JP2005044993A - 半導体レーザ素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 n型GaAsバッファ層22上に先に形成する第1半導体レーザ39のn型AlGaAsクラッド層を、第2n型AlxGa1-xAs(x=0.500)クラッド層23と第1n型AlxGa1-xAs(x=0.425)クラッド層24との2層構造に成す。こうして、n型GaAsバッファ層22側に位置する第2n型クラッド層23をHFでエッチング除去する際に、第2n型クラッド層23のAl混晶比はx=0.500であるため白濁が起こらず、鏡面エッチングが可能である。また、GaAsに対して選択性があるため、n型GaAsバッファ層22でエッチングが自動的に停止する。その場合でも、AlGaAs多重量子井戸活性層25側の第1n型クラッド層24のAl混晶比はx=0.425であるため、垂直方向放射角θ⊥を36度に合わせて楕円率改善を図ることができる。
【選択図】 図1
Description
図1は、本実施の形態の半導体レーザ素子における断面図を示す。本実施の形態は、第1のレーザ構造をAlGaAs系赤外レーザで構成し、第2のレーザ構造をAlGaInP系赤色レーザで構成した、モノリシック型2波長半導体レーザ素子に関する。図2〜図4は、本半導体レーザ素子の製造工程における断面図を示す。以下、図2〜図4に従って、本実施の形態におけるモノリシック型2波長半導体レーザ素子の製造方法について説明する。
図5は、本実施の形態の半導体レーザ素子における断面図を示す。本実施の形態は、上記第1実施の形態の場合と同様に、第1のレーザ構造をAlGaAs系赤外レーザで構成し、第2のレーザ構造をAlGaInP系赤色レーザで構成した、モノリシック型2波長半導体レーザ素子に関する。図6〜図8は、本半導体レーザ素子の製造工程における断面図を示す。以下、図6〜図8に従って、本実施の形態におけるモノリシック型2波長半導体レーザ素子の製造方法について説明する。
22,29,42,49…n型GaAsバッファ層、
23,43…第2n型AlxGa1-xAs(x=0.500)クラッド層、
24,44…第1n型AlxGa1-xAs(x=0.425)クラッド層、
25,45…AlGaAs多重量子井戸活性層、
26,46…p型AlxGa1-xAs(x=0.500)クラッド層、
27,34,47,54…p型GaAsキャップ層、
28,48…レジスト、
30,50…n型InGaPバッファ層、
31,51…n型AlGaInPクラッド層、
32,52…活性層(発振波長650nmの多重量子井戸構造)、
33,53…p型AlGaInPクラッド層、
35,55…n型GaAs電流狭窄層、
36,37,56,57…p型AuZu/Au電極、
38,58…n型AuGe/Ni電極、
39,59…第1半導体レーザ、
40,60…第2半導体レーザ。
Claims (8)
- 同一基板上に成長した半導体層で構成されると共に、互いに異なる発振波長を有する複数のレーザ構造を備えた半導体レーザ素子において、
少なくとも1つのレーザ構造は、
第1導電型クラッド層,活性層および第2導電型クラッド層を含んで構成されると共に、
上記活性層よりも上記基板側に位置する上記第1導電型クラッド層は、組成の異なる2以上の層で構成されている
ことを特徴とする半導体レーザ素子。 - 請求項1に記載の半導体レーザ素子において、
上記基板はGaAsで構成されており、
上記第1導電型クラッド層,活性層および第2導電型クラッド層を含んで構成された少なくとも1つのレーザ構造は、AlGaAs系の材料で構成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。 - 請求項2に記載の半導体レーザ素子において、
上記少なくとも1つのレーザ構造の第1導電型クラッド層は、Al混晶比をx(0<x<1)としてAlxGa1-xAsで表されるAlGaAs系材料で成る2以上の層で構成されており、
上記2以上の層のうち上記基板に最も近い層のAl混晶比xは、その直上の層のAl混晶比xよりも高くなっている
ことを特徴とする半導体レーザ素子。 - 請求項3に記載の半導体レーザ素子において、
上記基板に最も近い層のAl混晶比xは0.45以上であることを特徴とする半導体レーザ素子。 - 請求項4に記載の半導体レーザ素子において、
上記基板に最も近い層の層厚が0.2μm以上であることを特徴とする半導体レーザ素子。 - GaAa基板上に第1のレーザ構造用のAlGaAs系材料を積層し、この積層されたAlGaAs系材料における上記第1のレーザ構造として必要の無い領域を除去し、上記AlGaAs系材料が除去された領域に上記第1のレーザ構造の発振波長とは異なる発振波長を有する第2のレーザ構造を形成する請求項3に記載の半導体レーザ素子の製造方法であって、
上記AlGaAs系材料の積層に先立って、GaAa基板上に上記第1導電型のGaAaバッファ層を形成し、
上記第1導電型GaAaバッファ層上に形成されたAlGaAs系材料における上記第1のレーザ構造として必要の無い領域を除去する際に、上記AlxGa1-xAs系材料で構成された第1導電型クラッド層のうちの上記GaAa基板に最も近い層を、HFによって上記第1導電型GaAaバッファ層との境界までエッチング除去する
ことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。 - 請求項6に記載の半導体レーザ素子の製造方法において、
上記第1導電型クラッド層のうち上記GaAa基板に最も近い層を上記第1導電型GaAaバッファ層との境界までエッチング除去した後に、上記第1導電型GaAsバッファ層をエッチング除去することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。 - 請求項6あるいは請求項7に記載の半導体レーザ素子の製造方法において、
上記第1導電型クラッド層のうち上記GaAa基板に最も近い層に対する上記HFによる上記第1導電型GaAaバッファ層との境界までのエッチング除去に先立って、上記GaAa基板に最も近い層の途中までをAlGaAs系材料に対して選択性のないエッチャントでエッチングすることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003277292A JP4284126B2 (ja) | 2003-07-22 | 2003-07-22 | 半導体レーザ素子 |
US10/891,507 US20050018733A1 (en) | 2003-07-22 | 2004-07-15 | Semiconductor laser device and manufacturing method therefor |
CNB200410054490XA CN1320712C (zh) | 2003-07-22 | 2004-07-22 | 半导体激光器件及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003277292A JP4284126B2 (ja) | 2003-07-22 | 2003-07-22 | 半導体レーザ素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005044993A true JP2005044993A (ja) | 2005-02-17 |
JP4284126B2 JP4284126B2 (ja) | 2009-06-24 |
Family
ID=34074632
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003277292A Expired - Fee Related JP4284126B2 (ja) | 2003-07-22 | 2003-07-22 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050018733A1 (ja) |
JP (1) | JP4284126B2 (ja) |
CN (1) | CN1320712C (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006261445A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Sharp Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP2007048813A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
US7539230B2 (en) | 2006-08-11 | 2009-05-26 | Panasonic Corporation | Semiconductor laser device and method for fabricating the same |
US7613220B2 (en) | 2006-10-03 | 2009-11-03 | Panasonic Corporation | Two-wavelength semiconductor laser device and method for fabricating the same |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005347478A (ja) * | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子 |
JP2006120668A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
JP5005300B2 (ja) * | 2006-09-07 | 2012-08-22 | パナソニック株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP2009033009A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Panasonic Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
WO2009073441A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Low refractive index composition, abrasion resistant anti-reflective coating, and method for forming abrasion resistant anti-reflective coating |
US20100291364A1 (en) * | 2007-12-19 | 2010-11-18 | E.I. Dupont Nemours And Company | Bilayer anti-reflective films containing nanoparticles in both layers |
EP2223170A1 (en) * | 2007-12-19 | 2010-09-01 | E. I. du Pont de Nemours and Company | Bilayer anti-reflective films containing nanoparticles |
JP4930925B2 (ja) * | 2008-01-11 | 2012-05-16 | パナソニック株式会社 | 二波長半導体レーザ装置 |
US8092905B2 (en) | 2008-10-10 | 2012-01-10 | E.I Du Pont De Nemours And Company | Compositions containing multifunctional nanoparticles |
JP2019079911A (ja) * | 2017-10-24 | 2019-05-23 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子 |
CN108927601A (zh) * | 2018-07-18 | 2018-12-04 | 张家港市顶峰激光科技有限公司 | 一种利用半导体激光束进行材料表面整平设备 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4564946A (en) * | 1983-02-25 | 1986-01-14 | At&T Bell Laboratories | Optical communications system using frequency shift keying |
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JP2001345514A (ja) * | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
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-
2003
- 2003-07-22 JP JP2003277292A patent/JP4284126B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-07-15 US US10/891,507 patent/US20050018733A1/en not_active Abandoned
- 2004-07-22 CN CNB200410054490XA patent/CN1320712C/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050018733A1 (en) | 2005-01-27 |
CN1578031A (zh) | 2005-02-09 |
JP4284126B2 (ja) | 2009-06-24 |
CN1320712C (zh) | 2007-06-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120327 Year of fee payment: 3 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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