JP2001142413A - アクティブマトリクス型表示装置 - Google Patents

アクティブマトリクス型表示装置

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 安定性が高く高精度の多階調表示が可能なア
クティブマトリクス型の表示装置を提供する。 【解決手段】 発光素子の各々の一方の端子に接続され
た導電部は、走査線又はデータ線の少なくとも１つ毎に
設けられて互いに電気的に分離された複数の帯状電極か
らなり、上記導電部を経て電力を供給する電源部は上記
複数の帯状電極の各々を電源回路に選択的に接続するス
イッチ回路を有する。また、上記発光素子の発光時に印
加される電圧とは逆方向の逆バイアス電圧を生成する逆
バイアス電圧生成回路と、複数の帯状電極を介して複数
の発光素子に逆バイアス電圧を選択的に印可する逆バイ
アス電圧印可回路とを更に有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はアクティブマトリク
ス型表示装置、特に、有機エレクトロルミネセンス素子
等の発光素子を有するアクティブマトリクス型表示パネ
ルを用いた表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】発光素子をマトリクス状に配置して構成
される発光表示パネルを用いたマトリクス型ディスプレ
イの開発が広く進められている。このような表示パネル
に用いられる発光素子としては、例えば、有機材料を発
光層として用いたエレクトロルミネセンス素子（以下、
有機ＥＬ素子と称する）がある。かかる有機ＥＬ素子に
おいては、素子を流れる電流によってその発光輝度を制
御することができる。有機ＥＬ素子を用いた表示パネル
として、有機ＥＬ素子を単にマトリクス状に配置した単
純マトリクス型表示パネルと、マトリクス状に配置した
有機ＥＬ素子の各々にトランジスタからなる駆動素子を
加えたアクティブマトリクス型表示パネルがある。アク
ティブマトリクス型表示パネルは単純マトリクス型表示
パネルに比べて、低消費電力であり、また画素間のクロ
ストークが少ないなどの利点を有し、特に大画面ディス
プレイや高精細度ディスプレイに適している。
【０００３】図１は、従来のアクティブマトリクス型表
示パネルの１つの画素１０に対応する回路構成の１例を
示している。図１において、ＦＥＴ（Field Effect Tra
nsistor)１１（アドレス選択用トランジスタ）のゲート
Ｇは、アドレス信号が供給されるアドレス走査電極線
（走査ライン）に接続され、ＦＥＴ１１のソースＳはデ
ータ信号が供給されるデータ電極線（データライン）に
接続されている。ＦＥＴ１１のドレインＤはＦＥＴ１２
（駆動用トランジスタ）のゲートＧに接続され、キャパ
シタ１３の一方の端子に接続されている。ＦＥＴ１２の
ソースＳはキャパシタ１３の他方の端子と共に共通の陽
極１６に接続されている。ＦＥＴ１２のドレインＤは有
機ＥＬ素子１５の陽極に接続され、有機ＥＬ素子１５の
陰極は共通の陰極１７に接続されている。
【０００４】図２に示すように、共通陽極１６及び各有
機ＥＬ素子１５の陰極が接続された共通陰極１７は、こ
れらに電力を供給する電圧源１８に接続されている。こ
の回路の発光制御動作について述べると、先ず、図１に
おいてＦＥＴ１１のゲートＧにオン電圧が供給される
と、ＦＥＴ１１はソースＳに供給されるデータの電圧に
対応した電流をソースＳからドレインＤへ流す。ＦＥＴ
１１のゲートＧがオフ電圧であるとＦＥＴ１１はいわゆ
るカットオフとなり、ＦＥＴ１１のドレインＤはオープ
ン状態となる。従って、ＦＥＴ１１のゲートＧがオン電
圧の期間に、キャパシタ１３は充電され、その電圧がＦ
ＥＴ１２のゲートＧに供給されて、ＦＥＴ１２にはその
ゲート電圧とソース電圧に基づいた電流が有機ＥＬ素子
１５を通じてソースＳからドレインＤへ流れ、有機ＥＬ
素子１５を発光せしめる。また、ＦＥＴ１１のゲートＧ
がオフ電圧になると、ＦＥＴ１１はオープン状態とな
り、ＦＥＴ１２はキャパシタ１３に蓄積された電荷によ
りゲートＧの電圧が保持され、次の走査まで駆動電流を
維持し、有機ＥＬ素子１５の発光も維持される。尚、Ｆ
ＥＴ１２のゲートＧとソースＳの間にはゲート入力容量
が存在するのでキャパシタ１３を設けなくとも上記と同
様な動作が可能である。
【０００５】アクティブマトリクス駆動により発光制御
を行う表示パネルの１画素に対応する回路はこのように
構成され、当該画素の有機ＥＬ素子１５が駆動された場
合に当該画素の発光が維持される。上記したように、ア
クティブマトリクス型表示パネルにおいては、各発光素
子の発光制御はＦＥＴ等の駆動素子を含む駆動回路を制
御することによってなされていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
アクティブマトリクス型表示装置においては、駆動回路
のみによって各発光素子の発光制御を行うので発光素子
制御の自由度が低いという問題があった。本発明はかか
る点に鑑みてなされたものであり、その目的とするとこ
ろは、発光素子制御の自由度が高いアクティブマトリク
ス型の表示装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による表示装置
は、マトリクス状に配置された走査線及びデータ線の交
差位置に配された複数の発光素子、複数の発光素子の各
々を駆動する駆動回路及び複数の発光素子の各々の一方
の端子に接続された導電部を含む表示パネルと、入力映
像信号に応じて駆動回路を制御する表示制御部と、複数
の発光素子に導電部を経て電力を供給する電源回路を含
む電源部と、を有するアクティブマトリクス型の表示装
置であって、上記導電部は、走査線又はデータ線の少な
くとも１つ毎に設けられて互いに電気的に分離された複
数の帯状電極からなり、電源部は複数の帯状電極の各々
を電源回路に選択的に接続するスイッチ回路を含むこと
を特徴としている。
【０００８】また、本発明による表示装置は、上記発光
素子の発光時に印加される電圧とは逆方向の逆バイアス
電圧を生成する逆バイアス電圧生成回路と、複数の帯状
電極を介して複数の発光素子に逆バイアス電圧を選択的
に印可する逆バイアス電圧印可回路とを更に有すること
を特徴としている。本発明の他の特徴として、上記表示
制御部はタイマを有し、タイマの出力に応じて上記スイ
ッチ回路を制御して複数の帯状電極の各々を上記電源回
路に選択的に接続する。
【０００９】本発明による表示パネルは、マトリクス状
に配置された走査線及びデータ線の交差位置に配された
複数の発光素子と、複数の発光素子の各々を駆動する駆
動回路と、複数の発光素子の各々の一方の端子に接続さ
れた導電部を含む表示パネルであって、上記導電部は、
走査線又はデータ線の少なくとも１つ毎に設けられて互
いに電気的に分離された複数の帯状電極からなることを
特徴としている。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を図面を参照しつ
つ詳細に説明する。尚、以下に説明する図において、実
質的に同等な部分には同一の参照符を付している。図３
は、本発明の第１の実施例であるアクティブマトリクス
型表示パネルを用いた有機ＥＬ表示装置２０の構成を概
略的に示している。
【００１１】図３において、アナログ／デジタル（Ａ／
Ｄ）変換器２１は、アナログ映像信号入力を受けてデジ
タル映像信号データに変換する。変換により得られたデ
ジタル映像信号はＡ／Ｄ変換器２１からフレームメモリ
２４へ供給され１フレーム単位のデジタル映像信号デー
タが一旦フレームメモリ２４に記憶される。一方、有機
ＥＬ表示装置２０内の各部の制御をなす表示制御部２６
は、相異なる発光時間をパラメータとする複数のサブフ
ィールドによって、上記フレームメモリ２４に記憶され
たデジタル映像信号データを、列アドレスカウンタ２２
及び行アドレスカウンタ２３を用いて制御することによ
り、複数（すなわち、サブフィールドの数）の階調表示
データに変換し、それぞれ発光表示パネル３０の画素の
アドレスに対応する発光・非発光データと共に順次マル
チプレクサ２５に供給する。
【００１２】また、表示制御部２６は、マルチプレクサ
２５に供給された発光・非発光データの中から各サブフ
ィールドに対応する列データを第１行目（第１走査ライ
ン）から順次画素の配列順にデータドライバ２８が有す
るデータラッチ回路に保持させるように制御する。表示
制御部２６は、データラッチ回路によって順次保持され
た各サブフィールド毎の列データを、走査ライン毎に表
示パネル３０に供給すると共に、走査ドライバ２７によ
って、対応する走査ラインに含まれるＥＬ素子１５を同
時に発光させる。また、表示制御部２６は計時装置（タ
イマ）を内部に有し、後述するように、帯状電極に接続
された電極制御ドライバ３５（以下、帯状電極制御ドラ
イバと称する）を制御する。帯状電極制御ドライバ３５
には電源回路３６が接続されており、表示制御部２６の
制御の下、各ＥＬ素子１５の発光制御及び後述する逆バ
イアス電圧印加制御がなされる。
【００１３】尚、図４に示すように、本実施例において
は、サブフィールド２n階調法（ｎ＝８）に基づいた方
法により、輝度階調の制御がなされる。すなわち、上記
入力映像信号における１フレーム期間を８個のサブフィ
ールド（ＳＦ１〜ＳＦ８）に分割し、各サブフィールド
期間内における輝度（すなわち、各サブフィールド期間
内における各ＥＬ素子１５の発光期間：Ｔ１〜Ｔ８）の
相対比がそれぞれ順に１／２，１／４，１／８，１／１
６，１／３２，１／６４，１／１２８，１／２５６（す
なわち、１／２1〜１／２8）、となるように設定され、
それらのサブフィールドの選択的組合せにより２５６通
りの輝度階調表示が可能なように制御される。
【００１４】各ＥＬ素子１５の発光制御は、各サブフィ
ールド毎に行われる。すなわち、１フレームのデータ単
位で、第１サブフィールドから第８サブフィールドまで
のそれぞれの列データに関して行なわれる（すなわち、
８回）。表示パネル３０の各ＥＬ素子１５は、供給され
る各サブフィールドの各々に対し、後述する所定の発光
期間だけ発光制御され、１フレーム分の発光表示を多階
調表示によって行うことができる。尚、かかるサブフィ
ールド２n階調法を用いた画像表示装置は、例えば、本
願と同一の出願人による特開平１０−３１２１７３号公
報に開示されている。
【００１５】また、本実施例においては、有機ＥＬ発光
層に形成不良部が有る場合、その部分でリーク電流が発
生して発光不良が生じることを防ぐために、有機ＥＬ素
子に逆バイアス電圧を印加して不良部の除去が行えるよ
うにしている。図５は、表示パネル３０の構造の一部を
模式的に示す、表示パネル３０を裏面から見た場合の平
面図である。
【００１６】この表示パネル３０は、ガラスなどの透明
な基板上に走査ライン５及びデータライン７がマトリク
ス状に配置されている。走査ライン５及びデータライン
７の交差位置にはそれぞれ、アドレス選択用ＦＥＴ１
１、駆動用ＦＥＴ１２、キャパシタ１３及び発光部を構
成する有機ＥＬ素子１５が設けられている。尚、これら
の回路構成は図１に示したものと同様である。
【００１７】表示パネル３０の裏面には、走査ライン
（Ａ１−Ａｎ）に沿って延びた帯状の金属膜からなる帯
状電極４５（ＳＥ１−ＳＥｎ）が形成されている。帯状
電極４５は走査ライン毎に設けられており、互いに電気
的に分離されている。第ｋ走査ライン（Ａｋ）にＦＥＴ
１１，１２を介して接続されたＥＬ素子１５（ＥＬk,j,
ｊ＝１〜ｍ）の陰極は、対応する帯状電極４５（ＳＥ
ｋ）に接続されている。すなわち、ＥＬ素子１５の陰極
は走査ライン毎に互いに電気的に分離され、走査ライン
毎に独立して制御することができるようになっている。
一方、ＥＬ素子１５の陽極は駆動ＦＥＴ１２を介してア
ノードライン４７に接続されている。各アノードライン
４７は互いに電気的に接続されて表示パネル３０内のＥ
Ｌ素子１５の共通の陽極として機能し、電源回路３６の
正の電圧出力端ＶDに接続されている。
【００１８】図６は、本実施例における表示パネル３０
及び帯状電極制御ドライバ３５を模式的に示している。
各帯状電極４５は帯状電極制御ドライバ３５内に設けら
れたスイッチＳ１〜Ｓｎにより選択的に電源回路３６の
電圧出力端ＶG、ＶB、又はＶ D（又はオープン）に接続
されるようになっている。ここで、電圧ＶGは、ＥＬ素
子１５を発光せしめる場合に接続される電圧である。す
なわち、電圧ＶGはアノードライン４７に印加される電
圧ＶDとの電圧差（＝ＶD−ＶG）がＥＬ素子１５の所定
の駆動電圧となるように選べばよい。また、ＥＬ素子１
５を非発光とする場合、アノードライン４７は電圧ＶD
（又はオープン）に切り換えられる。尚、この電圧は必
ずしもＶDでなくともよく、ＥＬ素子１５を非発光とす
る電圧であればよい。更に、電圧ＶBはＥＬ素子１５に
上記した逆バイアス電圧を印加するための電圧であり、
アノードライン４７に印加される電圧ＶDとの電圧差
（＝ＶD−ＶB＜０）が所定の逆バイアス電圧となるよう
に選ばれる。帯状電極制御ドライバ３５は、表示制御部
２６からの制御信号に基づいて各帯状電極４５に印加す
る電圧の切替えを行う。
【００１９】本発明における有機ＥＬ表示装置２０は、
このように構成され、入力映像信号に対し、各サブフィ
ールド毎に表示パネルの画面全体のアドレス走査による
発光制御を繰り返すことにより、フレーム単位の発光表
示を多階調表示によって行うことができる。以下に、表
示制御部２６が、表示パネル３０の発光・非発光を制御
して多階調表示を実現する発光制御動作について、図７
に示すタイムチャートを参照しつつ詳細に説明する。
【００２０】先ず、表示制御部２６は、列アドレスカウ
ンタ２２、行アドレスカウンタ２３、フレームメモリ２
４、及びマルチプレクサ２５を制御し、１フレーム分の
デジタル映像信号データを各サブフィールドに対応する
階調表示データに変換し、マルチプレクサ２５に供給す
る。次に、第１サブフィールド（ＳＦ１）に関する表示
データのうち、第１走査ラインに対応する表示データを
データドライバ２８内のデータラッチ回路（図示しな
い）にラッチさせる。表示制御部２６はラッチされた第
１走査ラインの列データのそれぞれを、対応する各アド
レスに書き込む。すなわち、走査ドライバ２７からアド
レス信号を送出して第１走査ラインの各アドレス選択用
ＦＥＴ１１を導通せしめる。これと同時に、表示制御部
２６は帯状電極制御ドライバ３５のスイッチＳ１を開状
態（ＯＰＥＮ）からＶGに切替える。これにより、第１
走査ラインに対応する帯状電極４５は電圧ＶGに接続さ
れ、映像信号データに応じて第１走査ライン内の発光す
べきＥＬ素子１５は発光する。すなわち、発光を示すデ
ータが供給されるアドレスのＥＬ素子１５を発光せしめ
る。
【００２１】表示制御部２６は、発光開始後、所定の期
間（Ｔ0）が経過したときに帯状電極制御ドライバ３５
を制御してスイッチＳ１をＶGからＶBに切替えて、所定
の逆バイアス期間（ＴB）の間、帯状電極４５を逆バイ
アス電圧に保持する。所定逆バイアス期間経過の後、ス
イッチＳ１をＶBからＶGに切替えて、再度ＥＬ素子１５
を発光せしめる。発光開始から所定の発光期間
（ＴL,1）が経過の後、スイッチＳ１をＶGから開状態
（OPEN）に切替えて、ＥＬ素子１５の発光を停止せしめ
る。尚、この場合、実際にＥＬ素子１５が発光している
期間は、所定の発光期間から所定の逆バイアス期間を減
じた期間（＝ＴL,1−Ｔb）である。
【００２２】表示制御部２６は、第１走査ラインの列デ
ータがラッチされた後のステップとして、上記した第１
走査ラインの場合と同様にして第２走査ラインの各ＥＬ
素子１５の発光及び逆バイアス印加に関する制御動作を
実行する。全ての走査ライン、すなわち第ｎ走査ライン
までの制御動作が終了した後、表示制御部２６は、第２
サブフィールド（ＳＦ２）に関する制御を実行する。第
２サブフィールドにおいては第１サブフィールドと同様
の発光制御がなされるが、帯状電極４５への逆バイアス
電圧印加はなされない。第３〜第ｎサブフィールド（Ｓ
Ｆ３−ＳＦｎ）については、第２サブフィールドと同様
に、逆バイアス電圧を印加しない発光制御がなされる。
すなわち、本実施例においては、１フレーム期間に対し
て、１つのサブフィールド期間においてのみ逆バイアス
電圧印加が行われる。尚、本実施例において、各サブフ
ィールド（ＳＦｋ）内の各走査ラインの発光期間は同一
（＝ＴL,k ）であるように制御される。
【００２３】本発明によれば、上記したように逆バイア
ス電圧印加制御が実行されるので、逆バイアス電圧を印
加するタイミング及び印加期間の長さを走査ライン毎に
任意に設定できる。一方、例えば各走査ラインに共通の
電極を用いた場合では、図８に示すように、各走査ライ
ンに同時に逆バイアス電圧が印加される。この場合、ア
ドレス信号のパルス幅である書込み期間と逆バイアス電
圧期間の相対的なタイミングに応じて各走査ラインの発
光状態は変化し、走査ライン毎に輝度が異なってしま
う。図９(ａ)に示すように、書込み期間と逆バイアス電
圧期間が離れている場合と、図９(ｂ)、(ｃ)に示すよう
に、これらの期間が重なっている場合とでは輝度に違い
が生じる。この発光状態の変化はＥＬ素子１５を充電す
る際の時定数に起因するものである。しかしながら、本
発明によれば、このような影響が生じないように逆バイ
アス電圧期間を設けることができるので、各走査ライン
の発光状態を同一に維持しつつ逆バイアス電圧を印加す
ることができる。
【００２４】また、アドレス信号に基づいて発光を停止
（又は開始）する場合には、全ての走査ラインの走査が
終了するまでＥＬ素子１５の発光データを更新できない
ので、発光期間をアドレス期間（ＴA）よりも短くする
ことができない。従って、階調表示の精度が制限される
という不都合が生じる。しかしながら、本発明によれ
ば、前述のように、ＥＬ素子１５の発光の開始及び停止
のタイミングを任意に設定できるので、全ての走査ライ
ンを走査するために要する期間であるアドレス期間（Ｔ
A）よりも短い任意の発光期間をサブフィールドに対し
割り当てることが可能であり、高精度の多階調表示が可
能である。
【００２５】更に、本発明によれば、ＥＬ素子１５の発
光期間を任意に設定でき、その期間の長さによって輝度
調整ができるので、例えば、駆動ＴＦＴへの輝度制御信
号の振幅変調による輝度調整の場合と異なり、Ｓ／Ｎ比
の劣化を生じさせることなく表示パネルの輝度を調整す
ることが可能である。上記した実施例においては、アド
レス信号と同時にＥＬ素子１５の発光を開始するように
帯状電極制御ドライバ３５のスイッチを制御する場合を
例に説明したが、前述のように発光の開始及び停止は任
意に設定することができる。
【００２６】更に、１フレーム期間内の１つのサブフィ
ールド期間においてのみ逆バイアス電圧を印加する場合
を例に説明したが、これに限らず適宜逆バイアス電圧を
印加するようにしてもよい。例えば、逆バイアス電圧の
印加は数フレーム毎に１回でもよい。また、フレーム期
間内における逆バイアス電圧の印加タイミングは任意で
よい。
【００２７】図１０は、発光期間及び逆バイアス電圧印
加タイミングの他の例を示すタイムチャートである。発
光期間はサブフィールド期間内の所定のタイミングに設
けられ、逆バイアス印加が行われるサブフィールドにお
いては、逆バイアス印加期間は発光期間と重ならないよ
うに非発光期間内に設けられている。図１１は、本発明
の第２の実施例であるアクティブマトリクス型表示パネ
ル３０の構成を模式的に示している。有機ＥＬ表示装置
２０の構成は第１の実施例の場合と同様である。
【００２８】本実施例が上記した実施例と異なるのは、
表示パネル３０の帯状電極４５が、各々が少なくとも１
つの走査ラインを含む走査ラインブロック（ＳＬＢ１−
ＳＬＢｐ）毎に設けられている点である。すなわち、図
１１に示すように、例えば、走査ラインブロック１（Ｓ
ＬＢ１）に含まれる走査ライン（Ａ１−Ａｉ）上のＥＬ
素子１５（ＥＬq,r ,（ｑ＝１〜ｉ，ｒ＝１〜ｍ））の
陰極は同じ帯状電極４５（ＳＥ１）に接続されている。
他の各走査ラインブロック（ＳＬＢ２〜ＳＬＢｐ）のＥ
Ｌ素子１５も同様にして帯状電極４５（ＳＥ２〜ＳＥ
ｐ）の各々に接続されている。すなわち、ＥＬ素子１５
の陰極は走査ラインブロック毎に互いに電気的に分離さ
れている。
【００２９】また、帯状電極制御ドライバ３５は表示制
御部２６からの制御信号に応答して各スイッチＳ１〜Ｓ
ｐを切替え、各帯状電極４５を選択的に電源回路３６の
電圧出力端ＶB、ＶD又は接地電圧（ＧＮＤ）に接続す
る。すなわち、ＥＬ素子１５を発光せしめる場合には接
地電圧（ＧＮＤ）に、発光を停止する場合には共通陽極
と同電圧のＶDに、逆バイアス電圧を印加する場合には
逆バイアス電圧ＶBに帯状電極４５を接続する。このよ
うに、走査ラインブロック毎に独立して帯状電極４５の
接続を制御することができるようになっている。
【００３０】図１２は、表示制御部２６が実行する表示
パネル３０の制御動作を示すタイムチャートである。走
査ラインブロック毎にＥＬ素子１５の発光制御及び逆バ
イアス電圧印加制御を行う点において、走査ライン毎に
制御を行う第１の実施例の場合と異なる。各走査ライン
ブロックにおいて、発光制御及び逆バイアス電圧印加
は、同一の走査ラインブロックに含まれる走査ラインに
対して同時に行われる。また、各サブフィールドにおけ
る発光期間の長さは同一のサブフィールド（ＳＦｋ）内
においては全ての走査ラインブロックに対して一定（Ｔ
L,k ）であるように制御される。
【００３１】図１３は、本発明の第３の実施例であるア
クティブマトリクス型表示パネル３０の構成を模式的に
示している。有機ＥＬ表示装置２０の構成は第１の実施
例の場合と同様である。本実施例が上記した実施例と異
なるのは、表示パネル３０の帯状電極４５（ＳＥ１−Ｓ
Ｅｍ）がデータライン（Ｂ１−Ｂｍ）に沿って形成され
ている点である。帯状電極４５はデータライン毎に設け
られており、互いに電気的に分離されている。第ｋデー
タライン（Ｂｋ）上のＥＬ素子１５（ＥＬj,k , ｊ＝１
〜ｎ）の陰極は、対応する帯状電極４５（ＳＥｋ）に接
続されている。各帯状電極４５の電圧は帯状電極制御ド
ライバ３５内に設けられたスイッチにより選択的に切替
えることが可能である。すなわち、表示パネル３０のＥ
Ｌ素子１５はデータライン毎に独立して制御することが
できるようになっている。従って、ＥＬ素子１５に関し
て自由度の高い制御が可能である。
【００３２】例えば、各走査ラインに赤、緑及び青で発
光する３種類のＥＬ素子１５が順に繰り返し接続された
カラー表示パネル３０に本発明を適用することができ
る。この場合、帯状電極４５の１つには１種類の発光色
のＥＬ素子１５が接続されている。図１２に示すよう
に、ＥＬ素子１５を発光させる場合、各帯状電極４５は
当該帯状電極４５に接続されたＥＬ素子１５の種類に応
じて、電源回路３６の３種類の出力電圧（Ｖ1，Ｖ2，Ｖ
3）のうち所定の１つに接続される。従って、ＥＬ素子
１５の種類に応じて、ＥＬ素子１５の発光時の印加電圧
を最適な電圧にすることができる。
【００３３】図１４は、上記したカラー表示パネル３０
において発光時に電圧Ｖ1に接続される帯状電極４５に
関する制御動作を示すタイムチャートである。各走査ラ
インにおいてＥＬ素子１５は同時に発光し、また逆バイ
アス電圧印加も同時に行われる。電圧Ｖ2，Ｖ3に接続さ
れる帯状電極４５も同様に制御される。また、印加電圧
のみならず、発光期間をＥＬ素子１５の種類に応じて変
化させてもよい。
【００３４】尚、上記した実施例においては、陰極を電
気的に分離して帯状電極とした場合を例に説明したが、
陽極を同様に帯状電極としてもよい。更に、上記した実
施例は例示であって、適宜組み合わせて用いることがで
きる。上記したように、本発明によれば、互いに電気的
に分離された帯状の電極を少なくとも１つの走査ライン
又はデータライン毎に設けているので、発光素子に印加
する電圧及び印加のタイミングを自由に制御でき、安定
性が高く高精度の多階調表示が可能である。
【００３５】
【発明の効果】上記したことから明らかなように、本発
明によれば、安定性が高く高精度の多階調表示が可能な
アクティブマトリクス型の表示装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のアクティブマトリクス型表示パネルの１
つの画素に対応する回路構成の１例を概略的に示す図で
ある。
【図２】従来のアクティブマトリクス型表示パネルの概
略的構成及び共通陽極及び共通陰極の接続を模式的に示
す図である。
【図３】本発明の第１の実施例であるアクティブマトリ
クス型表示パネルを用いた有機ＥＬ表示装置の構成を概
略的に示す図である。
【図４】デジタル映像信号の１フレーム期間、サブフィ
ールド期間、及びアドレス期間を示す図である。
【図５】本発明の第１の実施例である表示パネルの構造
の一部を模式的に示す平面図である。
【図６】本発明の第１の実施例である表示パネル及び帯
状電極制御ドライバを模式的に示す図である。
【図７】表示制御部が実行する表示パネルの発光制御及
び逆バイアス印加動作を示すタイムチャートである。
【図８】各走査ラインに同時に逆バイアス電圧を印加し
た場合のサブフィールド期間と逆バイアス期間の関係を
模式的に示す図である。
【図９】図８における書込み期間と逆バイアス電圧期間
の相対的なタイミングに応じて各走査ラインの発光状態
が変化することを示す図である。
【図１０】本発明の第１の実施例である表示パネルにお
ける、発光期間及び逆バイアス電圧印加タイミングの他
の例を示すタイムチャートである。
【図１１】本発明の第２の実施例であるアクティブマト
リクス型表示パネルの構成を模式的に示す図である。
【図１２】図１１に示す表示パネルに関し表示制御部が
実行する制御動作を示すタイムチャートである。
【図１３】本発明の第２の実施例であるアクティブマト
リクス型表示パネルの構成を模式的に示す図である。
【図１４】図１３に示す表示パネルに関し表示制御部が
実行する制御動作を示すタイムチャートである。
【主要部分の符号の説明】
１０ 画素 １１ アドレス選択用ＦＥＴ １２ 駆動用ＦＥＴ １３ キャパシタ １５ 発光素子 ２０ 表示装置 ２１ Ａ／Ｄ変換器 ２２ 列アドレスカウンタ ２３ 行アドレスカウンタ ２４ フレームメモリ ２５ マルチプレクサ ２６ 表示制御部 ２７ 走査ドライバ ２８ データドライバ ３０ 表示パネル ３５ 帯状電極制御ドライバ ３６ 電源 ４５ 帯状電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/08 Ｈ０５Ｂ 33/08

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 マトリクス状に配置された走査線及びデ
    ータ線の交差位置に配された複数の発光素子、前記複数
    の発光素子の各々を駆動する駆動回路及び前記複数の発
    光素子の各々の一方の端子に接続された導電部を含む表
    示パネルと、入力映像信号に応じて前記駆動回路を制御
    する表示制御部と、前記複数の発光素子に前記導電部を
    経て電力を供給する電源回路を含む電源部と、を有する
    アクティブマトリクス型の表示装置であって、 前記導電部は、前記走査線の少なくとも１つ毎に設けら
    れて互いに電気的に分離された複数の帯状電極からな
    り、前記電源部は前記複数の帯状電極の各々を前記電源
    回路に選択的に接続するスイッチ回路を含むことを特徴
    とする表示装置。
  2. 【請求項２】 マトリクス状に配置された走査線及びデ
    ータ線の交差位置に配された複数の発光素子、前記複数
    の発光素子の各々を駆動する駆動回路及び前記複数の発
    光素子の各々の一方の端子に接続された導電部を含む表
    示パネルと、入力映像信号に応じて前記駆動回路を制御
    する表示制御部と、前記複数の発光素子に前記導電部を
    経て電力を供給する電源回路を含む電源部と、を有する
    アクティブマトリクス型の表示装置であって、 前記導電部は、前記データ線の少なくとも１つ毎に設け
    られて互いに電気的に分離された複数の帯状電極からな
    り、前記電源部は前記複数の帯状電極の各々を前記電源
    回路に選択的に接続するスイッチ回路を含むことを特徴
    とする表示装置。
  3. 【請求項３】 前記発光素子の発光時に印加される電圧
    とは逆方向の逆バイアス電圧を生成する逆バイアス電圧
    生成回路と、前記複数の帯状電極を介して前記複数の発
    光素子に前記逆バイアス電圧を選択的に印可する逆バイ
    アス電圧印可回路と、を更に有することを特徴とする請
    求項１又は２に記載の表示装置。
  4. 【請求項４】 前記表示制御部はタイマを有し、前記タ
    イマの出力に応じて前記スイッチ回路を制御して前記複
    数の帯状電極の各々を前記電源回路に選択的に接続する
    ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１に記載
    の表示装置。
  5. 【請求項５】 前記表示制御部は、前記タイマの出力に
    応じて前記スイッチ回路を制御して前記複数の帯状電極
    の各々を逆バイアス電圧生成回路に選択的に接続するこ
    とを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
  6. 【請求項６】 マトリクス状に配置された走査線及びデ
    ータ線の交差位置に配された複数の発光素子と、前記複
    数の発光素子の各々を駆動する駆動回路と、前記複数の
    発光素子の各々の一方の端子に接続された導電部を含む
    表示パネルであって、 前記導電部は、前記走査線の少なくとも１つ毎に設けら
    れて互いに電気的に分離された複数の帯状電極からなる
    ことを特徴とする表示パネル。
  7. 【請求項７】 マトリクス状に配置された走査線及びデ
    ータ線の交差位置に配された複数の発光素子と、前記複
    数の発光素子の各々を駆動する駆動回路と、前記複数の
    発光素子の各々の一方の端子に接続された導電部を含む
    表示パネルであって、 前記導電部は、前記データ線の少なくとも１つ毎に設け
    られて互いに電気的に分離された複数の帯状電極からな
    ることを特徴とする表示パネル。
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