JP2005117606A - 積層型低域通過フィルター - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は多層基板に形成した伝送線（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｌｉｎｅ）とキャパシター（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）を用いて簡単に具現した積層型低域通過フィルターを提供する。
【解決手段】本発明は、複数の誘電体層が積層されて成り、外部側面に入力電極、出力電極及び接地電極が形成され、外部入力電極（ＩＮ）を通した信号を低周波帯域でのみ通過させ外部の出力電極（ＯＵＴ）に出力する積層型低域通過フィルターにおいて、第１誘電体層ＬＹ１にインダクタンス及びキャパシタンスが均一に分布するストリップラインで形成され、前記入力電極（ＩＮ）及び出力電極（ＯＵＴ）の間に連結された分布定数素子である伝送線（ＴＲＬ）；及び、少なくとも２個の層に形成され、前記入力電極（ＩＮ）及び出力電極（ＯＵＴ）の間に連結され前記伝送線（ＴＲＬ）と並列にキャパシタンスを形成する容量電極ＣＥ１〜ＣＥ３を具備することに特徴がある。
【選択図】図２

Description

本発明は積層型低域通過フィルターに関するもので、とりわけ多層基板に形成した伝送線（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｌｉｎｅ）とキャパシターを用いて簡単に具現することにより、小型化でき且つ挿入損失（ｉｎｓｅｒｔｉｏｎ ｌｏｓｓ）を改善できる積層型低域通過フィルターに関するものである。

一般に、低域通過フィルター（Ｌｏｗ Ｐａｓｓ Ｆｉｌｔｅｒ）は携帯電話などの無線通信システムに不要なスプリアス（Ｓｐｕｒｉｏｕｓ）や高調波（Ｈａｒｍｏｎｉｃｓ）の抑制に使用され、こうした低域通過フィルターは前記無線通信システムに適用されて所定の周波数以下の希望帯域、即ち受信信号または送信信号を含む帯域を通過させ、それ以上の周波数帯域、即ち信号以外の高調波成分またはノイズ成分が含まれた帯域を除去する。

こうした低域通過フィルターの所望の信号を含む通過帯域に対する通過特性及び反射特性は適用される製品が要求する仕様を満たさねばならない。

このような低域通過フィルターは個別素子を用いた回路から構成、または多層基板の積層型構造に所定のパターンで具現されることもでき、最近は携帯電話などの移動通信端末機の小型化ニーズに応じて小型化可能な積層型低域通過フィルターが幅広く用いられている。

図７は従来の積層型低域通過フィルターの外観斜視図である。図７に示したように、従来の積層型低域通過フィルター（１００）は略直方形状の誘電体ブロック（１００Ａ）から成り、この誘電体ブロック（１００Ａ）の外部表面、即ち前後側面及び左右側面には入力電極（ＥＩＮ）、出力電極（ＥＯＵＴ）、及び接地電極（ＥＧ）が各々形成され、こうした電極は内部の電極（図示せず）と接続されている。

さらに、内部電極を相互連結させるための非接触（ＮＣ：Ｎｏｔ Ｃｏｎｎｅｃｔｅｄ）電極（ＥＮＣ）が形成されている。そして、図示しないが誘電体内部の上部及び下部にも接地電極が形成されており、前記誘電体ブロックの側面には一定の幅で形成され外部の接地電極（ＥＧ）及び内部の接地電極と絶縁される入出力電極が形成されている。

図８は従来の積層型低域通過フィルターの積層構造を示した斜視図である。図８によると、従来の積層型低域通過フィルターは上部層（ＬＹ１）、中間層（ＬＹ３）、及び下部層（ＬＹ５）各々には第１、第２及び第３接地電極（Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３）が形成され、前記上部層（ＬＹ１）と中間層（ＬＹ３）の間の層（ＬＹ２）には低域通過フィルターのインダクタンスを形成するための第１、第２インダクタンスパターン（ＰＬ１、ＰＬ２）が各々形成され、また前記中間層（ＬＹ３）と下部層（ＬＹ５）の間の層（ＬＹ４）には低域通過フィルターのキャパシタンスを形成すべく、前記接地電極（Ｇ２）との間にキャパシタンスを形成するための第１ないし第５キャパシタンスパターン（ＰＣ１〜ＰＣ５）が形成されている。

前記第１、第２インダクタンスパターン（ＰＬ１、ＰＬ２）各々は１個の層または２個の層に形成面積を減らすべく、螺旋状またはメアンダー（ＭＥＡＮＤＥＲ）タイプで入力電極（ＥＩＮ）及び出力電極（ＥＯＵＴ）に各々連結形成され、そして前記第１、第２、第３キャパシタンスパターン（ＰＣ１、ＰＣ２、ＰＣ３）は前記接地電極（Ｇ２とＧ３）との間にキャパシタンスを形成する。そして第１ないし第５キャパシタンスパターン（ＰＣ１とＰＣ５）は第４ないし第５キャパシタンスパターン（ＰＣ４とＰＣ５）との間にキャパシタンスを形成し第２キャパシタンスパターン（ＰＣ２）は第４キャパシタンスパターン（ＰＣ４）との間にキャパシタンスを形成する。

このように、従来の積層型低域通過フィルターは約７個ほどの素子パターンが必要で、こうした素子パターン等を連結すべく、図７に示したように誘電体（１００Ａ）の外部に非接触（ＮＣ）電極（ＥＮＣ）が必要となる。

図９（Ａ）、９（Ｂ）は従来の積層型低域通過フィルターの等価回路図である。図９（Ａ）、９（Ｂ）に示したように、従来の低域通過フィルター（Ｌｏｗ Ｐａｓｓ Ｆｉｌｔｅｒ）は集中定数素子（Ｌｕｍｐｅｄ Ｅｌｅｍｅｎｔ）を用いた低域通過フィルター（Ｌｏｗ Ｐａｓｓ Ｆｉｌｔｅｒ）であり、図９（Ａ）は入力端（ＩＮ）から出力端（ＯＵＴ）へとインダクタンス（Ｌ１、Ｌ２）が直列連結され、前記インダクタンス（Ｌ１、Ｌ２）の両端に接地で連結されたキャパシタンス（Ｃ１、Ｃ２）から成る。

ここで、通常２次及び３次高調波抑制（Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｓｕｐｐｒｅｓｓｉｏｎ）を極大化すべく、図９（Ａ）の回路を変形した図９（Ｂ）の回路を用いるが、図９（Ｂ）は図８の等価回路図である。

図９（Ｂ）において、Ｌ１は図８の第１インダクタンスパターン（ＰＬ１）に、Ｌ２は図８の第２インダクタンスパターン（ＰＬ２）に各々該当し、Ｃ１は図８の第１キャパシタンスパターン（ＰＬ１）と接地電極（Ｇ２）との間のキャパシタンスに該当し、Ｃ２は図８の第２キャパシタンスパターン（ＰＣ２）と接地電極（Ｇ２）との間のキャパシタンスに該当し、Ｃ３は図８の第３キャパシタンスパターン（ＰＣ３）と接地電極（Ｇ３）との間のキャパシタンスに該当し、Ｃ４は図８の第４キャパシタンスパターン（ＰＣ４）とＰＣ２との間のキャパシタンスに各々該当する。そして、Ｃ５は図８の第５キャパシタンスパターン（ＰＣ５）、第５キャパシタンスパターン（ＰＣ５）と第３キャパシタンスパターン（ＰＣ３）、そして第４キャパシタンスパターン（ＰＣ４）と第１キャパシタンスパターン（ＰＣ１）との間のキャパシタンスに該当する。

このように形成された従来の低域通過フィルターにおいては、前記第１、第２インダクタンスパターン（ＰＬ１、ＰＬ２）は低域通過フィルターのインダクタンス（Ｌ）を形成し、前記第１ないし第５キャパシタンスパターン（ＰＣ１〜ＰＣ５）は低域通過フィルターのキャパシタンス（Ｃ）を形成し、こうしたインダクタンス（Ｌ）とキャパシタンス（Ｃ）により決定される遮断周波数以下の周波数を通過させるようになる。

図１０は従来の積層型低域通過フィルターの特性グラフである。図１０は約３ＧＨｚより低い帯域を通過させるよう具現されたフィルターに対する特性であり、図１０において希望帯域の通過特性（Ｓ２１）は３．０ＧＨｚまで約−０．４ｄＢほどで、また反射特性（Ｓ１１）は３．０ＧＨｚまでは−１０ｄＢほどであることがわかる。

ここで、希望帯域の通過特性（Ｓ２１）は所望の周波数においてほぼ０ｄＢに近づくほど優れ、また反射特性（Ｓ１１）は適用される製品が要求するｄＢより低いほど優れるものである。

ところで、このような従来の積層型低域通過フィルターにおいては、使用するパターン素子の個数が多く挿入損失特性が劣るという問題がある。また、従来の積層型低域通過フィルターはその構成が複雑であり各素子の特性管理が困難且つ作製が複雑で、とりわけ積層型低域通過フィルターの小型化に限界があるという問題がある。

本発明は前記問題を解決すべく提案されたもので、その目的は、多層基板に形成した伝送線（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｌｉｎｅ）とキャパシターを用いて簡単に具現した積層型低域通過フィルターを提供することにある。

また、本発明の他の目的は小型化が可能で、従来の集中素子から具現された積層型低域通過フィルターに比べて挿入損失を改善できる積層型低域通過フィルターを提供することにある。

前記した本発明の目的を成し遂げるために、本発明の積層型低域通過フィルターは、複数の誘電体層が積層されて成り、外部側面に入力電極、出力電極及び接地電極が形成され、外部入力電極を通した信号を低周波帯域においてのみ通過させ外部出力電極へ出力する積層型低域通過フィルターにおいて、第１誘電体層にインダクタンス及びキャパシタンスが均一に分布するストリップラインに形成され、前記入力電極及び出力電極間に連結された分布定数素子である伝送線；及び、少なくとも２個の層に形成され、前記入力電極及び出力電極間に連結され前記伝送線と並列にキャパシタンスを形成する容量電極を具備することを特徴とする。

前記容量電極は、前記第１誘電体層の下部に積層された第２誘電体層に形成され前記入力電極に一端が接続された第１容量電極と、前記第２誘電体層の下部に積層された第３誘電体層に形成され、前記第１容量電極との間に所定のキャパシタンスを形成し、前記出力電極に一端が接続された第２容量電極とを含むことができる。また、前記容量電極は、前記第１誘電体層の下部に積層された第２誘電体層に形成された第１容量電極と、前記第２誘電体層の下部に積層された第３誘電体層の上部一側に形成され前記入力電極に一端が接続された容量電極、及び前記第３誘電体層の上部他側に前記容量電極と分離形成され前記出力電極に一端が接続された容量電極を含み、前記第１容量電極との間に所定のキャパシタンスを形成する第２容量電極とを含むことができる。

前述したような本発明によると、積層型低域通過フィルターを伝送線（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｌｉｎｅ）とキャパシターを用いて簡単に具現することにより、小型化が可能で、従来の集中素子から具現された積層型低域通過フィルターに比して挿入損失を改善できる効果がある。

本発明の好ましき実施の形態について添付の図面を参照しながら詳しく説明する。本発明が参照する図面において実質的に等しい構成と機能を有する構成要素には同一符号を付ける。

図１は本発明による積層型低域通過フィルターの斜視図である。図１によると、本発明の積層型低域通過フィルター（４０）は略方形状の直方体である多層基板の誘電体ブロック（４０Ａ）であり、前記誘電体ブロック（４０Ａ）の外部側面には内部の複数の電極中該当電極と連結された入力電極（ＩＮ）、出力電極（ＯＵＴ）及び接地電極（Ｇ）が各々形成されている。

本発明の積層型低域通過フィルターは複数の誘電体層が積層されて構成され、外部側面に入力電極、出力電極及び接地電極が形成され、外部入力電極（ＩＮ）を通した信号を低周波帯域においてのみ通過させ外部出力電極（ＯＵＴ）へ出力する積層型低域通過フィルターであり、第１誘電体層にインダクタンス及びキャパシタンスが均一に分布するストリップラインに形成され、前記入力電極（ＩＮ）及び出力電極（ＯＵＴ）間に連結された分布定数素子である伝送線（ＴＲＬ）と、少なくとも２個の層に形成され前記入力電極（ＩＮ）及び出力電極（ＯＵＴ）間に連結され前記伝送線（ＴＲＬ）と並列にキャパシタンスを形成する容量電極とで成る。

前記容量電極は多様な形態で具現することができるが、本発明に適用される容量電極の代表的な形態については図２及び図３を参照しながら具体的に説明する。

図２は本発明の第１実施例による積層型低域通過フィルターの積層構造を示した斜視図である。図２によると、本発明の積層型低域通過フィルターにおいて、前記容量電極は、前記第１誘電体層（ＬＹ１）の下部に積層された第２誘電体層（ＬＹ２）に形成され前記入力電極（ＩＮ）に一端が接続された第１容量電極（ＣＥ１）と、前記第２誘電体層（ＬＹ２）の下部に積層された第３誘電体層（ＬＹ３）に形成され、前記第１容量電極（ＣＥ１）との間に所定のキャパシタンス（Ｃ）を形成し、前記出力電極（ＯＵＴ）に一端が接続された第２容量電極（ＣＥ２）とを含む。

また、前記積層型低域通過フィルターは第１接地電極（ＧＥ１）、第２接地電極（ＧＥ２）及び第３接地電極（ＧＥ３）をさらに含むが、前記第１接地電極（ＧＥ１）は前記第１誘電体層（ＬＹ１）の上部に積層された第１接地層（ＬＧ１）の一側面に形成されて外部接地電極（Ｇ）と連結され、前記第２接地電極（ＧＥ２）は前記第１誘電体層（ＬＹ１）と第２誘電体層（ＬＹ２）の間に積層された第２接地層（ＬＧ２）の一側面に形成されて外部接地電極（Ｇ）と連結され、そして前記第３接地電極（ＧＥ３）は前記第３誘電体層（ＬＹ３）の下部に積層された第３接地層（ＬＧ３）の一側面に形成されて外部接地電極（Ｇ）と連結される。

図３は本発明の第２実施例による積層型低域通過フィルターの積層構造を示した斜視図である。図３によると、前記容量電極は、前記第１誘電体層（ＬＹ１）の下部に積層された第２誘電体層（ＬＹ２）に形成された第１容量電極（ＣＥ１）と、前記第２誘電体層（ＬＹ２）の下部に積層された第３誘電体層（ＬＹ３）の上部一側に形成され前記入力電極（ＩＮ）に一端が接続された容量電極（ＣＥ２Ａ）、及び前記第３誘電体層（ＬＹ３）の上部他側に前記容量電極（ＣＥ２Ａ）と分離形成され前記出力電極（ＯＵＴ）に一端が接続された容量電極（ＣＥ２Ｂ）を含み、前記第１容量電極（ＣＥ１）との間に所定のキャパシタンスを形成する第２容量電極（ＣＥ２）とを含む。

また、前記容量電極は、前記第３誘電体層（ＬＹ３）の下部に積層された第４誘電体層（ＬＹ４）に形成されて前記第２容量電極（ＣＥ２）との間に所定のキャパシタンスを形成する第３容量電極（ＣＥ３）をさらに含むことができる。

また、前記積層型低域通過フィルターは、前記第１誘電体層（ＬＹ１）の上部に積層された第１接地層（ＬＧ１）の一側面に形成されて外部接地電極と連結された第１接地電極（ＧＥ１）と、前記第１誘電体層（ＬＹ１）と第２誘電体層（ＬＹ２）の間に積層された第２接地層（ＬＧ２）の一側面に形成され外部接地電極と連結された第２接地電極（ＧＥ２）と、前記第４誘電体層（ＬＹ４）の下部に積層された第３接地層（ＬＧ３）の一側面に形成されて外部接地電極と連結された第３接地電極（ＧＥ３）とを含む。

前述のように、本発明の積層型低域通過フィルターは分布定数素子（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ ｃｏｎｓｔａｎｔ ｅｌｅｍｅｎｔ）に該当する伝送線（ＴＲＬ）と、集中定数素子（ｌｕｍｐｅｄ ｃｏｎｓｔａｎｔ ｅｌｅｍｅｎｔ）に該当する前記第１容量電極（ＣＥ１）及び前記第２容量電極（ＣＥ２）との間に形成されるキャパシタンス（Ｃ）とを用いるもので、これによると本発明の積層型低域通過フィルターは半分布定数素子（Ｓｅｍｉ−ｌｕｍｐｅｄ ｃｏｎｓｔａｎｔ ｅｌｅｍｅｎｔ）に該当する。

前記図２及び図３に示した容量電極に対する各実施例は本発明の容量電極が具現され得る例に過ぎず、本発明による容量電極は積層構造として前記伝送線に並列連結される所定のキャパシタンスを提供できるパターンであればよく、特別に図２及び図３に示した形態に限定されるわけではない。

図４（Ａ）、４（Ｂ）は本発明の伝送線に対するパターン例示図である。図４（Ａ）によると、本発明の前記伝送線（ＴＲＬ）は第１誘電体層（ＬＹ１）にインダクタンス及びキャパシタンスが均一に分布するメアンダー（ｍｅａｎｄｅｒ）形状のストリップ（ｓｔｒｉｐ）ラインに形成され、前記入力電極（ＩＮ）及び出力電極（ＯＵＴ）の間に連結された分布定数（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ ｃｏｎｓｔａｎｔ）素子から成ることができる。

ここで、前記したように、前記伝送線をメアンダー形状のストリップラインパターンに形成する場合、このメアンダー形状のストリップラインのパターン変化により除去帯域中の特定周波数に形成される減衰極（Ａｔｔｅｎｕａｔｉｏｎ Ｐｏｌｅ）の位置を調整することができる。

図４（Ｂ）によると、前記伝送線（ＴＲＬ）は第１誘電体層（ＬＹ１）にインダクタンス及びキャパシタンスが均一に分布する階段形状（ｓｔｅｐｐｅｄ ｔｙｐｅ）のストリップラインに形成され、前記入力電極（ＩＮ）及び出力電極（ＯＵＴ）の間に連結された分布定数素子（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ ｃｏｎｓｔａｎｔ ｅｌｅｍｅｎｔ）から成る。

ここで、前記したように、前記伝送線を階段形状のストリップラインのパターンに形成する場合、この階段形状のストリップラインパターンの変化で除去帯域の特定周波数に形成される減衰極の位置を調整することができる。

このような本発明の積層型低域通過フィルターは図５（Ａ）、５（Ｂ）に示したとおりである。

図５（Ａ）、５（Ｂ）は本発明による積層型低域通過フィルターの等価回路図である。図５（Ａ）によると、伝送線（ＴＲＬ）は図２のＴＲＬに該当し、ＣＥ１及びＣＥ１は図２の第１容量電極（ＣＥ１）及び第２容量電極（ＣＥ１）に各々該当し、そしてＣは図２の第１容量電極（ＣＥ１）及び第２容量電極（ＣＥ２）の間に形成されたキャパシタンスに該当する。このように、図５（Ａ）の回路は図５（Ｂ）に示したような低域通過フィルターとの等価回路である。

また、図５（Ｂ）によると、Ｃは図２の第２容量電極（ＣＥ１）及び第２容量電極（ＣＥ２）に各々該当し、Ｃ１、Ｃ２及びＬ１は図２に示した伝送線（ＴＲＬ）に対する等価回路である。ここで、前記伝送線（ＴＲＬ）はラインに均一にキャパシタンス及びインダクタンスが分布された分布定数素子であり、その等価回路は図５（Ｂ）に示したようにπ型低域通過フィルターと同じである。

図５（Ａ）、５（Ｂ）によると、本発明による積層型低域通過フィルターは特性の優れた低域通過フィルターとして動作し、こうした本発明の低域通過フィルターは図６に示したような特性を示す。

図６は本発明の積層型低域通過フィルターの特性グラフである。図６に示した特性グラフは、約５．７ＧＨｚを通過させ、その他の高調波成分を除去すべく具現された積層型低域通過フィルターに対する特性グラフであり、このグラフに示したように、約６．０ＧＨｚ以下の周波数に対する通過特性（Ｓ２１）は約０．３ｄＢほどであることがわかり、また約６．０ＧＨｚ以下の周波数に対する反射特性（Ｓ１１）は約−１０ｄＢより低いことがわかる。

また、本発明の積層型低域通過フィルターによると、前記５．７ＧＨｚの２次及び３次高調波成分、即ち約１１．４ＧＨｚと約１７．１ＧＨｚに２個の減衰極（Ａｔｔｅｎｕａｔｉｏｎ Ｐｏｌｅ）が形成され、高域に存在する高調波成分を効果的に減衰できることがわかる。ここで、２個の減衰極は前記伝送線のパターン変化により調整することができる。

前述したような本発明の積層型低域通過フィルターは従来の積層型低域通過フィルターに比して、大変簡単な形態で、使用する素子数が少ない為、それだけ挿入損失及び減衰特性が向上する。

以上の説明は本発明の具体的な実施例に対する説明に過ぎず、本発明はこうした具体的な実施例に限定されるわけではない。また、本発明に対する前述した具体的な実施例からその構成の様々な変更及び改造が可能なことは本発明の属する技術分野において通常の知識を有する者であれば容易に想到することができる。

本発明による積層型低域通過フィルターの斜視図である。 本発明の第１実施例による積層型低域通過フィルターの積層構造を示した斜視図である。 本発明の第２実施例による積層型低域通過フィルターの積層構造を示した斜視図である。 （Ａ）、（Ｂ）は本発明の伝送線に対するパターン例示図である。 （Ａ）、（Ｂ）は本発明による積層型低域通過フィルターの等価回路図である。 本発明の積層型低域通過フィルターの特性グラフである。 従来の積層型低域通過フィルターの外観斜視図である。 従来の積層型低域通過フィルターの積層構造を示した斜視図である。 （Ａ）、（Ｂ）は従来の積層型低域通過フィルターの等価回路図である。 従来の積層型低域通過フィルターの特性グラフである。

符号の説明

ＩＮ 外部入力電極
ＯＵＴ 外部出力電極
Ｇ 外部接地電極
ＬＹ１ 第１誘電体層
ＬＹ２ 第２誘電体層
ＬＹ３ 第３誘電体層
ＬＧ１ 第１接地層
ＬＧ２ 第２接地層
ＬＧ３ 第３接地層
ＴＲＬ 伝送線
ＣＥ１ 第１容量電極
ＣＥ２ 第２容量電極
ＧＥ１ 第１接地電極
ＧＥ２ 第２接地電極
ＧＥ３ 第３接地電極

Claims (8)

1. 複数の誘電体層が積層されて成り、外部側面に入力電極、出力電極及び接地電極が形成され、外部入力電極（ＩＮ）を通した信号を低周波帯域においてのみ通過させ外部出力電極（ＯＵＴ）へ出力する積層型低域通過フィルターにおいて、
   第１誘電体層にインダクタンス及びキャパシタンスが均一に分布するストリップラインに形成され、前記入力電極（ＩＮ）及び出力電極（ＯＵＴ）間に連結された分布定数素子である伝送線（ＴＲＬ）と、
   少なくとも２個の層に形成され、前記入力電極（ＩＮ）及び出力電極（ＯＵＴ）間に連結されて前記伝送線（ＴＲＬ）と並列にキャパシタンスを形成する容量電極と、
   を有することを特徴とする積層型低域通過フィルター。
2. 前記容量電極は、
   前記第１誘電体層（ＬＹ１）の下部に積層された第２誘電体層（ＬＹ２）に形成され、前記入力電極（ＩＮ）に一端が接続された第１容量電極（ＣＥ１）と、
   前記第２誘電体層（ＬＹ２）の下部に積層された第３誘電体層（ＬＹ３）に形成され、前記第１容量電極（ＣＥ１）との間に所定のキャパシタンス（Ｃ）を形成し、前記出力電極（ＯＵＴ）に一端が接続された第２容量電極（ＣＥ２）と、
   を有することを特徴とする請求項１に記載の積層型低域通過フィルター。
3. 前記積層型低域通過フィルターは、
   前記第１誘電体層（ＬＹ１）の上部に積層された第１接地層（ＬＧ１）の一側面に形成されて外部接地電極と連結された第１接地電極（ＧＥ１）と、
   前記第１誘電体層（ＬＹ１）と第２誘電体層（ＬＹ２）間に積層された第２接地層（ＬＧ２）の一側面に形成されて外部接地電極と連結された第２接地電極（ＧＥ２）と、
   前記第３誘電体層（ＬＹ３）の下部に積層された第３接地層（ＬＧ３）の一側面に形成されて外部接地電極と連結された第３接地電極（ＧＥ３）と、
   をさらに有することを特徴とする請求項２に記載の積層型低域通過フィルター。
4. 前記容量電極は、
   前記第１誘電体層（ＬＹ１）の下部に積層された第２誘電体層（ＬＹ２）に形成された第１容量電極（ＣＥ１）と、
   前記第２誘電体層（ＬＹ２）の下部に積層された第３誘電体層（ＬＹ３）の上部一側に形成されて前記入力電極（ＩＮ）に一端が接続された容量電極（ＣＥ２Ａ）と、前記第３誘電体層（ＬＹ３）の上部他側に前記容量電極（ＣＥ２Ａ）と分離形成されて前記出力電極（ＯＵＴ）に一端が接続された容量電極（ＣＥ２Ｂ）とを含み、前記第１容量電極（ＣＥ１）との間に所定のキャパシタンスを形成する第２容量電極（ＣＥ２）と、
   を有することを特徴とする請求項１に記載の積層型低域通過フィルター。
5. 前記容量電極は、
   前記第３誘電体層（ＬＹ３）の下部に積層された第４誘電体層（ＬＹ４）に形成され、前記第２容量電極（ＣＥ２）との間に所定のキャパシタンスを形成する第３容量電極（ＣＥ３）をさらに有することを特徴とする請求項４に記載の積層型低域通過フィルター。
6. 前記積層型低域通過フィルターは、
   前記第１誘電体層（ＬＹ１）の上部に積層された第１接地層（ＬＧ１）の一側面に形成されて外部接地電極と連結された第１接地電極（ＧＥ１）と、
   前記第１誘電体層（ＬＹ１）と第２誘電体層（ＬＹ２）との間に積層された第２接地層（ＬＧ２）の一側面に形成されて外部接地電極と連結された第２接地電極（ＧＥ２）と、
   前記第４誘電体層（ＬＹ４）の下部に積層された第３接地層（ＬＧ３）の一側面に形成されて外部接地電極と連結された第３接地電極（ＧＥ３）と、
   をさらに有することを特徴とする請求項５に記載の積層型低域通過フィルター。
7. 前記伝送線（ＴＲＬ）は、
   第１誘電体層（ＬＹ１）にインダクタンス及びキャパシタンスが均一に分布するメアンダー（ＭＥＡＮＤＥＲ）形状のストリップラインに形成され、前記入力電極（ＩＮ）及び出力電極（ＯＵＴ）間に連結された分布定数素子から成ることを特徴とする請求項１に記載の積層型低域通過フィルター。
8. 前記伝送線（ＴＲＬ）は、第１誘電体層（ＬＹ１）にインダクタンス及びキャパシタンスが均一に分布する階段形状のストリップラインに形成され、前記入力電極（ＩＮ）及び出力電極（ＯＵＴ）の間に連結された分布定数素子から成ることを特徴とする請求項１に記載の積層型低域通過フィルター。

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