタを生
成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】１０2 Ｐａ以上の雰囲
気中では、粒子の自由工程は０．１ｍｍ程度と非常に短
い。そのため、スパッタリングにより平板のターゲット
から放出された蒸気は、逆拡散し、大半がターゲット表
面に再付着する。そのため、結果として生成する粒子数
が少なく、しかもターゲットから基板まで効率よく粒子
を移送できない。他方、装置の内壁に析出した粒子は、
薄膜に有効消費される割合を低下させるばかりでなく、
装置自体に運転上のトラブルを誘発させる原因にもな
る。粒子を蒸着域まで移送するため、雰囲気ガスの強制
流を利用したガスフロー法も一部で採用されている。ガ
スフロー法では、ターゲットに放電電圧を印加してスパ
ッタ蒸気を発生させている領域にスパッタガスを送り込
み、生成したスパッタ蒸気をスパッタガスで蒸気発生領
域から放出させている。しかし、ガスフロー法でも、依
然としてスパッタ蒸気の発生が不安定である。
気中では、粒子の自由工程は０．１ｍｍ程度と非常に短
い。そのため、スパッタリングにより平板のターゲット
から放出された蒸気は、逆拡散し、大半がターゲット表
面に再付着する。そのため、結果として生成する粒子数
が少なく、しかもターゲットから基板まで効率よく粒子
を移送できない。他方、装置の内壁に析出した粒子は、
薄膜に有効消費される割合を低下させるばかりでなく、
装置自体に運転上のトラブルを誘発させる原因にもな
る。粒子を蒸着域まで移送するため、雰囲気ガスの強制
流を利用したガスフロー法も一部で採用されている。ガ
スフロー法では、ターゲットに放電電圧を印加してスパ
ッタ蒸気を発生させている領域にスパッタガスを送り込
み、生成したスパッタ蒸気をスパッタガスで蒸気発生領
域から放出させている。しかし、ガスフロー法でも、依
然としてスパッタ蒸気の発生が不安定である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような問
題を解消すべく案出されたものであり、ガスフロー法で
生成したスパッタ蒸気に指向性を与えて蒸着域に移送す
ることにより、スパッタ蒸気を効率よく蒸着に消費し、
安定条件下でスパッタリングを継続することを目的とす
る。本発明のクラスタ生成装置は、その目的を達成する
ため、円筒状のターゲットが内挿されたターゲットホル
ダと、絶縁部材を介してターゲットホルダに押圧され、
スパッタガス導入孔が形成されているカップリングと、
ターゲット出側で絶縁部材を介してターゲットホルダに
押圧された真空フランジと、真空フランジに一体化さ
れ、ターゲットに向けてキャリアガスを吹き付ける噴出
孔が円周方向に等間隔で形成され、ターゲットと同心円
状の開口部をもつカバーとを備え、スパッタ蒸気の拡散
が噴出孔からのキャリアガスによって抑えられ、ジェッ
ト状の流れとして蒸着域に移送されることを特徴とす
る。
題を解消すべく案出されたものであり、ガスフロー法で
生成したスパッタ蒸気に指向性を与えて蒸着域に移送す
ることにより、スパッタ蒸気を効率よく蒸着に消費し、
安定条件下でスパッタリングを継続することを目的とす
る。本発明のクラスタ生成装置は、その目的を達成する
ため、円筒状のターゲットが内挿されたターゲットホル
ダと、絶縁部材を介してターゲットホルダに押圧され、
スパッタガス導入孔が形成されているカップリングと、
ターゲット出側で絶縁部材を介してターゲットホルダに
押圧された真空フランジと、真空フランジに一体化さ
れ、ターゲットに向けてキャリアガスを吹き付ける噴出
孔が円周方向に等間隔で形成され、ターゲットと同心円
状の開口部をもつカバーとを備え、スパッタ蒸気の拡散
が噴出孔からのキャリアガスによって抑えられ、ジェッ
ト状の流れとして蒸着域に移送されることを特徴とす
る。
【０００５】
【実施の形態】本発明に従ったクラスタ生成装置は、た
とえば図１に示すように円筒状のターゲットホルダ１０
を使用している。ターゲットホルダ１０の管壁に空洞部
１１が形成されており、空洞部１１は給水口１２，排水
口１３を介して冷却水源（図示せず）に接続されてい
る。ターゲットホルダ１０は、スパッタリングで発生し
たスパッタ蒸気をジェット状の流れに載せて効率よく蒸
着域に移送するため、５〜１０ｍｍの内径，４０〜５０
ｍｍの長さをもつものが好ましい。ターゲットホルダ１
０は、絶縁部材２１，２２を介して真空フランジ３１と
カップリング３２との間に狭持されている。ターゲット
ホルダ１０の側面に、更に第２の絶縁部材２３，２４が
配置されている。第２の絶縁部材２３，２４は、第１の
絶縁部材２１，２２と正確に噛み合っており、真空フラ
ンジ３１とカップリング３２との間でターゲットホルダ
１０を完全に絶縁している。
とえば図１に示すように円筒状のターゲットホルダ１０
を使用している。ターゲットホルダ１０の管壁に空洞部
１１が形成されており、空洞部１１は給水口１２，排水
口１３を介して冷却水源（図示せず）に接続されてい
る。ターゲットホルダ１０は、スパッタリングで発生し
たスパッタ蒸気をジェット状の流れに載せて効率よく蒸
着域に移送するため、５〜１０ｍｍの内径，４０〜５０
ｍｍの長さをもつものが好ましい。ターゲットホルダ１
０は、絶縁部材２１，２２を介して真空フランジ３１と
カップリング３２との間に狭持されている。ターゲット
ホルダ１０の側面に、更に第２の絶縁部材２３，２４が
配置されている。第２の絶縁部材２３，２４は、第１の
絶縁部材２１，２２と正確に噛み合っており、真空フラ
ンジ３１とカップリング３２との間でターゲットホルダ
１０を完全に絶縁している。
【０００６】ターゲットホルダ１０の内周面に、円筒状
のターゲットＴが取り付けられる。ターゲットＴは、タ
ーゲットホルダ１０との導通を図るために、たとえば厚
さ０．２ｍｍ程度のアルミ箔を周囲に巻き付けた状態で
ターゲットホルダ１０に密着させて挿入することが好ま
しい。ターゲットＴとしては、ターゲットホルダ１０の
内径に合致した外径をもつ限り、種々の内径をもつもの
が使用できる。カップリング３２には、スパッタガスＧ
の導入孔３３が形成されている。ターゲット出側には、
真空フランジ３１に一体化されたカバー３５が配置され
ている。カバー３５は、ターゲットＴを中心とする同心
円状の開口部３６をもち、開口部３６の周縁にキャリア
ガス吹込み用の小径の噴出孔３７が円周方向等間隔で設
けられている。なお、装置内部の真空を維持するため、
ターゲットホルダ１０，真空フランジ３１，カップリン
グ３２の間には、Ｏリング（図示せず）を介装してい
る。
のターゲットＴが取り付けられる。ターゲットＴは、タ
ーゲットホルダ１０との導通を図るために、たとえば厚
さ０．２ｍｍ程度のアルミ箔を周囲に巻き付けた状態で
ターゲットホルダ１０に密着させて挿入することが好ま
しい。ターゲットＴとしては、ターゲットホルダ１０の
内径に合致した外径をもつ限り、種々の内径をもつもの
が使用できる。カップリング３２には、スパッタガスＧ
の導入孔３３が形成されている。ターゲット出側には、
真空フランジ３１に一体化されたカバー３５が配置され
ている。カバー３５は、ターゲットＴを中心とする同心
円状の開口部３６をもち、開口部３６の周縁にキャリア
ガス吹込み用の小径の噴出孔３７が円周方向等間隔で設
けられている。なお、装置内部の真空を維持するため、
ターゲットホルダ１０，真空フランジ３１，カップリン
グ３２の間には、Ｏリング（図示せず）を介装してい
る。
【０００７】スパッタリングに際しては、装置内部を１
００Ｐａ程度の真空雰囲気にした後、ターゲットホルダ
１０に放電電圧を印加する。これにより、ターゲットＴ
の内面がスパッタリングされる。スパッタリングにより
生成した蒸気は、ガス導入孔３３からのスパッタガスＧ
によって外部に放出される。スパッタリング時、放電に
よってターゲットＴが加熱されるが、加熱によって膨張
したターゲットＴは、水冷されているターゲットホルダ
１０に密着するためターゲットＴの融点よりも十分低い
温度に維持される。しかも、ターゲットホルダ１０との
電気的接触が十分に図られる。そのため、安定条件下で
の長時間運転が可能になる。ターゲットＴから放出され
たスパッタ蒸気は、噴出孔３７からターゲットＴに向け
て吹き付けられるキャリアガスＣにより拡散が抑制され
る。その結果、スパッタ蒸気を含む全ガス流は、ターゲ
ット軸方向に沿ったジェット状の流れとして送り出され
る。スパッタ蒸気は、ガス流がジェット状の流れとなっ
て開口部３６を経て輸送される過程で凝縮し、クラスタ
状の超微粒子になる。しかも、キャリアガスＣにより拡
散が抑えられているので、効率よく蒸着域まで移送され
る。
００Ｐａ程度の真空雰囲気にした後、ターゲットホルダ
１０に放電電圧を印加する。これにより、ターゲットＴ
の内面がスパッタリングされる。スパッタリングにより
生成した蒸気は、ガス導入孔３３からのスパッタガスＧ
によって外部に放出される。スパッタリング時、放電に
よってターゲットＴが加熱されるが、加熱によって膨張
したターゲットＴは、水冷されているターゲットホルダ
１０に密着するためターゲットＴの融点よりも十分低い
温度に維持される。しかも、ターゲットホルダ１０との
電気的接触が十分に図られる。そのため、安定条件下で
の長時間運転が可能になる。ターゲットＴから放出され
たスパッタ蒸気は、噴出孔３７からターゲットＴに向け
て吹き付けられるキャリアガスＣにより拡散が抑制され
る。その結果、スパッタ蒸気を含む全ガス流は、ターゲ
ット軸方向に沿ったジェット状の流れとして送り出され
る。スパッタ蒸気は、ガス流がジェット状の流れとなっ
て開口部３６を経て輸送される過程で凝縮し、クラスタ
状の超微粒子になる。しかも、キャリアガスＣにより拡
散が抑えられているので、効率よく蒸着域まで移送され
る。
【０００８】
【実施例】ターゲットホルダ１０に内径７ｍｍ，長さ４
０ｍｍの純鉄ターゲットＴを装着した装置を使用し、鉄
クラスタを作製した。スパッタガスＧとしてＡｒを流量
２００ＳＣＣＭでガス導入孔３３から送り込み、３００
Ｖ，１．５Ａの放電電力をターゲットＴに投入した。こ
のとき、ターゲットＴの内部空間が約３００Ｐａになる
ように雰囲気圧を調節した。噴出孔３７からキャリアガ
スＣとして流量７５０ＳＣＣＭでＨｅガスをターゲット
Ｔに吹き付け、発生したスパッタ蒸気をジェット状の流
れに載せてターゲットＴから放出し、開口部３６を経て
基板（図示せず）上に導き蒸着させた。基板上に形成さ
れた蒸着膜を電子顕微鏡で観察したところ、図２に示す
ような粒径分布をもつ超微粒子堆積膜であった。また、
ターゲットＴに投入する放電電流を変え、生成したクラ
スタの粒径に及ぼす放電電流の影響を調査したところ、
図３に示す電流依存性で平均粒径が変化していた。図３
の関係から、放電電流を変更することによりクラスタの
粒径制御が可能なことが判る。他方、超微粒子の堆積速
度は、図４に示すように放電電流の増大に応じて速くな
っていた。図３及び図４の関係から、必要とする粒径及
び生産効率に応じて適正な放電電流が定められる。
０ｍｍの純鉄ターゲットＴを装着した装置を使用し、鉄
クラスタを作製した。スパッタガスＧとしてＡｒを流量
２００ＳＣＣＭでガス導入孔３３から送り込み、３００
Ｖ，１．５Ａの放電電力をターゲットＴに投入した。こ
のとき、ターゲットＴの内部空間が約３００Ｐａになる
ように雰囲気圧を調節した。噴出孔３７からキャリアガ
スＣとして流量７５０ＳＣＣＭでＨｅガスをターゲット
Ｔに吹き付け、発生したスパッタ蒸気をジェット状の流
れに載せてターゲットＴから放出し、開口部３６を経て
基板（図示せず）上に導き蒸着させた。基板上に形成さ
れた蒸着膜を電子顕微鏡で観察したところ、図２に示す
ような粒径分布をもつ超微粒子堆積膜であった。また、
ターゲットＴに投入する放電電流を変え、生成したクラ
スタの粒径に及ぼす放電電流の影響を調査したところ、
図３に示す電流依存性で平均粒径が変化していた。図３
の関係から、放電電流を変更することによりクラスタの
粒径制御が可能なことが判る。他方、超微粒子の堆積速
度は、図４に示すように放電電流の増大に応じて速くな
っていた。図３及び図４の関係から、必要とする粒径及
び生産効率に応じて適正な放電電流が定められる。
【０００９】更に、噴出孔３７からターゲットＴに吹き
付けるキャリアガスＨｅの流量を種々変更し、生成した
クラスタの粒径に及ぼすキャリアガス流量の影響を調査
した。図５の調査結果にみられるように、放電電流１．
５Ａ，１．０Ａ，０．５Ａの何れの場合にあってもキャ
リアガス流量の増加に伴って粒径が大きくなる傾向がみ
られたが、粒径のキャリアガス流量依存性はごく僅かで
あった。他方、クラスタの堆積速度は、図６に示すよう
にキャリアガスの流量を変えることにより大きく変化し
た。図５，図６の関係から、キャリアガスの流量調整に
よりクラスタの粒径及び堆積速度をある程度独立して制
御できることが判る。何れの場合も、スパッタリングで
生成したスパッタ蒸気は、５０原子％以上の高い割合で
超微粒子堆積膜として消費された。また、装置内部にス
パッタ蒸気が蒸着することが大幅に少なくなり、数時間
以上にわたって安定条件下でスパッタ蒸気を蒸着域に送
ることができた。
付けるキャリアガスＨｅの流量を種々変更し、生成した
クラスタの粒径に及ぼすキャリアガス流量の影響を調査
した。図５の調査結果にみられるように、放電電流１．
５Ａ，１．０Ａ，０．５Ａの何れの場合にあってもキャ
リアガス流量の増加に伴って粒径が大きくなる傾向がみ
られたが、粒径のキャリアガス流量依存性はごく僅かで
あった。他方、クラスタの堆積速度は、図６に示すよう
にキャリアガスの流量を変えることにより大きく変化し
た。図５，図６の関係から、キャリアガスの流量調整に
よりクラスタの粒径及び堆積速度をある程度独立して制
御できることが判る。何れの場合も、スパッタリングで
生成したスパッタ蒸気は、５０原子％以上の高い割合で
超微粒子堆積膜として消費された。また、装置内部にス
パッタ蒸気が蒸着することが大幅に少なくなり、数時間
以上にわたって安定条件下でスパッタ蒸気を蒸着域に送
ることができた。
【００１０】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明のクラス
タ生成装置は、円筒状のターゲット内部に発生したスパ
ッタ蒸気をジェット状の流れに載せてターゲット外に放
出し、周囲から吹き付けられるキャリアガスでスパッタ
蒸気の拡散を抑制しながら蒸着域まで移送している。ス
パッタ蒸気は、蒸着域までの移送過程で凝縮し、超微粒
子となって基板上に堆積する。そのため、長期間にわた
って安定条件下でスパッタ蒸気を作製することが可能に
なり、しかもスパッタ蒸気が効率よく堆積膜に消費され
る。
タ生成装置は、円筒状のターゲット内部に発生したスパ
ッタ蒸気をジェット状の流れに載せてターゲット外に放
出し、周囲から吹き付けられるキャリアガスでスパッタ
蒸気の拡散を抑制しながら蒸着域まで移送している。ス
パッタ蒸気は、蒸着域までの移送過程で凝縮し、超微粒
子となって基板上に堆積する。そのため、長期間にわた
って安定条件下でスパッタ蒸気を作製することが可能に
なり、しかもスパッタ蒸気が効率よく堆積膜に消費され
る。
【図１】 本発明に従ったクラスタ生成装置の要部断面
図
図
【図２】 実施例で得られたクラスタの粒径分布を示し
たグラフ
たグラフ
【図３】 放電電流がクラスタの平均粒径に及ぼす影響
を示したグラフ
を示したグラフ
【図４】 放電電流がクラスタの堆積速度に及ぼす影響
を示したグラフ
を示したグラフ
【図５】 キャリアガスの流量がクラスタの粒径に及ぼ
す影響を示したグラフ
す影響を示したグラフ
【図６】 キャリアガスの流量がクラスタの堆積速度に
及ぼす影響を示したグラフ
及ぼす影響を示したグラフ
１０：ターゲットホルダ １１：空洞部 １２：給
水口 １３: 排水口 ２１〜２４：絶縁部材 ３１：真空フランジ ３２：カップリング ３３：
スパッタガス導入孔 ３５：カバー ３６：開口部 ３７：噴出孔 Ｔ: ターゲット Ｇ：スパッタガス Ｃ：キャリア
ガス
水口 １３: 排水口 ２１〜２４：絶縁部材 ３１：真空フランジ ３２：カップリング ３３：
スパッタガス導入孔 ３５：カバー ３６：開口部 ３７：噴出孔 Ｔ: ターゲット Ｇ：スパッタガス Ｃ：キャリア
ガス
フロントページの続き (72)発明者 隅山 兼治 宮城県仙台市青葉区片平二丁目１番１号 東北大学 金属材料研究所内 Ｆターム(参考） 4K029 CA03 CA05 DA05 DC03 DC13 DD03 5F103 AA07 AA08 BB09 GG10 NN02 RR01
Claims (1)
- 【請求項１】 円筒状のターゲットが内挿されたターゲ
ットホルダと、絶縁部材を介してターゲットホルダに押
圧され、スパッタガス導入孔が形成されているカップリ
ングと、ターゲット出側で絶縁部材を介してターゲット
ホルダに押圧された真空フランジと、真空フランジに一
体化され、ターゲットに向けてキャリアガスを吹き付け
る噴出孔が円周方向に形成され、ターゲットと同心円状
の開口部をもつカバーとを備え、スパッタ蒸気の拡散が
噴出孔からのキャリアガスによって抑えられ、ジェット
状の流れとして蒸着域に移送されるクラスタ生成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25249598A JP3647653B2 (ja) | 1998-09-07 | 1998-09-07 | クラスタ生成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25249598A JP3647653B2 (ja) | 1998-09-07 | 1998-09-07 | クラスタ生成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000087226A true JP2000087226A (ja) | 2000-03-28 |
| JP3647653B2 JP3647653B2 (ja) | 2005-05-18 |
Family
ID=17238177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25249598A Expired - Fee Related JP3647653B2 (ja) | 1998-09-07 | 1998-09-07 | クラスタ生成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3647653B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005097706A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Kenji Sumiyama | 軟磁性材料の製造方法及び製造装置 |
| JP2005120411A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-05-12 | Kenji Sumiyama | クラスター製造装置およびクラスター製造方法 |
-
1998
- 1998-09-07 JP JP25249598A patent/JP3647653B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005097706A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Kenji Sumiyama | 軟磁性材料の製造方法及び製造装置 |
| JP4485164B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2010-06-16 | 兼治 隅山 | 軟磁性材料の製造方法及び製造装置 |
| JP2005120411A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-05-12 | Kenji Sumiyama | クラスター製造装置およびクラスター製造方法 |
| JP4521174B2 (ja) * | 2003-10-15 | 2010-08-11 | 国立大学法人 名古屋工業大学 | クラスター製造装置およびクラスター製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3647653B2 (ja) | 2005-05-18 |
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