JP2005093601A - 半導体発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明は、色むらの少ない光源となる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】基板1上にLEDチップ2を載設し、LEDチップ2を囲むようにLEDチップ2の外周面7から等間隔を保って光透過性部材から成る堰堤3を設け、堰堤3で囲まれた部分に蛍光体4を充填してLEDチップ2を封止した。さらに、堰堤3の外周面に接して反射面が形成された反射枠5を設けた。
【選択図】 図1

Description

本発明は、半導体発光装置に関するものであり、詳しくは半導体発光素子(発光ダイオードチップ)から出射した光と、発光ダイオードチップから出射して蛍光体によって波長変換された光との組み合わせの加法混色によって任意の発光色の光を発する半導体発光装置に関する。
急峻なスペクトル分布特性を持った光を発する発光ダイオード(LED)チップを光源にして白色光を放出するLEDを実現するためには、LEDチップから出射された光と、LEDチップから出射された光が蛍光物質を励起して波長変換された光との加法混色によって可能になる。例えば、LEDチップから出射される光が青色光の場合には、青色光に励起されて青色の補色となる黄色光に波長変換する蛍光物質を用いることにより、LEDチップから出射された青色光が蛍光物質を励起することによって波長変換された黄色光と、LEDチップから放射された青色光との加法混色によって白色光を作り出すことができる。また、LEDチップから出射される光が青色光であっても、青色光に励起されて緑色光及び赤色光にそれぞれ波長変換する2種類の蛍光物質を混合したものを用いることにより、LEDチップから出射された青色光が蛍光物質を励起することによって波長変換された緑色光及び赤色光と、LEDチップから出射された青色光との加法混色によって白色光を作り出すこともできる。また、LEDチップから出射される光が紫外光の場合には、紫外光に励起されて青色光、緑色光及び赤色光にそれぞれ波長変換する3種類の蛍光物質を混合したものを用いることにより、LEDチップから出射された紫外光が蛍光物質を励起することによって波長変換された青色光、緑色光及び赤色光の加法混色によって白色光を作り出すこともできる。さらに、LEDチップから出射される光の発光色と蛍光物質とを適宜組み合わせることによって白色光以外の種々な発光色を作り出すことができる。
このように、光源から出射された光で蛍光物質を励起して波長変換し、光源から出射された光とは異なる発光色の光を放出するようなLEDには、例えば、図5に示すように、一対のリード・フレームの一方の端部に内側面を反射面とした擂鉢状の凹部を形成して凹部の底面にLEDチップ50を載設し、蛍光物質51を凹部に充填してLEDチップ50を封止した構造のものがある(例えば、特許文献1参照。)。
特開2000−77723号公報(第2−3頁、図2)
上述したような構造のLEDにおいては、図5のA部詳細図となる図6で示すように、LEDチップ50から出射して蛍光物質51内を導光されて蛍光物質51の光出射面52に至る光の光路および光路長が、LEDチップ50から出射する光の出射方向によって異なるものとなる。具体的には、LEDチップ50の光軸方向(上方)に出射して蛍光物質51の光出射面52に至る光路を辿る光をL1、LEDチップ50の斜め方向に出射して蛍光物質51の光出射面52に至る光路を辿る光をL2、LEDチップ50の光軸に垂直な方向(側方)に出射して反射面に至り、反射面で反射されて蛍光物質51の光出射面52に至る光路を辿る光をL3とすると、L1、L2及びL3が蛍光物質51内を導光される距離が夫々異なることが分かる。
また擂鉢状の凹部に充填された蛍光物質51の光出射面52の平坦度が悪い場合、LEDチップ50の上面の光出射面53から蛍光物質51の光出射面52までの光軸方向の距離が光出射面53全面に亘って均一にはならない。従って、LEDチップ50の光出射面53から光軸方向に出射した光が蛍光物質51内を導光されて蛍光物質51の光出射面52に至る距離は、LEDチップ50から出射された光がLEDチップ50の光出射面53のどの場所から出射したものかによって異なることになる。
このような、蛍光物質51内を導光される光の光路長の違いは、光が蛍光物質51内を導光される間に蛍光物質によって波長変換される割合に差が生じることになり、その結果、発光色に色むらの多い半導体発光装置になってしまう。
そこで、本発明は上記問題に鑑みて創案なされたもので、発光色に色むらの少ない光源となるような半導体発光装置を提供するものである。
上記課題を解決するために、本発明の請求項1に記載された発明は、発光ダイオードチップと、前記発光ダイオードチップから出射された光で励起されて波長変換した光を放射する蛍光体とを有し、前記発光ダイオードチップは前記発光ダイオードチップの外周面からの厚みが略均一になるように前記蛍光体で封止されていることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項2に記載された発明は、請求項1において、前記蛍光体の外周面に光透過性部材から成る堰堤が覆設されていることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項3に記載された発明は、請求項2において、前記堰堤が波長選択性のフィルタ機能を有することを特徴とするものである。
また、本発明の請求項4に記載された発明は、請求項2において、前記堰堤の表面の一部もしくは全面が波長選択性のフィルタ機能を有する膜で被覆されていること特徴とするものである。
また、本発明の請求項5に記載された発明は、請求項1から4の何れか1項において、前記発光ダイオードチップから出射される光が青色光であり、前記蛍光体が前記発光ダイオードチップから出射された光で励起されて黄色光を放出することを特徴とするものである。
また、本発明の請求項6に記載された発明は、請求項1から4の何れか1項において、前記発光ダイオードチップから出射される光が紫外光であり、前記蛍光体が前記発光ダイオードチップから出射された光で励起されて赤色光、緑色光および青色光を放出する3種類の蛍光体から成ることを特徴とするものである。
発光色に色むらの少ない光源となるような半導体発光装置を実現する目的を、発光ダイオードチップを発光ダイオードチップの外周面からの厚みが略均一になるように蛍光体で封止した構成にして実現した。
以下、この発明の好適な実施例を図1から図4を参照しながら、詳細に説明する(同一部分については同じ符号を付す)。尚、以下に述べる実施例は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの実施例に限られるものではない。
図1は本発明の半導体発光装置の実施例1の構造を示す部分断面図である。基板1上にLEDチップ2が載設され、LEDチップ2を囲むように光透過性部材から成る堰堤3が設けられている。そして、堰堤3で囲まれた部分に蛍光体4が充填され、LEDチップ2が蛍光体4で封止された状態になっている。さらに、堰堤3の外側には堰堤3の外周面に接して反射枠5が設けられている。
堰堤3は、堰堤3の内周面6とLEDチップ2の外周面7との間隔が略均一になるように設けられており、堰堤3で囲まれた部分に充填された蛍光体4はLEDチップ2の外周面7から略均一の厚みで形成されていることになる。また、反射枠5は、上方に向かってLEDチップ2の光軸8に対して外側に傾斜する反射面9を有しており、反射面9は反射率の高いアルミニウム、銀などを蒸着や塗装などの手法で形成されるが、反射枠5が高反射部材から成る場合は特別に反射処理することなく反射効果を得ることができる。
なお、LEDチップ2を発光させるためには、LEDチップ2のアノード電極とカソード電極の間に順方向電圧を印加することが必要であり、そのためにアノード電極及びカソード電極と外部から電圧を印加するための電極との電気的導通を図るための接続手段が設けられるが、本発明の実施例を示す図においてはこれを省略する。
このような構成の半導体発光装置においては、LEDチップ2から出射されて略光軸8方向に向かう光は蛍光体4内を導光されて蛍光体4の光出射面10に至り、光出射面10から外部に放出される。また、LEDチップ2の側面11から出射されて略横方向に向かう光は蛍光体4内を導光されて蛍光体4の光出射面12に至り、光出射面12から堰堤3に入射して反射枠5の反射面9に向かい、反射面9で反射された光はさらに堰堤3内を導光されて堰堤3の光出射面13に至り、光出射面13から外部に放出される。
このように、LEDチップ2から出射されて外部に放出されるまでの光が辿る2つの光路の夫々において、LEDチップ2から出射された光が蛍光体4内を導光されて蛍光体4の光出射面10および12に至るまでの光路長は略同一であり、従って、蛍光体4内を導光されている間に波長変換される割合も略同一となる。その結果、LEDチップ4から出射されて2つの光路を辿って外部に放出される夫々の光に発光色の差異は少なく、色むらの少ないLED光源が実現できることになる。
また、LEDチップ2の側面11から略横方向に出射した光も反射枠5の反射面9で反射されて上方に向かい、堰堤3の光出射面13から外部に放出されるため、LEDチップ2から出射した光の取り出し効率を高めることができる。更に、反射枠5の反射面9の傾斜角度および形状を適宜設定することによって反射後の光が向かう方向を調整できるため、反射枠5の反射面9で反射されて堰堤3内を導光されて光出射面13から外部に放出される光の配光を制御することもできる。
図2は本発明の半導体発光装置の実施例2の構造を示す部分断面図である。基板1上にLEDチップ2が載設され、LEDチップ2を囲むように光透過性部材から成る堰堤3が設けられている。そして、堰堤3で囲まれた部分に蛍光体4が充填され、LEDチップ2が蛍光体4で封止された状態になっている。さらに、堰堤3の外側には空気層14を挟んで基板1と一体化した反射枠5が設けられている。
堰堤3は堰堤3の内周面6とLEDチップ2の外周面7との間隔が略均一になるように設けられており、堰堤3で囲まれた部分に充填された蛍光体4はLEDチップ2の外周面7から略均一の厚みで形成されていることになる。また、反射枠5は、上方に向かってLEDチップ2の光軸8に対して外側に傾斜する反射面9を有しており、反射面9は反射率の高いアルミニウム、銀などを蒸着や塗装などの手法で形成されるが、反射枠5が一体に形成される基板1が高反射部材から成る場合は特別に反射処理することなく反射効果を得ることができる。
このような構造の本実施例と上述した実施例1との構成上の違いは、実施例1の場合は堰堤3の外周面が独立して設けられた反射枠5の反射面9に直接接しているのに対して、本実施例の場合は堰堤3の外周面と、基板1に一体化された反射枠5の反射面9との隙間に空気層14が設けられていることである。従って、両実施例においては、LEDチップ2から出射されて略光軸8方向に向かう光が蛍光体4内を導光される距離と、LEDチップの側面11から出射されて略横方向に向かう光が蛍光体4内を導光される距離とは略同一であり、2つの光路を辿って外部に放出される夫々の光に発光色の差異はなく、色むらの少ないLED光源が実現できるものである。
但し、本実施例の場合は、反射枠5が基板1に一体化されるため基板1の製造工程で一括形成が可能であり、工数低減による製造コストの削減を図ることができる。
図3は本発明の半導体発光装置の実施例3の構造を示す部分断面図である。本実施例は上述した実施例2の構成から反射枠5を取り去ったものとなっている。よって、LEDチップ2の側面11から出射されて略横方向に向かう光は堰堤3内を導光されてそのまま外部に放出される。従って、堰堤3の光入射面15および光出射面13の形状を適宜設定してレンズ効果を持たせることにより外部に放出される光の配光を制御することができる。
図4は本発明の半導体発光装置の実施例4の構造を示す部分断面図である。本実施例は、基板1上に載設されたLEDチップ2を囲むように光透過性部材から成る堰堤3が、堰堤3の内周面6とLEDチップ2の外周面7との間隔が略均一になるように設けられ、堰堤3で囲まれた部分に蛍光体4が充填されてLEDチップ2が蛍光体4で封止された構成は上述した実施例1から実施例3と同様であるが、本実施例では、堰堤3がLEDチップ2の光軸8方向の上面の一部分まで覆い、堰堤3の内周面および外周面ともに縦と横の面を曲面16で結んだ形状になっており、堰堤3の内側に充填される蛍光体4も縦と横の面は曲面16で結んだ形状になっている。
本実施例の半導体発光装置においては、特にLEDチップ2の斜め方向に出射される光が多い出射パターンの場合、LEDチップ2から略光軸8方向に向かった光が蛍光体4内を導光される距離と、LEDチップから放射されて斜め方向に向かう光が蛍光体4内を導光される距離とが略同一になり、放出される光に発光色の差異が少なく、色むらの少ないLED光源となる。
なお、上述した実施例1から実施例4において、堰堤3を形成する光透過性部材に顔料を混入させ或いは光透過性部材を染料で染色し、或いは堰堤3の表面の一部もしくは全面を不要な波長の光を吸収し、必要な波長を透過する部材で被覆することによって波長選択性のフィルタ機能を持たせることができる。また、実施例1および実施例2において、反射枠5の反射面9を不要な波長の光を吸収し、必要な波長を透過する部材で被覆することにより波長選択性のフィルタ機能を持たせることができる。これにより、不必要な波長の光が外部に放出されるのを阻止し、濁りのない鮮やかな色合いの光を放出するLED光源が実現できる。
また、堰堤3と、堰堤3の光入射面15および光出射面13と接する面を構成する部材との屈折率の違いを利用し、堰堤3の光入射面15および光出射面13を適当な形状に形成することによって光の反射および屈折を利用して外部に放出される光の配光を制御することができる。
以上説明したように、本発明の半導体発光装置はLEDチップを封止した蛍光体がLEDチップの外周面から均一の厚みで形成されているため、LEDチップから出射されて略光軸方向上方に向かう光と、斜め方向に向かう光と、略横方向に向かう光とが蛍光体内を導光される距離が略同一になり、その結果、蛍光体によって波長変換される割合が略同一になり、放出される光の色むらが少ないものとなる。
また、蛍光体の外周部に設ける堰堤および反射枠の反射面に波長選択性を持たせることにより無駄な波長の光が外部に放出されるのを阻止し、鮮やかな色合いの光を放出することができる。また、堰堤の光入射面や光出射面を適当な形状に形成したり、反射枠の反射面の傾斜角度及び形状を適当に設定することによって外部に放出される光の配光を制御することができる。などの優れた効果を奏するものである。
本発明の実施例1に係わる半導体発光装置の部分断面図である。 本発明の実施例2に係わる半導体発光装置の部分断面図である。 本発明の実施例3に係わる半導体発光装置の部分断面図である。 本発明の第施例4に係わる半導体発光装置の部分断面図である。 従来の半導体発光装置の例を示す部分断面図である。 図5のA部詳細図である。
符号の説明
1 基板
2 LEDチップ
3 堰堤
4 蛍光体
5 反射枠
6 内周面
7 外周面
8 光軸
9 反射面
10 光出射面
11 側面
12 光出射面
13 光出射面
14 空気層
15 光入射面
16 曲面

Claims (6)

  1. 発光ダイオードチップと、前記発光ダイオードチップから出射された光で励起されて波長変換した光を放射する蛍光体とを有し、前記発光ダイオードチップは前記発光ダイオードチップの外周面からの厚みが略均一になるように前記蛍光体で封止されていることを特徴とする半導体発光装置。
  2. 前記蛍光体の外周面に光透過性部材から成る堰堤が覆設されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。
  3. 前記堰堤が波長選択性のフィルタ機能を有することを特徴とする請求項2に記載の半導体発光装置。
  4. 前記堰堤の表面の一部もしくは全面が波長選択性のフィルタ機能を有する膜で被覆されていること特徴とする請求項2に記載の半導体発光装置。
  5. 前記発光ダイオードチップから出射される光が青色光であり、前記蛍光体が前記発光ダイオードチップから出射された光で励起されて黄色光を放出することを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の半導体発光装置。
  6. 前記発光ダイオードチップから出射される光が紫外光であり、前記蛍光体が前記発光ダイオードチップから出射された光で励起されて赤色光、緑色光および青色光を放出する3種類の蛍光体から成ることを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の半導体発光装置。
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