JP2005055327A - 指紋照合装置 - Google Patents
指紋照合装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005055327A JP2005055327A JP2003287212A JP2003287212A JP2005055327A JP 2005055327 A JP2005055327 A JP 2005055327A JP 2003287212 A JP2003287212 A JP 2003287212A JP 2003287212 A JP2003287212 A JP 2003287212A JP 2005055327 A JP2005055327 A JP 2005055327A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fingerprint
- repellent film
- protective film
- film
- water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
- G06V40/1382—Detecting the live character of the finger, i.e. distinguishing from a fake or cadaver finger
- G06V40/1388—Detecting the live character of the finger, i.e. distinguishing from a fake or cadaver finger using image processing
Abstract
【課題】 不正な指紋照合を防止し、安全性が高く確実な指紋照合処理をする。
【解決手段】 半導体基板24上に所定の間隔で2次元配列された複数の検出電極21と被検体との間の静電容量に基づいて指紋情報を検出する静電容量方式の半導体センサ14を有し、検出された指紋情報の照合処理をする指紋照合装置10において、複数の検出電極21の間に設けられた被検体を接地するグランド用電極22と、検出電極21とを保護し、半導体センサ14の被検体を載置する載置面となる保護膜26上に撥水膜30を形成することで実現する。
【選択図】 図4
【解決手段】 半導体基板24上に所定の間隔で2次元配列された複数の検出電極21と被検体との間の静電容量に基づいて指紋情報を検出する静電容量方式の半導体センサ14を有し、検出された指紋情報の照合処理をする指紋照合装置10において、複数の検出電極21の間に設けられた被検体を接地するグランド用電極22と、検出電極21とを保護し、半導体センサ14の被検体を載置する載置面となる保護膜26上に撥水膜30を形成することで実現する。
【選択図】 図4
Description
静電容量の差異によって指紋情報を読み取る半導体センサを備え、上記指紋情報の照合処理をする指紋照合装置に関し、詳しくは、不正な指紋照合を防止する指紋照合装置に関する。
指紋センサによって指の指紋情報を読み取り、読み取った指紋情報を照合して、ユーザを識別する指紋照合装置がある。
このような指紋照合装置では、不正に取得した指紋情報を利用した指紋照合処理が行われてしまう場合がある。例えば、指紋照合装置のセンサ面に指を載置し、指紋照合処理を行った後にセンサ面上に付着する指の油成分などによる汚れを利用して、不正に指紋照合がなされることがある。
このような不正行為を防止するために、指紋照合装置では、指紋照合処理の際にセンサ面に指が載置されているかどうかを判定し、判定結果に応じて指紋照合処理が開始されるようになっている。
具体的には、指紋情報を読み取る際に、指がセンサ面に接触したことが確実に分からない場合は、指紋の読み取りを繰り返し、読み取られた指紋情報の変化を検出して、指がセンサ面に載置されたかどうかを判定している。
このように指紋照合装置では、指のセンサ面への載置が判定されて始めて、指紋センサによって読み取られた指紋情報の照合が開始される。周知のとおり指紋情報は、個人でそれぞれ異なった情報である。したがって、指の載置が確認されてから指紋照合処理を開始することで、センサで読み取られた指紋情報は、生体(人)が備えている情報であることが分かるため、唯一の個人を正しく識別することが可能となる。
また、センサ面への指の載置を判定するために生体検出手段などを備えた指紋照合装置も考案されている。
しかし、指紋情報の変化を検出して、センサ面への指の載置を判定する手法では、指の状態などに依存するため、確実性に欠け、非常に不安定な判定手法であるといった問題がある。
また、生体検出手段にてセンサ面への指の載置を判定する手法では、指紋照合装置に生体検出手段を設けることによる照合装置の大型化、コストの増大など様々な問題がある。
そこで、本発明は上述したような問題を解決するために案出されたものであり、半導体センサを使用した指紋照合装置において、簡便な手法で不正な指紋照合を防止し、安全性が高く確実な指紋照合処理を実行可能とする指紋照合装置を提供することを目的とする。
上述の目的を達成するために、本発明に係る指紋照合装置は、半導体基板上に所定の間隔で2次元配列された複数の検出電極と被検体との間の静電容量に基づいて指紋情報を検出する静電容量方式の半導体センサを有し、検出された上記指紋情報の照合処理をする指紋照合装置において、上記複数の検出電極の間に設けられた上記被検体を接地するグランド用電極と、上記検出電極とを保護し、上記半導体センサの上記被検体を載置する載置面となる保護膜上に、撥水膜を有することを特徴とする。
本発明は、静電容量方式の半導体センサの半導体基板上に所定の間隔で2次元配列された複数の検出電極と、被検体を接地するグランド用電極とを保護する保護膜上に撥水膜が形成されている。
これにより、撥水膜の撥水性により、撥水膜上に付着した異物による指紋照合を防ぐため、安全性が高く確実な指紋照合処理を実行することができる。撥水膜上に付着した異物による指紋照合がなくなることから、半導体センサのゲインを上げることができるため、指紋情報を検出しにくい乾燥肌などにも充分対応可能な指紋照合装置とすることが可能となる。
また、一般式(1)、(2)で示すアルコキシシラン化合物を、フッ素化炭化水素系溶媒で溶解することで、ユーザによる塗布が可能となり、簡便な手法で上記保護膜上へ撥水膜を形成することができる。
以下、本発明に係る指紋照合装置の発明を実施するための最良の形態を図面を参照にして詳細に説明する。
図1及び図2を用いて、本発明を実施するための最良の形態として示す指紋照合装置10について説明をする。
図1は、指紋照合装置10の外観を示した概略図である。
指紋照合装置10の筐体11には、被検体である指を載置し、載置した指の指紋情報を読み取る指紋読み取りセンサ14が備えられている。この指紋読み取りセンサ14のセンサ面には、撥水膜がコーティングされている。
また、指紋照合装置10は、入出力インターフェース13を備えており、例えば、図示しないPC(Personal Computer)などの外部装置にケーブル5を介して接続され、指紋照合の結果などが送信される。
次に、図2を用いて、指紋照合装置10の構成について説明をする。
指紋照合装置10は、入出力インターフェース12と、インターフェースコントローラ13と、指紋読み取りセンサ14と、指紋照合用LSI(Large Scale Integration)15と、フラッシュメモリ16と、プログラム用RAM/ROM(Random Access Memory/Read Only Memory)17と、CPU(Central Processing Unit)18とを備えている。
インターフェースコントローラ13と、指紋照合用LSI15と、フラッシュメモリ16と、プログラム用RAM/ROM17と、CPU18とは、バス19を介して相互に接続されている。
入出力インターフェース12は、例えば、USB(Universal Serial Bus)の規格に基づいたインターフェースである。入出力インターフェース12の規格は、USB以外にもRS232Cなどであってもよく、本発明を限定するものではない。
インターフェースコントローラ13は、入出力インターフェース12を介して接続される図示しない外部装置とのデータ転送を、インターフェースプロトコルに基づいて制御する。
指紋読み取りセンサ14は、当該指紋読み取りセンサ14に載せられた指の指紋の山谷、つまり指紋の凹凸を読み取る半導体センサである。
例えば、指紋読み取りセンサ14は、静電容量方式で指紋の凹凸を検出し、2次元画像を生成する。図3に示すように静電容量方式の指紋読み取りセンサ14には、指紋の凹凸のピッチよりも十分に細かい、80μmピッチで検出電極21が2次元マトリクス状に配列されており、指紋の凹凸と、上記検出電極21間に蓄積される電荷の量(静電容量)を検出する。つまり、指紋の凹凸と、検出電極21との間でコンデンサが形成されることになる。指紋の凹部では検出される静電容量が低く、指紋の凸部では静電容量が高くなるため、この静電容量差から指紋の凹凸を表した2次元画像が生成される。
また、図3に示すように2次元配列された検出電極21間のピッチには、指紋読み取りセンサ14上に載置された被検体である指を接地させるグランド用電極22が格子状に形成されている。
図3に示すようにグランド用電極22を、検出電極21のピッチ間に設けると、グランド用電極22によって接地された指と、各検出電極21とが均一にカップリングされることになり、人体に蓄積されている電荷による影響を除去することができる。これにより、指紋の凹凸と、各検出電極21との間で形成されるコンデンサに蓄積される電荷による指紋の凹凸を示す電気信号のS/N比が向上し、コントラスト比の高い2次元画像を取得することができる。
また、指紋読み取りセンサ14のセンサ面には上述したように撥水膜がコーティングされている。指紋読み取りセンサ14は、図4(a)に示すような外観をしており、シリコンなどの基板24上に形成され、熱可塑性のモールド樹脂からなるモールド部25でモールド封止されたセンサ面23が上記撥水膜をコーティングする箇所である。
図4(b)に、図4(a)に付した切断線Aで、指紋読み取りセンサ14を切断した断面図を示す。図4(b)に示すように、指紋読み取りセンサ14は、基板24上に図示しない層間膜を介して、検出電極21が80μmピッチで2次元マトリクス状に配列され、検出電極21の間にグランド用電極22が格子状に設けられ、その上面を保護膜26でオーバーコートされている。
保護膜26は、シリコンナイトライドが用いられ、スピンコート法によって形成される。また、保護膜26として、DLC(Diamond Like Carbon)も適用可能である。この保護膜26の上面が上述したセンサ面23であり、撥水膜30がコーティングされることになる。なお、撥水膜30については、後で詳細に説明をする。
再び、図2に戻り、指紋照合装置10の構成について説明を続ける。指紋照合用LSI15は、指紋照合処理時において、フラッシュメモリ16にあらかじめ記憶させてある指紋画像の特徴部分のみを抽出したテンプレートデータを読み出し、指紋読み取りセンサ14によって検出された指紋画像と、読み出したテンプレートデータとを比較照合する。指紋照合用LSI15で比較照合された結果は、CPU18に通知される。
フラッシュメモリ16は、指紋照合処理の際に用いる基準となる指紋情報であるテンプレートデータが記憶される。当該指紋照合装置10を用いた指紋照合処理を実行する場合、ユーザは、あらかじめ、このフラッシュメモリ16にユーザ自身の指紋情報を登録しておく必要がある。フラッシュメモリ16に記憶される指紋情報は、指紋画像の特徴部分を抽出したテンプレートデータである。
また、指紋照合装置10が備えるフラッシュメモリ16は、上記指紋読み取りセンサ14及び指紋照合用LSI15による指紋照合処理による指紋照合結果に応じて、記憶されたデータの読み出しを可能とするような記憶領域を備えていてもよい。
CPU18は、プログラム用RAM/ROM17に格納されているファームウェアを実行して当該指紋照合装置10の動作を統括的に制御する。CPU18は、例えば、上記ファームウェアに基づいて、指紋照合処理を実行させる。
続いて、指紋読み取りセンサ14の保護膜26にコーティングする撥水膜30について説明をする。
まず、保護膜26に撥水膜30をコーティングすることで得られる効果について説明をする。例えば、図5に示すように保護膜26に撥水膜30をコーティングしなかった場合に、上記保護膜26上に指を一旦載置し、載置した指を離すと、指に付着していた汚れや、指から出た油分や汗などの水分による異物Mが保護膜26上に残ることになる。この異物Mは、主に保護膜26と接触する指の指紋の凸部に付着していた汚れや、凸部の汗腺から出た汗などによるものであるため、指紋の形状を保っている。
図5に示すように、異物Mは、撥水膜30がコーティングされていない保護膜26上に、あたかも被検体である指を保護膜26上に載置したかのような状態で、検出電極21、グランド用電極22にまたがって存在している。つまり、異物Mは、グランド用電極22によって接地され、各検出電極21とカップリングを構成していることになる。
したがって、指紋読み取りセンサ14によって保護膜26上に付着した異物Mの電荷が読み取られると、指紋照合用LSI15は、指紋照合処理をしてしまうことになる。
一方、図6に示すように保護膜26に撥水膜30をコーティングした場合に、上記撥水膜30上に指を一旦載置し、載置した指を離すと、上述した異物Mは、撥水膜30の撥水性により、直径80μm以下の微小な粒になると推定される。このような微小な粒となった異物Mは、グランド用電極22に接地され、検出電極21とカップリングを構成することがない。したがって、撥水膜30を保護膜26上にコーティングした場合、指紋読み取りセンサ14で読み取られた異物Mによる電荷によって生成される2次元画像もS/N比が非常に悪くなり指紋照合用LSI15で指紋照合されることがなくなると考えられる。
これにより、指紋照合装置10の指紋読み取りセンサ14の保護膜26上に撥水膜30をコーティングすることで、不正な指紋照合を防止し、安全性が高く確実な指紋照合処理を実行可能とすることができる。
次に、保護膜26上にコーティングする撥水膜30の具体的な構成材料、撥水膜30のコーティング方法について説明をする。撥水膜30は、文字通り、撥水性を示す材料を含み、少なくとも保護膜26と高い密着性があり、指紋読み取りセンサ14のセンサ感度に影響を及ぼさない膜厚にすることができる必要がある。
撥水膜30は、特開平9−255919号公報で示されている下記一般式(1)で示されるパーフルオロポリエーテル基を有するアルコキシシラン化合物を用いて形成することができる。
Rf{COR1−R2−Si(OR3)3}j ・ ・ ・(1)
(ただし、一般式(1)中、Rfはパーフルオロポリエーテル基を示し、R1はO、NH、Sのいずれかを示し、R2はアルキレン基を示し、R3はアルキル基を示し、jは1又は2である。)
また、撥水膜30を、一般式(1)のj=2とした場合の下記一般式(2)で示されるアルコキシシラン化合物を用いて形成することで、摩擦の少ない撥水膜となり保護膜26上をコーティングした際の耐久性を高めることができる。
Rf{COR1−R2−Si(OR3)3}j ・ ・ ・(1)
(ただし、一般式(1)中、Rfはパーフルオロポリエーテル基を示し、R1はO、NH、Sのいずれかを示し、R2はアルキレン基を示し、R3はアルキル基を示し、jは1又は2である。)
また、撥水膜30を、一般式(1)のj=2とした場合の下記一般式(2)で示されるアルコキシシラン化合物を用いて形成することで、摩擦の少ない撥水膜となり保護膜26上をコーティングした際の耐久性を高めることができる。
3(R3O)Si−R2−R1CO−Rf−COR1−R2−Si(OR3)3 ・ ・ ・(2)
(ただし、一般式(2)中、Rfはパーフルオロポリエーテル基を示し、R1はO、NH、Sのいずれかを示し、R2はアルキレン基を示し、R3はアルキル基を示す。)
また、撥水膜30は、特開平10−133001号公報で示されている2官能有機シラン化合物又はその部分加水分解物や有機ケイ素化合物、又は特開平10−26703号公報で示されているオルガノポリシロキサンやシラザン化合物によって形成することもできる。
(ただし、一般式(2)中、Rfはパーフルオロポリエーテル基を示し、R1はO、NH、Sのいずれかを示し、R2はアルキレン基を示し、R3はアルキル基を示す。)
また、撥水膜30は、特開平10−133001号公報で示されている2官能有機シラン化合物又はその部分加水分解物や有機ケイ素化合物、又は特開平10−26703号公報で示されているオルガノポリシロキサンやシラザン化合物によって形成することもできる。
これらの化合物は、パーフルオロポリエーテル基を含有することにより撥水性を示し、かつ極性基により保護膜26と化学吸着することにより、強固な密着性を持つ。また、これらの撥水性を示す化合物は、指紋読み取りセンサ14のセンサ感度に影響を与えない500nm以下の膜厚で撥水膜30を形成することができる。
一般式(1)、(2)で示されるアルコキシシラン化合物の分子量は特に限定されないが、安定性、取扱い易さなどの点から数平均分子量で500〜10000、さらに好ましくは500〜4000程度のものを使用する。
さらにこのような化合物により形成される表面改質膜の膜厚についても、特に限定されるものではないが、指紋読み取りセンサ14のセンサ面と、水に対する静止接触角とのバランスの関係から、0.1nm〜500nm、さらに1nm〜50nm程度であることが好ましい。
一般式(1)、(2)で示されるアルコキシシラン化合物を撥水膜30として、保護膜26上に形成するには、このアルコキシシラン化合物を溶媒に溶解して組成物を調整し、これを保護膜26上に塗布する塗布法や、真空薄膜形成法などの薄膜形成方法が利用できる。
具体的な塗布法は、膜厚の均一性という観点からスピン塗布、ディッピング塗布、カーテンフロー塗布などが好ましく用いられ、さらには作業性の点から、保護膜26上に適量を滴下する手法や、上記溶媒で溶解したアルコキシシラン化合物を紙、布などの材料に含浸させて塗布流延させる方法も好ましく用いられる。
したがって、指紋照合装置10を組み立てた後に、指紋読み取りセンサ14の保護膜26上への塗布も容易であるためユーザによって撥水膜30を形成させることもできる。大量生産する場合などは、指紋読み取りセンサ14の製造工程において、保護膜26上のみ開口したマスクを用い、スプレー噴射などにより撥水膜30を形成することも可能である。
また、薄膜形成方法としては、真空蒸着法、CVD法、スパッタリング法などが例示できる。これらの手法は、大量生産などをする場合や、膜厚の制御をしたい場合などに有効となる。薄膜形成方法にて撥水膜30を形成する場合は、一般式(1)、(2)で示されるアルコキシシラン化合物を、溶媒へ溶解することなしに用いることができる。
続いて、塗布法にて保護膜26上に撥水膜30を形成する際に、一般式(1)、(2)式で示されるアルコキシシラン化合物を溶解させる溶媒について説明をする。塗布作業において、上述した一般式(1)、(2)で示されるアルコキシシラン化合物は、通常、揮発性溶媒に希釈され、表面改質膜用組成物として使用される。溶媒として用いられるものは、特に限定されないが、使用にあたっては組成物の安定性、被塗布面である保護膜26、保護膜26として用いる材料に対する濡れ性、揮発性などを考慮して決められるべきである。本発明においては、塗膜の均一塗布性から、フッ素化炭化水素系溶媒を用いる。
フッ素化炭化水素系溶媒は、脂肪族炭化水素、環式炭化水素、エーテル等の炭化水素系溶媒の水素原子の一部又は全部をフッ素原子で置換した化合物である。例えば日本ゼオン社製の商品名ZEORORA−HXE(沸点78℃)、パーフルオロヘプタン(沸点80℃)、パーフルオロオクタン(沸点102℃)、アウトジモント社製の商品名H−GALDEN−ZV75(沸点75℃)、H−GALDEN−ZV85(沸点85℃)、H−GALDEN−ZV100(沸点95℃)、H−GALDEN−C(沸点130℃)、H−GALDEN−D(沸点165℃)等のハイドロフルオロポリエーテル或いはSV−110(沸点110℃)、SV −135(沸点135 ℃)等のパーフルオロポリエーテル、住友3M 社製のFC シリーズ等のパーフルオロアルカン等を例示することができる。
これらのフッ素化炭化水素系溶媒の中でも、上記一般式(1)、(2)のアルコキシシラン化合物を溶解する溶媒として、ムラのない、膜厚が均一な有機膜を得るために、沸点が70〜240℃の範囲のものを選択し、さらにはハイドロフルオロポリエーテル(HFPE)若しくはハイドロフルオロカーボン(HFC)を選択し、これらの1種を単独で又は2種以上を混合して用いることが好ましい。沸点が低すぎると、例えばグラビア法での転写時に乾燥が起き、塗布ムラになりやすい場合があり、一方沸点が高すぎると乾燥がうまく行かず塗布形態が良くならない場合がある。また、HFPE又はHFCは、一般式(1)、(2)で表されるアルコキシシラン化合物に対する溶解性が優れており、優れた塗布面を得る事が出来る。
一般式(1)、(2)で表されるアルコキシシラン化合物を含有する表面改質膜用組成物を調製するに際しての希釈溶剤による希釈度合としては特に限定されるものではないが、例えば、0.01〜200g/L 濃度程度に調製することが適当である。この場合、必要により、溶媒として上記フッ素化炭化水素系溶媒に、アルコール系溶剤、炭化水素系溶剤等を混合しても良い。
またこの塗布溶液中には、必要に応じて反応触媒としての酸あるいは塩基を添加することも可能である。酸触媒としては例えば,硫酸、塩酸、硝酸、燐酸、酸性白土、酸化鉄、硼酸、トリフルオロ酢酸などを用いることができ、また塩基触媒としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム等のアルカリ金属水酸化物などを用いることができる。これらの触媒の添加量は、0.001〜1mmol/L程度が好ましい。これらの酸、塩基に加えて燐酸エステル系の触媒、あるいはアセチルアセトンのようなカルボニル化合物を添加してその触媒効果を高めることが可能である。
このように触媒が添加されることによって一般式(1)、(2)で表される化合物のアルコキシシラノ基と、指紋読み取りセンサ14の保護膜26との結合反応を伴う相互作用が、加熱を行なわずとも良好に進行する。このようなカルボニル化合物の添加量は、0.1〜100mmol/L程度とすることができる
次に実施例として、保護膜26上に撥水膜30をコーティングしなかった指紋照合装置10と、保護膜26上に撥水膜30をコーティングした指紋照合装置10とを用意し、それぞれ、通常通り指を載置した場合、指を一旦載置し異物Mを付着させた場合の2パターンの指紋波形を指紋読み取りセンサ14で検出し、比較検討をした。
また、撥水膜30をコーティングした指紋照合装置10においては、撥水膜30の耐久性を同時に検証した。具体的には、撥水膜30上をゴム製治具によって600gの力で10万回叩いた後に、上述した2パターンの手法で検出した指紋波形を比較する実験と、撥水膜30上に、指を実際に9000回載置した後に、上述した2パターンの手法で検出した指紋波形を比較する実験とを行い、撥水膜30の耐久性をテストした。
なお、実施例として示す指紋照合装置10の保護膜26は、シリコンナイトライドを用いて、スピンコート法によって数μmの膜厚となるように形成されている。
まず、図7(a)、図8(a)に、保護膜26上に撥水膜30をコーティングしなかった場合の実験結果を示す。
図7(a)は、撥水膜30でコーティングされていない保護膜26上に指を載置した場合に指紋読み取りセンサ14で検出される電気信号の波形である。図7(a)の波形は、図7(b)に示す指紋におけるX1で示した線上を読み取った結果、検出された波形である。
図7(a)において、信号レベルが“80”である場合、指紋読み取りセンサ14のセンサ面が空気に触れている、つまり保護膜26上に何も載置されていないことを示している。信号レベルが“180”である場合、指紋読み取りセンサ14上、つまり保護膜26上に水がある状態を示している。この信号レベルは、以下に説明をする図8(a)、図9(a)、図10(a)、図11(a)、図12(a)において共通である。
図8(a)は、撥水膜30でコーティングされていない保護膜26上に指を一旦載置してから離し、息を吹きかけた場合に指紋読み取りセンサ14で検出される電気信号の波形である。図8(a)の波形は、図8(b)に示す指紋におけるX2で示した線上を読み取った結果、検出された波形である。
図8(a)に示す波形の振幅は、図7(a)に示す波形の振幅よりも振幅が小さくなっているが、信号レベルの範囲がおよそ120〜160の辺りとなっており、図7(a)における信号レベルの範囲100〜170にかなり近くなっている。したがって、指紋照合用LSI15は、保護膜26上の異物Mの電荷による電気信号を用いて指紋照合してしまうことになる。
次に、保護膜26上に撥水膜30を形成した場合の実験結果について示す。撥水膜30は、以下に示すようにして保護膜26上に形成される。
(1)パーフルオロポリエーテル基を持つアルコキシシラン化合物含有コーティング液の調製
両末端がアルコールでエステル化されたパーフルオロポリエーテル化合物(平均分子量4000)からアルコキシシラン化合物に合成されたアルコキシシラン化合物(平均分子量約4000 の表1中の化合物1)2部を、沸点が178℃のハイドロフルオロポリエーテル(アウジモント社製、商品名H−GALDEN−D)200部に溶解し、メンブランフィルターで瀘過を行ない、コーティング液を得た。
両末端がアルコールでエステル化されたパーフルオロポリエーテル化合物(平均分子量4000)からアルコキシシラン化合物に合成されたアルコキシシラン化合物(平均分子量約4000 の表1中の化合物1)2部を、沸点が178℃のハイドロフルオロポリエーテル(アウジモント社製、商品名H−GALDEN−D)200部に溶解し、メンブランフィルターで瀘過を行ない、コーティング液を得た。
(2)塗布および乾燥
指紋照合装置10を保護膜26が水平となるように置き、上記(1)の工程で調製したコーティング液を0.2 ml滴下して保護膜26全面に広がるまで数秒静置し、その後、指紋照合装置10を傾けて余分な液を廃棄して室温(25℃,50%RH(Relative Humidity))にて乾燥させた。
指紋照合装置10を保護膜26が水平となるように置き、上記(1)の工程で調製したコーティング液を0.2 ml滴下して保護膜26全面に広がるまで数秒静置し、その後、指紋照合装置10を傾けて余分な液を廃棄して室温(25℃,50%RH(Relative Humidity))にて乾燥させた。
このようにして保護膜26上にコーティングした撥水膜30を、(A)ゴム製治具によって600gの力で10万回叩く場合、(B)撥水膜30上に、指を実際に9000回載置する場合のそれぞれにおいて、撥水膜30上に載置された指と、撥水膜30上に付着させた異物Mとを、指紋読み取りセンサ14で検出した結果を比較する。
(A)ゴム製治具によって600gの力で10万回叩いた場合
図9(a)は、ゴム製治具によって600gの力で10万回叩かれた後の撥水膜30上に指を載置した場合に、指紋読み取りセンサ14で検出される電気信号の波形である。図9(a)の波形は、図9(b)に示す指紋におけるX3で示した線上を読み取った結果、検出された波形である。
図9(a)は、ゴム製治具によって600gの力で10万回叩かれた後の撥水膜30上に指を載置した場合に、指紋読み取りセンサ14で検出される電気信号の波形である。図9(a)の波形は、図9(b)に示す指紋におけるX3で示した線上を読み取った結果、検出された波形である。
図10(a)は、ゴム製治具によって600gの力で10万回叩かれた後の撥水膜30上に指を一旦載置してから離し、息を吹きかけた場合に指紋読み取りセンサ14で検出される電気信号の波形である。図10(a)の波形は、図10(b)に示す指紋におけるX4で示した線上を読み取った結果、検出された波形である。
図10(a)に示す波形の振幅は、図9(a)に示す波形の振幅よりも小さくなっており、全体としての信号レベルの範囲も80〜120となり、空気の信号レベルである80近辺、つまり何も載置されていない際の信号レベルに極めて近くなっているため、指紋照合用LSI15によって指紋照合されることはない。また、これにより、保護膜26上に形成された撥水膜30は、ゴム製治具によって600gの力で10万回叩かれた場合でも効果があることが分かる。
(B)撥水膜30上に、指を実際に9000回載置した場合
図11(a)は、撥水膜30上に指を実際に9000回載置した後の撥水膜30上に指を載置した場合に、指紋読み取りセンサ14で検出される電気信号の波形である。図11(a)の波形は、図11(b)に示す指紋におけるX5で示した線上を読み取った結果、検出された波形である。
図11(a)は、撥水膜30上に指を実際に9000回載置した後の撥水膜30上に指を載置した場合に、指紋読み取りセンサ14で検出される電気信号の波形である。図11(a)の波形は、図11(b)に示す指紋におけるX5で示した線上を読み取った結果、検出された波形である。
図12(a)は、撥水膜30上に指を実際に9000回載置した後の撥水膜30上に指を一旦載置してから離し、息を吹きかけた場合に指紋読み取りセンサ14で検出される電気信号の波形である。図12(a)の波形は、図12(b)に示す指紋におけるX6で示した線上を読み取った結果、検出された波形である。
図12(a)に示す波形の振幅は、図11(a)に示す波形の振幅よりも小さくなっており、全体としての信号レベルの範囲も80〜120となり、空気の信号レベルである80近辺、つまり何も載置されていない際の信号レベルに極めて近くなっているため、指紋照合用LSI15によって指紋照合されることはない。また、これにより、保護膜26上に形成された撥水膜30は、撥水膜30上に指を実際に9000回載置した場合でも効果があることが分かる。
このようにして、指紋照合装置10の指紋読み取りセンサ14のシリコンナイトライドによって形成された保護膜26上に、一般式(1)、(2)で示されるアルコキシシラン化合物による撥水膜30を形成することで、簡便な手法で不正な指紋照合を防止し、安全性が高く確実な指紋照合処理を実行することができる。
また、撥水膜30の耐久性から、保護膜26を形成するシリコンナイトライドと、アルコキシラン化合物との密着性も非常に高いことが分かる。
10 指紋照合装置、14 指紋読み取りセンサ、21 検出電極、22 グランド用電極、23 センサ面、26 保護膜、30 撥水膜
Claims (4)
- 半導体基板上に所定の間隔で2次元配列された複数の検出電極と被検体との間の静電容量に基づいて指紋情報を検出する静電容量方式の半導体センサを有し、検出された上記指紋情報の照合処理をする指紋照合装置において、
上記複数の検出電極の間に設けられた上記被検体を接地するグランド用電極と、上記検出電極とを保護し、上記半導体センサの上記被検体を載置する載置面となる保護膜上に、撥水膜を有すること
を特徴とする指紋照合装置。 - 上記保護膜は、シリコンナイトライドであること
を特徴とする請求項1記載の指紋照合装置。 - 上記撥水膜は、下記一般式(1)で示されるパーフルオロポリエーテル基を有するアルコキシシラン化合物を用いて形成されること
を特徴とする請求項1記載の指紋照合装置。
Rf{COR1−R2−Si(OR3)3}j ・ ・ ・(1)
(ただし、一般式(1)中、Rfはパーフルオロポリエーテル基を示し、R1はO、NH、Sのいずれかを示し、R2はアルキレン基を示し、R3はアルキル基を示し、jは1又は2である。) - 上記撥水膜は、上記一般式(1)のj=2の場合である下記一般式(2)で示されるパーフルオロポリエーテル基を有するアルコキシシラン化合物を用いて形成されること
を特徴とする請求項3記載の指紋照合装置。
3(R3O)Si−R2−R1CO−Rf−COR1−R2−Si(OR3)3 ・ ・ ・(2)
(ただし、一般式(2)中、Rfはパーフルオロポリエーテル基を示し、R1はO、NH、Sのいずれかを示し、R2はアルキレン基を示し、R3はアルキル基を示す。)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003287212A JP2005055327A (ja) | 2003-08-05 | 2003-08-05 | 指紋照合装置 |
US10/909,333 US8175344B2 (en) | 2003-08-05 | 2004-08-03 | Fingerprint matching processor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003287212A JP2005055327A (ja) | 2003-08-05 | 2003-08-05 | 指紋照合装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005055327A true JP2005055327A (ja) | 2005-03-03 |
Family
ID=34366256
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003287212A Pending JP2005055327A (ja) | 2003-08-05 | 2003-08-05 | 指紋照合装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8175344B2 (ja) |
JP (1) | JP2005055327A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007155606A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Sharp Corp | 表面形状認識用センサ及びその製造方法 |
JP2012141861A (ja) * | 2011-01-05 | 2012-07-26 | Secure Design Solutions Inc | 指紋読取りセンサ |
WO2013012428A1 (en) * | 2011-07-15 | 2013-01-24 | Cypress Semiconductor Corporaton | Capacitance sensing circuits, methods and systems having ground insertion electrodes |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8079877B1 (en) * | 2011-03-10 | 2011-12-20 | Chicony Power Technology Co., Ltd. | Power adapter connecting in a surface to surface contact |
CN105359164B (zh) * | 2013-07-11 | 2017-04-05 | 指纹卡有限公司 | 具有保护涂层的指纹感测设备 |
TWI608425B (zh) * | 2013-09-10 | 2017-12-11 | 映智科技股份有限公司 | 指紋感測積體電路的手指偵測元件及偵測方法 |
TWI477400B (zh) * | 2013-09-27 | 2015-03-21 | Innolux Corp | 具有類鑽碳膜的結構、指紋辨識器及其製造方法 |
US9842243B2 (en) * | 2015-06-08 | 2017-12-12 | Fingerprint Cards Ab | Fingerprint sensing device with heterogeneous coating structure comprising a mold |
SE1551288A1 (en) * | 2015-06-08 | 2016-12-09 | Fingerprint Cards Ab | Fingerprint sensing device with interposer structure |
US9524416B1 (en) * | 2015-07-03 | 2016-12-20 | Fingerprint Cards Ab | Fingerprint sensing device comprising three-dimensional pattern |
KR20190083015A (ko) * | 2018-01-02 | 2019-07-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 지문 센서, 지문 센서를 구비하는 터치 센서 및 터치 센서를 구비하는 표시 장치 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09255919A (ja) * | 1996-03-21 | 1997-09-30 | Sony Corp | 防汚膜形成用組成物及び光学部品 |
JPH1026703A (ja) * | 1996-07-09 | 1998-01-27 | Nikon Corp | 撥水処理されたレンズ |
JPH10133001A (ja) * | 1996-11-01 | 1998-05-22 | Nikon Corp | 新規な撥水処理されたレンズ |
JPH11508806A (ja) * | 1996-04-26 | 1999-08-03 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 指紋検知装置及びこれを組み込んだシステム |
JP2000196027A (ja) * | 1998-12-30 | 2000-07-14 | Stmicroelectronics Inc | センサ用地形的静電保護グリッド |
JP2002071307A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-08 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1114491A (en) * | 1964-05-20 | 1968-05-22 | Ebason Denki Kabushiki Kaisha | An improved electrode plate |
US4019200A (en) * | 1975-06-11 | 1977-04-19 | Rockwell International Corporation | Monolithic surface acoustic wave signal storage device |
US4577345A (en) * | 1984-04-05 | 1986-03-18 | Igor Abramov | Fingerprint sensor |
EP0253664B1 (en) * | 1986-07-16 | 1992-10-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor photo-sensor and method for manufacturing the same |
JPH0338621A (ja) | 1989-07-05 | 1991-02-19 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板 |
GB2244164A (en) * | 1990-05-18 | 1991-11-20 | Philips Electronic Associated | Fingerprint sensing |
US5841888A (en) * | 1996-01-23 | 1998-11-24 | Harris Corporation | Method for fingerprint indexing and searching |
US5956415A (en) * | 1996-01-26 | 1999-09-21 | Harris Corporation | Enhanced security fingerprint sensor package and related methods |
JPH102912A (ja) * | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体加速度センサおよびその製造方法 |
US5922550A (en) * | 1996-12-18 | 1999-07-13 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Biosensing devices which produce diffraction images |
US6310683B1 (en) * | 1997-08-05 | 2001-10-30 | Casio Computer Co., Ltd. | Apparatus for reading fingerprint |
US6483931B2 (en) * | 1997-09-11 | 2002-11-19 | Stmicroelectronics, Inc. | Electrostatic discharge protection of a capacitve type fingerprint sensing array |
US6122737A (en) * | 1997-11-14 | 2000-09-19 | Digital Persona, Inc. | Method for using fingerprints to distribute information over a network |
JP3102395B2 (ja) * | 1997-11-27 | 2000-10-23 | 日本電気株式会社 | 指紋検出装置 |
FR2773897A1 (fr) * | 1998-01-22 | 1999-07-23 | Sagem | Dispositif de prise d'empreintes |
US20020030359A1 (en) * | 1998-04-02 | 2002-03-14 | Jerker Bergenek | Fingerprint system |
US6091838A (en) * | 1998-06-08 | 2000-07-18 | E.L. Specialists, Inc. | Irradiated images described by electrical contact |
US6645464B1 (en) * | 1998-07-30 | 2003-11-11 | James F. Hainfeld | Loading metal particles into cell membrane vesicles and metal particular use for imaging and therapy |
US6411726B1 (en) * | 1998-10-08 | 2002-06-25 | Durel Corporation | Fingerprint detector using an EL lamp |
JP4233698B2 (ja) * | 1999-08-12 | 2009-03-04 | セイコーインスツル株式会社 | 指紋読み取り装置及び方法 |
US6970583B2 (en) * | 2000-05-25 | 2005-11-29 | Black Gerald R | Identity authentication device |
JP2001141411A (ja) * | 1999-11-12 | 2001-05-25 | Sony Corp | 指紋認識用半導体装置 |
US6973829B2 (en) * | 2000-08-29 | 2005-12-13 | Denso Corporation | Semiconductor dynamic quantity sensor with movable electrode and fixed electrode supported by support substrate |
JP4087125B2 (ja) * | 2001-03-07 | 2008-05-21 | シャープ株式会社 | 凹凸パターン検出素子 |
JP4164732B2 (ja) * | 2001-03-07 | 2008-10-15 | ソニー株式会社 | 指紋照合システム、指紋照合装置、指紋照合方法、およびバイオメトリクス照合装置 |
JP4243675B2 (ja) * | 2001-05-10 | 2009-03-25 | 日本電気株式会社 | 移動無線装置及びそれを用いたネットワーク商取引システム |
JP2003058872A (ja) * | 2001-08-21 | 2003-02-28 | Sony Corp | 指紋検出装置、その製造方法及び成膜装置 |
US20030074577A1 (en) * | 2001-10-17 | 2003-04-17 | Bean Heather N. | Return-to-owner security lockout for a portable electronic device |
JP2003233805A (ja) * | 2001-12-04 | 2003-08-22 | Canon Inc | 画像入力装置 |
JP2003282791A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-10-03 | Fujitsu Ltd | 接触型センサ内蔵半導体装置及びその製造方法 |
JP2003287212A (ja) | 2002-03-27 | 2003-10-10 | Kubota Corp | 廃棄物溶融炉 |
US7214528B1 (en) * | 2002-12-31 | 2007-05-08 | Oregon Health & Sciences University | Device for direct electrical detection of molecules and molecule-molecule interactions |
US20040190761A1 (en) * | 2003-03-05 | 2004-09-30 | Ju-Hyeon Lee | Apparatus for fingerprint analysis using current detection |
US20050275750A1 (en) * | 2004-06-09 | 2005-12-15 | Salman Akram | Wafer-level packaged microelectronic imagers and processes for wafer-level packaging |
KR20100046766A (ko) * | 2008-10-28 | 2010-05-07 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
-
2003
- 2003-08-05 JP JP2003287212A patent/JP2005055327A/ja active Pending
-
2004
- 2004-08-03 US US10/909,333 patent/US8175344B2/en active Active - Reinstated
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09255919A (ja) * | 1996-03-21 | 1997-09-30 | Sony Corp | 防汚膜形成用組成物及び光学部品 |
JPH11508806A (ja) * | 1996-04-26 | 1999-08-03 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 指紋検知装置及びこれを組み込んだシステム |
JPH1026703A (ja) * | 1996-07-09 | 1998-01-27 | Nikon Corp | 撥水処理されたレンズ |
JPH10133001A (ja) * | 1996-11-01 | 1998-05-22 | Nikon Corp | 新規な撥水処理されたレンズ |
JP2000196027A (ja) * | 1998-12-30 | 2000-07-14 | Stmicroelectronics Inc | センサ用地形的静電保護グリッド |
JP2002071307A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-08 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007155606A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Sharp Corp | 表面形状認識用センサ及びその製造方法 |
JP2012141861A (ja) * | 2011-01-05 | 2012-07-26 | Secure Design Solutions Inc | 指紋読取りセンサ |
WO2013012428A1 (en) * | 2011-07-15 | 2013-01-24 | Cypress Semiconductor Corporaton | Capacitance sensing circuits, methods and systems having ground insertion electrodes |
US9927926B2 (en) | 2011-07-15 | 2018-03-27 | Cypress Semiconductor Corporation | Capacitance sensing circuits, methods and systems having ground insertion electrodes |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050226476A1 (en) | 2005-10-13 |
US8175344B2 (en) | 2012-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2005055327A (ja) | 指紋照合装置 | |
JP5835512B2 (ja) | パーフルオロ(ポリ)エーテル基含有シラン化合物 | |
KR101671089B1 (ko) | 퍼플루오로폴리에테르기 함유 실란 화합물 및 표면 처리제 | |
TWI707862B (zh) | 含有氟氧化亞烷基的聚合物改性膦酸衍生物、包含該衍生物的表面處理劑以及使用該表面處理劑的表面處理方法 | |
JP6557248B2 (ja) | 疎水性物品 | |
WO2013191062A1 (ja) | 転写フィルム、静電容量型入力装置の製造方法および静電容量型入力装置、並びに、これを備えた画像表示装置 | |
TW201923021A (zh) | 撥水撥油構件及撥水撥油構件的製造方法 | |
CN1864124A (zh) | 触摸输入传感装置 | |
JP7211423B2 (ja) | 撥水撥油部材及び撥水撥油部材の製造方法 | |
JP7236624B2 (ja) | 撥水撥油部材及び撥水撥油部材の製造方法 | |
CN1245680C (zh) | 输入装置 | |
JP2013227279A (ja) | フルオロポリエーテル基含有シリコーン化合物 | |
TW202124521A (zh) | 表面處理劑 | |
TW201930872A (zh) | 用於呼吸器之感測元件 | |
TW201913447A (zh) | 用於呼吸器之感測系統 | |
CN206601357U (zh) | 一种柔性电容式湿度传感器 | |
WO2019035271A1 (ja) | 撥水部材及び撥水部材の製造方法 | |
KR101406375B1 (ko) | 지문인식센서 보호용 세라믹코팅제 | |
WO2014112429A1 (ja) | 耐熱性加飾用着色組成物、静電容量型入力装置の製造方法および静電容量型入力装置、並びに、これを備えた画像表示装置 | |
EP3239111A1 (en) | Curable composition, transfer film, front plate of image display device, front plate-integrated sensor, image display device, and manufacturing method for front plate of image display device | |
WO2014115646A1 (ja) | 透明樹脂膜、転写フィルム、導電膜積層体、静電容量型入力装置および画像表示装置 | |
WO2001036905A1 (fr) | Lecteur d'empreintes digitales | |
JP5846466B1 (ja) | 表面改質剤、コーティング組成物及び物品 | |
JP2007232876A5 (ja) | ||
US20120090976A1 (en) | Manufacturing method of touch panel and touch panel |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060705 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100127 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100518 |