JP2005094635A - 電力増幅器のバイアス回路 - Google Patents

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Abstract

【課題】 バイアス電流の設定が簡単で、一度設定したバイアス電流が周囲温度によって変化しない電力増幅器のバイアス回路を提供する。
【解決手段】 電源から供給される電源電流がバイアス電圧に依存する電力増幅器と、前記電源から前記電力増幅器に電源電圧を印加する電源供給路に直列に介挿された電流検出抵抗と、前記電力増幅器に前記バイアス電圧を印加する差動増幅器とを備え、前記差動増幅器の一方の入力端に基準電圧を印加し、他方の入力端に前記電源の電圧よりも前記電流検出抵抗による電圧降下分だけ低くなった電圧を印加した。
【選択図】 図1

Description

本発明は電力増幅器のバイアス回路に関する。
図5に示すように、電力増幅部12に供給された入力信号はここで増幅され、出力信号として出力される。通常の使用時には電力増幅部12に主電源14からスイッチ34を介して電源が供給され、電圧出力部18からバイアス電圧Vbが印加される。電力増幅部12に印加されるバイアス電圧Vbを好適な値に設定するためにバイアス電流Ibを検出するバイアス電流検出回路20が設けられる。
バイアス電流検出回路20は電力増幅部12に主電源14より低い電圧で主電源14からの最大電流よりも少ない調整用電流(1b)を供給する調整用電源22と、そのバイアス電流を検出する電流検出部24とを含む。調整用電源22の電圧は、バイアス電流Ibの調整可能な最低電圧よりも高い電圧に設定される。電流検出部24は、検出用抵抗30と比較部32とを含む。
そして、スイッチ34が主電源14からの出力を遮断した状態で、調整用電源22から電力増幅部に電流が供給され、バイアス電流Ibの検出及びバイアス電圧Vbの調整がおこなわれる。バイアス電流の検出結果は検出結果信号生成部36に送られ、ここで、バイアス電圧Vbの可変制御を行う制御部38でその検出結果を判断可能な検出結果信号が生成され、制御部38に送出される。
制御部38は検出結果に基づいたバイアス電圧を決定し、電圧出力部18からそのバイアス電圧Vbを出力する。記憶部40にはバイアス電圧Vbの設定値が記憶されており、制御部38はこの記憶部40を参照してバイアス電圧Vbを取得する(例えば、特許文献1参照。)。
特開2002−353749号公報(図1)
上記構成では、バイアス電圧Vbの値を設定するためにバイアス電流検出回路20や制御部38、記憶部40等を設け、バイアス電流検出回路20のは検出結果信号生成部等を設けるので全体の構成が極めて複雑となる。また、このようにして設定されたバイアス電圧Vbを電力増幅部12に供給しても、周囲温度の変化等によって電力増幅部12自体の温度依存性によってバイアス電流が変化するという問題が発生する。
本発明は、バイアス電流の設定が簡単で、一度設定したバイアス電流が周囲温度によって変化しない電力増幅器のバイアス回路を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明では、電源から供給される電源電流がバイアス電圧に依存する電力増幅器と、前記電源から前記電力増幅器に電源電圧を印加する電源供給路に直列に介挿された電流検出抵抗と、前記電力増幅器に前記バイアス電圧を印加する差動増幅器とを備え、前記差動増幅器の一方の入力端に基準電圧を印加し、他方の入力端に前記電源の電圧よりも前記電流検出抵抗による電圧降下分だけ低くなった電圧を印加した。
また、前記電流検出抵抗の前記電源側の一端とグランドとの間に抵抗分圧回路を設け、前記抵抗分圧回路から出力される分圧電圧を前記差動増幅器の前記一方の入力端に印加し、前記電流検出抵抗の他端の電圧を前記差動増幅器の他方の入力端に印加した。
また、前記差動増幅器から出力される前記バイアス電圧を増幅器を介して前記電力増幅器に印加した。
請求項1に記載の発明によれば、電源から電力増幅器に電源電圧を印加する電源供給路に直列に介挿された電流検出抵抗を設け、差動増幅器の一方の入力端に基準電圧を印加し、他方の入力端に電源の電圧よりも電流検出抵抗による電圧降下分だけ低くなった電圧を印加したので、電力増幅器の電流特性が温度によって変化してもこの電流変化が、電力増幅器へ供給されるバイアス電圧にフィードバックされ、電流検出抵抗に流れる電流が常に一定となるように制御される。
また、請求項2に記載の発明によれば、電流検出抵抗の電源側の一端とグランドとの間に抵抗分圧回路を設け、抵抗分圧回路から出力される分圧電圧を差動増幅器の一方の入力端に印加し、電流検出抵抗の他端の電圧を差動増幅器の他方の入力端に印加したので、電力増幅器に流れる電流を分圧電圧によって簡単に設定できる。
また、差動増幅器から出力されるバイアス電圧を増幅器を介して電力増幅器に印加したので、差動増幅器に負担をかけることなく電力増幅器を十分に駆動できる。
以下図面によって説明する。図1は本発明の電力増幅器の第1実施例、図2はその変形例、図3は本発明の電力増幅器の第2実施例、図4はその変形例を示す図1において、電力増幅器1には電源2から電流検出抵抗3を介して電圧が供給される。また、電力増幅器1にはオペアンプで構成される差動増幅器4からバイアス電圧が供給される。これによって電力増幅器1にはバイアス電圧に依存する電源電流(バイアス電流)が流れる。よって、電力増幅器1には電流検出抵抗3による電圧降下だけ電源2の電圧よりも低い電圧が印加される。そして、電力増幅器1に入力された入力信号はここで増幅され、出力信号として出力される。
電流検出抵抗3の電源2側の一端とグランドとの間には抵抗分圧回路5が接続される。抵抗分圧回路5の分圧電圧、すなわち、電源2側の抵抗5aとグランド側の抵抗5bとの接続点の電圧が差動増幅器4の反転入力端(−)に印加される。電流検出抵抗3の他端が非反転入力端(+)に接続される。ここで、分圧電圧の値は電流検出抵抗3による電圧降下だけ電源2の電圧よりも低い電圧とひとしくなるように抵抗5a、5bの抵抗値によって設定される。
ここで、電流増幅器1に流すべきバイアス電流を、たとえば150mAとする。そして電流検出抵抗3の抵抗値を0.33Ωとする。この結果、電流検出抵抗3によって、約0.5ボルトの電圧降下が発生する。もし、電源1の電圧を3ボルトとすれば差動増幅器4の非反転入力端(+)には2.95ボルトの電圧が印加される。この電圧はそのまま、電力増幅器1にも印加される。そして、差動増幅器4の反転入力端(−)にも分圧回路5から2.95ボルトの電圧が印加される(抵抗5aの抵抗値が51Ω、抵抗5bの抵抗値が3kΩ)。
この結果、差動増幅器4は電力増幅器1に150mAのバイアス電流が流れたときに平衡状態となる。
電力増幅器1のバイアス電流特性が温度依存性を有して、周囲温度の上昇によって電流が増加するように働くと、電流検出抵抗の他端の電圧が低下する。すると、差動増幅器4から電力増幅器1に供給しているバイアス電圧が低下する。その結果、電力増幅器1に流れるバイアス電流が減少して150mAとなったところで差動増幅器4は平衡状態となる。すなわち、電力増幅器1は自身に流れるバイアス電流によってバイアス電圧に負帰還されるので、バイアス電流は温度に依存しなくなる。
上記の構成では、電力増幅器1のバイアス電圧対バイアス電流が順方向特性(バイアス電圧が大きくなるとバイアス電流も大きくなる)である場合に適用されるが、電力増幅器1のバイアス電圧対バイアス電流が逆方向特性(バイアス電圧が大きくなるとバイアス電流が小さくなる)である場合には、差動増幅器4の非反転入力端(+)に分圧電圧を印加し、反転入力端(−)に電流検出抵抗3の他端の電圧を印加すればよい。
なお、図2に示すように、差動増幅器4から出力されるバイアス電圧をPNPトランジスタ6aからなる増幅器6を介して電力増幅器1に印加するようにすれば、増幅器6によってバイアス電圧が増幅されて差動増幅器4の負荷が軽くなるので、電力増幅器1がバイポーラトランジスタ(図示せず)で構成されていてもこれを十分に駆動できる。
すなわち、電源2からトランジスタ6aのエミッタに給電され、差動増幅器4の出力端がトランジスタ6aのベースに接続される。そしてコレクタから電力増幅器1にバイアス電圧が供給される。この場合、増幅器6の出力は差動増幅器4の出力に対して位相が反転するので、図示のように、抵抗5aと抵抗5bとの接続点の電圧が差動増幅器4の非反転入力端(+)に印加され、電流検出抵抗3の他端が反転入力端(−)に接続される。
図1の差動増幅器1はオペアンプによって構成されていたが、これを図3に示すように差動結合された二つのトランジスタ4a、4bによって構成することもできる。すなわち、トランジスタ4a、4bのエミッタは抵抗4cによってグランドに接続され、各コレクタはそれぞれの負荷抵抗4d、4eを介して電源2に接続される。そして、トランジスタ4aのベースに分圧電圧が印加され、トランジスタ4bのベースには電流検出抵抗3の他端の電圧が印加される。トランジスタ4aのコレクタから電力増幅器1にバイアス電圧が供給される。図3の構成の動作は図1のそれと同じであるので説明は省略する。
なお、図4に示すように、差動増幅器4から出力されるバイアス電圧をPNPトランジスタからなる増幅器6を介して電力増幅器1に印加するようにすれば、この場合も差動増幅器4の負荷が軽くなるので、電力増幅器1がバイポーラトランジスタ(図示せず)で構成されていてもこれを十分に駆動できる。
すなわち、の場合、増幅器6の出力は差動増幅器4の出力に対して位相が反転するので、図示のように、電源2からトランジスタ6aのエミッタに給電され、トランジスタ4bのコレクタの電圧がトランジスタ6aのベースに印加され、コレクタから電力増幅器1にバイアス電圧が供給される。
本発明の電力増幅器のバイアス回路の第1の実施例の構成を示す回路図である。 本発明の電力増幅器のバイアス回路の第1の実施例の他の構成を示す回路図である。 本発明の電力増幅器のバイアス回路の第2の実施例の構成を示す回路図である。 本発明の電力増幅器のバイアス回路の第2の実施例の他の構成を示す回路図である。 従来の電力増幅器のバイアス回路の構成を示す回路図である
符号の説明
1:電力増幅器
2:電源
3:電流検出抵抗
4:差動増幅器
4a、4b:トランジスタ
4c、4d、4e:抵抗
5:分圧回路
5a、5b:抵抗
6:増幅器
6a:トランジスタ

Claims (3)

  1. 電源から供給される電源電流がバイアス電圧に依存する電力増幅器と、前記電力増幅器に前記バイアス電圧を印加する差動増幅器とを備え、前記電源から前記電力増幅器に電源電圧を印加する電源供給路に直列に介挿された電流検出抵抗を設け、前記差動増幅器の一方の入力端に基準電圧を印加し、他方の入力端に前記電源の電圧よりも前記電流検出抵抗による電圧降下分だけ低くなった電圧を印加したことを特徴とする電力増幅器のバイアス回路。
  2. 前記電流検出抵抗の前記電源側の一端とグランドとの間に抵抗分圧回路を設け、前記抵抗分圧回路から出力される分圧電圧を前記差動増幅器の前記一方の入力端に印加し、前記電流検出抵抗の他端の電圧を前記差動増幅器の他方の入力端に印加したことを特徴とする請求項1に記載の電力増幅器のバイアス回路。
  3. 前記差動増幅器から出力される前記バイアス電圧を増幅器を介して前記電力増幅器に印加したことを特徴とする請求項1又は2に記載の電力増幅器のバイアス回路。
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