JP2011082488A - 発光ダイオードおよびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 透光性を有するエンクロージャを用いて蛍光物質塗布の均一性を増進する方法によって、白色発光ダイオードの色温度の均一性およびその発光効率を高める。本発明の製造方法は、各形式の発光ダイオードチップの封止に広範に応用することができ、大量生産の効果を有する。
【選択図】 図6

Description

本発明は、発光ダイオードおよびその製造方法に関し、特に白色発光ダイオード装置の色温度均一性およびその発光効率を増進する方法およびその方法を用いて製造された発光ダイオードに関する。
図1は、特許文献1に開示された白色発光ダイオードを示す概略図である。この白色発光ダイオード1は、少なくともリードフレーム11と、第1波長の光を発出する窒化ガリウム系発光ダイオードチップ12と、蛍光物質13とを含む。この蛍光物質13は、この窒化ガリウム系発光ダイオードチップ12が発出するエネルギーの一部を吸収し、転換して第2波長の光を発出するため、第1波長および第2波長が混合した白色光が得られる。図中、蛍光物質13は、第1樹脂と混合した後に蛍光物質13を含有する混合樹脂14を形成し、それから、この混合樹脂14を窒化ガリウム系発光ダイオードチップ12が搭載されたリードフレーム11のカップ内に充填し、窒化ガリウム系発光ダイオードチップ12を完全に被覆する。続いて、第2樹脂15でリードフレーム11と、窒化ガリウム系発光ダイオードチップ12と、混合樹脂14とを封止すれば、この白色発光ダイオードが完成する。この混合樹脂14の厚さを制御せずにこのリードフレームのカップ内に充填するため、蛍光物質の分布が極めて容易に不均一になりやすい。それがために、各方向の発光輝度および色温度の特性が不均一になるという欠点が存在している。
前記した特許文献1の欠点に対して、特許文献2には、白色発光ダイオード装置が開示され、図2はこの装置の構造を示す概略図である。この構造は、発光ダイオードチップ22をリードフレーム21の上に置き、それから、第1透明封止樹脂23で発光ダイオードチップ22の上方を封止すると共に、蛍光物質と別の第2透明封止樹脂とを混合して生成した混合樹脂24を提供する。その後、この混合樹脂24を第1透明封止樹脂23の上に封止し、続いて、別の第3透明封止樹脂25を混合樹脂24の上に封止する。第1透明封止樹脂23は、オーブン乾燥を経て円頂状を形成しているため、蛍光物質を含有する混合樹脂24を特定の厚さで該円頂状の上に塗布ことができる。これにより、発光装置の色温度の角度分布が均一でないという欠点を解決できる。しかしながら、当該特許に開示されている技術内容によれば、第1透明封止樹脂23と、混合樹脂24と、第3透明封止樹脂25とがそれぞれ作製された後、各封止するステップを行う。これらの封止工程において、各樹脂をそれぞれ高温でオーブン乾燥する必要があり、このような段階的な作製プロセスは、樹脂表面の汚染および各樹脂の間で付着力が不十分になるという欠点が極めてもたらしやすいため、工程の歩留まりを高めることができず、かつ工程ステップの複雑さを増加するという欠点が残されている。
また、図3は、特許文献3の発光素子を示す概略図である。該特許は、フリップチップ接続方式により封止する方法が開示され、かつ選択性の電気泳動法(electrophoresis)により蛍光物質を沈積する技術が提供され、これらの方法と技術によって蛍光物質が発光ダイオードチップを被覆する均一性を高め、色温度の角度分布が均一でないという欠点を解決できる。これらの技術手段によれば、先ず、製造が完成した発光ダイオードチップ32を、フリップチップ工程法によりフリップチップ基板31に固設し、そして蛍光物質33を形成できる溶液に載置している電気泳動装置34を提供する。この電気泳動装置34は、特定の電圧を加えれば、蛍光物質33を発光ダイオードチップ32の露出面に沈積させる。厚さが均一な蛍光物質33を形成できるため、色温度の角度分布の均一性を効果的に高めることができる。しかしながら、この工程によれば、色温度の角度分布の均一性を高めることができるが、選択性の電気泳動沈積法による工程を使用する場合、発光ダイオードチップ32およびフリップチップ基板31の上では多種のフォトマスクを製造して蛍光物質が金属導電領域の上に沈積することを防止する必要があるため、チップ工程の複雑さおよびその製造コストが増加する。
また、図4は、特許文献4に開示された、蛍光物質が均一に塗布され、製造した白色光発光素子を示す概略図である。その技術手段によれば、先ず、垂直電極構造を有する発光ダイオードチップ42を基板41の上に固設し、そして蛍光物質と他の懸濁液(suspension)と混合し、この混合溶液を、噴霧(spray)して発光ダイオードチップ42の周囲に均一に塗布する。このように、厚さが均一な蛍光物質塗布層43を形成し、色温度の角度分布の均一性を効果的に高めることができる。
また、図5は、特許文献5に開示された、蛍光物質が均一に塗布され、製造した白色光発光素子を示す概略図である。その技術手段によれば、先ず、発光ダイオードチップ52を基板51の上に固設し、そして蛍光物質と懸濁液(suspension)とを混合した混合溶液53を発光ダイオードチップ52の上に塗布し、続いてこの混合溶液53を閉じ込め(confine)、混合溶液53の蒸発(evaporation)を制御して、厚さが均一な蛍光物質塗布層54を発光ダイオードチップ52の周囲に形成し、色温度の角度分布の均一性を効果的に高めることができる。
米国特許第5,998,925号明細書 米国特許第5,959,316号明細書 米国特許第6,576,488号明細書 米国特許出願公開第2005/0244993号明細書 米国特許第7,217,583号明細書
従来の問題に鑑み、本発明の発明者は、長年にわたって研究開発してきた実務経験に基づき、発光ダイオードの製造手順が簡略化でき、コストを低減できる実現方法および蛍光物質を発光ダイオードチップの周りで均一に塗布する方法およびその方法を用いて製造された発光ダイオードを提供することができる。
また、本発明のいくつかの態様によれば、蛍光物質の塗布が均一でないためにもたらされる色温度の角度分布が均一でないという問題を解決することができる発光ダイオードおよびその製造方法を提供することができる。
本発明に係る発光ダイオードの製造方法は、リードフレームを提供するステップと、少なくとも1つの発光ダイオードチップを前記リードフレームの上に固設するステップと、前記発光ダイオードチップおよび前記リードフレームを電気的に接続するステップと、透光性を有するエンクロージャを形成して前記発光ダイオードチップを囲むステップと、前記エンクロージャで囲まれた前記発光ダイオードチップを有する領域に、蛍光物質を有する封止樹脂を塗布するステップとを含むことを特徴とする。
本発明の発光ダイオードの製造方法は、特に透光性を有するエンクロージャで発光ダイオードチップを囲む封止方法を提供し、蛍光物質の塗布が均一でないためにもたらされる色温度の角度分布が均一でないという欠点を解決すると共に、発光ダイオード装置の発光効率を増加することができる。
本発明の発光ダイオードの製造方法は、特に透光性を有するエンクロージャで発光ダイオードチップを囲む封止方法を提供し、製造手順を簡略化すると共に、コストを低減することができる。
この発光ダイオードの製造方法において、透光性を有するエンクロージャと発光ダイオードチップ辺縁との間は、所与の距離を有するようにしてもよい。
この発光ダイオードの製造方法において、少なくとも前記蛍光物質を含有する前記混合樹脂は、特定の厚さを有するようにしてもよい。
この発光ダイオードの製造方法において、前記透光性を有するエンクロージャと前記発光ダイオードチップ辺縁との間の所与の距離は、少なくとも前記蛍光物質を含有する前記混合樹脂を有する特定の厚さを上回らないようにしてもよい。
この発光ダイオードの製造方法において、前記発光ダイオードチップおよび前記リードフレームを電気的に接続するステップをさらに含むようしてもよい。
この発光ダイオードの製造方法において、前記発光ダイオードチップおよび前記リードフレームを電気的に接続するステップは、前記少なくとも1つの発光ダイオードチップを前記リードフレームの上に固設するステップを行った後に行うようにしてもよい。
この発光ダイオードの製造方法において、前記発光ダイオードチップおよび前記リードフレームを電気的に接続するステップは、前記少なくとも1つの透光性を有するエンクロージャを形成して前記発光ダイオードチップを囲むステップを行った後に行うようにしてもよい。
この発光ダイオードの製造方法において、前記混合樹脂表面を平坦化するステップをさらに含むようにしてもよい。
この発光ダイオードの製造方法において、前記発光ダイオードチップの表面から前記混合樹脂表面までの距離が前記発光ダイオードチップの側面から前記エンクロージャの内側までの距離以上であるようにしてもよい。
この発光ダイオードの製造方法において、前記発光ダイオードチップは、少なくとも正電極と負電極とを有するようにしてもよい。
この発光ダイオードの製造方法において、前記リードフレームは、少なくとも正電極と、負電極と、導熱パッドとを有するようにしてもよい。
この発光ダイオードの製造方法において、前記蛍光物質は、Sr1−x−yBaCaSiO:Eu2+F、(Sr1−x−yEuMn)P2+z:Eu2+F、(Ba,Sr,Ca)Al:Eu、((Ba,Sr,Ca)(Mg,Zn))Si:Eu、SrGa:Eu、((Ba,Sr,Ca)1−xEu)(Mg,Zn)1−xMn))Al1017、CaMg(SiOCl:Eu,Mn、((Ba,Sr,Ca,Mg)1−xEuSiO、CaMgSi:Cl、SrSi・2SrCl:Eu、BAM:Eu、Sr−Aluminate:Eu、Thiogallate:Eu、Chlorosilicate:Eu、Borate:Ce,Tb、SrAl1425:Eu、YBO:Ce,Tb、BaMgAl1017:Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga):Eu、CaMgSi:Cl,Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(POCl:Eu,ZnS:Cu,Al、(Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(AlyGa1−y)12:Ce、(Sr1−x−y−zBaCaEuSiO、(Sr1−a−bCaBa)Si:EuおよびSr(POCl:Euのいずれか、またはその組合せからなる混合材料から選ばれるようにしてもよい。
この発光ダイオードの製造方法において、少なくとも1種の蛍光物質を含有する混合樹脂を、前記エンクロージャで囲まれた領域内に充填する前記ステップは、スパッタリング法、化学気相成長法、インクジェット塗布法、スクリーン印刷塗布法、真空蒸着法、ゾルゲル法およびディスペンシング法のいずれか、またはその組合せからなる群から選ばれる方法を使用するようにしてもよい。
本発明の発光ダイオードは、リードフレームと、そのリードフレームの上に固設する発光ダイオードチップと、発光ダイオードチップを囲み、透光性を有するエンクロージャと、エンクロージャで囲まれた領域内に充填する少なくとも1種の蛍光物質を含有する混合樹脂と、を含むことを特徴としている。
この発光ダイオードにおいて、透光性を有するエンクロージャと発光ダイオードチップ辺縁との間は、所与の距離を有するようにしてもよい。
この発光ダイオードにおいて、少なくとも蛍光物質を含有する混合樹脂は、特定の厚さを有するようにしてもよい。
この発光ダイオードにおいて、透光性を有するエンクロージャと発光ダイオードチップ辺縁との間の所与の距離は、少なくとも蛍光物質を含有する混合樹脂を有する特定の厚さを上回らないようにしてもよい。
この発光ダイオードにおいて、リードフレームは、電気的に接続する回路をさらに含み、電気的に接続する回路は発光ダイオードチップとリードフレームを接続するように構成してもよい。
この発光ダイオードにおいて、混合樹脂の表面を平坦化される表面である構成としてもよい。
この発光ダイオードにおいて、発光ダイオードチップの表面から混合樹脂表面までの距離が発光ダイオードチップの側面からエンクロージャの内側までの距離以上であってもよい。
この発光ダイオードにおいて、リードフレームは、ダイボンディング領域を備え、このダイボンディング領域は、発光ダイオードチップを固設するのに用いるように構成してもよい。
この発光ダイオードにおいて、金属導線をさらに含み、この金属導線は、発光ダイオードチップをリードフレーム上に接続するのに用いるように構成してもよい。
この発光ダイオードにおいて、リードフレームは、導熱パッドをさらに含み、金属導線で発光ダイオードチップの正電極および負電極をこの導熱パッド上に接続するように構成してもよい。
この発光ダイオードにおいて、前記蛍光物質は、Sr1−x−yBaCaSiO:Eu2+F、(Sr1−x−yEuMn)P2+z:Eu2+F、(Ba,Sr,Ca)Al:Eu、((Ba,Sr,Ca)(Mg,Zn))Si:Eu、SrGa:Eu、((Ba,Sr,Ca)1−xEu)(Mg,Zn)1−xMn))Al1017、CaMg(SiOCl:Eu,Mn、((Ba,Sr,Ca,Mg)1−xEuSiO、CaMgSi:Cl、SrSi・2SrCl:Eu、BAM:Eu、Sr−Aluminate:Eu、Thiogallate:Eu、Chlorosilicate:Eu、Borate:Ce,Tb、SrAl1425:Eu、YBO:Ce,Tb、BaMgAl1017:Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga):Eu、CaMgSi:Cl,Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(POCl:Eu,ZnS:Cu,Al、(Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(AlyGa1−y)12:Ce、(Sr1−x−y−zBaCaEuSiO、(Sr1−a−bCaBa)Si:EuおよびSr(POCl:Euのいずれか、またはその組合せからなる混合材料から選ばれるようにしてもよい。
この発光ダイオードにおいて、混合樹脂は、スパッタリング法、化学気相成長法、インクジェット塗布法、スクリーン印刷塗布法、真空蒸着法、ゾルゲル法およびディスペンシング法のいずれか、またはその組合せからなる群から選ばれる方法を使用して前記エンクロージャで囲まれた領域内に充填してもよい。
上記したように、本発明の発光ダイオードおよびその製造方法によれば、1つまたは複数の以下の長所を有する。
イ、本発明に係る発光ダイオードおよびその製造方法によれば、透光性のエンクロージャで発光ダイオードチップを囲むことにより、蛍光物質塗布の均一性を高め、発光ダイオード装置の発光効率を高めることができる。
ロ、本発明に係る発光ダイオードおよびその製造方法によれば、透光性のエンクロージャで発光ダイオードチップを囲むことにより、蛍光物質を均一に塗布する手順を簡略化でき、製造コストを低減できる。
従来の白色発光ダイオード構造を示す概略図である。 従来の別の白色発光ダイオード構造を示す概略図である。 従来の別の発光素子構造を示す概略図である。 従来の別の白色発光ダイオード構造を示す概略図である。 従来の別の白色発光ダイオード構造を示す概略図である。 本発明の発光ダイオード構造を示す概略図である。 本発明の発光ダイオードの製造ステップを示す概略図である。 本発明の発光ダイオードの製造ステップを示す概略図である。 本発明の発光ダイオードの製造ステップを示す概略図である。 本発明の別の発光ダイオード構造を示す概略図である。
以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
先ず、図6は、本発明の実施態様による発光ダイオード構造を示す概略図である。この実施態様によれば、本発明に係る製造プロセスは、以下のステップを含む。先ず、リードフレーム61を提供するステップを行い、それから、発光ダイオードチップ62をリードフレーム61の上に固設するステップを行い、エンクロージャ(enclosure)63を形成して発光ダイオードチップ62を囲むステップと少なくとも1種の蛍光物質を含有する混合樹脂64をエンクロージャ63で囲まれた領域内に充填し、発光ダイオードチップ62の上を被覆するステップを行う。エンクロージャ63を形成する方法としては、インクジェット塗布法、スクリーン印刷塗布法、ゾルゲル法、ディスペンシング法および鋳膜法のいずれか、またはその組合せからなる群から選ばれる方法を使用してもよい。なお、リードフレーム61の組成材質は、セラミックベース(Ceramic based)、酸化アルミニウムベース(AlO−based)、銅、アルミニウム、モリブデン、タングステン、窒化アルミニウムベース(AlN−based)、およびその組合せから成る群から選ばれる。リードフレーム61は、ダイボンディング領域65と、電気的に接続した回路68と、パッド69と、電極端子70とをさらに含む。また、ダイボンディング領域65は、導体または非導体、もしくはその混合した材質であってもよい。発光ダイオードチップ62とエンクロージャ63との間は、所与の距離を有し、発光ダイオードチップ62およびリードフレーム61の寸法に基づいて最適なその距離を調整することができる。しかしながら、エンクロージャ63は、透光性を有する材料であり、かつ発光ダイオードチップ62およびリードフレーム61の寸法に基づいて発光ダイオードチップ62の上に位置する混合樹脂64の特定の厚さを調整してもよい。混合樹脂64の特定の厚さは発光ダイオードチップ62の辺縁とエンクロージャ63との所与の距離を下回らず、即ち、透光性を有するエンクロージャ63と発光ダイオードチップ辺縁との間の所与の距離は、少なくとも蛍光物質を含有する混合樹脂64の特定の厚さを上回らず、かつスパッタリング法、化学気相成長法、インクジェット塗布法、スクリーン印刷塗布法、真空蒸着法、ゾルゲル法およびディスペンシング法のいずれか、またはその組合せから成る群から選ばれる方法を使用して、混合樹脂64をエンクロージャ63で囲まれた領域内に形成する。この混合樹脂64中の蛍光物質の材料としては、Sr1−x−yBaCaSiO:Eu2+F、(Sr1−x−yEuMn)P2+z:Eu2+F、(Ba,Sr,Ca)Al:Eu、((Ba,Sr,Ca)(Mg,Zn))Si:Eu、SrGa:Eu、((Ba,Sr,Ca)1−xEu)(Mg,Zn)1−xMn))Al1017、CaMg(SiOCl:Eu,Mn、((Ba,Sr,Ca,Mg)1−xEuSiO、CaMgSi:Cl、SrSi・2SrCl:Eu、BAM:Eu、Sr−Aluminate:Eu、Thiogallate:Eu、Chlorosilicate:Eu、Borate:Ce,Tb、SrAl1425:Eu、YBO:Ce,Tb、BaMgAl1017:Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga):Eu、CaMgSi:Cl,Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(POCl:Eu,ZnS:Cu,Al、(Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(AlyGa1−y)12:Ce、(Sr1−x−y−zBaCaEuSiO、(Sr1−a−bCaBa)Si:EuおよびSr(POCl:Euのいずれか、またはその組合せからなる混合材料であってもよい。そのうち、エンクロージャ63は、透光性材料から選用し、その透光性材料としては、透光性樹脂、例としては透光性エポキシ樹脂あるいはシリコーン、または二酸化ケイ素、ガラス、埋め込み用樹脂などの材料のいずれかから選ばれること。本発明の製造の流れを下記に説明する。図7Aに示すように、先ず、発光ダイオードチップ62をリードフレーム61のダイボンディング領域65の上に固設し、そして金属導線71で発光ダイオードチップ62の正電極66および負電極67をリードフレーム上のパッド69に接続する。続いて図7Bに示すように、金属導線71を接続した後、透光性を有するエンクロージャ63を提供し、発光ダイオードチップ62を囲んで空間100を形成する。さらに、少なくとも蛍光物質を含有する混合樹脂64を空間100に充填して、色温度および輝度の角度分布が均一な白色発光ダイオードを完成する。エンクロージャ63を形成する方法としては、インクジェット塗布法、スクリーン印刷塗布法、ゾルゲル法、ディスペンシング法および鋳膜法のいずれか、またはその組合せからなる群から選ばれる方法を使用してもよい。以上のステップを完了する場合、図7Cに示すように、混合樹脂64表面を平坦化するステップを追加してもよい。前記図7Bに開示された手順は、先ず、透光性を有するエンクロージャ63をリードフレーム61の上に提供し、それから、発光ダイオードチップ62をリードフレーム61のダイボンディング領域65の上に固設することである。本実施態様において、透光性を有するエンクロージャ63は、透光性材料から選用している。その透光性材料としては、透光性樹脂、例としては透光性エポキシ樹脂あるいはシリコーン、または二酸化ケイ素、ガラス、埋め込み用樹脂などの材料のいずれかから選ばれる。
図8は、本発明の別の発光ダイオード構造で、ダイボンディングする回路を省略した概略図である。この実施態様によれば、本発明に係る製造プロセスは以下のステップを含む。リードフレーム81を提供するステップを行い、それから、複数の発光ダイオードチップ82をリードフレーム81の上に固設するステップを行い、複数の透光性を有するエンクロージャ83を形成して発光ダイオードチップ82をそれぞれ囲むステップを行えば、複数の空間を形成できる。エンクロージャ83を形成する方法としては、インクジェット塗布法、スクリーン印刷塗布法、ゾルゲル法、ディスペンシング法および鋳膜法のいずれか、またはその組合せからなる群から選ばれる方法を使用してもよい。続いて、少なくとも1種の蛍光物質を含有する混合樹脂84を前記複数の空間に充填して、色温度および輝度の角度分布が均一であるという特性を兼ねそろえた白色発光ダイオードを完成する。以上のステップを終了後に、混合樹脂84表面を平坦化するステップを追加してもよい。混合樹脂84表面を平坦化するステップを追加した場合、発光ダイオードチップ82の表面から混合樹脂84表面までの距離が発光ダイオードチップ82の側面からエンクロージャ83の内側までの距離以上必要となる。本実施態様において、透光性を有するエンクロージャ83は、透光性材料から選用している。その透光性材料としては、透光性樹脂、例としては透光性エポキシ樹脂あるいはシリコーン、または二酸化ケイ素、ガラス、埋め込み用樹脂などの材料のいずれかから選ばれる。
上記説明したように、本発明は、発光ダイオードチップを透光性のエンクロージャにより囲むことにより、蛍光物質塗布の均一性を高め、または発光ダイオード装置の発光効率を高めることができる。また、蛍光物質を均一に塗布する手順をさらに簡略化でき、製造コストを低減できる。
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
1:白色発光ダイオード
11:リードフレーム
12:窒化ガリウム系発光ダイオードチップ
13:蛍光物質
14:混合樹脂
15:第2樹脂
21:リードフレーム
22:発光ダイオードチップ
23:第1透明封止樹脂
24:混合樹脂
25:第3透明封止樹脂
31:フリップチップ基板
32:発光ダイオードチップ
33:蛍光物質
34:電気泳動装置
41:基板
42:発光ダイオードチップ
43:蛍光物質塗布層
51:基板
52:発光ダイオードチップ
53:混合溶液
54:蛍光物質塗布層
61、81:リードフレーム
62、82:発光ダイオードチップ
64、84:混合樹脂
63、83:エンクロージャ
65:ダイボンディング領域
66:正電極
67:負電極
68:電気的に接続した回路
69:パッド
70:電極端子
71:金属導線
100:空間

Claims (25)

  1. リードフレームを提供するステップと、
    少なくとも1つの発光ダイオードチップを前記リードフレームの上に固設するステップと、
    少なくとも1つの透光性を有するエンクロージャを形成して前記発光ダイオードチップを囲むステップと、
    少なくとも1種の蛍光物質を含有する混合樹脂を、前記エンクロージャで囲まれた領域内に充填するステップと、
    を含む発光ダイオードの製造方法。
  2. 前記透光性を有するエンクロージャと前記発光ダイオードチップ辺縁との間は、所与の距離を有することを特徴とする、請求項1に記載の発光ダイオードの製造方法。
  3. 少なくとも前記蛍光物質を含有する前記混合樹脂は、特定の厚さを有することを特徴とする、請求項1又は2に記載の発光ダイオードの製造方法。
  4. 前記透光性を有するエンクロージャと前記発光ダイオードチップ辺縁との間の所与の距離は、少なくとも前記蛍光物質を含有する前記混合樹脂を有する特定の厚さを上回らないことを特徴とする、請求項2又は3に記載の発光ダイオードの製造方法。
  5. 前記発光ダイオードチップおよび前記リードフレームを電気的に接続するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項1〜4のうちのいずれか1項に記載の発光ダイオードの製造方法。
  6. 前記発光ダイオードチップおよび前記リードフレームを電気的に接続するステップは、前記少なくとも1つの発光ダイオードチップを前記リードフレームの上に固設するステップを行った後に行うことを特徴とする、請求項5に記載の発光ダイオードの製造方法。
  7. 前記発光ダイオードチップおよび前記リードフレームを電気的に接続するステップは、前記少なくとも1つの透光性を有するエンクロージャを形成して前記発光ダイオードチップを囲むステップを行った後に行うことを特徴とする、請求項5に記載の発光ダイオードの製造方法。
  8. 前記混合樹脂表面を平坦化するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項1乃至7に記載の発光ダイオードの製造方法。
  9. 前記発光ダイオードチップの表面から前記混合樹脂表面までの距離が前記発光ダイオードチップの側面から前記エンクロージャの内側までの距離以上であることを特徴とする、請求項1に記載の発光ダイオードの製造方法。
  10. 金属導線で前記発光ダイオードチップの正電極および負電極をリードフレームに接続するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項1〜9のうちのいずれか1項に記載の発光ダイオードの製造方法。
  11. 前記金属導線で前記発光ダイオードチップの前記正電極および前記負電極を前記リードフレーム上のパッドに接続するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項10に記載の発光ダイオードの製造方法。
  12. 前記蛍光物質は、Sr1−x−yBaCaSiO:Eu2+F、(Sr1−x−yEuMn)P2+z:Eu2+F、(Ba,Sr,Ca)Al:Eu、((Ba,Sr,Ca)(Mg,Zn))Si:Eu、SrGa:Eu、((Ba,Sr,Ca)1−xEu)(Mg,Zn)1−xMn))Al1017、CaMg(SiOCl:Eu,Mn、((Ba,Sr,Ca,Mg)1−xEuSiO、CaMgSi:Cl、SrSi・2SrCl:Eu、BAM:Eu、Sr−Aluminate:Eu、Thiogallate:Eu、Chlorosilicate:Eu、Borate:Ce,Tb、SrAl1425:Eu、YBO:Ce,Tb、BaMgAl1017:Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga):Eu、CaMgSi:Cl,Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(POCl:Eu,ZnS:Cu,Al、(Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(AlyGa1−y)12:Ce、(Sr1−x−y−zBaCaEuSiO、(Sr1−a−bCaBa)Si:EuおよびSr(POCl:Euのいずれか、またはその組合せからなる混合材料から選ばれることを特徴とする、請求項1〜11のうちのいずれか1項に記載の発光ダイオードの製造方法。
  13. 少なくとも1種の蛍光物質を含有する混合樹脂を、前記エンクロージャで囲まれた領域内に充填する前記ステップは、スパッタリング法、化学気相成長法、インクジェット塗布法、スクリーン印刷塗布法、真空蒸着法、ゾルゲル法およびディスペンシング法のいずれか、またはその組合せからなる群から選ばれる方法を使用することを特徴とする、請求項1〜12のうちのいずれか1項に記載の発光ダイオードの製造方法。
  14. リードフレームと、
    前記リードフレームの上に固設する発光ダイオードチップと、
    前記発光ダイオードチップを囲み、透光性を有するエンクロージャと、
    前記エンクロージャで囲まれた領域内に充填する少なくとも1種の蛍光物質を含有する混合樹脂と、
    を含むことを特徴とする発光ダイオード。
  15. 前記透光性を有するエンクロージャと前記発光ダイオードチップ辺縁との間は、所与の距離を有することを特徴とする、請求項14に記載の発光ダイオード。
  16. 少なくとも前記蛍光物質を含有する前記混合樹脂は、特定の厚さを有することを特徴とする、請求項14又は15に記載の発光ダイオード。
  17. 前記透光性を有するエンクロージャと前記発光ダイオードチップ辺縁との間の所与の距離は、少なくとも前記蛍光物質を含有する前記混合樹脂を有する特定の厚さを上回らないことを特徴とする、請求項15又は16に記載の発光ダイオード。
  18. 前記リードフレームは、電気的に接続する回路をさらに含み、前記電気的に接続する回路は前記発光ダイオードチップと前記リードフレームを接続することを特徴とする、請求項14〜17のうちのいずれか1項に記載の発光ダイオード。
  19. 前記混合樹脂の表面を平坦化される表面であることを特徴とする、請求項14〜18のうちのいずれか1項に記載の発光ダイオード。
  20. 前記発光ダイオードチップの表面から前記混合樹脂表面までの距離が前記発光ダイオードチップの側面から前記エンクロージャの内側までの距離以上であることを特徴とする、請求項14に記載の発光ダイオード。
  21. 前記リードフレームは、ダイボンディング領域を備え、前記ダイボンディング領域は、前記発光ダイオードチップを固設するのに用いることを特徴とする、請求項14〜20のうちのいずれか1項に記載の発光ダイオード。
  22. 前記発光ダイオードは、金属導線をさらに含み、前記金属導線は、前記発光ダイオードチップを前記リードフレーム上に接続するのに用いることを特徴とする、請求項14に記載の発光ダイオード。
  23. 前記リードフレームは、導熱パッドをさらに含み、前記金属導線で前記発光ダイオードチップの正電極および負電極を前記導熱パッド上に接続することを特徴とする、請求項22に記載の発光ダイオード。
  24. 前記蛍光物質は、Sr1−x−yBaCaSiO:Eu2+F、(Sr1−x−yEuMn)P2+z:Eu2+F、(Ba,Sr,Ca)Al:Eu、((Ba,Sr,Ca)(Mg,Zn))Si:Eu、SrGa:Eu、((Ba,Sr,Ca)1−xEu)(Mg,Zn)1−xMn))Al1017、CaMg(SiOCl:Eu,Mn、((Ba,Sr,Ca,Mg)1−xEuSiO、CaMgSi:Cl、SrSi・2SrCl:Eu、BAM:Eu、Sr−Aluminate:Eu、Thiogallate:Eu、Chlorosilicate:Eu、Borate:Ce,Tb、SrAl1425:Eu、YBO:Ce,Tb、BaMgAl1017:Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga):Eu、CaMgSi:Cl,Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(POCl:Eu,ZnS:Cu,Al、(Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(AlyGa1−y)12:Ce、(Sr1−x−y−zBaCaEuSiO、(Sr1−a−bCaBa)Si:EuおよびSr(POCl:Euのいずれか、またはその組合せからなる混合材料から選ばれることを特徴とする、請求項14〜23のうちのいずれか1項に記載の発光ダイオード。
  25. 前記混合樹脂は、スパッタリング法、化学気相成長法、インクジェット塗布法、スクリーン印刷塗布法、真空蒸着法、ゾルゲル法およびディスペンシング法のいずれか、またはその組合せからなる群から選ばれる方法を使用して前記エンクロージャで囲まれた領域内に充填することを特徴とする、請求項14〜24のうちのいずれか1項に記載の発光ダイオード。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014197719A (ja) * 2009-10-12 2014-10-16 英特明光能股▲分▼有限公司InterLight Optotech Corp 発光ダイオードおよびその製造方法

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8946987B2 (en) * 2007-11-07 2015-02-03 Industrial Technology Research Institute Light emitting device and fabricating method thereof
KR101186648B1 (ko) * 2009-12-21 2012-09-28 서울반도체 주식회사 Led 패키지 및 그의 제조 방법
TWI422073B (zh) * 2010-05-26 2014-01-01 Interlight Optotech Corp 發光二極體封裝結構
US9373606B2 (en) 2010-08-30 2016-06-21 Bridgelux, Inc. Light-emitting device array with individual cells
TWI594461B (zh) * 2011-08-04 2017-08-01 國家中山科學研究院 螢光粉包覆結構及其製造方法
CN103000768A (zh) * 2011-09-09 2013-03-27 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构的制造方法
US9093618B2 (en) 2012-08-24 2015-07-28 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Method and apparatus for fabricating phosphor-coated LED dies
US9246068B2 (en) 2012-08-24 2016-01-26 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Method and apparatus for fabricating phosphor-coated LED dies
US9214610B2 (en) 2012-08-24 2015-12-15 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Method and apparatus for fabricating phosphor-coated LED dies
US9105818B2 (en) 2012-08-24 2015-08-11 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Method and apparatus for fabricating phosphor-coated LED dies
US8889439B2 (en) * 2012-08-24 2014-11-18 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Method and apparatus for packaging phosphor-coated LEDs
US8765500B2 (en) * 2012-08-24 2014-07-01 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Method and apparatus for fabricating phosphor-coated LED dies
US9188288B2 (en) 2012-09-28 2015-11-17 Tsmc Solid State Lighting Ltd. LED emitter with improved white color appearance
CN104037298B (zh) * 2013-03-07 2017-12-05 晶元光电股份有限公司 用于封装涂覆有荧光体的led的方法和装置
TWI626403B (zh) * 2013-09-27 2018-06-11 晶元光電股份有限公司 照明裝置
CN105098043B (zh) 2015-07-17 2017-12-22 开发晶照明(厦门)有限公司 发光装置复合基板及具有该发光装置复合基板的led模组
TWI568038B (zh) * 2015-07-17 2017-01-21 開發晶照明(廈門)有限公司 發光裝置複合基板及具有該發光裝置複合基板的led模組
CN112467008A (zh) * 2020-11-13 2021-03-09 中山市聚明星电子有限公司 发光装置制作方法及发光装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005093601A (ja) * 2003-09-16 2005-04-07 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2005123560A (ja) * 2003-09-25 2005-05-12 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置およびその形成方法
JP2006041230A (ja) * 2004-07-28 2006-02-09 Kyocera Corp 発光素子用配線基板ならびに発光装置
JP2008270327A (ja) * 2007-04-17 2008-11-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 静電気対策部品およびこれを用いた発光ダイオードモジュール

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
NL1004651C2 (nl) * 1996-11-29 1998-06-03 Nedcard Werkwijze voor het inkapselen van een chip op een drager.
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
DE10010638A1 (de) * 2000-03-03 2001-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines lichtabstrahlenden Halbleiterkörpers mit Lumineszenzkonversionselement
US6576488B2 (en) * 2001-06-11 2003-06-10 Lumileds Lighting U.S., Llc Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor
CN100383988C (zh) * 2003-08-20 2008-04-23 刘行仁 白光发光二极管及其光转换用荧光体
US7573072B2 (en) * 2004-03-10 2009-08-11 Lumination Llc Phosphor and blends thereof for use in LEDs
CN2708509Y (zh) * 2004-06-21 2005-07-06 李洲科技股份有限公司 发光二极体的晶片覆层构造
US7267787B2 (en) * 2004-08-04 2007-09-11 Intematix Corporation Phosphor systems for a white light emitting diode (LED)
US7217583B2 (en) * 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
CN100438095C (zh) * 2005-01-14 2008-11-26 财团法人工业技术研究院 一种具准全方位反射器的发光二极管
KR101161383B1 (ko) * 2005-07-04 2012-07-02 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법
TW200805694A (en) * 2006-07-04 2008-01-16 Secure Tech Co Ltd Light-emitting component and manufacturing method thereof
US8735920B2 (en) * 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
US20080035942A1 (en) * 2006-08-08 2008-02-14 Lg Electronics Inc. Light emitting device package and method for manufacturing the same
JP5351034B2 (ja) * 2006-10-12 2013-11-27 クリー インコーポレイテッド 照明装置、および、その製造方法
US20080225449A1 (en) * 2007-03-13 2008-09-18 Tatsuya Inoue Electrostatic discharge protection component, and electronic component module using the same
US20080290359A1 (en) * 2007-04-23 2008-11-27 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method of the same
JP4920497B2 (ja) * 2007-05-29 2012-04-18 株式会社東芝 光半導体装置
CN101325233A (zh) * 2007-06-15 2008-12-17 白金泉 发光元件的封装结构及其光源装置
KR100880638B1 (ko) * 2007-07-06 2009-01-30 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지
JP2007324630A (ja) * 2007-09-10 2007-12-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
TWI401820B (zh) * 2007-11-07 2013-07-11 Ind Tech Res Inst 發光元件及其製作方法
CN101436628B (zh) * 2007-11-16 2012-01-25 广州市鸿利光电股份有限公司 一种大功率芯片的荧光粉涂布工艺方法
US8916890B2 (en) * 2008-03-19 2014-12-23 Cree, Inc. Light emitting diodes with light filters
JP5451029B2 (ja) * 2008-10-28 2014-03-26 キヤノン株式会社 通信制御装置及びファクシミリ装置
TWI403005B (zh) * 2009-10-12 2013-07-21 Intematix Technology Ct Corp 發光二極體及其製作方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005093601A (ja) * 2003-09-16 2005-04-07 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2005123560A (ja) * 2003-09-25 2005-05-12 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置およびその形成方法
JP2006041230A (ja) * 2004-07-28 2006-02-09 Kyocera Corp 発光素子用配線基板ならびに発光装置
JP2008270327A (ja) * 2007-04-17 2008-11-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 静電気対策部品およびこれを用いた発光ダイオードモジュール

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014197719A (ja) * 2009-10-12 2014-10-16 英特明光能股▲分▼有限公司InterLight Optotech Corp 発光ダイオードおよびその製造方法

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