JP2005050423A - 増幅器及びそれを用いた半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】例えば、データ“0”が記憶されたメモリセル11−11を読み出す場合、ワードラインWLnを“H”レベルにすると共に、“H”レベルの信号YnによりNMOS12−1をオン状態にしてメモリセル11−11を選択する。メモリセル11−11では、ドレインがNMOS12−1を介してGNDレベルへ引き下げられ、ソース・ドレイン間に電位差が生じるが、チャネルは形成されずに電流が流れない。ところが、ビットラインBL11・BL21間に寄生容量14が存在するので、ノードAは寄生容量14のカップリング効果によりGNDレベルへ引かれ、ノードAへ充電電流i1が流れる。これと共に、ノードAからNMOS22cを介してGNDへ直流電流i2が流れる。そのため、寄生容量14への充電開始時期が早くなり、読み出し遅延時間Δtを減少できる。
【選択図】 図1
Description
例えば、メモリセル11−11にデータ“0”を書き込む場合、外部アドレス入力によってワードラインWLnがデコードされ、図示しない高電圧発生回路から供給された書き込み用の高電圧VPP (例えば、10V)がそのワードラインWLnに印加される。外部アドレス入力によってデコードされる信号Ynが“L”レベルになってNMOS12−1がオフ状態になり、図示しない書き込み制御回路から供給される制御電圧MCD(例えば、6V)がビットラインBL21に印加される。更に、外部アドレス入力によってデコードされるビットラインBL11に対して、図示しないデータ書き込み回路からデータ“0”(例えば、0V)が入力される。すると、選択されたメモリセル11−11では、コントロールゲートに高電圧VPP(=10V)、ドレインに制御電圧MCD(=6V)、及びソースに0Vがそれぞれ印加されるので、コントロールゲートとソースの間の電圧が10V、且つドレインとソースの間の電圧が6Vになる。これにより、ドレインとソースの間に流れる電子の一部が、その高電界によって加速されてエネルギーを獲得し、ゲート絶縁膜のエネルギー障壁を越えてフローティングゲートに注入され、データ“0”が書き込まれる。
図2は、図1のEPROMの読み出し動作を説明するための電圧波形図であり、横軸は時間、及び縦軸は電圧である。
時刻Tn前において、制御信号AEがVCCレベルになり、実セルアンプ20内のNMOS21e、リファレンスアンプ30内のNMOS31e、及びセンスアンプ40内のNMOS45がオン状態になり、これらの実セルアンプ20、リファレンスアンプ30及びセンスアンプ40が動作可能状態になる。
図3は、図2の時刻Tnにおける過渡期の電流、電圧波形図であり、横軸は時間、及び縦軸は電流、電圧である。
この実施例1では、“0”セル読み出し時において寄生容量14のカップリング効果を受けた際に、ノードAの寄生容量14を充電する電流i1に加え、ノードAからNMOS22cを介してGNDへの直流電流i2のパスを設けたので、充電を開始する時期が早くなると共に、実セルアンプ20内の定電圧回路22の電流供給能力が向上する。そのため、いち早くノードAを所望のレベルに復帰することができ、その後の読み出し遅延時間Δtも減少させることができる。
図4は、この発明の実施例2を示すEPROM中の実セルアンプ及びリファレンスアンプの回路図である。この図4では、実施例1を示す図1中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
書き込み動作は、実施例1と同様である。
読み出し動作では、実施例1とほぼ同様に、実セル“0”の読み出し時において、寄生容量14によるカップリング効果を受けた際に、ノードAから寄生容量14を充電する電流i1に加え、ノードAから高抵抗値の抵抗素子22dを介してGNDへ微少電流i2が流れる。ここで、抵抗素子22dや抵抗素子32dは高抵抗であるため、ノードAやノードBの電位は、抵抗素子22d,32dを設けないときの電位と殆ど変わらない。又、リファレンスアンプ30AにおいてもノードBから抵抗素子32dを介してGNDへ微少電流が流れるため、抵抗素子22d,32dを設けないときと同様に、ノードBと“1”セル読み出し時のノードAとは同じ電位となる。
この実施例2では、実施例1と同様に、“0”セル読み出し時において寄生容量14のカップリング効果を受けた際に、ノードAの寄生容量14を充電する電流i1に加え、ノードAから抵抗素子22dを介してGNDへの直流電流i2のパスを設けたので、充電を開始する時期が早くなると共に、実セルアンプ20A内の定電圧回路22Aの電流供給能力が向上する。そのため、いち早くノードAが所望のレベルに復帰することができ、その後の読み出し遅延時間Δtも減少させることができる。
図5は、この発明の実施例3を示すEPROM中の実セルアンプ及びリファレンスアンプの回路図である。この図5では、実施例1を示す図1中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
図6は、図3に対応する図5の時刻Tnにおける過渡期の電流、電圧波形図であり、横軸は時間、及び縦軸は電流、電圧である。
読み出し動作では、実施例1とほぼ同様に、実セル“0”の読み出し時において、寄生容量14によるカップリング効果を受けた際に、ノードAから寄生容量14を充電する電流i3が流れる。
この実施例3では、実セルアンプ20B内の増幅回路21BにおいてPMOS21f及びNMOS21hとPMOS21g及びNMOS21iとのディメンジョン比をn:1に設定すると共に、リファレンスアンプ30B内の増幅回路31BにおいてPMOS31f及びNMOS31hとPMOS31g及びNMOS31iとのディメンジョン比をn:1に設定したので、ノードA側の電流値が増え、実セルアンプ20Bの反応速度が向上してノードAへの充電時間が短くなる。そのため、“0”セル読み出し時において寄生容量14のカップリング効果を受けた際に、いち早くノードAを所望のレベルに復帰することができ、その後の読み出し遅延時間Δtも減少させることができる。
11−11,11−12,11−21,11−22,11−31,11−32
メモリセル
14 寄生容量
20,20A,20B 実セルアンプ
30,30A,30B リファレンスアンプ
40 センスアンプ
50 内部降圧回路
Claims (6)
- 選択信号に応答して第1のモードのときには第1の電源電位から第2の電源電位へ遷移し、第2のモードのときには前記第1の電源電位に保持される入力ノードと、
前記入力ノードに接続され、制御信号に応答して前記入力ノードの電位を増幅して第1の出力ノードから出力する増幅回路であって、第1の制御電極、第1の電源電位ノード又は第2の電源電位ノードに接続された第1の電極、及び前記第1の出力ノードに接続された第2の電極を有する負荷用の第1のトランジスタと、前記第1の制御電極に接続された第2の制御電極、前記第1の電源電位ノード又は前記第2の電源電位ノードに接続された第3の電極、及び前記第2の制御電極に接続された第4の電極を有する負荷用の第2のトランジスタと、前記入力ノードに接続された第3の制御電極、前記第2の電源電位ノード又は前記第1の電源電位ノードに接続された第5の電極、及び前記第1の出力ノードに接続された第6の電極を有する入力用の第3のトランジスタと、前記第1の電源電位と前記第2の電源電位との間の中間電位が印加される第4の制御電極、前記第2の電源電位ノード又は前記第1の電源電位ノードに接続された第7の電極、及び前記第4の電極に接続された第8の電極を有する入力用の第4のトランジスタとを有する前記増幅回路と、
前記第1の出力ノードに接続され、前記第1の出力ノードの電位を安定化して第2の出力ノードから出力する定電圧回路であって、前記第2の出力ノードに接続された第5の制御電極、前記第1の電源電位ノードに接続された第9の電極、及び前記第5の制御電極に接続された第10の電極を有する第5のトランジスタと、前記第1の出力ノードに接続された第6の制御電極、前記入力ノードに接続された第11の電極、及び前記第10の電極に接続された第12の電極を有する第6のトランジスタと、前記入力ノードと前記第2の電源電位ノードとの間に接続されたプルダウン素子とを有する前記定電圧回路と、
を備えたことを特徴とする増幅器。 - 請求項1記載の増幅器において、前記プルダウン素子は、前記入力ノードに接続された第7の制御電極、前記第2の電源電位ノードに接続された第13の電極、及び前記第7の制御電極に接続された第14の電極を有する第7のトランジスタで構成したことを特徴とする増幅器。
- 請求項1記載の増幅器において、前記プルダウン素子は、前記入力ノードと前記第2の電源電位ノードとの間に接続された抵抗素子で構成したことを特徴とする増幅器。
- 選択信号に応答して第1のモードのときには第1の電源電位から第2の電源電位へ遷移し、第2のモードのときには前記第1の電源電位に保持される入力ノードと、
前記入力ノードに接続され、制御信号に応答して前記入力ノードの電位を増幅して第1の出力ノードから出力する増幅回路であって、第1の制御電極、第1の電源電位ノード又は第2の電源電位ノードに接続された第1の電極、及び前記第1の出力ノードに接続された第2の電極を有する負荷用の第1のトランジスタと、前記第1の制御電極に接続された第2の制御電極、前記第1の電源電位ノード又は前記第2の電源電位ノードに接続された第3の電極、及び前記第2の制御電極に接続された第4の電極を有する負荷用の第2のトランジスタと、前記入力ノードに接続された第3の制御電極、前記第2の電源電位ノード又は前記第1の電源電位ノードに接続された第5の電極、及び前記第1の出力ノードに接続された第6の電極を有する入力用の第3のトランジスタと、前記第1の電源電位と前記第2の電源電位との間の中間電位が印加される第4の制御電極、前記第2の電源電位ノード又は前記第1の電源電位ノードに接続された第7の電極、及び前記第4の電極に接続された第8の電極を有する入力用の第4のトランジスタとを有する前記増幅回路と、
前記第1の出力ノードに接続され、前記第1の出力ノードの電位を安定化して第2の出力ノードから出力する定電圧回路であって、前記第2の出力ノードに接続された第5の制御電極、前記第1の電源電位ノードに接続された第9の電極、及び前記第5の制御電極に接続された第10の電極を有する第5のトランジスタと、前記第1の出力ノードに接続された第6の制御電極、前記入力ノードに接続された第11の電極、及び前記第10の電極に接続された第12の電極を有する第6のトランジスタとを有する前記定電圧回路と、
を備え、前記第1のトランジスタのディメンジョンを前記第2のトランジスタのディメンジョンに対してn倍(但し、nは1より大きい任意の数)に設定し、前記第3のトランジスタのディメンジョンを前記第4のトランジスタのディメンジョンに対してn倍に設定したことを特徴とする増幅器。 - 請求項1記載の増幅器を用いた半導体記憶装置であって、
並行に配置され、外部アドレス入力によってデコードされる複数のワードラインと、
前記複数のワードラインに対して直交する方向に所定間隔隔てて並列に配置された複数の第1のビットラインと、
前記各第1のビットラインの近傍にこれらと並行にそれぞれ配置され、アドレス入力によりデコードされる請求項1記載の選択信号に応答して請求項1記載の第2の電源電位ノードにそれぞれ接続される複数の第2のビットラインと、
前記第2のビットラインに対して並行に配置された第3のビットラインと、
前記第3のビットラインの近傍にこれと並行に配置され、前記第2の電源電位ノードに接続された第4のビットラインと、
前記複数のワードラインと前記複数の第1のビットライン及び前記複数の第2のビットラインとの交差箇所にそれぞれマトリクス状に配置され、第1の電極が前記各第1のビットラインに接続され、第2の電極が前記各第2のビットラインに接続され、フローティングゲートが前記各ワードラインに接続された複数の第1のメモリセルと、
前記複数のワードラインと前記第3のビットライン及び前記第4のビットラインとの交差箇所にそれぞれ配置され、第1の電極が前記第3のビットラインに接続され、第2の電極が前記第4のビットラインに接続され、フローティングゲートが前記各ワードラインに接続された複数の第2のメモリセルと、
前記複数の第1のビットラインの一端に共通に接続された請求項1記載の増幅器と、
前記第3のビットラインの一端に接続され、請求項1記載の制御信号に応答して前記第3のビットラインの一端の電位を増幅して出力ノードへ出力するリファレンス増幅器であって、請求項1記載の増幅回路と同一の回路で構成された増幅回路と、請求項1記載の第5のトランジスタのディメンジョンに対して複数倍のディメンジョンを持ったトランジスタ、請求項1記載の第6のトランジスタと同一のトランジスタ、及び請求項1記載のプルダウン素子と同一のプルダウン素子により構成された定電圧回路とを有する前記リファレンス増幅器と、
前記増幅器の第2の出力ノード及び前記リファレンス増幅器の出力ノードに接続され、前記制御信号に応答して、前記増幅器の第2の出力ノードの電位と前記リファレンス増幅器の出力ノードの電位との差を増幅して読み出し信号として出力する差動増幅器と、
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項4記載の増幅器を用いた半導体記憶装置であって、
並行に配置され、外部アドレス入力によってデコードされる複数のワードラインと、
前記複数のワードラインに対して直交する方向に所定間隔隔てて並列に配置された複数の第1のビットラインと、
前記各第1のビットラインの近傍にこれらと並行にそれぞれ配置され、アドレス入力によりデコードされる請求項4記載の選択信号に応答して請求項4記載の第2の電源電位ノードにそれぞれ接続される複数の第2のビットラインと、
前記第2のビットラインに対して並行に配置された第3のビットラインと、
前記第3のビットラインの近傍にこれと並行に配置され、前記第2の電源電位ノードに接続された第4のビットラインと、
前記複数のワードラインと前記複数の第1のビットライン及び前記複数の第2のビットラインとの交差箇所にそれぞれマトリクス状に配置され、第1の電極が前記各第1のビットラインに接続され、第2の電極が前記各第2のビットラインに接続され、フローティングゲートが前記各ワードラインに接続された複数の第1のメモリセルと、
前記複数のワードラインと前記第3のビットライン及び前記第4のビットラインとの交差箇所にそれぞれ配置され、第1の電極が前記第3のビットラインに接続され、第2の電極が前記第4のビットラインに接続され、フローティングゲートが前記各ワードラインに接続された複数の第2のメモリセルと、
前記複数の第1のビットラインの一端に共通に接続された請求項4記載の増幅器と、
前記第3のビットラインの一端に接続され、請求項4記載の制御信号に応答して前記第3のビットラインの一端の電位を増幅して出力ノードへ出力するリファレンス増幅器であって、請求項4記載の増幅回路と同一の回路で構成された増幅回路と、請求項4記載の第5のトランジスタのディメンジョンに対して複数倍のディメンジョンを持ったトランジスタ、及び請求項4記載の第6のトランジスタと同一のトランジスタにより構成された定電圧回路とを有する前記リファレンス増幅器と、
前記増幅器の第2の出力ノード及び前記リファレンス増幅器の出力ノードに接続され、前記制御信号に応答して、前記増幅器の第2の出力ノードの電位と前記リファレンス増幅器の出力ノードの電位との差を増幅して読み出し信号として出力する差動増幅器と、
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
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