JPH11233831A - 発光ダイオード及びその形成方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】発光むら、色むらや形成された発光ダイオード
間における発光バラツキが少なく歩留りの高い蛍光物質
を利用した発光ダイオードを提供することにある。 【解決手段】発光素子と、発光素子からの発光波長の少
なくとも一部を吸収して該発光波長よりも長波長の蛍光
を発する蛍光物質を含有する樹脂とを有する発光ダイオ
ードであって、発光素子を被覆する蛍光物質含有の樹脂
を光硬化性樹脂としたものである。
間における発光バラツキが少なく歩留りの高い蛍光物質
を利用した発光ダイオードを提供することにある。 【解決手段】発光素子と、発光素子からの発光波長の少
なくとも一部を吸収して該発光波長よりも長波長の蛍光
を発する蛍光物質を含有する樹脂とを有する発光ダイオ
ードであって、発光素子を被覆する蛍光物質含有の樹脂
を光硬化性樹脂としたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発光素子から放出さ
れる発光波長の少なくとも一部を蛍光物質により変換し
て放出する発光ダイオードに係わり、特に、発光むら、
色むらや形成された発光ダイオード間における発光バラ
ツキが少なく歩留りの高い発光ダイオードに関するもの
である。
れる発光波長の少なくとも一部を蛍光物質により変換し
て放出する発光ダイオードに係わり、特に、発光むら、
色むらや形成された発光ダイオード間における発光バラ
ツキが少なく歩留りの高い発光ダイオードに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体発光素子は、小型で効率よく鮮や
かな色の発光をする。また、半導体素子であるため球切
れがない。駆動特性が優れ、振動やON/OFF点灯の繰り返
しに強いという特徴を有する。そのため、各種インジケ
ータや種々の光源として利用されている。しかしなが
ら、このような発光素子は単色性のピーク波長を有する
が故に白色系（白、ピンクや電球色など）の発光のみを
得る場合においても、２種類以上の発光素子を利用せざ
るを得なかった。また、種々の発光色を簡単に得ること
はできなかった。
かな色の発光をする。また、半導体素子であるため球切
れがない。駆動特性が優れ、振動やON/OFF点灯の繰り返
しに強いという特徴を有する。そのため、各種インジケ
ータや種々の光源として利用されている。しかしなが
ら、このような発光素子は単色性のピーク波長を有する
が故に白色系（白、ピンクや電球色など）の発光のみを
得る場合においても、２種類以上の発光素子を利用せざ
るを得なかった。また、種々の発光色を簡単に得ること
はできなかった。
【０００３】単色性のピーク波長を発するＬＥＤチップ
と蛍光物質を利用して種々の発光色を発光させる発光ダ
イオードとして、特開平５−１５２６０９号公報や特開
平７−９９３４５号公報などに記載されたものが知られ
ている。
と蛍光物質を利用して種々の発光色を発光させる発光ダ
イオードとして、特開平５−１５２６０９号公報や特開
平７−９９３４５号公報などに記載されたものが知られ
ている。
【０００４】これらの発光ダイオードは、発光チップの
発光を発光観測面側に反射するカップの底部に発光チッ
プを積載させると共にカップ内部に充填された樹脂と、
全体を覆った樹脂から構成することができる。内部に充
填された樹脂中には発光チップからの光を吸収し、波長
変換する蛍光物質を含有させてある。
発光を発光観測面側に反射するカップの底部に発光チッ
プを積載させると共にカップ内部に充填された樹脂と、
全体を覆った樹脂から構成することができる。内部に充
填された樹脂中には発光チップからの光を吸収し、波長
変換する蛍光物質を含有させてある。
【０００５】蛍光物質が含有された樹脂は、液状の熱硬
化性エポキシ樹脂などを発光素子が搭載されたカップ上
部に滴下注入し、加熱硬化させ色変換部材とさせてあ
る。カップ内部以外の樹脂は液状のエポキシ樹脂などを
注型したキャスティングケース内に、色変換部材及び発
光チップが形成されたフレーム部材先端を浸漬配置し、
これをオーブンに入れ加熱硬化させることにより形成す
る。
化性エポキシ樹脂などを発光素子が搭載されたカップ上
部に滴下注入し、加熱硬化させ色変換部材とさせてあ
る。カップ内部以外の樹脂は液状のエポキシ樹脂などを
注型したキャスティングケース内に、色変換部材及び発
光チップが形成されたフレーム部材先端を浸漬配置し、
これをオーブンに入れ加熱硬化させることにより形成す
る。
【０００６】これにより発光チップからの発光波長を蛍
光物質によって波長変換して発光する発光ダイオードと
することができる。例えば、ＬＥＤチップからの青色系
の光と、その青色系の光を吸収し補色関係にある黄色系
を発光する蛍光体からの光との混色により白色発光ダイ
オードとすることができる。
光物質によって波長変換して発光する発光ダイオードと
することができる。例えば、ＬＥＤチップからの青色系
の光と、その青色系の光を吸収し補色関係にある黄色系
を発光する蛍光体からの光との混色により白色発光ダイ
オードとすることができる。
【０００７】このような発光ダイオードを用いて、所望
の白色系などを発光させるためには、それぞれの光を極
めて精度良く発光させ混色調整させる必要がある。ＬＥ
Ｄチップからの光は、その半導体及び駆動電流などによ
り比較的容易に調節させることができる。一方、蛍光物
質からの波長変換された光も蛍光物質の組成や粒径を制
御することによってある程度調整することができる。
の白色系などを発光させるためには、それぞれの光を極
めて精度良く発光させ混色調整させる必要がある。ＬＥ
Ｄチップからの光は、その半導体及び駆動電流などによ
り比較的容易に調節させることができる。一方、蛍光物
質からの波長変換された光も蛍光物質の組成や粒径を制
御することによってある程度調整することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、蛍光物質自体
には密着力がない、或いは弱いため発光素子上に配置固
定させるためには、種々の樹脂中など発光素子及び蛍光
物質それぞれの光が放出可能な密着性を有するバインダ
ー中に含有させる必要がある。このようなバインダー中
に含有された蛍光物質は、その蛍光物質の含有量や分布
などによってＬＥＤチップから放出された光量及び蛍光
物質から放出された光量が大きく左右される。これらが
制御できず、また発光素子から放出される光と蛍光物質
から放出される光が可視光でありそれぞれの混色によっ
て色表現させる場合には光量の違いが特に大きな問題と
なる。特に、白色系は人間の目が僅かな色温度差でも識
別することができるため大きな問題となる。したがっ
て、本発明は上記問題点を解決し、極めて精度良く蛍光
物質の含有量及び分布を均一で発光特性の優れた、歩留
りの高い発光ダイオード及びその形成方法を提供するこ
とにある。
には密着力がない、或いは弱いため発光素子上に配置固
定させるためには、種々の樹脂中など発光素子及び蛍光
物質それぞれの光が放出可能な密着性を有するバインダ
ー中に含有させる必要がある。このようなバインダー中
に含有された蛍光物質は、その蛍光物質の含有量や分布
などによってＬＥＤチップから放出された光量及び蛍光
物質から放出された光量が大きく左右される。これらが
制御できず、また発光素子から放出される光と蛍光物質
から放出される光が可視光でありそれぞれの混色によっ
て色表現させる場合には光量の違いが特に大きな問題と
なる。特に、白色系は人間の目が僅かな色温度差でも識
別することができるため大きな問題となる。したがっ
て、本発明は上記問題点を解決し、極めて精度良く蛍光
物質の含有量及び分布を均一で発光特性の優れた、歩留
りの高い発光ダイオード及びその形成方法を提供するこ
とにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は種々実験の結
果、蛍光物質を利用した発光ダイオードにおいて、発光
ダイオード間のバラツキや発光ダイオードの色むらや発
光むらが蛍光物質の分布に大きく起因していること及び
特定の樹脂を用いた形成方法により発光むら等を制御し
うることを見出し本発明を成すに至った。
果、蛍光物質を利用した発光ダイオードにおいて、発光
ダイオード間のバラツキや発光ダイオードの色むらや発
光むらが蛍光物質の分布に大きく起因していること及び
特定の樹脂を用いた形成方法により発光むら等を制御し
うることを見出し本発明を成すに至った。
【００１０】即ち、蛍光物質が含有された液状樹脂を注
型し硬化形成させる場合、液状エポキシ樹脂などは充填
性を考慮し、粘度が５００〜１０００ｃｐｓ程度の低粘
度のものが用いられる。蛍光物質と樹脂との比重が大き
く異なるため、このような樹脂中にフィラーとして蛍光
物質を混合すると、両者は容易に分離する。したがっ
て、軽い有機蛍光物質を利用した場合は浮遊し、重い無
機蛍光物質を利用した場合は沈降する。このような分離
は蛍光物質の分散不均一を生ずる。
型し硬化形成させる場合、液状エポキシ樹脂などは充填
性を考慮し、粘度が５００〜１０００ｃｐｓ程度の低粘
度のものが用いられる。蛍光物質と樹脂との比重が大き
く異なるため、このような樹脂中にフィラーとして蛍光
物質を混合すると、両者は容易に分離する。したがっ
て、軽い有機蛍光物質を利用した場合は浮遊し、重い無
機蛍光物質を利用した場合は沈降する。このような分離
は蛍光物質の分散不均一を生ずる。
【００１１】特に、バッチ式に樹脂と蛍光物質を混合し
た混合体を少量ずつ注型していく方法を繰り返して製造
する場合、混合体の樹脂と蛍光物質の分離は時間と共に
進行する。したがって、混合直後に注型して製造された
発光ダイオードと、混合後しばらく後に注型して製造さ
れた発光ダイオードでは、蛍光物質の含有量が異なって
しまう傾向にある。
た混合体を少量ずつ注型していく方法を繰り返して製造
する場合、混合体の樹脂と蛍光物質の分離は時間と共に
進行する。したがって、混合直後に注型して製造された
発光ダイオードと、混合後しばらく後に注型して製造さ
れた発光ダイオードでは、蛍光物質の含有量が異なって
しまう傾向にある。
【００１２】また、注型が完了した発光ダイオードを加
熱硬化させる時、樹脂が固体化するまでの間、粘度が温
度上昇に伴い低下するため、樹脂と蛍光物質の比重差に
よる分離が発生し易い傾向にある。特に、発光素子から
の発光と蛍光物質からの蛍光との混色光を発光させる発
光ダイオードにおいては、蛍光物質の含有量変化及び封
止樹脂内での配置不均一がすべて発光色の色温度変化と
して顕著に現れる。
熱硬化させる時、樹脂が固体化するまでの間、粘度が温
度上昇に伴い低下するため、樹脂と蛍光物質の比重差に
よる分離が発生し易い傾向にある。特に、発光素子から
の発光と蛍光物質からの蛍光との混色光を発光させる発
光ダイオードにおいては、蛍光物質の含有量変化及び封
止樹脂内での配置不均一がすべて発光色の色温度変化と
して顕著に現れる。
【００１３】本発明の発光ダイオードは、発光素子と、
発光素子からの発光波長の少なくとも一部を吸収して該
発光波長よりも長波長の蛍光を発する蛍光物質を含有す
る樹脂を有し、発光素子を被覆する蛍光物質含有の樹脂
が光硬化性樹脂である。これにより、樹脂中の蛍光物質
を均一に保持することができるため発光むら、色むらが
極めて少ない発光ダイオードとすることができる。
発光素子からの発光波長の少なくとも一部を吸収して該
発光波長よりも長波長の蛍光を発する蛍光物質を含有す
る樹脂を有し、発光素子を被覆する蛍光物質含有の樹脂
が光硬化性樹脂である。これにより、樹脂中の蛍光物質
を均一に保持することができるため発光むら、色むらが
極めて少ない発光ダイオードとすることができる。
【００１４】本発明の請求項２に記載の発光ダイオード
は、発光素子が窒化物半導体からなると共に蛍光物質が
セリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガ
ーネット系蛍光体（以下、ＹＡＧ蛍光体と呼ぶこともあ
る。）である。これにより、形成された発光ダイオード
間のバラツキがより少なく発光むらや色むらの少ない白
色光が発光可能な発光ダイオードとすることができる。
は、発光素子が窒化物半導体からなると共に蛍光物質が
セリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガ
ーネット系蛍光体（以下、ＹＡＧ蛍光体と呼ぶこともあ
る。）である。これにより、形成された発光ダイオード
間のバラツキがより少なく発光むらや色むらの少ない白
色光が発光可能な発光ダイオードとすることができる。
【００１５】また、本発明の請求項３に記載の発光ダイ
オードの形成方法は、蛍光物質を含有した光硬化性樹脂
で発光素子を被覆する工程と、光硬化性樹脂に光エネル
ギーを照射することにより硬化させる工程とを有する発
光ダイオードの形成方法である。これにより、形成され
た発光ダイオードの封止樹脂中に蛍光物質を極めて均一
に混合させ光特性の安定した発光ダイオードを比較的簡
単に形成することができる。特に、形成された発光ダイ
オード間のバラツキが少なく歩留りを向上させることが
できる。
オードの形成方法は、蛍光物質を含有した光硬化性樹脂
で発光素子を被覆する工程と、光硬化性樹脂に光エネル
ギーを照射することにより硬化させる工程とを有する発
光ダイオードの形成方法である。これにより、形成され
た発光ダイオードの封止樹脂中に蛍光物質を極めて均一
に混合させ光特性の安定した発光ダイオードを比較的簡
単に形成することができる。特に、形成された発光ダイ
オード間のバラツキが少なく歩留りを向上させることが
できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の実施態様例として図２に
白色発光ダイオードの模式的断面図を示す。パッケージ
２０５としてセラミックス、液晶ポリマーやＰＢＴ樹脂
等の絶縁性支持部材に外部電極２０６を結合した構成と
してある。外部電極の材料としては、ニッケル、タング
ステン等のメタライズあるいはリン青銅等の電気良導体
のものが挙げられる。外部電極２０６をインサート成型
法等により絶縁性支持部材と一体的に形成させる。外部
電極の表面には、反射性を向上させるために銀、金やア
ルミニウムなどのメッキが好適に施されている。また、
パッケージはその中央部に凹部を有し、凹部の底面に外
部電極の電極の一部が露出している。発光素子２０４と
して青色が発光可能なＬＥＤチップを凹部の底面上にダ
イボンド固着させる。発光素子の各電極と外部電極とを
電気良導体である金線などのワイヤ２０３でワイヤボン
ド接続している。
白色発光ダイオードの模式的断面図を示す。パッケージ
２０５としてセラミックス、液晶ポリマーやＰＢＴ樹脂
等の絶縁性支持部材に外部電極２０６を結合した構成と
してある。外部電極の材料としては、ニッケル、タング
ステン等のメタライズあるいはリン青銅等の電気良導体
のものが挙げられる。外部電極２０６をインサート成型
法等により絶縁性支持部材と一体的に形成させる。外部
電極の表面には、反射性を向上させるために銀、金やア
ルミニウムなどのメッキが好適に施されている。また、
パッケージはその中央部に凹部を有し、凹部の底面に外
部電極の電極の一部が露出している。発光素子２０４と
して青色が発光可能なＬＥＤチップを凹部の底面上にダ
イボンド固着させる。発光素子の各電極と外部電極とを
電気良導体である金線などのワイヤ２０３でワイヤボン
ド接続している。
【００１７】ワイヤボンド結合された発光素子上に透光
性及び耐熱性に優れた光硬化性樹脂２０１を撹拌しなが
ら塗布し発光素子を被覆する。光硬化性樹脂は、変性ア
クリル系、エポキシ系或いはシリコーン系樹脂に、芳香
族ジアゾニウム塩、芳香族ヨードニウム塩、スルホニウ
ム塩、アルミニウム錯体やシラノール化合物等光硬化触
媒を添加してある。また、この樹脂中に青色光を照射す
ると黄色の蛍光を発するＹＡＧ蛍光体２０２を約５質量
％で均一混合してある。樹脂をパッケージの凹部上に滴
下注入した後、光硬化触媒を作用させるＵＶ或いは青色
可視光線を照射する。
性及び耐熱性に優れた光硬化性樹脂２０１を撹拌しなが
ら塗布し発光素子を被覆する。光硬化性樹脂は、変性ア
クリル系、エポキシ系或いはシリコーン系樹脂に、芳香
族ジアゾニウム塩、芳香族ヨードニウム塩、スルホニウ
ム塩、アルミニウム錯体やシラノール化合物等光硬化触
媒を添加してある。また、この樹脂中に青色光を照射す
ると黄色の蛍光を発するＹＡＧ蛍光体２０２を約５質量
％で均一混合してある。樹脂をパッケージの凹部上に滴
下注入した後、光硬化触媒を作用させるＵＶ或いは青色
可視光線を照射する。
【００１８】本発明の発光ダイオードにおいて、蛍光物
質を含有する樹脂はパッケージに注入された後、１０秒
程度で固化する。蛍光物質を含有する樹脂が液状で存在
する時間（即ち、樹脂中において蛍光物質が不均一な分
布状態となる時間）は、熱硬化性樹脂で蛍光体を含有す
る樹脂を硬化させる場合の数十分から数時間オーダーに
較べ極めて少ない。したがって、滴下後、樹脂中での蛍
光物質の分布が不均一となることはほとんどなく、これ
に起因する発光ダイオードの光特性バラツキが著しく低
減される。
質を含有する樹脂はパッケージに注入された後、１０秒
程度で固化する。蛍光物質を含有する樹脂が液状で存在
する時間（即ち、樹脂中において蛍光物質が不均一な分
布状態となる時間）は、熱硬化性樹脂で蛍光体を含有す
る樹脂を硬化させる場合の数十分から数時間オーダーに
較べ極めて少ない。したがって、滴下後、樹脂中での蛍
光物質の分布が不均一となることはほとんどなく、これ
に起因する発光ダイオードの光特性バラツキが著しく低
減される。
【００１９】本発明は、樹脂の硬化に際し粘度低下を生
じさせることなく、樹脂中における蛍光体の分布傾斜が
始まる前に急速に硬化させる。これにより本発明の発光
ダイオードでは、樹脂と蛍光物質の比重差によらず樹脂
中に均一分散させることができる。
じさせることなく、樹脂中における蛍光体の分布傾斜が
始まる前に急速に硬化させる。これにより本発明の発光
ダイオードでは、樹脂と蛍光物質の比重差によらず樹脂
中に均一分散させることができる。
【００２０】特に本発明を封止樹脂中にＹＡＧ蛍光体を
蛍光物質として含有した白色発光が可能な発光ダイオー
ドの場合、ＹＡＧ蛍光体の分布が常時極めて均一なもの
ができる。そのため色温度の均一な発光ダイオードが安
定して製造し得る。以下、本発明に用いられる各構成に
ついて詳述する。
蛍光物質として含有した白色発光が可能な発光ダイオー
ドの場合、ＹＡＧ蛍光体の分布が常時極めて均一なもの
ができる。そのため色温度の均一な発光ダイオードが安
定して製造し得る。以下、本発明に用いられる各構成に
ついて詳述する。
【００２１】（光硬化性樹脂２０１）本発明に用いられ
る光硬化性樹脂は、発光素子からの発光波長を効率よく
蛍光物質に供給すると共に蛍光物質からの蛍光を外部に
放出するものであり、蛍光物質と樹脂との比重の違いに
より生ずる蛍光物質の分布傾斜が大きくなる前に光硬化
可能な樹脂である。
る光硬化性樹脂は、発光素子からの発光波長を効率よく
蛍光物質に供給すると共に蛍光物質からの蛍光を外部に
放出するものであり、蛍光物質と樹脂との比重の違いに
より生ずる蛍光物質の分布傾斜が大きくなる前に光硬化
可能な樹脂である。
【００２２】具体的な樹脂としては、変性アクリル系、
エポキシ系或いはシリコーン系樹脂などが好適に挙げら
れる。これらの樹脂中に、芳香族ジアゾニウム塩、芳香
族ヨードニウム塩、スルホニウム塩、アルミニウム錯体
やシラノール化合物等光硬化触媒を添加することで光硬
化性樹脂とすることができる。
エポキシ系或いはシリコーン系樹脂などが好適に挙げら
れる。これらの樹脂中に、芳香族ジアゾニウム塩、芳香
族ヨードニウム塩、スルホニウム塩、アルミニウム錯体
やシラノール化合物等光硬化触媒を添加することで光硬
化性樹脂とすることができる。
【００２３】このような、光硬化性樹脂に光エネルギー
として紫外線或いは可視紫や青色光線など比較的高エネ
ルギーを照射すると光硬化触媒が光重合開始剤として働
く。したがって、光硬化触媒が含有された樹脂に照射さ
れる光としては、蛍光物質を含有する樹脂や光硬化触媒
の種類によって種々選択することができる。
として紫外線或いは可視紫や青色光線など比較的高エネ
ルギーを照射すると光硬化触媒が光重合開始剤として働
く。したがって、光硬化触媒が含有された樹脂に照射さ
れる光としては、蛍光物質を含有する樹脂や光硬化触媒
の種類によって種々選択することができる。
【００２４】光エネルギーを照射する高エネルギー源と
しては、高圧水銀灯、低圧水銀灯、メタルハライドラン
プ、キセノン灯、カーボンアークランプ、ケミカルラン
プなどの光源が好適に挙げられる。
しては、高圧水銀灯、低圧水銀灯、メタルハライドラン
プ、キセノン灯、カーボンアークランプ、ケミカルラン
プなどの光源が好適に挙げられる。
【００２５】また、光硬化触媒に加えて、熱硬化触媒を
加えることもできる。このような熱硬化触媒として具体
的には、アミン系化合物、酸無水物系化合物などが好適
に挙げられる。これにより、より効果的に蛍光物質の不
均一分布を抑制することができる。
加えることもできる。このような熱硬化触媒として具体
的には、アミン系化合物、酸無水物系化合物などが好適
に挙げられる。これにより、より効果的に蛍光物質の不
均一分布を抑制することができる。
【００２６】特に、発光素子に窒化物半導体を用いたも
のはワイドバンドギャップとすることができるため光硬
化触媒が作用する波長を比較的高エネルギー光で照射さ
せることができるため好ましい。また、発光素子が紫外
線を放出する窒化物半導体の場合は、紫外線硬化樹脂中
に蛍光物質を含有させると紫外線硬化樹脂自体が紫外線
を透過し易いため効率的に蛍光物質を励起させることが
できる。
のはワイドバンドギャップとすることができるため光硬
化触媒が作用する波長を比較的高エネルギー光で照射さ
せることができるため好ましい。また、発光素子が紫外
線を放出する窒化物半導体の場合は、紫外線硬化樹脂中
に蛍光物質を含有させると紫外線硬化樹脂自体が紫外線
を透過し易いため効率的に蛍光物質を励起させることが
できる。
【００２７】（蛍光物質２０２）本発明に用いられる蛍
光物質としては、発光素子から発光された電磁波で励起
されて蛍光を発する蛍光物質をいう。蛍光物質として
は、セリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム
・ガーネット系蛍光体、ペリレン系誘導体、銅で付活さ
れたセレン化亜鉛などが挙げられる。特に、イットリウ
ム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、発光素子に
窒化物半導体を用いた場合、耐光性や効率などの観点か
ら特に好ましい。
光物質としては、発光素子から発光された電磁波で励起
されて蛍光を発する蛍光物質をいう。蛍光物質として
は、セリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム
・ガーネット系蛍光体、ペリレン系誘導体、銅で付活さ
れたセレン化亜鉛などが挙げられる。特に、イットリウ
ム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、発光素子に
窒化物半導体を用いた場合、耐光性や効率などの観点か
ら特に好ましい。
【００２８】セリウムで付活されたイットリウム・アル
ミニウム・ガーネット系蛍光体は、ガーネット構造のた
め、熱、光及び水分に強く、励起スペクトルのピークが
４５０ｎｍ付近にさせることができる。また、発光ピー
クも５３０ｎｍ付近にあり７００ｎｍまで裾を引くブロ
ードな発光スペクトルを持たすことができる。なお、本
発明においてセリウムで付活されたイットリウム・アル
ミニウム・ガーネット系蛍光体とは、最も広義に解釈す
るものとしてＹ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅのイットリウム（Ｙ）
の代わりにＬｕ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｓｍから選択され
る少なくとも一種と置き換えることができるものであ
る。また、アルミニウム（Ａｌ）の代わりにＧａ、Ｉ
ｎ、Ｂ、Ｔｌから選択される少なくとも一種と置き換え
ることができるものである。組成を変化することで発光
色を連続的に調節することが可能である。即ち、長波長
側の強度がＧｄの組成比で連続的に変えられるなど窒化
物半導体の青色系発光を白色系発光に変換するための理
想条件を備えている。同様に、Ｌｕ、Ｌｃ、ＳｃやＳｍ
などを加えて所望の特性を得るようにしても良い。
ミニウム・ガーネット系蛍光体は、ガーネット構造のた
め、熱、光及び水分に強く、励起スペクトルのピークが
４５０ｎｍ付近にさせることができる。また、発光ピー
クも５３０ｎｍ付近にあり７００ｎｍまで裾を引くブロ
ードな発光スペクトルを持たすことができる。なお、本
発明においてセリウムで付活されたイットリウム・アル
ミニウム・ガーネット系蛍光体とは、最も広義に解釈す
るものとしてＹ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅのイットリウム（Ｙ）
の代わりにＬｕ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｓｍから選択され
る少なくとも一種と置き換えることができるものであ
る。また、アルミニウム（Ａｌ）の代わりにＧａ、Ｉ
ｎ、Ｂ、Ｔｌから選択される少なくとも一種と置き換え
ることができるものである。組成を変化することで発光
色を連続的に調節することが可能である。即ち、長波長
側の強度がＧｄの組成比で連続的に変えられるなど窒化
物半導体の青色系発光を白色系発光に変換するための理
想条件を備えている。同様に、Ｌｕ、Ｌｃ、ＳｃやＳｍ
などを加えて所望の特性を得るようにしても良い。
【００２９】このような蛍光物質は、Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅ、
Ｓｍ、Ｌａ、Ａｌ及びＧａの原料として酸化物、又は高
温で容易に酸化物になる化合物を使用し、それらを化学
量論比で十分に混合して原料を得る。又は、Ｙ、Ｇｄ、
Ｃｅ、Ｓｍ、Ｌａの希土類元素を化学量論比で酸に溶解
した溶解液を蓚酸で共沈したものを焼成して得られる共
沈酸化物と、酸化アルミニウム、酸化ガリウムとを混合
して混合原料を得る。これにフラックスとしてフッ化ア
ンモニウム等のフッ化物を適量混合して坩堝に詰め、空
気中１３５０〜１４５０°Ｃの温度範囲で２〜５時間焼
成して焼成品を得、次に焼成品を水中でボールミルし
て、洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通すことで得ること
ができる。
Ｓｍ、Ｌａ、Ａｌ及びＧａの原料として酸化物、又は高
温で容易に酸化物になる化合物を使用し、それらを化学
量論比で十分に混合して原料を得る。又は、Ｙ、Ｇｄ、
Ｃｅ、Ｓｍ、Ｌａの希土類元素を化学量論比で酸に溶解
した溶解液を蓚酸で共沈したものを焼成して得られる共
沈酸化物と、酸化アルミニウム、酸化ガリウムとを混合
して混合原料を得る。これにフラックスとしてフッ化ア
ンモニウム等のフッ化物を適量混合して坩堝に詰め、空
気中１３５０〜１４５０°Ｃの温度範囲で２〜５時間焼
成して焼成品を得、次に焼成品を水中でボールミルし
て、洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通すことで得ること
ができる。
【００３０】本発明の発光ダイオードの形成方法におい
てこのような蛍光物質は、２種類以上の蛍光物質を混合
させてもよい。具体的には、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ及びＧｄ、
ＬａやＳｍの含有量が異なる２種類以上のセリウムで付
活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍
光体を混合させてＲＧＢの波長成分を増やすことなどが
できる。このような場合、異なる蛍光物質間の比重が異
なっていても量産性よく発光特性の均一な発光ダイオー
ドを形成することができる。
てこのような蛍光物質は、２種類以上の蛍光物質を混合
させてもよい。具体的には、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ及びＧｄ、
ＬａやＳｍの含有量が異なる２種類以上のセリウムで付
活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍
光体を混合させてＲＧＢの波長成分を増やすことなどが
できる。このような場合、異なる蛍光物質間の比重が異
なっていても量産性よく発光特性の均一な発光ダイオー
ドを形成することができる。
【００３１】（発光素子２０４）本発明に用いられる発
光素子とは、蛍光物質を励起可能な発光波長を発光する
ことができる発光層を有する半導体発光素子である。こ
のような半導体発光素子として蛍光物質を効率良く励起
できる短波長が発光可能な窒化物半導体（ＩｎXＡｌYＧ
ａ1-X-YＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、０≦Ｘ＋Ｙ≦１）などが
好適に挙げられる。半導体の構造としては、ＭＩＳ接
合、ＰＩＮ接合やｐｎ接合などを有するホモ構造、ヘテ
ロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられる。
半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選
択することができる。また、半導体活性層を量子効果が
生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井
戸構造とすることもできる。
光素子とは、蛍光物質を励起可能な発光波長を発光する
ことができる発光層を有する半導体発光素子である。こ
のような半導体発光素子として蛍光物質を効率良く励起
できる短波長が発光可能な窒化物半導体（ＩｎXＡｌYＧ
ａ1-X-YＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、０≦Ｘ＋Ｙ≦１）などが
好適に挙げられる。半導体の構造としては、ＭＩＳ接
合、ＰＩＮ接合やｐｎ接合などを有するホモ構造、ヘテ
ロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられる。
半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選
択することができる。また、半導体活性層を量子効果が
生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井
戸構造とすることもできる。
【００３２】窒化ガリウム系化合物半導体を使用した場
合、半導体用基板にはサファイヤ、スピネル、ＳｉＣ、
Ｓｉ、ＺｎＯ等の材料が好適に用いられる。結晶性の良
い窒化ガリウムを形成させるためにはサファイヤ基板を
用いることが好ましい。このサファイヤ基板上にＭＯＣ
ＶＤ法などを用いて窒化物半導体を形成させることがで
きる。サファイア基板上にＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＡＩＮ
等のバッファー層を形成しその上にｐｎ接合を有する窒
化ガリウム半導体を形成させる。
合、半導体用基板にはサファイヤ、スピネル、ＳｉＣ、
Ｓｉ、ＺｎＯ等の材料が好適に用いられる。結晶性の良
い窒化ガリウムを形成させるためにはサファイヤ基板を
用いることが好ましい。このサファイヤ基板上にＭＯＣ
ＶＤ法などを用いて窒化物半導体を形成させることがで
きる。サファイア基板上にＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＡＩＮ
等のバッファー層を形成しその上にｐｎ接合を有する窒
化ガリウム半導体を形成させる。
【００３３】窒化物半導体を使用したｐｎ接合を有する
発光素子例として、バッファー層上に、ｎ型窒化ガリウ
ムで形成した第１のコンタクト層、ｎ型窒化アルミニウ
ム・ガリウムで形成させた第１のクラッド層、窒化イン
ジウム・ガリウムで形成した活性層、ｐ型窒化アルミニ
ウム・ガリウムで形成した第２のクラッド層、ｐ型窒化
ガリウムで形成した第２のコンタクト層を順に積層させ
たダブルへテロ構成などが挙げられる。
発光素子例として、バッファー層上に、ｎ型窒化ガリウ
ムで形成した第１のコンタクト層、ｎ型窒化アルミニウ
ム・ガリウムで形成させた第１のクラッド層、窒化イン
ジウム・ガリウムで形成した活性層、ｐ型窒化アルミニ
ウム・ガリウムで形成した第２のクラッド層、ｐ型窒化
ガリウムで形成した第２のコンタクト層を順に積層させ
たダブルへテロ構成などが挙げられる。
【００３４】窒化ガリウム系半導体は、不純物をドープ
しない状態でｎ型導電性を示す。発光効率を向上させる
など所望のｎ型窒化ガリウム半導体を形成させる場合
は、ｎ型ドーパントとしてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ
等を適宜導入することが好ましい。一方、ｐ型窒化ガリ
ウム半導体を形成させる場合は、ｐ型ドーパントである
Ｚｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等をドープさせ
る。窒化ガリウム系化合物半導体は、ｐ型ドーパントを
ドープしただけではｐ型化しにくいためｐ型ドーパント
導入後に、炉による加熱やプラズマ照射等により加熱処
理することで低抵抗化させることが好ましい。電極形成
後、半導体ウエハーからチップ状にカットさせることで
窒化物半導体からなるＬＥＤチップを形成させることが
できる。
しない状態でｎ型導電性を示す。発光効率を向上させる
など所望のｎ型窒化ガリウム半導体を形成させる場合
は、ｎ型ドーパントとしてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ
等を適宜導入することが好ましい。一方、ｐ型窒化ガリ
ウム半導体を形成させる場合は、ｐ型ドーパントである
Ｚｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等をドープさせ
る。窒化ガリウム系化合物半導体は、ｐ型ドーパントを
ドープしただけではｐ型化しにくいためｐ型ドーパント
導入後に、炉による加熱やプラズマ照射等により加熱処
理することで低抵抗化させることが好ましい。電極形成
後、半導体ウエハーからチップ状にカットさせることで
窒化物半導体からなるＬＥＤチップを形成させることが
できる。
【００３５】本発明の発光ダイオードにおいて白色系を
発光させる場合は、蛍光物質からの発光波長との補色関
係や熱可塑性樹脂の劣化等を考慮して発光素子の発光波
長は４００ｎｍ以上５３０ｎｍ以下が好ましく、４２０
ｎｍ以上４９０ｎｍ以下がより好ましい。発光素子と蛍
光物質との励起、発光効率をそれぞれより向上させるた
めには、４５０ｎｍ以上４７５ｎｍ以下がさらに好まし
い。以下、本発明の具体的実施例について詳述するがこ
れのみに限定されないことは言うまでもない。
発光させる場合は、蛍光物質からの発光波長との補色関
係や熱可塑性樹脂の劣化等を考慮して発光素子の発光波
長は４００ｎｍ以上５３０ｎｍ以下が好ましく、４２０
ｎｍ以上４９０ｎｍ以下がより好ましい。発光素子と蛍
光物質との励起、発光効率をそれぞれより向上させるた
めには、４５０ｎｍ以上４７５ｎｍ以下がさらに好まし
い。以下、本発明の具体的実施例について詳述するがこ
れのみに限定されないことは言うまでもない。
【００３６】
【実施例】（実施例１）ＬＥＤチップは、発光層として
発光ピークが４５０ｎｍのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ半導体を用
いた。ＬＥＤチップは、洗浄させたサファイヤ基板上に
ＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガス、ＴＭＩ（トリメチ
ルインジウム）ガス、窒素ガス及びドーパントガスをキ
ャリアガスと共に流し、ＭＯＣＶＤ法で窒化物半導体を
成膜させることにより形成させた。ドーパントガスとし
てＳｉＨ4とＣｐ2Ｍｇとを切り替えることによってｎ型
やｐ型導電性の半導体を形成させる。発光素子としては
ｎ型導電性を有する窒化ガリウム半導体であるコンタク
ト層と、ｐ型導電性を有する窒化アルミニウムガリウム
半導体であるクラッド層、ｐ型導電性を有する窒化ガリ
ウムであるコンタクト層を形成させた。ｎ型コンタクト
層とｐ型クラッド層との間に厚さ約３ｎｍであり、単一
量子構造となるＩｎＧａＮの活性層を形成してある。
（なお、サファイヤ基板上には低温で窒化ガリウムを形
成させバッファ層とさせてある。また、ｐ型半導体は、
成膜後４００℃以上で熱処理させてある。）エッチング
によりサファイア基板上のｐｎ各半導体コンタクト層の
表面を露出させた後、スパッタリングにより各電極をそ
れぞれ形成させた。こうして出来上がった半導体ウエハ
ーをスクライブラインを引いた後、外力により分割させ
ＬＥＤチップを形成させた。
発光ピークが４５０ｎｍのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ半導体を用
いた。ＬＥＤチップは、洗浄させたサファイヤ基板上に
ＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガス、ＴＭＩ（トリメチ
ルインジウム）ガス、窒素ガス及びドーパントガスをキ
ャリアガスと共に流し、ＭＯＣＶＤ法で窒化物半導体を
成膜させることにより形成させた。ドーパントガスとし
てＳｉＨ4とＣｐ2Ｍｇとを切り替えることによってｎ型
やｐ型導電性の半導体を形成させる。発光素子としては
ｎ型導電性を有する窒化ガリウム半導体であるコンタク
ト層と、ｐ型導電性を有する窒化アルミニウムガリウム
半導体であるクラッド層、ｐ型導電性を有する窒化ガリ
ウムであるコンタクト層を形成させた。ｎ型コンタクト
層とｐ型クラッド層との間に厚さ約３ｎｍであり、単一
量子構造となるＩｎＧａＮの活性層を形成してある。
（なお、サファイヤ基板上には低温で窒化ガリウムを形
成させバッファ層とさせてある。また、ｐ型半導体は、
成膜後４００℃以上で熱処理させてある。）エッチング
によりサファイア基板上のｐｎ各半導体コンタクト層の
表面を露出させた後、スパッタリングにより各電極をそ
れぞれ形成させた。こうして出来上がった半導体ウエハ
ーをスクライブラインを引いた後、外力により分割させ
ＬＥＤチップを形成させた。
【００３７】一方、打ち抜き及びスタンピングによりタ
イバーで接続されマウント・リード先端にカップが形成
された鉄入り銅製リードフレームを形成する。エポキシ
樹脂を用いてＬＥＤチップをダイボンディング機器で銀
メッキした鉄入り銅製リードフレームの先端カップ内に
ダイボンドした。ＬＥＤチップの各電極と、カップが設
けられたマウント・リードやインナー・リードとをそれ
ぞれ金線でワイヤボンディングし電気的導通を取った。
イバーで接続されマウント・リード先端にカップが形成
された鉄入り銅製リードフレームを形成する。エポキシ
樹脂を用いてＬＥＤチップをダイボンディング機器で銀
メッキした鉄入り銅製リードフレームの先端カップ内に
ダイボンドした。ＬＥＤチップの各電極と、カップが設
けられたマウント・リードやインナー・リードとをそれ
ぞれ金線でワイヤボンディングし電気的導通を取った。
【００３８】蛍光物質は、Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅの希土類元素
を化学量論比で酸に溶解した溶解液を蓚酸で共沈させ
た。これを焼成して得られる共沈酸化物と、酸化アルミ
ニウムと混合して混合原料を得る。これにフラックスと
してフッ化アンモニウムを混合して坩堝に詰め、空気中
１４００°Ｃの温度で３時間焼成して焼成品を得た。焼
成品を水中でボールミルして、洗浄、分離、乾燥、最後
に篩を通して形成させた。
を化学量論比で酸に溶解した溶解液を蓚酸で共沈させ
た。これを焼成して得られる共沈酸化物と、酸化アルミ
ニウムと混合して混合原料を得る。これにフラックスと
してフッ化アンモニウムを混合して坩堝に詰め、空気中
１４００°Ｃの温度で３時間焼成して焼成品を得た。焼
成品を水中でボールミルして、洗浄、分離、乾燥、最後
に篩を通して形成させた。
【００３９】形成された（Ｙ0.8Ｇｄ0.2）3Ａｌ5Ｏ12：
Ｃｅ蛍光物質２５重量部、エポキシ樹脂１００重量部及
び光硬化触媒として芳香族スルホンニウムが１モル％含
有されている。これを混合させながら、蛍光物質含有の
光硬化性樹脂としてＬＥＤチップ上に塗布し被覆させ
た。この状態で低圧ハロゲンランプにて蛍光物質を含有
した樹脂を硬化させた。
Ｃｅ蛍光物質２５重量部、エポキシ樹脂１００重量部及
び光硬化触媒として芳香族スルホンニウムが１モル％含
有されている。これを混合させながら、蛍光物質含有の
光硬化性樹脂としてＬＥＤチップ上に塗布し被覆させ
た。この状態で低圧ハロゲンランプにて蛍光物質を含有
した樹脂を硬化させた。
【００４０】次に、ＬＥＤチップを蛍光物質を含有した
樹脂で被覆したリード端子の先端をキャスティングケー
スに配置した。キャスティングケース内にエポキシ樹脂
を注型し、硬化させることにより砲弾型のモールドを持
った発光ダイオードを形成させた。
樹脂で被覆したリード端子の先端をキャスティングケー
スに配置した。キャスティングケース内にエポキシ樹脂
を注型し、硬化させることにより砲弾型のモールドを持
った発光ダイオードを形成させた。
【００４１】キャスティングケースから、リードを取り
出しタイバーを切断することでＬＥＤチップを蛍光物質
含有の光硬化性樹脂で被覆され砲弾型のモールドを持っ
た発光ダイオードを得ることができる。こうした発光ダ
イオードを５００個形成させバラツキを測定した。得ら
れた白色系が発光可能な発光ダイオードの色度点を測定
しＣＩＥ座標上にプロットした。また、一個ずつの発光
ダイオードにおいて外観上の発光むらがないことを確認
した。
出しタイバーを切断することでＬＥＤチップを蛍光物質
含有の光硬化性樹脂で被覆され砲弾型のモールドを持っ
た発光ダイオードを得ることができる。こうした発光ダ
イオードを５００個形成させバラツキを測定した。得ら
れた白色系が発光可能な発光ダイオードの色度点を測定
しＣＩＥ座標上にプロットした。また、一個ずつの発光
ダイオードにおいて外観上の発光むらがないことを確認
した。
【００４２】（比較例）蛍光物質含有の樹脂として熱硬
化性のエポキシ樹脂を用いて樹脂注型により形成した以
外は実施例と同様の発光ダイオードを形成させた。形成
された比較例の発光ダイオード５００個平均と、実施例
１の発光ダイオードとを比較して色温度の製造バラツキ
を調べた。比較例の発光ダイオードに較べ実施例の発光
ダイオードは、色温度の製造バラツキが３０％以上低減
された。
化性のエポキシ樹脂を用いて樹脂注型により形成した以
外は実施例と同様の発光ダイオードを形成させた。形成
された比較例の発光ダイオード５００個平均と、実施例
１の発光ダイオードとを比較して色温度の製造バラツキ
を調べた。比較例の発光ダイオードに較べ実施例の発光
ダイオードは、色温度の製造バラツキが３０％以上低減
された。
【００４３】
【発明の効果】本発明により、発光特性が安定した蛍光
物質を有する発光ダイオードを量産性良く形成させるこ
とができる。特に、請求項１記載の発光ダイオードによ
って、比較的簡便に発光ダイオードの発光観測面側にお
ける発光むらを低減させることができる。
物質を有する発光ダイオードを量産性良く形成させるこ
とができる。特に、請求項１記載の発光ダイオードによ
って、比較的簡便に発光ダイオードの発光観測面側にお
ける発光むらを低減させることができる。
【００４４】また、請求項２の発光ダイオードにおい
て、歩留りを向上させた白色系が発光可能な発光ダイオ
ードとすることができる。
て、歩留りを向上させた白色系が発光可能な発光ダイオ
ードとすることができる。
【００４５】請求項３に記載の形成方法とすることで、
発光観測面側における発光むらを低減させた発光ダイオ
ードを比較的簡便に形成させることができる。また、長
時間量産時においても最初に形成された発光ダイオード
と、後に形成された発光ダイオード間の発光ばらつきが
極めて小さくさせることができるため量産性と歩留りを
向上させることができる。
発光観測面側における発光むらを低減させた発光ダイオ
ードを比較的簡便に形成させることができる。また、長
時間量産時においても最初に形成された発光ダイオード
と、後に形成された発光ダイオード間の発光ばらつきが
極めて小さくさせることができるため量産性と歩留りを
向上させることができる。
【図１】図１は本発明の発光ダイオードを示す模式的断
面図である。
面図である。
【図２】図２は本発明の他の発光ダイオードであるチッ
プタイプＬＥＤを示す模式的断面図である。
プタイプＬＥＤを示す模式的断面図である。
１０１・・・蛍光物質を含有する光硬化性樹脂 １０２・・・発光素子 １０３・・・発光素子を配置する凹部を持ったマウント
・リード １０４・・・インナー・リード １０５・・・ワイヤ １０６・・・モールド ２０１・・・光硬化性樹脂 ２０２・・・蛍光物質 ２０３・・・ワイヤ ２０４・・・発光素子 ２０５・・・パッケージ ２０６・・・外部電極
・リード １０４・・・インナー・リード １０５・・・ワイヤ １０６・・・モールド ２０１・・・光硬化性樹脂 ２０２・・・蛍光物質 ２０３・・・ワイヤ ２０４・・・発光素子 ２０５・・・パッケージ ２０６・・・外部電極
Claims (3)
- 【請求項１】 発光素子(102)と、該発光素子からの発
光波長の少なくとも一部を吸収して蛍光を発する蛍光物
質を含有する樹脂とを有する発光ダイオードであって、 前記発光素子を被覆する蛍光物質含有の樹脂(101)が光
硬化性樹脂からなることを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項２】 前記発光素子が窒化物半導体からなると
共に前記蛍光物質がセリウムで付活されたイットリウム
・アルミニウム・ガーネット系蛍光体である請求項１に
記載の発光ダイオード。 - 【請求項３】 発光素子と、発光素子からの発光波長の
少なくとも一部を吸収して該発光波長よりも長波長の蛍
光を発する蛍光物質を含有する樹脂とを有する発光ダイ
オードの形成方法であって、 前記蛍光物質を含有した光硬化性樹脂で発光素子を被覆
する工程と、 前記光硬化性樹脂に光エネルギーを照射することにより
硬化させる工程とを有することを特徴とする発光ダイオ
ードの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03527198A JP3399342B2 (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | 発光ダイオードの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03527198A JP3399342B2 (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | 発光ダイオードの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233831A true JPH11233831A (ja) | 1999-08-27 |
| JP3399342B2 JP3399342B2 (ja) | 2003-04-21 |
Family
ID=12437138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03527198A Expired - Fee Related JP3399342B2 (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | 発光ダイオードの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3399342B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002043625A (ja) * | 2000-07-19 | 2002-02-08 | Koha Co Ltd | Ｌｅｄ装置 |
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| KR100638881B1 (ko) | 2005-08-19 | 2006-10-27 | 삼성전기주식회사 | 금속 기판에 ｌｅｄ 패키지를 삽입한 ｌｅｄ 어셈블리 |
| KR100674854B1 (ko) * | 2006-02-16 | 2007-01-29 | 삼성전기주식회사 | 광추출 효율이 개선된 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 |
| US7425459B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-09-16 | Nichia Corporation | Light emitting device, display apparatus with an array of light emitting devices, and display apparatus method of manufacture |
| CN100463239C (zh) * | 2006-02-15 | 2009-02-18 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发光半导体组件封装结构及其制造方法 |
-
1998
- 1998-02-17 JP JP03527198A patent/JP3399342B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3399342B2 (ja) | 2003-04-21 |
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