JP2005093930A

JP2005093930A - 多層基板とその製造方法

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Publication number: JP2005093930A
Application number: JP2003328660A
Authority: JP
Inventors: Haruhiko Makino; 晴彦牧野
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2003-09-19
Filing date: 2003-09-19
Publication date: 2005-04-07

Abstract

【課題】
微細でしかも高精度のバンプを多層の積層工程の中で一緒に形成することが可能な多層基板を提供する。
【解決手段】
メッキのための給電手段を構成するベースメタル２０に凹部２２を形成し、この凹部２２にＮｉとＡｕの境界メッキ層２３を形成した後に凹部２２内を充填するようにメッキ層２４を形成し、ベースメタル２０上にこのベースメタル２０を給電手段として電解メッキで多層に基板を積層した後に上記ベースメタル２０をエッチングすることによって、境界メッキ層２３の外側の部分のベースメタル２０を除去して内側のメッキ層２４によってバンプ５６を形成する。
【選択図】図６

Description

本発明は多層基板とその製造方法に係り、とくに外部の回路と接続するための電極バンプを備える多層基板とその製造方法に関する。

近年、半導体素子はますます高集積化および高性能化が進められている。例えば絶縁パッケージの４辺からそれぞれリードが出ているタイプのＱＦＰ（ＱｕａｄＦｌａｔＰａｃｋａｇｅ）のような表面実装パッケージから、実装の接合面にマトリックス状に端子を構成するボールを実装したＢＧＡ（ＢａｌｌＧｒｉｄＡｒｒａｙ）に代表される多層配線基板をインターポーザとするパッケージが開発されている。

しかし最近になると、封止樹脂から成るパッケージを持たない裸の半導体チップを直接多層基板に実装するベアチップ実装法が提案されている。ベアチップ実装法は、多層配線基板上の配線とチップとの間の接続経路を短縮することができるために、小型軽量化は勿論のこと、信号処理の高速化も期待することができる。また上記のようなベアチップを実装した多層配線基板をマザーボードに実装することもある。

このようなベアチップと多層配線基板、多層配線基板とマザーボードへの接続は、金属バンプ、例えば金バンプや半田バンプ等が形成されることが多い。このような従来の金属バンプを用いた多層配線基板の製造方法を図９〜図１１によって説明する。

図９（１）に示すように所定の厚さの有機絶縁基板１を用意する。そしてこの有機絶縁基板１の一方の表面を粗面化する（図９（２）参照）。そしてこの後に表面を粗面化した有機絶縁基板１の上に銅等の金属の無電解メッキまたは蒸着等によって５μｍ以下のメッキ下地層２を図９（３）のように形成する。

上記メッキ下地層２の上に、図９（４）に示すように感光性のドライフィルムまたはフォトレジスト等により回路配線用レジストパターン３を形成する。そして上記パターン３の部分のドライフィルムまたはフォトレジストが欠如されたところに、図９（５）に示すように銅等の金属を電気メッキによって充填し、十分な膜厚のメッキ層４を形成する。そしてこの後に図１０（６）に示すようにドライフィルムまたはフォトレジストから成るレジストパターン３を剥離する。

この後にメッキ層４によって覆われていない配線間のメッキ下地層２を図１０（７）に示すように除去することによって、下側の導体層４を形成する（図１０（７）参照）。

次に上層を形成するために、下層の導体層４の上面を覆うように有機絶縁層を形成する（図１０（８）参照）。そして絶縁層７の上に形成されたレジストパターン８を用いてフォトリソグラフィまたはレーザ加工によりビアホール９を形成する。そして図１０（１０）に示すように２段目の下地層１０を無電解メッキまたは蒸着等によって形成する。このメッキ層１０の厚さも５μｍ以下の値である。

この後図１１（１１）に示すように２段目の回路配線を形成するために、感光性のドライフィルムまたはフォトレジスト等によって回路配線レジストパターン１１を形成し、その後に電気メッキによって十分な膜厚のメッキ層１２を形成する。そしてこの後に図１１（１２）に示すようにメッキ下地層１０をエッチングによって除去することによって、２段目の導体層１２が形成される。

次に１層目の回路配線４の下面から外部端子（バンプ）を取出すために、絶縁基板１の下面にフォトリソグラフィまたはレーザ加工によって窓明け１３を行なう。そしてこの後に図１１（１４）に示すように、１層目の配線層４の下側にニッケルメッキを施した後に半田ボール等のバンプ１４を形成する。

図９〜図１１に示す従来の方法は、多層回路配線基板を形成する場合に、外部接続用バンプを一連のプロセスで形成することができず、図１１（１３）および（１４）に示す独立の工程で形成しなければならない問題がある。

本願発明の課題は、新規な多層基板とその製造方法を提供することである。

本願発明の他の課題は、外部端子を有する新規な構造の多層基板とその製造方法を提供することである。

本願発明のさらに他の課題は、多層回路配線基板を形成しながら、しかも外部接続端子としてのバンプをも一連のプロセスで形成することができる多層配線基板とその製造方法を提供することである。

本願の主要な発明は、配線を有する層内絶縁層と、前記配線層を層間で接続するスルーホールを有する層間絶縁層とを交互に積層して成る多層基板において、
前記配線または前記スルーホールをメッキによって形成する給電手段を構成するベースメタルをエッチングして形成したバンプを一方の表面に設けたことを特徴とする多層基板に関するものである。

ここでエッチングによって除去されない薄い金属層が前記バンプの外表面に形成されていることが好ましい。また前記薄い金属層がニッケルまたは金の内の１種または２種以上の層であることが好ましい。また前記バンプが設けられる表面とは反対側の表面に補強板が接着されることが好ましい。また前記バンプが設けられる表面とは反対側の表面に半導体のベアチップが実装されることが好ましい。

製造方法に関する主要な発明は、給電手段を構成するベースメタル上に穴をあけて前記給電手段によってバンプを電解メッキにより形成する工程と、
層内絶縁層をエッチングして開口を形成し、前記給電手段によって前記開口を電気メッキにより充填して配線を形成する工程と、
層間絶縁層に穴をあけて前記給電手段によって層間接続用のスルーホールを形成する工程と、
を具備し、前記配線を形成する工程と前記層間接続用のスルーホールを形成する工程とを交互に繰返すことによって所定の層数とし、
前記ベースメタルをエッチングして前記バンプバンプを形成することを特徴とする多層基板の製造方法に関するものである。

ここで前記ベースメタルにバンプに相当する凹部を形成するとともに、該凹部内にエッチングでは除去されない金属層を形成し、該金属層上に前記ベースメタルを給電手段としてメッキによりバンプを形成し、多層に積層した後に前記ベースメタルをエッチングしてバンプを形成することが好ましい。また前記エッチングで除去されない金属層がニッケルまたは金の内の１種または２種以上の層から構成されることが好ましい。また多層に積層されたあとに前記ベースメタルが接合されている面とは反対側の表面に補強板を接合することが好ましい。また前記層内絶縁層の開口に配線を形成する際にまず前記開口内に無電解メッキを施し、該無電解メッキ層の上に電解メッキによって配線を形成することが好ましい。また前記層内絶縁層の開口を形成するレジストパターンを残したままで無電解メッキを施し、その後に前記レジストパターンを剥離することにより前記開口の内側の無電解メッキのみを残して電解メッキを行なうことが好ましい。また前記バンプが形成される面とは反対側の表面に半導体のベアチップを実装し、接続手段によって前記ベアチップの電極とこの基板の電極とを接続し、封止手段によって前記半導体のベアチップを封止することが好ましい。

本願発明の好ましい態様は、次の（１）〜（１８）の工程から成る多層基板の製造方法である。

（１）Ｃｕベースメタル板に、バンプ部となる凹溝をエッチングによって形成する。

（２）上記Ｃｕベースメタル板の凹溝に、Ｃｕベースメタルを給電層として、後にバンプになる部分を電解メッキにより形成する。

（３）上記Ｃｕベースメタルの上面の凹凸を平坦化する。

（４）上記平坦化したＣｕベースメタルの上面に、Ｃｕベースメタルを給電層として、第１Ｃｕ配線層を電解メッキにより形成する。

（５）上記第１Ｃｕ配線層の上面に第１絶縁層（層間絶縁層）を接着する。

（６）上記第１絶縁層に所定のスルーホール用の穴を明け、その後Ｃｕベースメタルを給電層として、第１スルーホールを形成する。

（７）Ｃｕの露出している第１スルーホール面と第１絶縁層の上面に第２絶縁層（層内絶縁層）を接着する。

（８）第２回路層を形成するために、第２絶縁層にパターン溝を形成するとともに第１スルーホールの上面を露出させる。

（９）第２回路層を形成するための第２絶縁層のパターン溝と露出している第１スルーホール面に第１無電解Ｃｕメッキを形成する。

（１０）Ｃｕベースメタルと第１スルーホールと上記第１無電解Ｃｕメッキ層を給電層として、第２絶縁層の凹部に第２配線層を電解メッキで形成する。

（１１）次に上記第２絶縁層と第２配線層の上面に第３絶縁層（層間絶縁層）を接着する。

（１２）次に第３絶縁層に所定のスルーホール穴を明け第２スルーホールを電解メッキで形成する。

（１３）次に第４絶縁層（層内絶縁層）を接着する。

（１４）次に第４絶縁層に第３回路パターンを形成し、第２スルーホールの上面を露出する。

（１５）次に第２無電解Ｃｕメッキを行なう。

（１６）次にベースメタルと第１、第２スルーホールと第２無電解Ｃｕメッキ層を給電層として、第４絶縁層の凹部に電解メッキにより第３配線層を形成する。

多層にするには（１１）〜（３１）を繰返す。ｎ層とする場合には（１１）〜（３１）の工程をｎ−１回繰返す。

（１７）次に第３配線層の上面に絶縁補強板を接着する。

（１８）最後にベースメタルをエッチングすることによって、工程の初期に形成したバンプを露出させる。

このような工程によって構成される態様によれば、ベースメタル板を給電層として、処理工程の始めの方で、Ｃｕベースメタル板の中にバンプを形成し、その工程と同じ処理工程でＣｕベースメタル板上部に多層基板を形成するために、同じ処理工程の繰返しでバンプ付き多層基板を形成することができる。しかも上記のような連続した処理工程であるために、多層基板と微細なバンプとを精度よく形成することができる。そしてバンプを後から接合することがないために、この工程を省略することができる。

多層基板に関する主要な発明は、配線またはスルーホールをメッキによって形成する給電手段を構成するベースメタルをエッチングして形成したバンプを一方の表面に設けているために、このようなバンプを外部接続用端子として利用することが可能になるとともに、後からバンプを実装する必要のない多層基板を提供することが可能になる。

製造方法に関する主要な発明によると、ベースメタルをエッチングしてバンプを形成するようにしているために、一連の工程の中でバンプをも形成することが可能な多層基板の製造方法が提供される。

以下本願発明の一実施の形態に係る製造方法を図１〜図６によって説明する。まず図１（１）に示すようにＣｕベースメタル板２０を用意する。Ｃｕベースメタル板２０としては、例えば１００〜２００μｍの銅板が用いられる。なおその他の材料としては、ニッケル合金等を用いることもできる。

次に図１（２）に示すように第１レジストパターン２１を形成する。すなわち上記Ｃｕベースメタル板２０上に所定のレジストパターン２１を形成する。

次に図１（３）に示すようにバンプ部を形成するためのエッチングを行なう。すなわちレジストパターン２１をマスクとして、後にバンプ部となる凹部２２を形成する。ここでバンプの径は例えば１０〜５０μｍ程度の大きさであってよい。

次に図１（４）に示すようにバンプメッキを施す。すなわちレジストパターン２１をマスクとして、バンプ部となる凹部２２にＣｕベースメタル板２０を給電層とし、Ｃｕの溝２２の上面から１〜２μｍのＡｕの境界メッキ層２３を、その上面に銅メッキ層２４を、銅のベースメタル板２０の上部まで施す。

次いで（５）に示すようにレジスト２１の剥離を行なう。

次に図１（６）に示すようにベースメタル２０の上側の表面の平坦化処理を行なう。Ｃｕバンプメッキ２４を施した後にレジスト２１を剥離すると、Ｃｕベースメタル２０の上面にＣｕバンプメッキ２４の突起が形成される。この突起を研削し、Ｃｕベースメタル２０の上面の平坦化を行なう。平坦化は次に形成する細線化パターンを精度よく形成するためである。

次に図２（７）に示すように第１配線用のレジストパターン２７を形成する。すなわち第１配線層２８を形成するための所定のレジストパターンとする。

次に図２（８）に示すように第１配線層２８を電解メッキによって形成する。すなわち上記レジストパターン２７をマスクとし、Ｃｕベースメタル２０を給電層として、例えば硫酸銅メッキ浴を用いて電解メッキを行なうことによって、第１配線層２８を形成する。

次に図２（９）に示すように上記レジスト２７を剥離する。

次に図２（１０）に示すように第１絶縁層（層間絶縁層）２９の接着を行なう。すなわち第１配線層２８の上面にポリイミド系絶縁層、例えば厚さが３０μｍのポリイミド系フィルムを熱プレスによって圧着する。

次に図２（１１）に示すように第１スルーホール用レジストパターン３０を形成する。これは第１絶縁層２９の上面に第１スルーホール用レジストパターン３０を形成することになる。

次に図２（１２）に示すように第１スルーホールの窓明け３１を行なう。上記レジストパターン３０をマスクとし、第１絶縁層２９にスルーホールをエッチングして窓３１を形成し、第１配線層２８の上面を露出させる。なおここで絶縁層２９のエッチング液としては、例えば水酸化カリウム溶液を用いる。

次いで図３（１３）に示すように第１スルーホールの電解メッキ３４を行なう。すなわちレジストパターン３０をマスクとし、Ｃｕベースメタル２０を給電層として、第１配線層２８の上面から第１絶縁層２９の上面までを硫酸銅メッキ浴等を用いて電解メッキにより銅のスルーホール３４を形成する。なお銅のスルーホールメッキ３４は第１絶縁層２９の上面と同じかそれよりも高い高さまで形成する。

次いで図３（１４）に示すようにレジスト３０を剥離する。

次に図３（１５）に示すように第２絶縁層（層内絶縁層）３５を接着する。ここでは第１スルーホール３４の上面にポリイミド系の絶縁層３５、例えば厚さが３０μｍのフィルムを熱プレスによって接着する。

次いで図３（１６）に示すように第２配線層用のレジストパターン３６を形成する。第２絶縁層３５の上面の所定の位置にレジストパターン３６によって所定のパターンを形成する。

次に図３（１７）に示すように、第２配線用パターンエッチングを行なう。これは上記レジストパターン３６をマスクとし、第２絶縁層３５をエッチングし、第１スルーホール３４の上面を露出するとともに、第２配線層４１を形成するための溝パターン３７を形成する。なおここで絶縁層３５のエッチング液としては、例えば水酸化カリウム水溶液を用いる。

次に図３（１８）に示すように第１無電解メッキ層３８を形成する。すなわち上記のレジストパターン３６を残したまま、メッキ下地層としての無電解メッキ層３８を形成する。この無電解メッキ層は５μｍ以下であってよい。そして上記無電解銅メッキ３８は、第１スルーホール３４の上面と第１絶縁層２９の上面とレジストパターン３６の上面とに付着させる。

次いで図４（１９）に示すようにレジスト３６の剥離を行なう。レジスト３６を剥離すると第１スルーホール３４の上面と第１絶縁層２９の上面の無電解メッキ３８が残る。

次いで図４（２０）に示すように第２配線層用メッキ４１を行なう。すなわち第２絶縁層３５の開口３７にＣｕベースメタル２０、第１配線層２８、第１スルーホール３４、第１無電解メッキ３８を給電手段とし、第２配線層４１を電解メッキで形成する。

次に図４（２１）に示すように第３絶縁層（層間絶縁層）４２を接着する。上記第２絶縁層３５の上面と第２配線層４１の上面に例えば厚さが３０μｍのポリイミド系絶縁層を熱プレスにより圧着する。

次に図４（２２）〜図６（３１）に示すように第３配線層５４を形成する。第３配線層５４の形成は図２（１１）〜図４（２０）に示す第２配線層の形成と実質的にほぼ同じ工程である。

順を追って説明すると、まず図４（２２）に示すように第２スルーホール用レジストパターン４３を形成する。すなわち第２絶縁層４２の上面に第２スルーホール用レジストパターン４３を形成する。

次に図４（２３）に示すように、第２スルーホール用の窓明け４４を行なう。この窓明けは上記レジストパターン４３をマスクとし、第３絶縁層４２にスルーホール４４をエッチングによって形成し、電解メッキ層４１の上面を露出させる。なおここで絶縁層４２のエッチング液としては、上記の場合と同様に例えば水酸化カリウム水溶液を用いてよい。

次に図４（２４）に示すように、レジストパターン４３を剥離する。

次に図５（２５）に示すように、Ｃｕベースメタル２０を給電層とし、電解メッキによって形成されている配線層４１の上面であって穴４４内を第３絶縁層４２の上面までを、例えば硫酸銅メッキ浴を用いて電解メッキを施し、これによって銅のスルーホール４７を形成する。なお銅のスルーホールメッキ４７は、上記絶縁層４２の上面と同じかそれよりも高く形成する。なおこのスルーホール４７の形成を、上記レジストパターン４３の剥離の前に行なってもよい。

次に図５（２６）に示すように、第４絶縁層（層内絶縁層）４８を接着する。これは上記スルーホール４７の上面に例えば厚さが３０μｍのポリイミド系絶縁層４８を熱プレスによって圧着することにより行なわれる。

次いで図５（２７）に示すように、第３配線層５４用レジストパターン４９を形成する。このレジストパターン４９は、上記第４絶縁層４８の上面に、所定の第３配線層５４用のレジストパターン４９を形成することにより行なわれる。

次に図５（２８）に示すように、第３配線層用パターンエッチングを行なう。これは上記レジストパターン４９をマスクとし、第４絶縁層４８をエッチングし、上記第２スルーホール４７の上面を露出させるとともに、第３配線層５４を形成するための開口５０を形成するものである。またここでは絶縁層４８のエッチング液として、水酸化カリウム水溶液が用いられる。

次いで図５（２９）に示すように、無電解メッキ層５１を形成する。すなわち上記レジストパターン４９を残したままで、電解メッキのための下地層として５μｍ以下の無電解メッキ層５１を形成する。この無電解メッキ層５１はスルーホール４７の上面と、上記絶縁層４２の上面と、レジストパターン４９の上面に付着する。

次いで図５（３０）に示すように、レジスト４９を剥離する。レジスト４９を剥離するとスルーホール４７の上面と絶縁層４２の上面の無電解メッキのみが残る。

次いで図６（３１）示すように、上記無電解メッキ層５１を下地層として、ベースメタル２０を通して給電することによって、第３配線層５４を電解メッキにより形成する。

次に図６（３２）に示すように、補強板５５を接着する。すなわち第３配線層５４が形成された後に、多層の基板を補強するための補強板５５を上面に接着する。

次いで図６（３３）に示すように、ベースメタル２０のエッチングを行なう。ベースメタル２０のエッチングを行なうことによって、図１（４）で形成したメッキ層２４から成るバンプ５６が露出される。第２塩化鉄によってエッチングを行なうと、ベースメタルを構成するＣｕは溶けるが、ＮｉおよびＡｕは溶けないために、境界メッキ層２３の下側の部分のみが除去され、これによって境界メッキ層２３が外表面を画成するバンプ５６が形成される。

以上のような構成によって、多層の配線基板とバンプ５６とを連続する同じ工程処理によって形成することが可能になり、多層の積層を経た後に別工程によってバンプ５６を形成する必要がなくなる。しかもバンプ５６はベースメタル２０の凹部２２の内表面に形成されたＮｉとＡｕから成る境界メッキ層２３によって外表面が正確に形成されるようになり、これによってバンプ５６の小型化と高密度化とが可能になる。

従ってこのような実施の形態によれば、Ｃｕベースメタル板２０を給電層とし、処理工程の始めの方でこのベースメタル２０の中に凹部２２を形成するとともに、その中にバンプと対応するメッキ層２４を形成し、その工程と同じ処理工程でＣｕベースメタル板上に多層基板を形成することができる。そしてその後にＣｕベースメタル板２０をエッチングすると、バンプ５６が形成される。従って同じ処理工程の繰返しでバンプ付き多層基板が形成できるようになる。

このような連続した処理工程であるために、多層基板と微細なバンプとを精度よく形成できるようになる。またバンプ５６を後から接合する必要がないために、そのための工程を省略することが可能になる。

なおとくに図７に示すように、ベースメタル２０に形成される凹部から成るメッキ層２４の外側の境界メッキ層２３を第１配線層２８の外周部よりも外周側に偏倚させておくことにより、ベースメタル２０をエッチングによって除去してバンプ５６を形成する際に配線層２８がエッチングによって冒されることが防止される。

図８は上述のような方法によって形成された多層基板の表面にＩＣチップ５７を実装した状態を示している。ここでＩＣチップ５７は多層基板の補強板５５上に直接マウントされるとともに、このＩＣチップ５７の電極と多層基板の上面の配線層５４とがＡｕワイヤ等の接続用ワイヤ５８によって接続される。そして外側から封止樹脂５９によってＩＣチップ５７が封止されるようになっている。従ってここでは多層基板がインターポーザ基板として用いられる。

以上本願に含まれる発明を図示の実施の形態によって説明したが、本願発明は上記実施の形態によって限定されることなく、本願に含まれる発明の技術的思想の範囲内において各種の変更が可能である。例えば上記多層基板の層数やその上に実装される部品等については目的に応じて各種の変更が可能である。

本願発明は、外部の接続用端子としてのバンプ５６を必要とする各種の多層基板に広く適用可能である。あるいはまたＩＣのベアチップを搭載して実装するインターポーザ基板として利用可能である。

本願の一実施の形態に係る多層基板の製造工程を示す工程図である。

バンプの部分の構造を示す拡大断面図である。

ＩＣチップを実装した多層基板の断面図である。

従来の多層基板の製造方法を示す工程図である。

符号の説明

１‥‥有機材料基板、２‥‥メッキ下地層（銅層）、３‥‥レジストパターン（メッキ用）、４‥‥メッキ層、７‥‥有機絶縁層、８‥‥レジストパターン（ビアホール）、９‥‥ビアホール、１０‥‥メッキ層（銅層）、１１‥‥レジストパターン、１２‥‥メッキ層、１３‥‥窓、１４‥‥バンプ、２０‥‥ベースメタル（銅板）、２１‥‥レジストパターン、２２‥‥凹部、２３‥‥境界メッキ層、２４‥‥メッキ層、２７‥‥レジストパターン、２８‥‥メッキ、２９‥‥第１絶縁層、３０‥‥レジストパターン、３１‥‥穴、３４‥‥メッキ（スルーホール）、３５‥‥第２絶縁層、３６‥‥レジストパターン、３７‥‥開口、３８‥‥無電解メッキ、４１‥‥電解メッキ、４２‥‥第３絶縁層、４３‥‥レジストパターン、４４‥‥穴、４７‥‥メッキ（スルーホール）、４８‥‥第４絶縁層、４９‥‥レジストパターン、５０‥‥開口、５１‥‥無電解メッキ、５４‥‥電解メッキ、５５‥‥補強板、５６‥‥バンプ、５７‥‥ＩＣチップ、５８‥‥接続用ワイヤ、５９‥‥封止樹脂

Claims

配線を有する層内絶縁層と、前記配線層を層間で接続するスルーホールを有する層間絶縁層とを交互に積層して成る多層基板において、
前記配線または前記スルーホールをメッキによって形成する給電手段を構成するベースメタルをエッチングして形成したバンプを一方の表面に設けたことを特徴とする多層基板。
エッチングによって除去されない薄い金属層が前記バンプの外表面に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
前記薄い金属層がニッケルまたは金の内の１種または２種以上の層であることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
前記バンプが設けられる表面とは反対側の表面に補強板が接着されることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
前記バンプが設けられる表面とは反対側の表面に半導体のベアチップが実装されることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
給電手段を構成するベースメタル上に穴をあけて前記給電手段によってバンプを電解メッキにより形成する工程と、
層内絶縁層をエッチングして開口を形成し、前記給電手段によって前記開口を電気メッキにより充填して配線を形成する工程と、
層間絶縁層に穴をあけて前記給電手段によって層間接続用のスルーホールを形成する工程と、
を具備し、前記配線を形成する工程と前記層間接続用のスルーホールを形成する工程とを交互に繰返すことによって所定の層数とし、
前記ベースメタルをエッチングして前記バンプを形成することを特徴とする多層基板の製造方法。
前記ベースメタルにバンプに相当する凹部を形成するとともに、該凹部内にエッチングでは除去されない金属層を形成し、該金属層上に前記ベースメタルを給電手段としてメッキによりバンプを形成し、多層に積層した後に前記ベースメタルをエッチングしてバンプを形成することを特徴とする請求項６に記載の多層基板の製造方法。
前記エッチングで除去されない金属層がニッケルまたは金の内の１種または２種以上の層から構成されることを特徴とする請求項７に記載の多層基板の製造方法。
多層に積層されたあとに前記ベースメタルが接合されている面とは反対側の表面に補強板を接合することを特徴とする請求項６に記載の多層基板の製造方法。
前記層内絶縁層の開口に配線を形成する際にまず前記開口内に無電解メッキを施し、該無電解メッキ層の上に電解メッキによって配線を形成することを特徴とする請求項６に記載の多層基板の製造方法。
前記層内絶縁層の開口を形成するレジストパターンを残したままで無電解メッキを施し、その後に前記レジストパターンを剥離することにより前記開口の内側の無電解メッキのみを残して電解メッキを行なうことを特徴とする請求項１０に記載の多層基板の製造方法。
前記バンプが形成される面とは反対側の表面に半導体のベアチップを実装し、接続手段によって前記ベアチップの電極とこの基板の電極とを接続し、封止手段によって前記半導体のベアチップを封止することを特徴とする請求項６に記載の多層基板の製造方法。