JP2005107063A - 自発光表示パネルの駆動装置および駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 点灯時間率を低下させることなく、EL素子に対して効果的に逆バイアス電圧を印加することのできる自発光表示パネルの駆動装置および駆動方法を提供すること。
【解決手段】 EL素子14のカソードに電位を印加する電極が、走査線に沿って複数のブロックに電気的に分割されると共に、EL素子14に対して点灯駆動用トランジスタ12を介して順方向電圧を加える点灯モードと、前記発光素子に対して逆バイアス電圧を加える逆バイアス電圧印加モードとが選択されるようになされ、且つ、前記逆バイアス電圧印加モードにおいては、前記ブロック単位で前記EL素子14に対し逆バイアス電圧を印加する。
【選択図】 図5
【解決手段】 EL素子14のカソードに電位を印加する電極が、走査線に沿って複数のブロックに電気的に分割されると共に、EL素子14に対して点灯駆動用トランジスタ12を介して順方向電圧を加える点灯モードと、前記発光素子に対して逆バイアス電圧を加える逆バイアス電圧印加モードとが選択されるようになされ、且つ、前記逆バイアス電圧印加モードにおいては、前記ブロック単位で前記EL素子14に対し逆バイアス電圧を印加する。
【選択図】 図5
Description
本発明は、画素を構成する発光素子を例えばTFTによってアクティブ駆動させる表示パネルの駆動装置に関し、特に前記発光素子に対して効果的に逆バイアス電圧を印加することのできる自発光表示パネルの駆動装置および駆動方法に関する。
発光素子をマトリクス状に配列して構成される表示パネルを用いたディスプレイの開発が広く進められている。このような表示パネルに用いられる発光素子として、例えば有機材料を発光層に用いた有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子が注目されている。
かかる有機EL素子を用いた表示パネルとして、マトリクス状に配列したEL素子の各々に、例えばTFT(Thin Film Transistor)からなる能動素子を加えたアクティブマトリクス型ディスプレイパネルがある。このアクティブマトリクス型ディスプレイパネルは、低消費電力を実現でき、また画素間のクロストークが少ない等の特質を備えており、特に大画面を構成する高精細度のディスプレイに適している。
図1は、従来のアクティブマトリクス型表示パネルにおける1つの画素10に対応する回路構成の一例を示している。図1において、制御用トランジスタであるTFT11のゲートGは走査線(走査ラインA1)に接続され、ソースSはデータ線(データラインB1)に接続されている。また、この制御用TFT11のドレインDは、駆動用トランジスタであるTFT12のゲートGに接続されると共に、電荷保持用キャパシタ13の一方の端子に接続されている。
また、駆動用TFT12のドレインDは前記キャパシタ13の他方の端子に接続されると共に、パネル内に形成された共通陽極16に接続されている。また、駆動用TFT12のソースSは、有機EL素子14の陽極に接続され、この有機EL素子14の陰極は、パネル内に形成された例えば基準電位点(アース)を構成する共通陰極17に接続されている。
図2は、図1に示した各画素10を担う回路構成を、表示パネル20に配列した状態を模式的に示したものであり、各走査ラインA1〜Anと、各データラインB1〜Bmとの交差位置の各々において、図1に示した回路構成の各画素10が夫々形成されている。そして、前記した構成においては、駆動用TFT12の各ドレインDが図2に示された共通陽極16に夫々接続され、各EL素子14の陰極が同じく図2に示された共通陰極17に夫々接続された構成とされている。そして、この回路において、発光制御を実行する場合においては、電圧源E1の正電源端子がスイッチ18を介して、表示パネル20に形成された共通陽極16に接続され、また電圧源E1の負電源端子が共通陰極17に接続される。
この状態において、図1における制御用TFT11のゲートGに走査ラインを介してオン電圧が供給されると、TFT11はソースSに供給されるデータラインからの電圧に対応した電流をソースSからドレインDに流す。従って、TFT11のゲートGがオン電圧の期間に、前記キャパシタ13が充電され、その電圧が駆動用TFT12のゲートGに供給されて、TFT12にはそのゲート電圧とドレイン電圧に基づいた電流を、ソースSからEL素子14を通じて共通陰極17に流し、EL素子14を発光させる。
また、TFT11のゲートGがオフ電圧になると、TFT11はいわゆるカットオフとなり、TFT11のドレインDが開放状態となるものの、駆動用TFT12はキャパシタ13に蓄積された電荷によりゲートGの電圧が保持され、次の走査まで駆動電流を維持し、EL素子14の発光も維持される。なお、前記した駆動用TFT12には、ゲート入力容量が存在するので、前記したキャパシタ13を格別に設けなくても、前記と同様な動作を行わせることが可能である。
ところで有機EL素子は、電気的にはダイオード特性を有する発光エレメントと、これに並列に接続された静電容量(寄生容量)を有しており、このダイオード特性の順方向電流にほぼ比例した強度で発光することが知られている。また、前記したEL素子においては、発光に関与しない逆方向の電圧(逆バイアス電圧)を逐次印加することで、EL素子の寿命を延ばすことができることが経験的に知られている。
そこで、例えば特許文献1には、前記した共通陽極16と共通陰極17との間に逆バイアス電圧を印加することが示されている。すなわち、図2に示す電圧源E2は、前記した逆バイアス電圧を印加するときに利用されるものであり、逆バイアス電圧の印加時には、スイッチ18は電圧源E2側に切り替えられる。これにより、共通陰極17に対して電圧源E2の正電源端子が、また共通陽極16に電圧源E2の負電源端子が接続される。したがって、図1に示すEL素子14には、駆動用TFT12のドレインDとソースSを介して逆バイアス電圧が印加されることになる。
特開2001―117534号公報(第3頁右欄第10行乃至第5頁右欄第39行、第8図、第11図)
前記特許文献1に開示された駆動装置においては、時分割階調表現法を利用すると共に、EL素子に逆バイアス電圧を印加する例が示されている。この特許文献1に開示された時分割階調表現法は、例えば1フレーム期間を複数のサブフレーム期間(特許文献1においてはサブフィールド期間とされる)に分割し、1フレーム期間あたりに有機EL素子が発光したサブフレーム期間の累計によって中間調表示を行うようにしている。一方、特許文献1に開示された駆動装置によると、共通陽極16と共通陰極17との間に、駆動用TFT12を介してEL素子14が接続された構成とされているので、前記した逆バイアス電圧をEL素子に印加するには、表示パネルに配列された全てのEL素子14を同時に非点灯となる期間を設定しなければならない。そこで、この例においては、全ての走査ラインに走査信号を送出し終えたアドレス期間の終了時点に、EL素子の前記非点灯時間を設定し、このときに、すべてのEL素子に対して同時に逆電圧を印加するように制御されている。
前記した特許文献1に開示された駆動装置においては、階調表現を行うためのEL素子の点灯時間および非点灯時間の設定とは別に、EL素子に対する逆バイアス電圧の印加のための非点灯時間を設定するために、EL素子の発光デューティ(Duty)比、すなわち点灯時間率を低下させることは避けられない。その結果、EL素子の実質的な発光輝度が低下するので、これをカバーするためにはEL素子の発光時の駆動電流を上昇させる必要が発生し、電源回路の負荷が増大するという問題があった。
しかも、前記特許文献1に開示された例によると、逆バイアス電圧の印加時においては、駆動用TFTのドレインDとソースS間のインピーダンスを介して、EL素子に対して逆バイアス電圧を加えざるを得ないという問題が残される。この場合、駆動用TFTはEL素子の安定した駆動動作を保証するために定電流駆動がなされるように設定されており、したがって、ドレインDとソースS間のインピーダンスは、高いインピーダンスを呈している。そのために、たとえ共通陽極と共通陰極間に逆バイアス電圧が印加されても、高いインピーダンスを呈する駆動用TFTの存在により、EL素子の寄生容量において正バイアス時に蓄積された電荷を即座に逃がすことができず、結果としてEL素子に対して効果的に逆バイアス電圧を印加することができないという問題が残される。
この発明は、前記した技術的な問題点に着目してなされたものであり、点灯時間率を低下させることなく、EL素子に対して効果的に逆バイアス電圧を印加することのできる自発光表示パネルの駆動装置および駆動方法を提供することを課題とするものである。
前記課題を解決するためになされた本発明にかかる自発光表示パネルの駆動装置は、請求項1に記載のとおり、複数のデータ線および複数の走査線の交差位置に配され、少なくとも夫々に点灯駆動用トランジスタを介して発光制御される複数の発光素子を備えたアクティブマトリクス型表示パネルの駆動装置であって、前記発光素子のカソードに電位を印加する電極が、走査線に沿って複数のブロックに電気的に分割され、配置されると共に、前記発光素子に対して点灯駆動用トランジスタを介して順方向電圧を加える点灯モードと、前記発光素子に対して逆バイアス電圧を加える逆バイアス電圧印加モードとが選択されるようになされ、且つ、前記逆バイアス電圧印加モードにおいては、前記ブロック単位で前記発光素子に対し逆バイアス電圧を印加する逆バイアス電圧印加手段が働くことに特徴を有する。
また、前記課題を解決するためになされた本発明にかかる自発光表示パネルの駆動方法は、請求項7に記載のとおり、複数のデータ線および複数の走査線の交差位置に配され、少なくとも夫々に点灯駆動用トランジスタを介して発光制御される複数の発光素子を備えたアクティブマトリクス型表示パネルの駆動方法であって、前記発光素子のカソードに電位を印加する電極が、走査線に沿って複数のブロックに電気的に分割され、配置されると共に、前記発光素子に対して点灯駆動用トランジスタを介して順方向電圧を加える点灯モードと、前記発光素子に対して逆バイアス電圧を加える逆バイアス電圧印加モードとが選択されるようになされ、且つ、前記逆バイアス電圧印加モードにおいては、前記ブロック単位で前記発光素子に対し逆バイアス電圧を印加することに特徴を有する。
以下、この発明にかかる自発光表示パネルの駆動装置および駆動方法について、図に示す実施の形態に基づいて説明する。尚、以下の説明においてはすでに説明した図1および図2に示された各部に相当する部分を同一符号で示しており、したがって個々の機能および動作については適宜説明を省略する。
また、図1および図2に示した従来例においては、画素を構成する駆動用TFT12とEL素子14との直列回路が、すべて共通陽極16と共通陰極17との間に接続されたいわゆる単色発光の表示パネルの例を示している。しかしながら、以下に説明するこの発明にかかる自発光表示パネルの駆動方法および駆動装置においては、単色発光の表示パネルは勿論のこと、むしろR(赤)、G(緑)、B(青)の各発光画素(サブピクセル)を備えたカラー表示パネルに好適に採用されるものである。
図3はこの発明にかかる駆動装置および駆動方法における一実施形態をブロック図によって示したものである。図3において、駆動制御回路21がデータドライバ24と、書き込み用ゲートドライバ25と、消去用ゲートドライバ26と、マトリクス状に夫々配列された画素30の動作を制御するようになされている。
先ず、入力されたアナログ映像信号は、駆動制御回路21およびアナログ/デジタル(A/D)変換器22に供給される。前記駆動制御回路21はアナログ映像信号中における水平同期信号および垂直同期信号に基づいて、前記A/D変換器22に対するクロック信号CL、およびフレームメモリ23に対する書き込み信号W、および読み出し信号Rを生成する。
前記A/D変換器22は、駆動制御回路21から供給されるクロック信号CKに基づいて、入力されたアナログ映像信号をサンプリングし、これを1画素毎に対応した画素データに変換して、フレームメモリ23に供給するように作用する。前記フレームメモリ23は、駆動制御回路21からの書き込み信号Wによって、A/D変換器22から供給される各画素データをフレームメモリ23に順次書き込むように動作する。
かかる書き込み動作により自発光表示パネル40における一画面(n行、m列)分のデータの書き込みが終了すると、メモリ23は駆動制御回路21から供給される読み出し信号Rによって、第1行から第n行へと1行分毎に読み出した駆動画素データを、順次データドライバ24に供給するようになされる。
一方、これと同時に駆動制御回路21より書き込み用ゲートドライバ25に対してタイミング信号が送出され、これに基づいてゲートドライバ25は、後述するように各走査ラインに対して順次ゲートオン電圧を送出する。したがって、前記のようにしてメモリ23から読み出された1行分毎の駆動画素データは、ゲートドライバ25の走査によって、1行毎にアドレッシングされる。また、この実施の形態においては、前記駆動制御回路21より消去用ゲートドライバ26に対して制御信号が送出されるように構成されている。
前記消去用ゲートドライバ26は、駆動制御回路21から制御信号を受けて、後述するように走査ライン毎に電気的に分離して配列された電極ライン(この実施の形態においては制御ラインC1 〜Cn と称する)に対して、選択的に所定の電圧レベルを印加し、後述の消去用TFT15のオン・オフ動作を制御する。
また、図3に示すように、陰極32は、表示パネル40上において、画像走査方向に4つのブロック(それぞれ陰極ブロック32a、32b、32c、32dとする)に等分割されると共に電気的に分離して配列した構成とされている。そして、それら陰極ブロックは、夫々逆バイアス電圧印加手段27に接続され、この逆バイアス電圧印加手段27には、前記駆動制御回路21からの制御信号が供給されるように構成されている。この逆バイアス電圧印加手段27は、前記制御信号を受けて、陰極ブロック毎に供給する電圧レベルを制御するようになされている。これにより、各陰極ブロックに接続されたEL素子に順方向の電圧を印加するか、逆バイアス電圧を印加するかが制御される。
図4は、自発光表示パネル40にマトリクス状に夫々配列された画素30のうち、1つの画素の回路構成例を示した図である。この図4に示す1つの画素30に対応する回路構成は、アクティブマトリクス型ディスプレイパネルに適用されるものである。そして、この回路は図1に示した画素10の回路構成に、キャパシタ13に蓄積された電荷を消去する消去用トランジスタであるTFT15を加え、さらに前記点灯駆動用TFT12のソースSとドレインDとの間に、これをバイパスするようにして接続されたダイオード19を加えたものとして構成される。
前記消去用TFT15はキャパシタ13に並列に接続されており、有機EL素子14が点灯動作中に、前記駆動制御回路21からの制御信号に従ってオン動作することにより、キャパシタ13の電荷を瞬時に放電させることができる。これにより、次のアドレッシング時まで、画素を消灯させることができる。
一方、前記ダイオード19は、その陽極(アノード)が前記下EL素子14の陽極に接続されており、ダイオード19の陰極(カソード)は、陽極31に接続されている。したがって、前記ダイオード19は、ダイオード特性を有するEL素子14の順方向に対して、逆方向となるように駆動用TFT12のソースSとドレインDとの間に並列接続されている。
また、図4に示した回路構成においては、EL素子14の陰極(カソード)は、走査ラインA1〜Anを4つのグループに等分した走査ブロックに対応して形成された前記陰極ブロック32a〜32dのいずれかに接続されている。したがって、各陰極ブロック32a〜32dには、逆バイアス電圧印加手段27によって、当該陰極に所定のレベルの電圧が印加されるようになされる。すなわち、ここでは共通陽極31に加わる電圧レベルを“Va”とした場合、図5に示すように各陰極ブロック32a〜32dには、“Vh”または“Vl”が選択的に印加されるようになされる。前記“Va”に対する“Vl”のレベル差、すなわちVa−Vlは、EL素子14において順方向(例えば10V程度)となるように設定されており、したがって、各陰極ブロック32a〜32dに選択的に“Vl”が設定された場合には、各画素30を構成するEL素子14は、発光可能な状態となる(点灯モード)。
また、前記“Va”に対する“Vh”のレベル差、すなわちVa−Vhは、EL素子14において逆バイアス電圧(例えば−8V程度)となるように設定されており、したがって、各陰極ブロック32a〜32dに選択的に“Vh”が印加された場合には、各画素30を構成するEL素子14は非発光状態になされ、このとき、図4に示したダイオード19は、前記逆バイアス電圧によって導通状態になされる(逆バイアス電圧印加モード)。
各電極ブロック32a〜32dに対する“Vh”または“Vl”の印加動作は、図5に示すように逆バイアス電圧印加手段27に配置されたシフトレジスタ28によって制御される。すなわち、シフトレジスタ28には図3に示した駆動制御回路21からシフトタイミング信号が供給されると共に、1サブフレーム分のデータ信号が供給される。シフトレジスタ28は、シフトタイミング信号によって前記データ信号を順にシフトアップして記憶させる。このときの各レジスタに記憶されたデータ信号によってFET(Field Effect Transistor)またはTFT29a、29bが択一的にオン状態になされ、前記陰極ブロック32a〜32dに対して“Vh”または“Vl”のいずれかの電圧レベルが印加される。
一方、前記した回路構成は、発光素子であるEL素子に加える駆動電流の供給時間(点灯時間)を変更することができるので、有機EL素子14の実質的な発光輝度を制御することができる。この回路構成においては、階調表現方法として前記した時分割階調表現法が用いられ、特にEL素子の消灯期間を有するサブフレーム期間を設けて、1つまたは複数のサブフレーム期間を組として重み付けがなされる。そして、それらの組を点灯制御単位として階調表現が行われる(以下、便宜的に重み付けサブフレーム法と呼ぶ)。
例えば、図6は重み付けサブフレーム法として、単位フレーム期間である1フレーム期間を1つまたは複数のサブフレーム期間からなる組に分け、夫々の組に重み付けすることにより64階調表現を行った場合を示したものである。すなわち、図6に示す一例においては、組(組1〜組6で示す)を単位として点灯制御され、階調表現がなされる。各組は、素子点灯時間の時間比として4:2:1:1/2:1/4:1/8の長さに重み付けされ、6bit(組1〜組6)表現により64階調の表現がなされる。
前記の時間比が分数で表される組においては、サブフレーム期間中にEL素子の消灯期間Erが設けられることにより、サブフレーム期間内の点灯時間が制御される。すなわち、この有機EL素子14の点灯時間制御は、各サブフレーム期間においてEL素子14が発光中に、前記駆動制御回路21からの制御信号に従って前記消去用TFT15がオン動作し、消灯期間Erにおいてキャパシタ13の電荷を放電させることにより実現される。このように本実施の形態の回路構成における階調表現は、前記駆動制御回路21と、前記データドライバ24と、前記書込み用ゲートドライバ25と、各画素30とからなる階調表示手段により実現される。
また、この回路構成においては、前記陰極32が4つのブロックに等分割されていることに対応して、少なくとも1つのサブフレーム期間内において、サブフレーム期間の1/4以上の消灯期間Erを含むようになされる。すなわち、陰極ブロック毎に、それぞれの陰極ブロックに接続されたすべてのEL素子が消灯期間Erによって消灯する期間(以下、便宜的に全素子消灯期間と呼ぶ)が必ず生じるようになされる。本発明に係る駆動装置および駆動方法にあっては、前記陰極ブロック毎に前記全素子消灯期間を設け、この期間にEL素子に対して逆バイアス電圧を印加することに特徴を有している。
続いて、この回路構成において、1フレーム期間中に有機EL素子14に対し逆バイアス電圧を印加する動作について図7および図8に基づき説明する。図7は、図6に示した1フレーム期間の画像データを表示するために、ゲートドライバ25によって走査する形態を走査タイミングT1〜T8に対応し模式的に示した図である。また、図8は、表示画面上の走査イメージを、走査タイミングT1〜T8に夫々対応して模式的に示した図である。尚、前記走査タイミングT1〜T8は、重み1/2(サブフレーム期間の半分が消灯期間)である第8サブフレームのデータを走査する間のタイミングを示すものである。また図においては、各陰極ブロック32a〜32dに接続されたEL素子14を走査するブロックを夫々走査ブロックA〜Dとして示す。
サブフレーム期間の1/2が消灯期間である第8サブフレームのデータを走査する際、前記消灯期間を形成するEL素子14の消灯動作は走査方向に沿ってタイミングをずらしながら順次行われる。このため、図8の走査タイミングT3〜T8に亘って示される消灯期間Er1にあるEL素子のエリアArは、走査ブロックAから走査ブロックDに向かって移動する。
前記消灯期間Er1は、サブフレーム期間の1/2期間、すなわち2つの走査ブロックを走査する分の期間であるため、各走査ブロックA〜Dにおいて順次、前記全素子消灯期間を設けることができる。したがって、図8の走査タイミングT4〜T8における走査イメージに示すように、走査ブロックA〜Dにそれぞれ全素子消灯期間が生じ、各走査ブロック内のすべてのEL素子14が消灯期間にある状態(破線で示す走査ブロック)で、逆バイアス電圧が印加される。すなわち、前記逆バイアス電圧印加手段27が、全素子消灯期間にある走査ブロックに対応する陰極ブロックに対し、“Vh”の電圧レベルを印加することにより、そのブロックにおけるすべてのEL素子14に逆バイアス電圧が印加される。このようにして、1フレーム期間内に、1画面を構成するすべてのEL素子14に対し、逆バイアス電圧が印加される。
なお、前記逆バイアス電圧印加手段27は、逆バイアス電圧を印加している走査ブロックのEL素子に対し、次サブフレームの画像データの走査が開始される前に、順方向電圧を印加するよう動作する。このように動作することによって、前記全素子消灯期間にあるときのみ、その走査ブロックにおけるすべてのEL素子に逆バイアス電圧を印加し、次のサブフレームのデータ表示を問題なく確実に行うことができる。また、逆バイアス電圧印加時においては、点灯駆動用トランジスタをバイパスしてEL素子に対して逆バイアス電圧を印加するようダイオード15が具備されているので、EL素子に対して効果的に逆バイアス電圧を印加することができる。
このように本発明に係る実施の形態にあっては、走査ラインに対応して配列されたEL素子の陰極側を共通接続する陰極を、表示パネル40上において、走査方向に4つのブロックに分割すると共に電気的に分離して配列した構成とし、前記したような時間階調制御を併用することで、時間階調制御による消去動作と同時に、EL素子に対して逆バイアス電圧を印加することができる。これにより、EL素子の発光デューティ比、すなわち点灯時間率を犠牲にすることなく、EL素子に対して逆バイアス電圧を印加することができる。
なお、以上説明した一実施の形態においては、陰極32を4つのブロックに等分割して配列した構成としたが、これに限らず、陰極32の分割数と、1フレーム期間内におけるEL素子の消灯期間の長さとを対応付けて構成すればよい。すなわち、陰極ブロックの分割数をNとすれば、EL素子の消灯期間を有するサブフレーム期間において、その消灯期間を少なくともサブフレーム期間の1/N以上とする構成とすればよい。
また、前記形態においては、1フレーム期間で1つのフレーム画像データを表示する構成としたが、複数のフレーム期間を用いて1つのフレーム画像データを表示する構成としてもよい。また、階調数として64階調を例としたが、これに限らず他の階調数表現において本発明にかかる駆動装置および駆動方法を用いてもよい。さらに、前記形態に示した1フレーム期間を分割するサブフレーム数は一例であって、それらの数に限らずとも本発明の駆動装置および駆動方法を適用することができる。
また、前記した図4に示す回路構成においては、前記点灯駆動用TFT12のソースSとドレインDとの間に、これをバイパスするようにしてダイオード19を接続した構成としたが、このダイオード19に代えてスイッチング用のTFTを用いるようにしてもよい。このようにスイッチング用のTFTを用いた場合には、逆バイアス電圧の印加期間において、TFTがオン動作される信号が供給されるように制御される。
11 制御用TFT
12 駆動用TFT
13 キャパシタ
14 有機EL素子
15 消去用TFT
19 ダイオード
20 表示パネル
21 駆動制御回路
22 A/D変換器
23 フレームメモリ
24 データドライバ
25 書き込み用ゲートドライバ
26 消去用ゲートドライバ
27 逆バイアス電圧印加回路
30 画素
31 陽極
32 陰極
A 走査線
B データ線
C 制御線
12 駆動用TFT
13 キャパシタ
14 有機EL素子
15 消去用TFT
19 ダイオード
20 表示パネル
21 駆動制御回路
22 A/D変換器
23 フレームメモリ
24 データドライバ
25 書き込み用ゲートドライバ
26 消去用ゲートドライバ
27 逆バイアス電圧印加回路
30 画素
31 陽極
32 陰極
A 走査線
B データ線
C 制御線
Claims (10)
- 複数のデータ線および複数の走査線の交差位置に配され、少なくとも夫々に点灯駆動用トランジスタを介して発光制御される複数の発光素子を備えたアクティブマトリクス型表示パネルの駆動装置であって、
前記発光素子のカソードに電位を印加する電極が、走査線に沿って複数のブロックに電気的に分割され、配置されると共に、
前記発光素子に対して点灯駆動用トランジスタを介して順方向電圧を加える点灯モードと、前記発光素子に対して逆バイアス電圧を加える逆バイアス電圧印加モードとが選択されるようになされ、且つ、前記逆バイアス電圧印加モードにおいては、前記ブロック単位で前記発光素子に対し逆バイアス電圧を印加する逆バイアス電圧印加手段が働くことを特徴とする自発光表示パネルの駆動装置。 - 単位フレーム期間を複数のサブフレーム期間に時分割して、点灯制御を実行すると共に、一つまたは複数のサブフレーム期間内において、前記発光素子を消灯制御する消去用トランジスタを有する階調表示手段をさらに具備し、
少なくとも一つのサブフレーム期間内における前記発光素子の消灯期間は、前記分割された電極のブロック数がNのとき、サブフレーム期間の1/N以上の長さであることを特徴とする請求項1に記載された自発光表示パネルの駆動装置。 - 前記分割された電極のいずれかのブロックに接続されたすべての発光素子が前記消灯期間にある状態で、前記逆バイアス電圧印加手段は、該ブロックに接続されたすべての発光素子に対して逆バイアス電圧を印加することを特徴とする請求項1または請求項2に記載された自発光表示パネルの駆動装置。
- 前記点灯駆動用トランジスタに対して並列接続されて、逆バイアス電圧により導通状態となるダイオードまたはTFTをさらに具備することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載された自発光表示パネルの駆動装置。
- 前記逆バイアス電圧印加手段は、前記分割された電極のいずれかのブロックに接続され、逆バイアス電圧を印加しているすべての発光素子に対し、
該ブロックにおける次のサブフレームの走査が開始される前に、順方向電圧を同時に印加することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載された自発光表示パネルの駆動装置。 - 前記発光素子は、有機化合物を発光層に用いた有機EL素子により構成したことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載された自発光表示パネルの駆動装置。
- 複数のデータ線および複数の走査線の交差位置に配され、少なくとも夫々に点灯駆動用トランジスタを介して発光制御される複数の発光素子を備えたアクティブマトリクス型表示パネルの駆動方法であって、
前記発光素子のカソードに電位を印加する電極が、走査線に沿って複数のブロックに電気的に分割され、配置されると共に、
前記発光素子に対して点灯駆動用トランジスタを介して順方向電圧を加える点灯モードと、前記発光素子に対して逆バイアス電圧を加える逆バイアス電圧印加モードとが選択されるようになされ、且つ、前記逆バイアス電圧印加モードにおいては、前記ブロック単位で前記発光素子に対し逆バイアス電圧を印加することを特徴とする自発光表示パネルの駆動方法。 - 単位フレーム期間を複数のサブフレーム期間に時分割して、一つまたは複数のサブフレーム期間内に前記発光素子の消灯期間を設け、且つ各サブフレーム期間を点灯制御することにより階調表現を行うと共に、
少なくとも一つのサブフレーム期間内における前記発光素子の消灯期間を、前記分割されたブロック数がNのとき、サブフレーム期間の1/N以上の長さとすることを特徴とする請求項7に記載された自発光表示パネルの駆動方法。 - 前記分割された電極のいずれかのブロックに接続されたすべての発光素子が前記消灯期間にある状態で、該ブロックに接続されたすべての発光素子に対して逆バイアス電圧を印加することを特徴とする請求項7または請求項8に記載された自発光表示パネルの駆動方法。
- 前記分割された電極のいずれかのブロックに接続され、逆バイアス電圧を印加しているすべての発光素子に対し、
該ブロックにおける次のサブフレームの走査が開始される前に、順方向電圧を同時に印加することを特徴とする請求項7乃至請求項9のいずれかに記載された自発光表示パネルの駆動方法。
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