JP2005093525A - 光電変換装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 特定導電型基体101上全面に、前記基体101の導電型と反対導電型の埋め込み層102及び前記基体101と同一導電型のエピタキシャル層103が配置され、前記エピタキシャル層103の一部に、前記基体101と反対導電型のウエル106が存在する構造の光電変換装置において、前記ウエル106下部と前記埋め込み層102との間に、前記エピタキシャル層103よりも高濃度で、基体101と同一導電型のウエル分離用埋め込み層108を配置した。
【選択図】 図1
Description
次に、SiHCl3を用いたCVD法にて、Si基体201表面に、Siのエピタキシャル層203を成長させる。本実施例では、センサの分光感度を鑑み、厚さ4μm、比抵抗10Ω・cmでN型の物を成長させた。(図2−(b)参照)
本実施例とは別に、基体201に、直接エピタキシャル層203を堆積させ、しかる後に、高エネルギーイオン注入法等の手法を用いて、埋め込み層202を形成しても、図2−(b)のような構造体を形成することは、可能である。
次に、エピタキシャル層203のN型のウエル207を形成しなかった領域の一部に、フォトリソグラフィ法によって、P型のウエル206の領域をレジスト209にて規定する。ここで、まず、P型のウエルを形成するための、ホウ素を、以下の3段階にて打ち込む。最も深い領域には、3E12ions/cm2のドーズ量及び250KeVの加速電圧で、中間領域には、2.5E12ions/cm2のドーズ量及び125KeVの加速電圧で、最表面には、3.8E12ions/cm2のドーズ量及び35KeVの加速電圧で、ホウ素を打ち込む。
この後、レジスト209を除去すれば、図1のような、構造体を作ることができる。
102,202,302,402 半導体基体全面に延在する埋め込み層
103,203,303,403 エピタキシャル層
304,404 フォトダイオードの障壁拡散層
305,405 フォトダイオードの電荷蓄積拡散層
106,206,306 半導体基体と反対導電型のウエル
107,207,307 半導体基体と同一導電型のウエル
108,208,308 半導体基体と同一導電型のウエル分離用埋め込み層
309 MOSFETのゲート電極
310 ソース−ドレイン領域
Claims (5)
- 特定導電型半導体基体上全面に、前記基体の導電型と反対導電型の埋め込み層及び前記基体と同一導電型のエピタキシャル層が配置され、前記エピタキシャル層の一部に、前記基体と反対導電型のウエルが存在する構造の光電変換装置において、
前記ウエル下部と前記埋め込み層との間に、前記エピタキシャル層よりも高濃度で、前記基体と同一導電型のウエル分離用埋め込み層を配置したことを特徴とする光電変換装置。 - 特定導電型半導体基体上全面に、前記基体の導電型と反対導電型の埋め込み層及び前記基体と同一導電型のエピタキシャル層が配置され、前記エピタキシャル層の一部に、前記基体と反対導電型のウエルが間隔を置いて存在する構造の光電変換装置において、
前記ウエル下部と前記埋め込み層との間に、前記エピタキシャル層よりも高濃度で、前記基体と同一導電型のウエル分離用埋め込み層を配置し、
前記間隔を置いて存在する反対導電型のウエルに対応して、フォトダイオード及びMOSFETを隣接して形成したことを特徴とする光電変換装置。 - 特定導電型半導体基体上全面に、前記基体の導電型と反対導電型の埋め込み層を形成した後、前記基体と同一導電型のエピタキシャル層を堆積させ、前記エピタキシャル層の一部に、前記基体と反対導電型のウエルを形成し、前記ウエル下部に、イオン注入法にて前記エピタキシャル層よりも高濃度で、前記基体と同一導電型のウエル分離用埋め込み層を形成したことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
- 特定導電型半導体基体上全面に、前記基体の導電型と反対導電型の埋め込み層を形成する際、前記基体上全面に、前記基体に緩衝膜を形成後にイオン注入法にて前記基体の導電型と反対導電型の埋め込み層を形成し、前記緩衝膜を除去したことを特徴とする請求項3に記載の光電変換装置の製造方法。
- 特定導電型半導体基体上全面に、前記基体と同一導電型のエピタキシャル層を堆積させ、前記基体の導電型と反対導電型の埋め込み層をイオン注入法にて形成した後、前記エピタキシャル層の一部に、前記基体と反対導電型のウエルを形成し、前記ウエル下部に、イオン注入法にて前記エピタキシャル層よりも高濃度で、前記基体と同一導電型のウエル分離用埋め込み層を形成したことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
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