JP2005079156A - 配線形成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 基板の各地点における配線パターン形状や熱容量の相違による影響を受けることなく、基板の全面に亘ってより均一な膜厚の保護膜を形成することができるようにする。
【解決手段】 基板の表面に埋込み配線を形成し、この埋込み配線の露出表面に保護膜を選択的に形成するに際し、配線及び保護膜を、反応種の供給律速に起因する配線のパターン依存性を抑制しつつ形成することを特徴とする。
【選択図】 図1
【解決手段】 基板の表面に埋込み配線を形成し、この埋込み配線の露出表面に保護膜を選択的に形成するに際し、配線及び保護膜を、反応種の供給律速に起因する配線のパターン依存性を抑制しつつ形成することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
本発明は、配線形成方法に関し、特に半導体基板等の表面に設けた配線用凹部に銅や銀等の導電体を埋込んで埋込み配線を形成し、更にこの埋込み配線の表面を保護膜で覆って多層構造とするのに使用される配線形成方法に関する。
半導体装置の配線形成プロセスとして、配線溝及びビアホールに配線材料(金属)を埋込むようにしたプロセス(いわゆる、ダマシンプロセス)が使用されつつある。これは、層間絶縁膜に予め形成した配線溝やビアホールに、アルミニウム、近年では銅や銀等の配線材料(金属)を埋め込んだ後、余分な金属を化学的機械的研磨(CMP)によって除去し平坦化するプロセス技術である。
この種の配線、例えば配線材料として銅を使用した銅配線にあっては、平坦化後、銅からなる配線の表面が外部に露出しており、配線(銅)の熱拡散を防止したり、例えばその後の酸化性雰囲気の絶縁膜(酸化膜)を積層して多層配線構造の半導体装置を作る場合等に、配線(銅)の酸化を防止したりするため、Co合金やNi合金等からなる保護膜(蓋材)で露出配線の表面を選択的に覆って、配線の熱拡散及び酸化を防止することが検討されている。このCo合金やNi合金等は、例えば無電解めっきによって得られる。
図8は、半導体装置における銅配線形成例を工程順に示す。図8(a)に示すように、半導体素子を形成した半導体基材1上の導電層1aの上に、例えばSiO2やLow−K材膜等の絶縁膜(層間絶縁膜)2を堆積し、この絶縁膜2の内部に、例えばリソグラフィ・エッチング技術により、配線用凹部としてのコンタクトホール3と配線溝4を形成し、その上にTaN等からなるバリア層5、更にその上に電解めっきの給電層としてのシード層6をスパッタリング等により形成する。
そして、図8(b)に示すように、基板Wの表面に銅めっきを施すことで、基板Wのコンタクトホール3及び配線溝4内に銅を充填させるとともに、絶縁膜2上に銅層7を堆積させる。その後、化学機械的研磨(CMP)などにより、絶縁膜2上のバリア層5,シード層6及び銅層7を除去して、コンタクトホール3及び配線溝4内に充填させた銅層7の表面と絶縁膜2の表面とをほぼ同一平面にする。これにより、図8(c)に示すように、絶縁膜2の内部にシード層6と銅層7からなる配線(銅配線)8を形成する。
次に、図8(d)に示すように、基板Wの表面に無電解めっきを施し、配線8の表面に、Co合金やNi合金等からなる保護膜9を選択的に形成し、これによって、配線8の表面を保護膜9で覆って保護する。
次に、図8(d)に示すように、基板Wの表面に無電解めっきを施し、配線8の表面に、Co合金やNi合金等からなる保護膜9を選択的に形成し、これによって、配線8の表面を保護膜9で覆って保護する。
しかしながら、CMPによって基板表面の余分な金属を除去して平坦化し、無電解めっきで保護膜を形成する際に、反応種の供給律速に伴う配線及び保護膜のパターン依存性が顕在化し、無電解めっきによって配線の表面に選択的に形成される保護膜の膜厚に不揃いが生じて安定した配線形成プロセスが得られず、スループットが低下するといった問題があった。
特に、無電解めっきで保護膜を選択的に形成するにあたっては、配線の疎密によって保護膜の膜厚に不揃いが生じ、保護膜としての機能を充分に得られてないばかりでなく、特に孤立した細線パターンでは、めっき反応を開始するまでの遷移時間が存在し、めっきの析出が容易ではないことがある。
例えば、図9に示すように、基板の表面に、例えば10μm間隔で幅0.25μmの配線(細線)8が孤立している第1配線パターン(図9(a))と、例えば0.25μm間隔で幅0.25μmの配線(細線)8が密集している第2配線パターン(図9(b))と、例えば1μm間隔で10μmの配線(太線)8が孤立している第3配線パターン(図9(c))が混在する場合を考える。
このような多種多様な配線パターンを有する基板にあっては、前述のように、配線材料としての銅の埋込みを行った後、CMPを施して、絶縁膜上の不要な金属を除去し平坦化すると、CMPによる銅の研磨除去は、一般に銅を酸化させて削ることで行われるので、図9に示すように、絶縁膜2のバリア層5で覆われた配線溝4の内部に形成された配線8の上部に、配線パターン形状に依存し、反応種の供給律速に伴う反応に起因して、厚さの異なる酸化膜8aが形成される。つまり、第1配線パターンにあっては、例えば10nm程度の、他と比べて厚い膜厚の酸化膜8a(図9(a))が、第2配線パターンにあっては、例えば6nm程度の、中間程度の膜厚の酸化膜8a(図9(b))が、第3配線パターンにあっては、例えば4nm程度の、他と比べて薄い膜厚の酸化膜8a(図9(c))がそれぞれ形成される。
次に、無電解めっきの前処理を行って、配線8の上部に形成された酸化膜8aを除去すると、図10に示すように、配線溝4内の上部に、酸化膜8aの膜厚に応じた高さの空間10が形成される。つまり、第1配線パターンにあっては、例えば10nm程度の高さの空間10(図10(a))が、第2配線パターンにあっては、例えば6nm程度の高さの空間10(図10(b))が、第3配線パターンにあっては、例えば4nm程度の高さの空間10(図10(c))がそれぞれ形成される。
この状態で、無電解めっきを行って、例えばNiB合金からなる保護膜9を配線8の表面に選択的に形成すると、図11に示すように、配線パターン形状に依存し、反応種の供給律速に伴う反応に起因して、第1配線パターンにあっては、例えば10nm程度の膜厚の保護膜9(図11(a))が、第2配線パターンにあっては、例えば6nm程度の膜厚の保護膜9(図11(b))が、第3配線パターンにあっては、例えば4nm程度の膜厚の保護膜9(図11(c))がそれぞれ形成される。つまり、配線が細い程、またより孤立している程、配線の露出表面に形成される保護膜の膜厚が厚くなる傾向が生じる。
これは、配線パターン形状に依存し、反応種の供給律速に伴う反応に起因している。つまり、図12(a)に示すように、例えば10×10の領域(表面積)に2×10の表面積の1本の配線(反応領域)8を有する配線パターンにあっては、反応領域の全領域に対する割合は、0.2(20/100)となり、図12(b)に示すように、例えば10×10の領域に2×10の表面積の2本の配線(反応領域)8を有する配線パターンにあっては、反応領域の全領域に対する割合は、0.4(2×20/100)となる。更に、図12(c)に示すように、例えば10×10の領域に5.2×10の表面積の配線(反応領域)8を有する配線パターンにあっては、反応領域の全領域に対する割合は、0.52(52/100)となる。このように、反応領域(面積)の全領域(面積)に対する割合が大きくなる程、CMPの際に、配線8の上部に厚さの薄い酸化膜8aが形成され、この結果、保護膜9の膜厚が薄くなる。
また、埋込み配線を取り囲んでいる、例えばSiO2からなる絶縁膜(層間絶縁膜)は、一般に熱伝導性が悪く、しかも、無電解めっきのめっき速度は、温度因子に大きく影響される。図13は、CoWB無電解めっきにおけるめっき速度とめっき液の液温との関係を示す。この図から、CoWB無電解めっきにおいては、液温が52℃以下ではめっき析出が不可能で、液温が55〜70℃の間では、1℃の温度差で、約1.3nm/minのめっき速度差が生じることが判る。
このため、前述の図10に示すめっきの前処理を施した状態で、例えば60℃の液温のCoWB無電解めっき液を使用して、CoWB合金からなる保護膜9を配線8の表面に形成すると、図14に示すように、第1配線パターンにあっては、他と比べて膜厚の薄い保護膜9(図14(a))が、第2配線パターンにあっては、他と比べて膜厚の厚い保護膜9(図14(b))が、第3配線パターンにあっては、中間程度の膜厚の保護膜9(図14(c))がそれぞれ形成される。つまり、配線が細く孤立している程、配線の露出表面に形成される保護膜の膜厚が熱容量不足に伴って薄くなる傾向が生じる。
本発明は上記事情に鑑みて為されたもので、基板の各地点における配線パターン形状や熱容量の相違による影響を受けることなく、基板の全面に亘ってより均一な膜厚の保護膜を形成することができるようにした配線形成方法を提供することを目的とする。
請求項1に記載の発明は、基板の表面に埋込み配線を形成し、この埋込み配線の露出表面に保護膜を選択的に形成するに際し、前記配線及び前記保護膜を、反応種の供給律速に起因する配線のパターン依存性を抑制しつつ形成することを特徴とする配線形成方法である。
これにより、基板の各地点における配線パターン形状の相違による影響を受けることなく、基板の全面に亘って均一な膜厚の保護膜を、配線の表面に安定して形成することができる。
これにより、基板の各地点における配線パターン形状の相違による影響を受けることなく、基板の全面に亘って均一な膜厚の保護膜を、配線の表面に安定して形成することができる。
請求項2に記載の発明は、基板の表面に積層した絶縁膜に配線パターンの形状に沿った配線用凹部を形成し、前記絶縁膜に反応領域となるダミーパターンの形状に沿ったダミー用凹部を形成し、前記配線用凹部及び前記ダミー用凹部の内部に配線材料を埋込み、前記絶縁膜上の余剰な金属を除去して基板表面を平坦化し、前記配線用凹部及び前記ダミー用凹部の内部に埋込まれた配線材料の表面に保護膜を選択的に形成することを特徴とする配線形成方法である。
このように、反応領域となるダミーパターンを、例えば孤立している細線(配線)の近傍等、所望の位置に設定して反応領域を局部的に増やすことで、例えばCMPで余剰な金属を除去して平坦化する時に配線の上部に形成される酸化膜の膜厚や、無電解めっきによって形成される保護膜の膜厚を、配線パターン形状に依存することなく、基板の全面に亘ってより均一にすることができる。
このように、反応領域となるダミーパターンを、例えば孤立している細線(配線)の近傍等、所望の位置に設定して反応領域を局部的に増やすことで、例えばCMPで余剰な金属を除去して平坦化する時に配線の上部に形成される酸化膜の膜厚や、無電解めっきによって形成される保護膜の膜厚を、配線パターン形状に依存することなく、基板の全面に亘ってより均一にすることができる。
請求項3に記載の発明は、前記ダミーパターンと前記配線パターンとを合計した単位面積当たりの表面積が、基板の全面に亘って均一化するように前記ダミーパターンを設けることを特徴とする請求項2記載の配線形成方法である。
これにより、配線パターンとダミーパターンとからなる反応領域を、基板の全面に亘ってより均一にすることができる。
これにより、配線パターンとダミーパターンとからなる反応領域を、基板の全面に亘ってより均一にすることができる。
請求項4に記載の発明は、前記配線材料の埋込みを電気めっき及び/または無電解めっきで、基板表面の平坦化をCMPで、保護膜の形成を無電解めっきでそれぞれ行うことを特徴とする請求項2または3記載の配線形成方法である。
請求項5に記載の発明は、基板の表面に埋込み配線を形成し、この埋込み配線の露出表面に保護膜を選択的に形成するに際し、前記保護膜を、該保護膜形成領域における熱容量を均一化しつつ無電解めっきで形成することを特徴とする配線形成方法である。
これにより、基板の各地点における熱容量の相違による影響を受けることなく、基板の全面に亘って均一な膜厚の保護膜を、配線の表面に安定して形成することができる。
請求項5に記載の発明は、基板の表面に埋込み配線を形成し、この埋込み配線の露出表面に保護膜を選択的に形成するに際し、前記保護膜を、該保護膜形成領域における熱容量を均一化しつつ無電解めっきで形成することを特徴とする配線形成方法である。
これにより、基板の各地点における熱容量の相違による影響を受けることなく、基板の全面に亘って均一な膜厚の保護膜を、配線の表面に安定して形成することができる。
請求項6に記載の発明は、基板の表面に積層した絶縁膜に配線パターンの形状に沿った配線用凹部を形成し、前記絶縁膜に熱容量源となるダミーパターンの形状に沿ったダミー用凹部を形成し、前記配線用凹部及び前記ダミー用凹部の内部に配線材料を埋込み、前記絶縁膜上の余剰な金属を除去して基板表面を平坦化し、前記配線用凹部及び前記ダミー用凹部の内部に埋込まれた配線材料の表面に保護膜を無電解めっきで選択的に形成することを特徴とする配線形成方法である。
このように、熱容量源となるダミーパターンを、例えば孤立している細線(配線)の近傍等、所望の位置に配置して熱容量を局部的に増やして、無電解めっきの際の熱容量が基板の全面に亘ってより均一となるようにすることで、無電解めっきで配線の表面に形成される保護膜の膜厚を基板の全面に亘ってより均一にすることができる。
請求項7に記載の発明は、前記ダミー用凹部と前記配線用凹部の内部に埋込まれる配線材料を合計した単位面積当たりの配線材料の体積が、基板の全面に亘って均一化するようにし前記ダミーパターンを設けることを特徴とする請求項6記載の配線形成方法である。
これにより、配線用凹部とダミー用凹部の内部に埋込まれて、無電解めっきの際の熱容量となる配線材料を、基板の全面に亘ってより均一化にすることができる。
これにより、配線用凹部とダミー用凹部の内部に埋込まれて、無電解めっきの際の熱容量となる配線材料を、基板の全面に亘ってより均一化にすることができる。
本発明によれば、埋込み配線の表面を選択的に覆って該配線を保護する保護膜を、例えば無電解めっきで安定かつ確実に形成して、配線の信頼性を向上させスループットを向上させることができる。
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。なお、以下の例では、配線材料として銅を使用した例を示している。配線材料として、銅以外の銅合金、銀または銀合金等の導電体を使用してもよいことは勿論である。
図1乃至図4は、本発明の第1の実施の形態における配線形成方法を適用して配線を形成する場合を模式的に示す。この例は、前述の図12に示す場合と同様に、例えば10×10の領域(面積)に2×10の表面積の1本の配線(反応領域)8を有する第1配線パターン(図1(a))と、例えば10×10の領域に2×10の表面積の2本の配線(反応領域)8を有する第2配線パターン(図1(b))と、例えば10×10の領域に5.2×10の表面積の配線(反応領域)8を有する第3配線パターン(図1(c))が混在している場合に適用した例を示す。
このように、多種多様な配線パターンを有する基板に配線を形成するにあたっては、先ず、配線パターンと合計した単位面積当たりの表面積が、基板の全面に亘って均一化するように、ダミーパターン20を設定する。この例にあっては、図1(c)に示す第3配線パターンにおける反応領域の全領域に対する割合が、0.52(52/100)と最も大きいので、これに合わせた例を示している。つまり、図1(a)に示す第1配線パターンにあっては、配線8の両側に沿った位置に、例えば2×2の表面積を有する合計8個のダミーパターン20を配置し、これによって、反応領域となる配線8とダミーパターン20とを合計した面積の全領域に対する割合が、図1(c)と同じ、0.52((20+2×2×8)/100)となるようにしている。図1(b)に示す第2配線パターンにあっては、配線8で挟まれた領域に、例えば2×2の表面積を有する合計3個のダミーパターン20を配置し、これによって、反応領域となる配線8とダミーパターン20とを合計した面積の全領域に対する割合が、図1(c)と同じ、0.52((2×20+2×2×3)/100)となるようにしている。
つまり、基板Wの表面に堆積した、例えばSiO2やLow−K材膜等の絶縁膜(層間絶縁膜)2の内部に、例えばリソグラフィ・エッチング技術により、配線用凹部としての配線溝4の他に、ダミー配線用凹部22をダミーパターン20に沿った形状に沿って形成し、その上にTaN等からなるバリア層5、更にその上に電解めっきの給電層としてのシード層(図示せず)をスパッタリング等により形成する。
そして、基板Wの表面に銅めっきを施すことで、配線溝4及びダミー配線用凹部22内に銅を充填させるとともに、絶縁膜2上に銅層を堆積させる。その後、化学機械的研磨(CMP)などにより、絶縁膜2上のバリア層5,シード層及び銅層を除去して、配線溝4及びダミー配線用凹部22内に充填させた銅層の表面と絶縁膜2の表面とをほぼ同一平面にする。これにより、絶縁膜2の内部に、配線パターンに沿った配線8と、ダミーパターン20に沿ったダミー配線24を形成する。
このCMPによる銅の研磨除去は、一般に銅を酸化させて削ることで行われ、このため、図2に示すように、配線8の上部に酸化膜8aが形成されるのであるが、ダミー配線24の上部にも同様に酸化膜24aが形成される。これによって、配線パターン形状に依存した反応種の供給律速に伴う反応に起因することなく、均一な膜厚の酸化膜8aが形成される。つまり、第1及び第2配線パターンにあっては、配線8の上部に酸化膜8aが形成されるとともに、ダミー配線24の上部にも酸化膜24aが形成され(図2(a),(b))、第3配線パターンにあっては、配線8の上部のみに酸化膜8aが形成される(図2(c))。これらの配線パターンとダミーパターンを合計した酸化膜形成領域は、全ての配線パターンにおいてほぼ等しく、このため、これらの酸化膜8a,24aの膜厚は、全ての配線パターンにおいてほぼ等しくなる。
次に、例えば0.5ml/LのH2SO4溶液に基板を1分間浸漬させる、無電解めっきの前処理を行って、配線8の上部に形成された酸化膜8a及びダミー配線24の上部に形成された酸化膜24aを除去すると、図3に示すように、配線溝4内の上部に酸化膜8aの膜厚に応じた高さの空間10が、ダミー配線用凹部22内の上部にも酸化膜24aの膜厚に応じて高さ他の空間26がそれぞれ形成される。つまり、第1及び第2配線パターンにあっては、配線8の上部に空間10が形成されるとともに、ダミー配線24の上部にも空間26が形成され(図3(a),(b))、第3配線パターンにあっては、配線8の上部に空間10が形成され(図3(c))、これらの空間10,26の高さは、全ての配線パターンにおいてほぼ等しくなる。
この状態で、例えば下記の組成を有する無電解NiBめっき液を使用した無電解めっきを、例えば1分間行って、厚さ約40nmのNiB合金からなる保護膜9を配線8の表面に選択的に形成するのであるが、この時、ダミー配線24の上部にも同様にダミー保護膜28が形成される。
NiSO4・6H2O;0.02mol/L
リンゴ酸;0.02mol/L
グリシン;0.03mol/L
pH=10
温度 60℃
NiSO4・6H2O;0.02mol/L
リンゴ酸;0.02mol/L
グリシン;0.03mol/L
pH=10
温度 60℃
これによって、配線パターン形状に依存した反応種の供給律速に伴う反応に起因することなく、均一な膜厚の保護膜9が形成される。つまり、第1及び第2配線パターンにあっては、配線8の上部に保護膜9が形成されるとともに、ダミー配線24の上部にもダミー保護膜28が形成され(図4(a),(b))、第3配線パターンにあっては、配線8の上部のみに保護膜9が形成される(図4(c))。これらの配線パターンとダミーパターンを合計した保護膜形成領域は、全ての配線パターンにおいてほぼ等しく、このため、これらの保護膜9,28の膜厚は、全ての配線パターンにおいてほぼ等しくなる。
この例によれば、反応領域となるダミーパターンを、例えば孤立している細線(配線)の近傍等、所望の位置に配置して反応領域を局部的に増やして、ダミーパターンと配線パターンとを合計した単位面積当たりの表面積が、基板の全面に亘って均一化するようにすることで、例えばCMPで余剰な金属を除去して平坦化する時に配線の上部に形成される酸化膜の膜厚や無電解めっきによって形成される保護膜の膜厚を、配線パターン形状に依存することなく、基板の全面に亘ってより均一にすることができる。
図5乃至図7は、本発明の第2の実施の形態における配線形成方法を適用して配線を形成する場合を模式的に示す。この例も、前述の図12に示す場合と同様に、例えば10×10の領域(面積)に2×10の表面積の1本の配線(反応領域)8を有する第1配線パターン(図1(a))と、例えば10×10の領域に2×10の表面積の2本の配線(反応領域)8を有する第2配線パターン(図1(b))と、例えば10×10の領域に5.2×10の表面積の配線(反応領域)8を有する第3配線パターン(図1(c))が混在している場合に適用した例を示す。
このように、多種多様な配線パターンを有する基板に配線を形成するにあたっては、先ず、配線パターンに沿って埋込まれる配線材料と、ダミーパターン30に沿って埋込まれる配線材料とを合計した単位面積当たりの配線材料の体積が、基板の全面に亘って均一化するように、ダミーパターン30を設定する。この例にあっては、図5(c)に示す第3配線パターンにおける配線8を形成する配線パターン内に埋込まれる配線材料としての銅の体積が最も大きいので、これに合わせた例を示している。
つまり、図5(a)に示す第1配線パターンにあっては、配線8の両側に沿った位置に、該配線8と平行に延びるダミーパターン30を設置し、図5(b)に示す第2配線パターンにあっては、配線8で挟まれた領域に、該配線8と平行に延びるダミーパターン30を設置している。これによって、下記のように、図6(a)に示す、第1配線パターンにおける1本の配線8を形成する配線材料としての銅の体積V1と、2本のダミーパターン30に沿って埋込まれる銅の体積2V2の合計の体積、図6(b)に示す、第2配線パターンにおける2本の配線8を形成する配線材料としての銅の体積2V1と、1本のダミーパターン30に内に埋込まれる銅の体積V2の合計の体積、図6(c)に示す、第3配線パターンの配線8を形成する配線材料としての銅の体積V0が全てお等しく(V1+2V2=2V1+V2=V0)なるようにしている。
つまり、基板Wの表面に堆積した、例えばSiO2やLow−K材膜等の絶縁膜(層間絶縁膜)2の内部に、例えばリソグラフィ・エッチング技術により、配線用凹部としての配線溝4の他に、ダミー配線用凹部32をダミーパターン30の形状に沿って形成し、その上にTaN等からなるバリア層5、更にその上に電解めっきの給電層としてのシード層(図示せず)をスパッタリング等により形成する。
そして、基板Wの表面に銅めっきを施すことで、配線溝4及びダミー配線用凹部32内に銅を充填させるとともに、絶縁膜2上に銅層を堆積させる。その後、化学機械的研磨(CMP)などにより、絶縁膜2上のバリア層5、シード層及び銅層を除去して、配線溝4及びダミー配線用凹部32内に充填させた銅層の表面と絶縁膜2の表面とをほぼ同一平面にする。これにより、絶縁膜2の内部に、配線パターンに沿った配線8と、ダミーパターン30に沿ったダミー配線34を形成する。
このCMPによる銅の研磨除去は、前述のように、一般に銅を酸化させて削ることで行われ、このため、配線8の上部に酸化膜が、ダミー配線34の上部にも酸化膜がそれぞれ形成される。次に、例えば0.5ml/LのH2SO4溶液に基板を1分間浸漬させる、無電解めっきの前処理を行って、図6に示すように、配線8の上部に形成された酸化膜及びダミー配線34の上部に形成された酸化膜を除去する。
これにより、第1配線パターンにあっては、配線8の他に、配線8の両側に沿った位置に、該配線8と平行に延びるダミー配線34が形成され(図6(a))、第2配線パターンにあっては、配線8の他に、配線8で挟まれた領域に、該配線8と平行に延びるダミー配線34が形成され(図6(b))、第3配線パターンにあっては、配線8のみが形成される(図6(c))。そして、第1配線パターンにおける配線8を形成する銅(配線材料)の体積V1とダミー配線34を形成する銅の体積2V2の合計の体積、第2配線パターンにおける配線8を形成する銅(配線材料)の体積2V1とダミー配線34を形成する銅の体積V2の合計の体積と、第3配線パターンにおける配線8を形成する銅(配線材料)の体積V0が等しくなる。
この状態で、例えば下記の組成を有する無電解CoWBめっき液を使用した無電解めっきを、例えば1分間行って、CoWB合金からなる保護膜9を配線8の表面に選択的に形成するのであるが、ダミー配線34の上部にも同様にダミー保護膜38が形成される。
CoSO4・7H2O;0.10mol/L
L−酒石酸;0.50mol/L
(NH4)2SO4;0.20mol/L
H2WO4;0.10mol/L
DMAB;0.02mol/L
TMAH(27%);0.80mol/L
pH=9
温度 70℃
これによって、基板の各地点における熱容量の相違による影響を受けることなく、基板の全面に亘って均一な膜厚の保護膜9を、配線8の表面に安定して形成することができる。つまり、第1及び第2配線パターンにあっては、配線8の上部に保護膜9が形成されるとともに、ダミー配線34の上部にもダミー保護膜38が形成され(図7(a),(b))、第3配線パターンにあっては、配線8の上部のみに保護膜9が形成される(図7(c))。これらの配線形成領域において、配線パターンとダミーパターンの形状に沿って埋込まれる配線材料(銅)が熱容量源となり、この熱容量源の体積は、全ての配線パターンにおいてほぼ等しく、このため、これらの保護膜9,38の膜厚は、全ての配線パターンにおいてほぼ等しくなる。
この状態で、例えば下記の組成を有する無電解CoWBめっき液を使用した無電解めっきを、例えば1分間行って、CoWB合金からなる保護膜9を配線8の表面に選択的に形成するのであるが、ダミー配線34の上部にも同様にダミー保護膜38が形成される。
CoSO4・7H2O;0.10mol/L
L−酒石酸;0.50mol/L
(NH4)2SO4;0.20mol/L
H2WO4;0.10mol/L
DMAB;0.02mol/L
TMAH(27%);0.80mol/L
pH=9
温度 70℃
これによって、基板の各地点における熱容量の相違による影響を受けることなく、基板の全面に亘って均一な膜厚の保護膜9を、配線8の表面に安定して形成することができる。つまり、第1及び第2配線パターンにあっては、配線8の上部に保護膜9が形成されるとともに、ダミー配線34の上部にもダミー保護膜38が形成され(図7(a),(b))、第3配線パターンにあっては、配線8の上部のみに保護膜9が形成される(図7(c))。これらの配線形成領域において、配線パターンとダミーパターンの形状に沿って埋込まれる配線材料(銅)が熱容量源となり、この熱容量源の体積は、全ての配線パターンにおいてほぼ等しく、このため、これらの保護膜9,38の膜厚は、全ての配線パターンにおいてほぼ等しくなる。
この例によれば、熱容量源となるダミーパターンを、例えば孤立している細線(配線)の近傍等、所望の位置に配置して熱容量を局部的に増やして、無電解めっきの際の熱容量が基板の全面に亘ってより均一となるようにすることで、無電解めっきで配線の表面に形成される保護膜の膜厚を基板の全面に亘ってより均一にすることができる。
4 配線溝(配線用凹部)
5 バリア層
8 配線
8a 酸化膜
9 保護膜
10,26 空間
20,30 ダミーパターン
22,32 ダミー配線用凹部
24,34 ダミー配線
24a 酸化膜
28,38 ダミー保護膜
5 バリア層
8 配線
8a 酸化膜
9 保護膜
10,26 空間
20,30 ダミーパターン
22,32 ダミー配線用凹部
24,34 ダミー配線
24a 酸化膜
28,38 ダミー保護膜
Claims (7)
- 基板の表面に埋込み配線を形成し、この埋込み配線の露出表面に保護膜を選択的に形成するに際し、
前記配線及び前記保護膜を、反応種の供給律速に起因する配線のパターン依存性を抑制しつつ形成することを特徴とする配線形成方法。 - 基板の表面に積層した絶縁膜に配線パターンの形状に沿った配線用凹部を形成し、
前記絶縁膜に反応領域となるダミーパターンの形状に沿ったダミー用凹部を形成し、
前記配線用凹部及び前記ダミー用凹部の内部に配線材料を埋込み、
前記絶縁膜上の余剰な金属を除去して基板表面を平坦化し、
前記配線用凹部及び前記ダミー用凹部の内部に埋込まれた配線材料の表面に保護膜を選択的に形成することを特徴とする配線形成方法。 - 前記ダミーパターンと前記配線パターンとを合計した単位面積当たりの表面積が、基板の全面に亘って均一化するように前記ダミーパターンを設けることを特徴とする請求項2記載の配線形成方法。
- 前記配線材料の埋込みを電気めっき及び/または無電解めっきで、基板表面の平坦化をCMPで、保護膜の形成を無電解めっきでそれぞれ行うことを特徴とする請求項2または3記載の配線形成方法。
- 基板の表面に埋込み配線を形成し、この埋込み配線の露出表面に保護膜を選択的に形成するに際し、
前記保護膜を、該保護膜形成領域における熱容量を均一化しつつ無電解めっきで形成することを特徴とする配線形成方法。 - 基板の表面に積層した絶縁膜に配線パターンの形状に沿った配線用凹部を形成し、
前記絶縁膜に熱容量源となるダミーパターンの形状に沿ったダミー用凹部を形成し、
前記配線用凹部及び前記ダミー用凹部の内部に配線材料を埋込み、
前記絶縁膜上の余剰な金属を除去して基板表面を平坦化し、
前記配線用凹部及び前記ダミー用凹部の内部に埋込まれた配線材料の表面に保護膜を無電解めっきで選択的に形成することを特徴とする配線形成方法。 - 前記ダミー用凹部と前記配線用凹部の内部に埋込まれる配線材料を合計した単位面積当たりの配線材料の体積が、基板の全面に亘って均一化するようにし前記ダミーパターンを設けることを特徴とする請求項6記載の配線形成方法。
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JP2003304637A JP2005079156A (ja) | 2003-08-28 | 2003-08-28 | 配線形成方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2003304637A Withdrawn JP2005079156A (ja) | 2003-06-13 | 2003-08-28 | 配線形成方法 |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006196744A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Nec Electronics Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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KR101762657B1 (ko) * | 2011-01-31 | 2017-07-31 | 삼성전자주식회사 | 도전 패턴 구조물 및 이의 형성 방법 |
US9828481B2 (en) | 2012-06-29 | 2017-11-28 | Korea Institute Of Energy Research | Method of manufacturing porous ceramic body and composition for porous ceramic body |
-
2003
- 2003-08-28 JP JP2003304637A patent/JP2005079156A/ja not_active Withdrawn
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